spice/diodes.com-spice.txt

   1 *SRC=1N4728A;DI_1N4728A;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  1.00W   Diodes Inc.\r
   2 Zener\r
   3 *SYM=HZEN\r
   4 .SUBCKT DI_1N4728A  1 2\r
   5 *        Terminals    A   K\r
   6 D1 1 2 DF\r
   7 DZ 3 1 DR\r
   8 VZ 2 3 0.972\r
   9 .MODEL DF D ( IS=125p RS=0.620 N=1.10\r
  10 + CJO=364p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
  11 .MODEL DR D ( IS=25.0f RS=1.24 N=3.00 )\r
  12 .ENDS\r
  13 \r
  14 *SRC=1N4729A;DI_1N4729A;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  1.00W   Diodes Inc.\r
  15 Zener\r
  16 *SYM=HZEN\r
  17 .SUBCKT DI_1N4729A  1 2\r
  18 *        Terminals    A   K\r
  19 D1 1 2 DF\r
  20 DZ 3 1 DR\r
  21 VZ 2 3 1.30\r
  22 .MODEL DF D ( IS=114p RS=0.620 N=1.10\r
  23 + CJO=319p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
  24 .MODEL DR D ( IS=22.9f RS=0.923 N=3.00 )\r
  25 .ENDS\r
  26 \r
  27 *SRC=1N4730A;DI_1N4730A;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  1.00W   Diodes Inc.\r
  28 Zener\r
  29 *SYM=HZEN\r
  30 .SUBCKT DI_1N4730A  1 2\r
  31 *        Terminals    A   K\r
  32 D1 1 2 DF\r
  33 DZ 3 1 DR\r
  34 VZ 2 3 1.63\r
  35 .MODEL DF D ( IS=106p RS=0.620 N=1.10\r
  36 + CJO=283p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
  37 .MODEL DR D ( IS=21.1f RS=0.645 N=3.00 )\r
  38 .ENDS\r
  39 \r
  40 *SRC=1N4732A;DI_1N4732A;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  1.00W   Diodes Inc.\r
  41 Zener\r
  42 *SYM=HZEN\r
  43 .SUBCKT DI_1N4732A  1 2\r
  44 *        Terminals    A   K\r
  45 D1 1 2 DF\r
  46 DZ 3 1 DR\r
  47 VZ 2 3 2.99\r
  48 .MODEL DF D ( IS=87.7p RS=0.620 N=1.10\r
  49 + CJO=214p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
  50 .MODEL DR D ( IS=17.5f RS=0.333 N=2.28 )\r
  51 .ENDS\r
  52 \r
  53 *SRC=1N4733A;DI_1N4733A;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  1.00W   Diodes Inc.\r
  54 Zener\r
  55 *SYM=HZEN\r
  56 .SUBCKT DI_1N4733A  1 2\r
  57 *        Terminals    A   K\r
  58 D1 1 2 DF\r
  59 DZ 3 1 DR\r
  60 VZ 2 3 3.69\r
  61 .MODEL DF D ( IS=80.8p RS=0.620 N=1.10\r
  62 + CJO=189p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
  63 .MODEL DR D ( IS=16.2f RS=0.296 N=1.87 )\r
  64 .ENDS\r
  65 \r
  66 *SRC=1N4734A;DI_1N4734A;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  1.00W   Diodes Inc.\r
  67 Zener\r
  68 *SYM=HZEN\r
  69 .SUBCKT DI_1N4734A  1 2\r
  70 *        Terminals    A   K\r
  71 D1 1 2 DF\r
  72 DZ 3 1 DR\r
  73 VZ 2 3 4.48\r
  74 .MODEL DF D ( IS=73.6p RS=0.620 N=1.10\r
  75 + CJO=165p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
  76 .MODEL DR D ( IS=14.7f RS=0.256 N=1.49 )\r
  77 .ENDS\r
  78 \r
  79 *SRC=1N4735A;DI_1N4735A;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  1.00W   Diodes Inc.\r
  80 Zener\r
  81 *SYM=HZEN\r
  82 .SUBCKT DI_1N4735A  1 2\r
  83 *        Terminals    A   K\r
  84 D1 1 2 DF\r
  85 DZ 3 1 DR\r
  86 VZ 2 3 5.33\r
  87 .MODEL DF D ( IS=66.5p RS=0.620 N=1.10\r
  88 + CJO=141p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
  89 .MODEL DR D ( IS=13.3f RS=0.218 N=1.16 )\r
  90 .ENDS\r
  91 \r
  92 *SRC=1N4736A;DI_1N4736A;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  1.00W   Diodes Inc.\r
  93 Zener\r
  94 *SYM=HZEN\r
  95 .SUBCKT DI_1N4736A  1 2\r
  96 *        Terminals    A   K\r
  97 D1 1 2 DF\r
  98 DZ 3 1 DR\r
  99 VZ 2 3 6.05\r
 100 .MODEL DF D ( IS=60.6p RS=0.620 N=1.10\r
 101 + CJO=123p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 102 .MODEL DR D ( IS=12.1f RS=0.209 N=1.00 )\r
 103 .ENDS\r
 104 \r
 105 *SRC=1N4737A;DI_1N4737A;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  1.00W   Diodes Inc.\r
 106 Zener\r
 107 *SYM=HZEN\r
 108 .SUBCKT DI_1N4737A  1 2\r
 109 *        Terminals    A   K\r
 110 D1 1 2 DF\r
 111 DZ 3 1 DR\r
 112 VZ 2 3 6.68\r
 113 .MODEL DF D ( IS=54.9p RS=0.620 N=1.10\r
 114 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 115 .MODEL DR D ( IS=11.0f RS=0.247 N=1.09 )\r
 116 .ENDS\r
 117 \r
 118 *SRC=1N4738A;DI_1N4738A;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  1.00W   Diodes Inc.\r
 119 Zener\r
 120 *SYM=HZEN\r
 121 .SUBCKT DI_1N4738A  1 2\r
 122 *        Terminals    A   K\r
 123 D1 1 2 DF\r
 124 DZ 3 1 DR\r
 125 VZ 2 3 7.33\r
 126 .MODEL DF D ( IS=50.2p RS=0.620 N=1.10\r
 127 + CJO=92.8p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 128 .MODEL DR D ( IS=10.0f RS=0.288 N=1.15 )\r
 129 .ENDS\r
 130 \r
 131 *SRC=1N4739A;DI_1N4739A;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  1.00W   Diodes Inc.\r
 132 Zener\r
 133 *SYM=HZEN\r
 134 .SUBCKT DI_1N4739A  1 2\r
 135 *        Terminals    A   K\r
 136 D1 1 2 DF\r
 137 DZ 3 1 DR\r
 138 VZ 2 3 8.16\r
 139 .MODEL DF D ( IS=45.3p RS=0.620 N=1.10\r
 140 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 141 .MODEL DR D ( IS=9.05f RS=0.344 N=1.24 )\r
 142 .ENDS\r
 143 \r
 144 *SRC=1N4740A;DI_1N4740A;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 145 Zener\r
 146 *SYM=HZEN\r
 147 .SUBCKT DI_1N4740A  1 2\r
 148 *        Terminals    A   K\r
 149 D1 1 2 DF\r
 150 DZ 3 1 DR\r
 151 VZ 2 3 9.02\r
 152 .MODEL DF D ( IS=41.2p RS=0.620 N=1.10\r
 153 + CJO=68.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 154 .MODEL DR D ( IS=8.24f RS=0.403 N=1.30 )\r
 155 .ENDS\r
 156 \r
 157 *SRC=1N4741A;DI_1N4741A;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 158 Zener\r
 159 *SYM=HZEN\r
 160 .SUBCKT DI_1N4741A  1 2\r
 161 *        Terminals    A   K\r
 162 D1 1 2 DF\r
 163 DZ 3 1 DR\r
 164 VZ 2 3 9.94\r
 165 .MODEL DF D ( IS=37.5p RS=0.620 N=1.10\r
 166 + CJO=101p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 167 .MODEL DR D ( IS=7.49f RS=0.474 N=1.41 )\r
 168 .ENDS\r
 169 \r
 170 *SRC=1N4742A;DI_1N4742A;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 171 Zener\r
 172 *SYM=HZEN\r
 173 .SUBCKT DI_1N4742A  1 2\r
 174 *        Terminals    A   K\r
 175 D1 1 2 DF\r
 176 DZ 3 1 DR\r
 177 VZ 2 3 10.9\r
 178 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=0.620 N=1.10\r
 179 + CJO=94.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 180 .MODEL DR D ( IS=6.87f RS=0.550 N=1.49 )\r
 181 .ENDS\r
 182 \r
 183 *SRC=1N4743A;DI_1N4743A;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 184 Zener\r
 185 *SYM=HZEN\r
 186 .SUBCKT DI_1N4743A  1 2\r
 187 *        Terminals    A   K\r
 188 D1 1 2 DF\r
 189 DZ 3 1 DR\r
 190 VZ 2 3 11.8\r
 191 .MODEL DF D ( IS=31.7p RS=0.620 N=1.10\r
 192 + CJO=88.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 193 .MODEL DR D ( IS=6.34f RS=0.630 N=1.55 )\r
 194 .ENDS\r
 195 \r
 196 *SRC=1N4744A;DI_1N4744A;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 197 Zener\r
 198 *SYM=HZEN\r
 199 .SUBCKT DI_1N4744A  1 2\r
 200 *        Terminals    A   K\r
 201 D1 1 2 DF\r
 202 DZ 3 1 DR\r
 203 VZ 2 3 13.7\r
 204 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=0.620 N=1.10\r
 205 + CJO=78.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 206 .MODEL DR D ( IS=5.49f RS=0.804 N=1.77 )\r
 207 .ENDS\r
 208 \r
 209 *SRC=1N4745A;DI_1N4745A;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 210 Zener\r
 211 *SYM=HZEN\r
 212 .SUBCKT DI_1N4745A  1 2\r
 213 *        Terminals    A   K\r
 214 D1 1 2 DF\r
 215 DZ 3 1 DR\r
 216 VZ 2 3 14.6\r
 217 .MODEL DF D ( IS=25.7p RS=0.620 N=1.10\r
 218 + CJO=74.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 219 .MODEL DR D ( IS=5.15f RS=0.897 N=1.80 )\r
 220 .ENDS\r
 221 \r
 222 *SRC=1N4746A;DI_1N4746A;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 223 Zener\r
 224 *SYM=HZEN\r
 225 .SUBCKT DI_1N4746A  1 2\r
 226 *        Terminals    A   K\r
 227 D1 1 2 DF\r
 228 DZ 3 1 DR\r
 229 VZ 2 3 16.5\r
 230 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=0.620 N=1.10\r
 231 + CJO=67.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 232 .MODEL DR D ( IS=4.58f RS=1.10 N=1.98 )\r
 233 .ENDS\r
 234 \r
 235 *SRC=1N4747A;DI_1N4747A;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 236 Zener\r
 237 *SYM=HZEN\r
 238 .SUBCKT DI_1N4747A  1 2\r
 239 *        Terminals    A   K\r
 240 D1 1 2 DF\r
 241 DZ 3 1 DR\r
 242 VZ 2 3 18.4\r
 243 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=0.620 N=1.10\r
 244 + CJO=62.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 245 .MODEL DR D ( IS=4.12f RS=1.31 N=2.12 )\r
 246 .ENDS\r
 247 \r
 248 *SRC=1N4748A;DI_1N4748A;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 249 Zener\r
 250 *SYM=HZEN\r
 251 .SUBCKT DI_1N4748A  1 2\r
 252 *        Terminals    A   K\r
 253 D1 1 2 DF\r
 254 DZ 3 1 DR\r
 255 VZ 2 3 20.3\r
 256 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=0.620 N=1.10\r
 257 + CJO=58.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 258 .MODEL DR D ( IS=3.75f RS=1.54 N=2.29 )\r
 259 .ENDS\r
 260 \r
 261 *SRC=1N4749A;DI_1N4749A;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 262 Zener\r
 263 *SYM=HZEN\r
 264 .SUBCKT DI_1N4749A  1 2\r
 265 *        Terminals    A   K\r
 266 D1 1 2 DF\r
 267 DZ 3 1 DR\r
 268 VZ 2 3 22.2\r
 269 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=0.620 N=1.10\r
 270 + CJO=54.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 271 .MODEL DR D ( IS=3.43f RS=1.79 N=2.42 )\r
 272 .ENDS\r
 273 \r
 274 *SRC=1N4750A;DI_1N4750A;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 275 Zener\r
 276 *SYM=HZEN\r
 277 .SUBCKT DI_1N4750A  1 2\r
 278 *        Terminals    A   K\r
 279 D1 1 2 DF\r
 280 DZ 3 1 DR\r
 281 VZ 2 3 25.0\r
 282 .MODEL DF D ( IS=15.3p RS=0.620 N=1.10\r
 283 + CJO=50.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 284 .MODEL DR D ( IS=3.05f RS=2.18 N=2.68 )\r
 285 .ENDS\r
 286 \r
 287 *SRC=1N4751A;DI_1N4751A;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 288 Zener\r
 289 *SYM=HZEN\r
 290 .SUBCKT DI_1N4751A  1 2\r
 291 *        Terminals    A   K\r
 292 D1 1 2 DF\r
 293 DZ 3 1 DR\r
 294 VZ 2 3 27.8\r
 295 .MODEL DF D ( IS=13.7p RS=0.620 N=1.10\r
 296 + CJO=46.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 297 .MODEL DR D ( IS=2.75f RS=2.61 N=2.87 )\r
 298 .ENDS\r
 299 \r
 300 *SRC=1N4752A;DI_1N4752A;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 301 Zener\r
 302 *SYM=HZEN\r
 303 .SUBCKT DI_1N4752A  1 2\r
 304 *        Terminals    A   K\r
 305 D1 1 2 DF\r
 306 DZ 3 1 DR\r
 307 VZ 2 3 30.8\r
 308 .MODEL DF D ( IS=12.5p RS=0.620 N=1.10\r
 309 + CJO=43.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 310 .MODEL DR D ( IS=2.50f RS=3.07 N=2.98 )\r
 311 .ENDS\r
 312 \r
 313 *SRC=1N4753A;DI_1N4753A;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 314 Zener\r
 315 *SYM=HZEN\r
 316 .SUBCKT DI_1N4753A  1 2\r
 317 *        Terminals    A   K\r
 318 D1 1 2 DF\r
 319 DZ 3 1 DR\r
 320 VZ 2 3 33.7\r
 321 .MODEL DF D ( IS=11.4p RS=0.620 N=1.10\r
 322 + CJO=41.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 323 .MODEL DR D ( IS=2.29f RS=4.38 N=3.00 )\r
 324 .ENDS\r
 325 \r
 326 *SRC=1N4754A;DI_1N4754A;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 327 Zener\r
 328 *SYM=HZEN\r
 329 .SUBCKT DI_1N4754A  1 2\r
 330 *        Terminals    A   K\r
 331 D1 1 2 DF\r
 332 DZ 3 1 DR\r
 333 VZ 2 3 36.7\r
 334 .MODEL DF D ( IS=10.6p RS=0.620 N=1.10\r
 335 + CJO=39.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 336 .MODEL DR D ( IS=2.11f RS=5.78 N=3.00 )\r
 337 .ENDS\r
 338 \r
 339 *SRC=1N4755A;DI_1N4755A;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 340 Zener\r
 341 *SYM=HZEN\r
 342 .SUBCKT DI_1N4755A  1 2\r
 343 *        Terminals    A   K\r
 344 D1 1 2 DF\r
 345 DZ 3 1 DR\r
 346 VZ 2 3 40.7\r
 347 .MODEL DF D ( IS=9.58p RS=0.620 N=1.10\r
 348 + CJO=37.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 349 .MODEL DR D ( IS=1.92f RS=7.99 N=3.00 )\r
 350 .ENDS\r
 351 \r
 352 *SRC=1N4756A;DI_1N4756A;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
 353 Zener\r
 354 *SYM=HZEN\r
 355 .SUBCKT DI_1N4756A  1 2\r
 356 *        Terminals    A   K\r
 357 D1 1 2 DF\r
 358 DZ 3 1 DR\r
 359 VZ 2 3 44.7\r
 360 .MODEL DF D ( IS=8.77p RS=0.620 N=1.10\r
 361 + CJO=35.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 362 .MODEL DR D ( IS=1.75f RS=10.2 N=3.00 )\r
 363 .ENDS\r
 364 \r
 365 *SRC=1N4757A;DI_1N4757A;Diodes;Zener >50V; 51.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 366 *SYM=HZEN\r
 367 .SUBCKT DI_1N4757A  1 2\r
 368 *        Terminals    A   K\r
 369 D1 1 2 DF\r
 370 DZ 3 1 DR\r
 371 VZ 2 3 48.7\r
 372 .MODEL DF D ( IS=8.08p RS=0.620 N=1.10\r
 373 + CJO=33.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 374 .MODEL DR D ( IS=1.62f RS=12.4 N=3.00 )\r
 375 .ENDS\r
 376 \r
 377 *SRC=1N4758A;DI_1N4758A;Diodes;Zener >50V; 56.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 378 *SYM=HZEN\r
 379 .SUBCKT DI_1N4758A  1 2\r
 380 *        Terminals    A   K\r
 381 D1 1 2 DF\r
 382 DZ 3 1 DR\r
 383 VZ 2 3 53.7\r
 384 .MODEL DF D ( IS=7.36p RS=0.620 N=1.10\r
 385 + CJO=32.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 386 .MODEL DR D ( IS=1.47f RS=15.5 N=3.00 )\r
 387 .ENDS\r
 388 \r
 389 *SRC=1N4759A;DI_1N4759A;Diodes;Zener >50V; 62.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 390 *SYM=HZEN\r
 391 .SUBCKT DI_1N4759A  1 2\r
 392 *        Terminals    A   K\r
 393 D1 1 2 DF\r
 394 DZ 3 1 DR\r
 395 VZ 2 3 59.7\r
 396 .MODEL DF D ( IS=6.65p RS=0.620 N=1.10\r
 397 + CJO=30.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 398 .MODEL DR D ( IS=1.33f RS=19.6 N=3.00 )\r
 399 .ENDS\r
 400 \r
 401 *SRC=1N4760A;DI_1N4760A;Diodes;Zener >50V; 68.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 402 *SYM=HZEN\r
 403 .SUBCKT DI_1N4760A  1 2\r
 404 *        Terminals    A   K\r
 405 D1 1 2 DF\r
 406 DZ 3 1 DR\r
 407 VZ 2 3 65.7\r
 408 .MODEL DF D ( IS=6.06p RS=0.620 N=1.10\r
 409 + CJO=29.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 410 .MODEL DR D ( IS=1.21f RS=24.6 N=3.00 )\r
 411 .ENDS\r
 412 \r
 413 *SRC=1N4761A;DI_1N4761A;Diodes;Zener >50V; 75.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 414 *SYM=HZEN\r
 415 .SUBCKT DI_1N4761A  1 2\r
 416 *        Terminals    A   K\r
 417 D1 1 2 DF\r
 418 DZ 3 1 DR\r
 419 VZ 2 3 72.7\r
 420 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=0.620 N=1.10\r
 421 + CJO=27.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 422 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=30.4 N=3.00 )\r
 423 .ENDS\r
 424 \r
 425 *SRC=1N4762A;DI_1N4762A;Diodes;Zener >50V; 82.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 426 *SYM=HZEN\r
 427 .SUBCKT DI_1N4762A  1 2\r
 428 *        Terminals    A   K\r
 429 D1 1 2 DF\r
 430 DZ 3 1 DR\r
 431 VZ 2 3 79.7\r
 432 .MODEL DF D ( IS=5.02p RS=0.620 N=1.10\r
 433 + CJO=26.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 434 .MODEL DR D ( IS=1.00f RS=36.8 N=3.00 )\r
 435 .ENDS\r
 436 \r
 437 *SRC=1N4763A;DI_1N4763A;Diodes;Zener >50V; 91.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 438 *SYM=HZEN\r
 439 .SUBCKT DI_1N4763A  1 2\r
 440 *        Terminals    A   K\r
 441 D1 1 2 DF\r
 442 DZ 3 1 DR\r
 443 VZ 2 3 88.6\r
 444 .MODEL DF D ( IS=4.53p RS=0.620 N=1.10\r
 445 + CJO=25.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 446 .MODEL DR D ( IS=9.05e-016 RS=47.1 N=3.00 )\r
 447 .ENDS\r
 448 \r
 449 *SRC=1N4764A;DI_1N4764A;Diodes;Zener >50V; 100V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
 450 *SYM=HZEN\r
 451 .SUBCKT DI_1N4764A  1 2\r
 452 *        Terminals    A   K\r
 453 D1 1 2 DF\r
 454 DZ 3 1 DR\r
 455 VZ 2 3 97.6\r
 456 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=0.620 N=1.10\r
 457 + CJO=24.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 458 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=56.8 N=3.00 )\r
 459 .ENDS\r
 460 \r
 461 *SRC=1N5221B;DI_1N5221B;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.500W   DIODES INC ZENER\r
 462 *SYM=HZEN\r
 463 .SUBCKT DI_1N5221B  1 2\r
 464 *        Terminals    A   K\r
 465 D1 1 2 DF\r
 466 DZ 3 1 DR\r
 467 VZ 2 3 0\r
 468 .MODEL DF D ( IS=85.8p RS=2.47m N=1.10\r
 469 + CJO=388p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 470 .MODEL DR D ( IS=17.2f RS=26.1 N=3.00 )\r
 471 .ENDS\r
 472 \r
 473 *SRC=1N5231B;DI_1N5231B;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.500W   Diodes Inc.\r
 474 zener\r
 475 *SYM=HZEN\r
 476 .SUBCKT DI_1N5231B  1 2\r
 477 *        Terminals    A   K\r
 478 D1 1 2 DF\r
 479 DZ 3 1 DR\r
 480 VZ 2 3 2.62\r
 481 .MODEL DF D ( IS=40.4p RS=2.32 N=1.10\r
 482 + CJO=94.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 483 .MODEL DR D ( IS=8.08f RS=13.1 N=3.00 )\r
 484 .ENDS\r
 485 \r
 486 *SRC=1N5233B;DI_1N5233B;Diodes;Zener <=10V; 6.00V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
 487 *SYM=HZEN \r
 488 .SUBCKT DI_1N5233B  1 2 \r
 489 *        Terminals    A   K \r
 490 D1 1 2 DF \r
 491 DZ 3 1 DR \r
 492 VZ 2 3 5.11 \r
 493 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=1.24 N=1.10 \r
 494 + CJO=74.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n ) \r
 495 .MODEL DR D ( IS=6.87f RS=0.460 N=1.19 ) \r
 496 .ENDS\r
 497 \r
 498 *SRC=1N5235B;DI_1N5235B;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
 499 *SYM=HZEN \r
 500 .SUBCKT DI_1N5235B  1 2 \r
 501 *        Terminals    A   K \r
 502 D1 1 2 DF \r
 503 DZ 3 1 DR \r
 504 VZ 2 3 4.56 \r
 505 .MODEL DF D ( IS=30.3p RS=1.24 N=1.10 \r
 506 + CJO=61.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n ) \r
 507 .MODEL DR D ( IS=6.06f RS=1.15 N=2.97 ) \r
 508 .ENDS\r
 509 \r
 510 *SRC=1N5239B;DI_1N5239B;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.500W   Diodes Inc.\r
 511 Zener\r
 512 *SYM=HZEN\r
 513 .SUBCKT DI_1N5239B  1 2\r
 514 *        Terminals    A   K\r
 515 D1 1 2 DF\r
 516 DZ 3 1 DR\r
 517 VZ 2 3 6.72\r
 518 .MODEL DF D ( IS=22.6p RS=2.24 N=1.10\r
 519 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 520 .MODEL DR D ( IS=4.53f RS=6.11 N=3.00 )\r
 521 .ENDS\r
 522 \r
 523 *SRC=1N5241B;DI_1N5241B;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
 524 *SYM=HZEN \r
 525 .SUBCKT DI_1N5241B  1 2 \r
 526 *        Terminals    A   K \r
 527 D1 1 2 DF \r
 528 DZ 3 1 DR \r
 529 VZ 2 3 9.12 \r
 530 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=1.24 N=1.10 \r
 531 + CJO=58.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
 532 .MODEL DR D ( IS=3.75f RS=0.949 N=2.45 ) \r
 533 .ENDS\r
 534 \r
 535 *SRC=AZ23C10;DI_AZ23C10;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 536 *SYM=HZEN\r
 537 .SUBCKT DI_AZ23C10  1 2\r
 538 *        Terminals    A   K\r
 539 D1 1 2 DF\r
 540 DZ 3 1 DR\r
 541 VZ 2 3 8.35\r
 542 .MODEL DF D ( IS=12.4p RS=31.6 N=1.10\r
 543 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 544 \r
 545 *SRC=AZ23C10W;DI_AZ23C10W;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 546 *SYM=HZEN\r
 547 .SUBCKT DI_AZ23C10W  1 2\r
 548 *        Terminals    A   K\r
 549 D1 1 2 DF\r
 550 DZ 3 1 DR\r
 551 VZ 2 3 8.32\r
 552 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
 553 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 554 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=3.45 N=2.23 )\r
 555 \r
 556 *SRC=AZ23C11;DI_AZ23C11;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 557 *SYM=HZEN\r
 558 .SUBCKT DI_AZ23C11  1 2\r
 559 *        Terminals    A   K\r
 560 D1 1 2 DF\r
 561 DZ 3 1 DR\r
 562 VZ 2 3 8.79\r
 563 .MODEL DF D ( IS=11.2p RS=31.3 N=1.10\r
 564 + CJO=41.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 565 \r
 566 *SRC=AZ23C12;DI_AZ23C12;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 567 *SYM=HZEN\r
 568 .SUBCKT DI_AZ23C12  1 2\r
 569 *        Terminals    A   K\r
 570 D1 1 2 DF\r
 571 DZ 3 1 DR\r
 572 VZ 2 3 9.78\r
 573 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
 574 + CJO=39.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 575 \r
 576 *SRC=AZ23C13;DI_AZ23C13;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 577 *SYM=HZEN\r
 578 .SUBCKT DI_AZ23C13  1 2\r
 579 *        Terminals    A   K\r
 580 D1 1 2 DF\r
 581 DZ 3 1 DR\r
 582 VZ 2 3 10.7\r
 583 .MODEL DF D ( IS=9.51p RS=30.8 N=1.10\r
 584 + CJO=37.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 585 \r
 586 *SRC=AZ23C15;DI_AZ23C15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 587 *SYM=HZEN\r
 588 .SUBCKT DI_AZ23C15  1 2\r
 589 *        Terminals    A   K\r
 590 D1 1 2 DF\r
 591 DZ 3 1 DR\r
 592 VZ 2 3 12.7\r
 593 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
 594 + CJO=31.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 595 \r
 596 *SRC=AZ23C16;DI_AZ23C16;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 597 *SYM=HZEN\r
 598 .SUBCKT DI_AZ23C16  1 2\r
 599 *        Terminals    A   K\r
 600 D1 1 2 DF\r
 601 DZ 3 1 DR\r
 602 VZ 2 3 13.6\r
 603 .MODEL DF D ( IS=7.72p RS=30.2 N=1.10\r
 604 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 605 \r
 606 *SRC=AZ23C18;DI_AZ23C18;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 607 *SYM=HZEN\r
 608 .SUBCKT DI_AZ23C18  1 2\r
 609 *        Terminals    A   K\r
 610 D1 1 2 DF\r
 611 DZ 3 1 DR\r
 612 VZ 2 3 15.6\r
 613 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
 614 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 615 \r
 616 *SRC=AZ23C18W;DI_AZ23C18W;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 617 *SYM=HZEN\r
 618 .SUBCKT DI_AZ23C18W  1 2\r
 619 *        Terminals    A   K\r
 620 D1 1 2 DF\r
 621 DZ 3 1 DR\r
 622 VZ 2 3 15.5\r
 623 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
 624 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 625 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=34.5 N=3.00 )\r
 626 \r
 627 *SRC=AZ23C20;DI_AZ23C20;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 628 *SYM=HZEN\r
 629 .SUBCKT DI_AZ23C20  1 2\r
 630 *        Terminals    A   K\r
 631 D1 1 2 DF\r
 632 DZ 3 1 DR\r
 633 VZ 2 3 17.6\r
 634 .MODEL DF D ( IS=6.18p RS=29.6 N=1.10\r
 635 + CJO=23.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 636 \r
 637 *SRC=AZ23C22;DI_AZ23C22;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 638 *SYM=HZEN\r
 639 .SUBCKT DI_AZ23C22  1 2\r
 640 *        Terminals    A   K\r
 641 D1 1 2 DF\r
 642 DZ 3 1 DR\r
 643 VZ 2 3 19.5\r
 644 .MODEL DF D ( IS=5.62p RS=29.3 N=1.10\r
 645 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 646 \r
 647 *SRC=AZ23C24;DI_AZ23C24;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 648 *SYM=HZEN\r
 649 .SUBCKT DI_AZ23C24  1 2\r
 650 *        Terminals    A   K\r
 651 D1 1 2 DF\r
 652 DZ 3 1 DR\r
 653 VZ 2 3 21.4\r
 654 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
 655 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 656 \r
 657 *SRC=AZ23C27;DI_AZ23C27;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 658 *SYM=HZEN\r
 659 .SUBCKT DI_AZ23C27  1 2\r
 660 *        Terminals    A   K\r
 661 D1 1 2 DF\r
 662 DZ 3 1 DR\r
 663 VZ 2 3 24.4\r
 664 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
 665 + CJO=20.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 666 \r
 667 *SRC=AZ23C2V7;DI_AZ23C2V7;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 668 *SYM=HZEN\r
 669 .SUBCKT DI_AZ23C2V7  1 2\r
 670 *        Terminals    A   K\r
 671 D1 1 2 DF\r
 672 DZ 3 1 DR\r
 673 VZ 2 3 0.263\r
 674 .MODEL DF D ( IS=45.8p RS=35.3 N=1.10\r
 675 + CJO=450p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 676 \r
 677 *SRC=AZ23C30;DI_AZ23C30;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 678 *SYM=HZEN\r
 679 .SUBCKT DI_AZ23C30  1 2\r
 680 *        Terminals    A   K\r
 681 D1 1 2 DF\r
 682 DZ 3 1 DR\r
 683 VZ 2 3 27.4\r
 684 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
 685 + CJO=19.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 686 \r
 687 *SRC=AZ23C33;DI_AZ23C33;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 688 *SYM=HZEN\r
 689 .SUBCKT DI_AZ23C33  1 2\r
 690 *        Terminals    A   K\r
 691 D1 1 2 DF\r
 692 DZ 3 1 DR\r
 693 VZ 2 3 30.4\r
 694 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
 695 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 696 \r
 697 *SRC=AZ23C36;DI_AZ23C36;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 698 *SYM=HZEN\r
 699 .SUBCKT DI_AZ23C36  1 2\r
 700 *        Terminals    A   K\r
 701 D1 1 2 DF\r
 702 DZ 3 1 DR\r
 703 VZ 2 3 33.3\r
 704 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
 705 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 706 \r
 707 *SRC=AZ23C39;DI_AZ23C39;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 708 *SYM=HZEN\r
 709 .SUBCKT DI_AZ23C39  1 2\r
 710 *        Terminals    A   K\r
 711 D1 1 2 DF\r
 712 DZ 3 1 DR\r
 713 VZ 2 3 36.3\r
 714 .MODEL DF D ( IS=3.17p RS=27.7 N=1.10\r
 715 + CJO=17.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 716 \r
 717 *SRC=AZ23C3V0;DI_AZ23C3V0;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 718 *SYM=HZEN\r
 719 .SUBCKT DI_AZ23C3V0  1 2\r
 720 *        Terminals    A   K\r
 721 D1 1 2 DF\r
 722 DZ 3 1 DR\r
 723 VZ 2 3 0.495\r
 724 .MODEL DF D ( IS=41.2p RS=35.0 N=1.10\r
 725 + CJO=417p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 726 \r
 727 *SRC=AZ23C3V3;DI_AZ23C3V3;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 728 *SYM=HZEN\r
 729 .SUBCKT DI_AZ23C3V3  1 2\r
 730 *        Terminals    A   K\r
 731 D1 1 2 DF\r
 732 DZ 3 1 DR\r
 733 VZ 2 3 0.787\r
 734 .MODEL DF D ( IS=37.5p RS=34.7 N=1.10\r
 735 + CJO=397p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 736 \r
 737 *SRC=AZ23C3V6;DI_AZ23C3V6;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 738 *SYM=HZEN\r
 739 .SUBCKT DI_AZ23C3V6 1 2\r
 740 *        Terminals    A   K\r
 741 D1 1 2 DF\r
 742 DZ 3 1 DR\r
 743 VZ 2 3 1.08\r
 744 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
 745 + CJO=384p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 746 \r
 747 *SRC=AZ23C3V9;DI_AZ23C3V9;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 748 *SYM=HZEN\r
 749 .SUBCKT DI_AZ23C3V9  1 2\r
 750 *        Terminals    A   K\r
 751 D1 1 2 DF\r
 752 DZ 3 1 DR\r
 753 VZ 2 3 1.08\r
 754 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
 755 + CJO=370p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 756 \r
 757 *SRC=AZ23C43;DI_AZ23C43;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 758 *SYM=HZEN\r
 759 .SUBCKT DI_AZ23C43  1 2\r
 760 *        Terminals    A   K\r
 761 D1 1 2 DF\r
 762 DZ 3 1 DR\r
 763 VZ 2 3 40.3\r
 764 .MODEL DF D ( IS=2.87p RS=27.4 N=1.10\r
 765 + CJO=16.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 766 \r
 767 *SRC=AZ23C47;DI_AZ23C47;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 768 *SYM=HZEN\r
 769 .SUBCKT DI_AZ23C47  1 2\r
 770 *        Terminals    A   K\r
 771 D1 1 2 DF\r
 772 DZ 3 1 DR\r
 773 VZ 2 3 44.3\r
 774 .MODEL DF D ( IS=2.63p RS=27.2 N=1.10\r
 775 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 776 \r
 777 *SRC=AZ23C4V3;DI_AZ23C4V3;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 778 *SYM=HZEN\r
 779 .SUBCKT DI_AZ23C4V3  1 2\r
 780 *        Terminals    A   K\r
 781 D1 1 2 DF\r
 782 DZ 3 1 DR\r
 783 VZ 2 3 1.77\r
 784 .MODEL DF D ( IS=28.7p RS=34.0 N=1.10\r
 785 + CJO=357p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 786 \r
 787 *SRC=AZ23C4V7;DI_AZ23C4V7;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 788 *SYM=HZEN\r
 789 .SUBCKT DI_AZ23C4V7  1 2\r
 790 *        Terminals    A   K\r
 791 D1 1 2 DF\r
 792 DZ 3 1 DR\r
 793 VZ 2 3 2.24\r
 794 .MODEL DF D ( IS=26.3p RS=33.7 N=1.10\r
 795 + CJO=350p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 796 \r
 797 *SRC=AZ23C51;DI_AZ23C51;Diodes;Zener >50V; 51.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 798 *SYM=HZEN\r
 799 .SUBCKT DI_AZ23C51  1 2\r
 800 *        Terminals    A   K\r
 801 D1 1 2 DF\r
 802 DZ 3 1 DR\r
 803 VZ 2 3 48.2\r
 804 .MODEL DF D ( IS=2.42p RS=26.9 N=1.10\r
 805 + CJO=16.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 806 \r
 807 *SRC=AZ23C5V1;DI_AZ23C5V1;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 808 *SYM=HZEN\r
 809 .SUBCKT DI_AZ23C5V1  1 2\r
 810 *        Terminals    A   K\r
 811 D1 1 2 DF\r
 812 DZ 3 1 DR\r
 813 VZ 2 3 2.73\r
 814 .MODEL DF D ( IS=24.2p RS=33.5 N=1.10\r
 815 + CJO=132p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 816 \r
 817 *SRC=AZ23C5V6;DI_AZ23C5V6;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 818 *SYM=HZEN\r
 819 .SUBCKT DI_AZ23C5V6  1 2\r
 820 *        Terminals    A   K\r
 821 D1 1 2 DF\r
 822 DZ 3 1 DR\r
 823 VZ 2 3 3.32\r
 824 .MODEL DF D ( IS=22.1p RS=33.2 N=1.10\r
 825 + CJO=102p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 826 \r
 827 *SRC=AZ23C5V6W;DI_AZ23C5V6W;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 828 *SYM=HZEN\r
 829 .SUBCKT DI_AZ23C5V6W  1 2\r
 830 *        Terminals    A   K\r
 831 D1 1 2 DF\r
 832 DZ 3 1 DR\r
 833 VZ 2 3 3.29\r
 834 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
 835 + CJO=102p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 836 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=24.5 N=3.00 )\r
 837 \r
 838 *SRC=AZ23C6V2;DI_AZ23C6V2;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 839 *SYM=HZEN\r
 840 .SUBCKT DI_AZ23C6V2  1 2\r
 841 *        Terminals    A   K\r
 842 D1 1 2 DF\r
 843 DZ 3 1 DR\r
 844 VZ 2 3 5.12\r
 845 .MODEL DF D ( IS=19.9p RS=32.9 N=1.10\r
 846 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 847 \r
 848 *SRC=AZ23C6V8;DI_AZ23C6V8;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 849 *SYM=HZEN\r
 850 .SUBCKT DI_AZ23C6V8  1 2\r
 851 *        Terminals    A   K\r
 852 D1 1 2 DF\r
 853 DZ 3 1 DR\r
 854 VZ 2 3 5.93\r
 855 .MODEL DF D ( IS=18.2p RS=32.7 N=1.10\r
 856 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 857 \r
 858 *SRC=AZ23C6V8W;DI_AZ23C6V8W;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 859 *SYM=HZEN\r
 860 .SUBCKT DI_AZ23C6V8W  1 2\r
 861 *        Terminals    A   K\r
 862 D1 1 2 DF\r
 863 DZ 3 1 DR\r
 864 VZ 2 3 5.15\r
 865 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
 866 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 867 .MODEL DR D ( IS=2.42f RS=3.45 N=2.23 )\r
 868 \r
 869 *SRC=AZ23C7V5;DI_AZ23C7V5;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 870 *SYM=HZEN\r
 871 .SUBCKT DI_AZ23C7V5  1 2\r
 872 *        Terminals    A   K\r
 873 D1 1 2 DF\r
 874 DZ 3 1 DR\r
 875 VZ 2 3 6.74\r
 876 .MODEL DF D ( IS=16.5p RS=32.4 N=1.10\r
 877 + CJO=59.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 878 \r
 879 *SRC=AZ23C8V2;DI_AZ23C8V2;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 880 *SYM=HZEN\r
 881 .SUBCKT DI_AZ23C8V2  1 2\r
 882 *        Terminals    A   K\r
 883 D1 1 2 DF\r
 884 DZ 3 1 DR\r
 885 VZ 2 3 7.43\r
 886 .MODEL DF D ( IS=15.1p RS=32.1 N=1.10\r
 887 + CJO=54.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 888 \r
 889 *SRC=AZ23C9V1;DI_AZ23C9V1;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
 890 *SYM=HZEN\r
 891 .SUBCKT DI_AZ23C9V1  1 2\r
 892 *        Terminals    A   K\r
 893 D1 1 2 DF\r
 894 DZ 3 1 DR\r
 895 VZ 2 3 8.00\r
 896 .MODEL DF D ( IS=13.6p RS=31.8 N=1.10\r
 897 + CJO=48.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 898 \r
 899 *SRC=BZT52C10;DI_BZT52C10;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
 900 *SYM=HZEN \r
 901 .SUBCKT DI_BZT52C10  1 2 \r
 902 *        Terminals    A   K \r
 903 D1 1 2 DF \r
 904 DZ 3 1 DR \r
 905 VZ 2 3 7.84 \r
 906 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=1.22 N=1.10 \r
 907 + CJO=45.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n ) \r
 908 .MODEL DR D ( IS=4.12f RS=4.60 N=2.97 ) \r
 909 .ENDS\r
 910 \r
 911 *SRC=BZT52C10S;DI_BZT52C10S;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
 912 *SYM=HZEN\r
 913 .SUBCKT DI_BZT52C10S  1 2\r
 914 *        Terminals    A   K\r
 915 D1 1 2 DF\r
 916 DZ 3 1 DR\r
 917 VZ 2 3 7.76\r
 918 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
 919 + CJO=47.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
 920 \r
 921 *SRC=BZT52C11;DI_BZT52C11;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C11  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 8.83\r.MODEL DF D ( IS=18.7p RS=32.7 N=1.10\r+ CJO=44.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=3.75f RS=4.60 N=2.97\r
 922 \r
 923 *SRC=BZT52C11S;DI_BZT52C11S;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
 924 *SYM=HZEN\r
 925 .SUBCKT DI_BZT52C11S  1 2\r
 926 *        Terminals    A   K\r
 927 D1 1 2 DF\r
 928 DZ 3 1 DR\r
 929 VZ 2 3 8.76\r
 930 .MODEL DF D ( IS=7.49p RS=30.1 N=1.10\r
 931 + CJO=44.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 932 \r
 933 *SRC=BZT52C12;DI_BZT52C12;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C12  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 9.78\r.MODEL DF D ( IS=17.2p RS=32.5 N=1.10\r+ CJO=42.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=3.43f RS=9.46 N=3.00\r
 934 \r
 935 *SRC=BZT52C12S;DI_BZT52C12S;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
 936 *SYM=HZEN\r
 937 .SUBCKT DI_BZT52C12S  1 2\r
 938 *        Terminals    A   K\r
 939 D1 1 2 DF\r
 940 DZ 3 1 DR\r
 941 VZ 2 3 9.71\r
 942 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
 943 + CJO=42.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 944 \r
 945 *SRC=BZT52C13;DI_BZT52C13;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
 946 *SYM=HZEN \r
 947 .SUBCKT DI_BZT52C13  1 2 \r
 948 *        Terminals    A   K \r
 949 D1 1 2 DF \r
 950 DZ 3 1 DR \r
 951 VZ 2 3 12.4 \r
 952 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=1.24 N=1.10 \r
 953 + CJO=51.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
 954 .MODEL DR D ( IS=3.17f RS=1.26 N=0.814 ) \r
 955 .ENDS\r
 956 \r
 957 *SRC=BZT52C13S;DI_BZT52C13S;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
 958 *SYM=HZEN\r
 959 .SUBCKT DI_BZT52C13S  1 2\r
 960 *        Terminals    A   K\r
 961 D1 1 2 DF\r
 962 DZ 3 1 DR\r
 963 VZ 2 3 10.7\r
 964 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
 965 + CJO=25.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 966 \r
 967 *SRC=BZT52C15;DI_BZT52C15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C15  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 12.7\r.MODEL DF D ( IS=13.7p RS=31.9 N=1.10\r+ CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=2.75f RS=14.5 N=3.00\r
 968 \r
 969 *SRC=BZT52C15S;DI_BZT52C15S;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
 970 *SYM=HZEN\r
 971 .SUBCKT DI_BZT52C15S  1 2\r
 972 *        Terminals    A   K\r
 973 D1 1 2 DF\r
 974 DZ 3 1 DR\r
 975 VZ 2 3 12.7\r
 976 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
 977 + CJO=25.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 978 \r
 979 *SRC=BZT52C16;DI_BZT52C16;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C16  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 13.7\r.MODEL DF D ( IS=12.9p RS=31.7 N=1.10\r+ CJO=31.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=2.58f RS=24.5 N=3.00\r
 980 \r
 981 *SRC=BZT52C16S;DI_BZT52C16S;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
 982 *SYM=HZEN\r
 983 .SUBCKT DI_BZT52C16S  1 2\r
 984 *        Terminals    A   K\r
 985 D1 1 2 DF\r
 986 DZ 3 1 DR\r
 987 VZ 2 3 13.6\r
 988 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
 989 + CJO=25.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
 990 \r
 991 *SRC=BZT52C18;DI_BZT52C18;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C18  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 15.6\r.MODEL DF D ( IS=11.4p RS=31.3 N=1.10\r+ CJO=27.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=2.29f RS=29.5 N=3.00\r
 992 \r
 993 **********************************************************************************************************************************\r
 994 *SRC=BZT52C18S;DI_BZT52C18S;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
 995 *SYM=HZEN\r
 996 .SUBCKT DI_BZT52C18S  1 2\r
 997 *        Terminals    A   K\r
 998 D1 1 2 DF\r
 999 DZ 3 1 DR\r
1000 VZ 2 3 15.6\r
1001 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
1002 + CJO=25.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1003 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=29.5 N=3.00 )\r
1004 .ENDS\r
1005 *********************************************************************************************************************************\r
1006 \r
1007 *SRC=BZT52C20;DI_BZT52C20;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C20  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 17.6\r.MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r+ CJO=23.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=2.06f RS=39.5 N=3.00\r
1008 \r
1009 *SRC=BZT52C20S;DI_BZT52C20S;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1010 *SYM=HZEN\r
1011 .SUBCKT DI_BZT52C20S  1 2\r
1012 *        Terminals    A   K\r
1013 D1 1 2 DF\r
1014 DZ 3 1 DR\r
1015 VZ 2 3 17.5\r
1016 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
1017 + CJO=23.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1018 \r
1019 *SRC=BZT52C22;DI_BZT52C22;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C22  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 19.6\r.MODEL DF D ( IS=9.36p RS=30.8 N=1.10\r+ CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=1.87f RS=39.5 N=3.00\r
1020 \r
1021 *SRC=BZT52C22S;DI_BZT52C22S;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1022 *SYM=HZEN\r
1023 .SUBCKT DI_BZT52C22S  1 2\r
1024 *        Terminals    A   K\r
1025 D1 1 2 DF\r
1026 DZ 3 1 DR\r
1027 VZ 2 3 19.5\r
1028 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
1029 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1030 \r
1031 *SRC=BZT52C24;DI_BZT52C24;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C24  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 21.5\r.MODEL DF D ( IS=8.58p RS=30.5 N=1.10\r+ CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=1.72f RS=54.5 N=3.00\r
1032 \r
1033 *SRC=BZT52C24S;DI_BZT52C24S;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1034 *SYM=HZEN\r
1035 .SUBCKT DI_BZT52C24S  1 2\r
1036 *        Terminals    A   K\r
1037 D1 1 2 DF\r
1038 DZ 3 1 DR\r
1039 VZ 2 3 21.4\r
1040 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
1041 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1042 \r
1043 *SRC=BZT52C27;DI_BZT52C27;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C27  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 24.7\r.MODEL DF D ( IS=7.63p RS=30.2 N=1.10\r+ CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=1.53f RS=41.1 N=3.00\r
1044 \r
1045 *SRC=BZT52C27S;DI_BZT52C27S;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1046 *SYM=HZEN\r
1047 .SUBCKT DI_BZT52C27S  1 2\r
1048 *        Terminals    A   K\r
1049 D1 1 2 DF\r
1050 DZ 3 1 DR\r
1051 VZ 2 3 24.7\r
1052 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
1053 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1054 \r
1055 *SRC=BZT52C2V0;DI_BZT52C2V0;Diodes;Zener <=10V; 2.00V  0.500W   Diodes Inc.\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C2V0  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 0\r.MODEL DF D ( IS=103p RS=37.6 N=1.10\r+ CJO=516p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=20.6f RS=84.5 N=3.00\r
1056 \r
1057 *SRC=BZT52C2V0S;DI_BZT52C2V0S;Diodes;Zener <=10V; 2.00V  0.200W   Diodes Inc. 200 mW Zener\r
1058 *SYM=HZEN\r
1059 .SUBCKT DI_BZT52C2V0S  1 2\r
1060 *        Terminals    A   K\r
1061 D1 1 2 DF\r
1062 DZ 3 1 DR\r
1063 VZ 2 3 0\r
1064 .MODEL DF D ( IS=41.2p RS=35.0 N=1.10\r
1065 + CJO=503p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1066 \r
1067 *SRC=BZT52C2V4;DI_BZT52C2V4;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.500W   Diodes Inc. \r
1068 *SYM=HZEN\r
1069 .SUBCKT DI_BZT52C2V4  1 2\r
1070 *        Terminals    A   K\r
1071 D1 1 2 DF\r
1072 DZ 3 1 DR\r
1073 VZ 2 3 0\r
1074 .MODEL DF D ( IS=85.8p RS=37.1 N=1.10\r
1075 + CJO=461p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1076 .MODEL DR D ( IS=17.2f RS=84.5 N=3.00 )\r
1077 .ENDS\r
1078 \r
1079 *SRC=BZT52C2V4S;DI_BZT52C2V4S;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.200W   Diodes Inc. 200 mW Zener\r
1080 *SYM=HZEN\r
1081 .SUBCKT DI_BZT52C2V4S  1 2\r
1082 *        Terminals    A   K\r
1083 D1 1 2 DF\r
1084 DZ 3 1 DR\r
1085 VZ 2 3 0\r
1086 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
1087 + CJO=460p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1088 \r
1089 *SRC=BZT52C2V7;DI_BZT52C2V7;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.500W   Diodes Inc. -\r
1090 *SYM=HZEN\r
1091 .SUBCKT DI_BZT52C2V7  1 2\r
1092 *        Terminals    A   K\r
1093 D1 1 2 DF\r
1094 DZ 3 1 DR\r
1095 VZ 2 3 0.217\r
1096 .MODEL DF D ( IS=76.3p RS=36.7 N=1.10\r
1097 + CJO=461p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1098 .MODEL DR D ( IS=15.3f RS=84.5 N=3.00 )\r
1099 .ENDS\r
1100 \r
1101 *SRC=BZT52C2V7S;DI_BZT52C2V7S;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.200W   Diodes Inc. 200 mW Zener\r
1102 *SYM=HZEN\r
1103 .SUBCKT DI_BZT52C2V7S  1 2\r
1104 *        Terminals    A   K\r
1105 D1 1 2 DF\r
1106 DZ 3 1 DR\r
1107 VZ 2 3 0.146\r
1108 .MODEL DF D ( IS=30.5p RS=34.1 N=1.10\r
1109 + CJO=410p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1110 \r
1111 *SRC=BZT52C30;DI_BZT52C30;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C30  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 27.7\r.MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r+ CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=1.37f RS=41.1 N=3.00\r
1112 \r
1113 *SRC=BZT52C30S;DI_BZT52C30S;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1114 *SYM=HZEN\r
1115 .SUBCKT DI_BZT52C30S  1 2\r
1116 *        Terminals    A   K\r
1117 D1 1 2 DF\r
1118 DZ 3 1 DR\r
1119 VZ 2 3 27.7\r
1120 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
1121 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1122 \r
1123 *SRC=BZT52C33;DI_BZT52C33;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C33  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 30.7\r.MODEL DF D ( IS=6.24p RS=29.6 N=1.10\r+ CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=1.25f RS=41.1 N=3.00\r
1124 \r
1125 *SRC=BZT52C33S;DI_BZT52C33S;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1126 *SYM=HZEN\r
1127 .SUBCKT DI_BZT52C33S  1 2\r
1128 *        Terminals    A   K\r
1129 D1 1 2 DF\r
1130 DZ 3 1 DR\r
1131 VZ 2 3 30.7\r
1132 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
1133 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1134 \r
1135 *SRC=BZT52C36;DI_BZT52C36;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
1136 *SYM=HZEN \r
1137 .SUBCKT DI_BZT52C36  1 2 \r
1138 *        Terminals    A   K \r
1139 D1 1 2 DF \r
1140 DZ 3 1 DR \r
1141 VZ 2 3 33.7 \r
1142 .MODEL DF D ( IS=5.72p RS=1.27 N=1.10 \r
1143 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
1144 .MODEL DR D ( IS=1.14f RS=51.1 N=3.00 ) \r
1145 .ENDS\r
1146 \r
1147 *SRC=BZT52C36S;DI_BZT52C36S;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1148 *SYM=HZEN\r
1149 .SUBCKT DI_BZT52C36S  1 2\r
1150 *        Terminals    A   K\r
1151 D1 1 2 DF\r
1152 DZ 3 1 DR\r
1153 VZ 2 3 33.7\r
1154 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
1155 + CJO=17.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1156 \r
1157 *SRC=BZT52C39;DI_BZT52C39;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C39  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 36.6\r.MODEL DF D ( IS=5.28p RS=29.1 N=1.10\r+ CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=1.06f RS=91.1 N=3.00\r
1158 \r
1159 *SRC=BZT52C39S;DI_BZT52C39S;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1160 *SYM=HZEN\r
1161 .SUBCKT DI_BZT52C39S  1 2\r
1162 *        Terminals    A   K\r
1163 D1 1 2 DF\r
1164 DZ 3 1 DR\r
1165 VZ 2 3 36.5\r
1166 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
1167 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1168 \r
1169 *SRC=BZT52C3V0;DI_BZT52C3V0;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.500W   Diodes Inc. -\r
1170 *SYM=HZEN\r
1171 .SUBCKT DI_BZT52C3V0  1 2\r
1172 *        Terminals    A   K\r
1173 D1 1 2 DF\r
1174 DZ 3 1 DR\r
1175 VZ 2 3 0.534\r
1176 .MODEL DF D ( IS=68.7p RS=36.4 N=1.10\r
1177 + CJO=384p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1178 .MODEL DR D ( IS=13.7f RS=79.5 N=3.00 )\r
1179 .ENDS\r
1180 \r
1181 *SRC=BZT52C3V0S;DI_BZT52C3V0S;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.200W   Diodes Inc. 200 mW Zener\r
1182 *SYM=HZEN\r
1183 .SUBCKT DI_BZT52C3V0S  1 2\r
1184 *        Terminals    A   K\r
1185 D1 1 2 DF\r
1186 DZ 3 1 DR\r
1187 VZ 2 3 0.463\r
1188 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
1189 + CJO=403p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1190 \r
1191 *SRC=BZT52C3V3;DI_BZT52C3V3;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C3V3  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 0.827\r.MODEL DF D ( IS=62.4p RS=36.2 N=1.10\r+ CJO=403p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=12.5f RS=79.5 N=3.00\r
1192 \r
1193 *SRC=BZT52C3V3S;DI_BZT52C3V3S;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1194 *SYM=HZEN\r
1195 .SUBCKT DI_BZT52C3V3S  1 2\r
1196 *        Terminals    A   K\r
1197 D1 1 2 DF\r
1198 DZ 3 1 DR\r
1199 VZ 2 3 0.756\r
1200 .MODEL DF D ( IS=25.0p RS=33.6 N=1.10\r
1201 + CJO=403p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1202 \r
1203 *SRC=BZT52C3V6;DI_BZT52C3V6;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C3V6  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 1.15\r.MODEL DF D ( IS=57.2p RS=35.9 N=1.10\r+ CJO=390p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=11.4f RS=74.5 N=3.00\r
1204 \r
1205 *SRC=BZT52C3V6S;DI_BZT52C3V6S;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1206 *SYM=HZEN\r
1207 .SUBCKT DI_BZT52C3V6S  1 2\r
1208 *        Terminals    A   K\r
1209 D1 1 2 DF\r
1210 DZ 3 1 DR\r
1211 VZ 2 3 1.07\r
1212 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
1213 + CJO=390p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1214 \r
1215 *SRC=BZT52C3V9;DI_BZT52C3V9;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C3V9  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 1.44\r.MODEL DF D ( IS=52.8p RS=35.7 N=1.10\r+ CJO=384p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=10.6f RS=74.5 N=3.00\r
1216 \r
1217 ********************************************************************************************************************************\r
1218 *SRC=BZT52C3V9S;DI_BZT52C3V9S;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1219 *SYM=HZEN\r
1220 .SUBCKT DI_BZT52C3V9S  1 2\r
1221 *        Terminals    A   K\r
1222 D1 1 2 DF\r
1223 DZ 3 1 DR\r
1224 VZ 2 3 1.37\r
1225 .MODEL DF D ( IS=21.1p RS=33.1 N=1.10\r
1226 + CJO=384p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1227 .MODEL DR D ( IS=4.23f RS=74.5 N=3.00 )\r
1228 .ENDS\r
1229 ********************************************************************************************************************************\r
1230 \r
1231 *SRC=BZT52C43;DI_BZT52C43;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.410W   Diodes Inc. Zener \r
1232 *SYM=HZEN \r
1233 .SUBCKT DI_BZT52C43  1 2 \r
1234 *        Terminals    A   K \r
1235 D1 1 2 DF \r
1236 DZ 3 1 DR \r
1237 VZ 2 3 40.3 \r
1238 .MODEL DF D ( IS=3.93p RS=1.51 N=1.10 \r
1239 + CJO=24.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
1240 .MODEL DR D ( IS=7.86e-016 RS=84.5 N=3.00 ) \r
1241 .ENDS\r
1242 \r
1243 *SRC=BZT52C47;DI_BZT52C47;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  0.410W   Diodes Inc. Zener \r
1244 *SYM=HZEN \r
1245 .SUBCKT DI_BZT52C47  1 2 \r
1246 *        Terminals    A   K \r
1247 D1 1 2 DF \r
1248 DZ 3 1 DR \r
1249 VZ 2 3 44.3 \r
1250 .MODEL DF D ( IS=3.59p RS=1.48 N=1.10 \r
1251 + CJO=24.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
1252 .MODEL DR D ( IS=7.19e-016 RS=84.5 N=3.00 ) \r
1253 .ENDS\r
1254 \r
1255 *SRC=BZT52C4V3;DI_BZT52C4V3;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C4V3  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 1.83\r.MODEL DF D ( IS=47.9p RS=35.4 N=1.10\r+ CJO=370p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=9.58f RS=74.5 N=3.00\r
1256 \r
1257 *SRC=BZT52C4V3S;DI_BZT52C4V3S;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1258 *SYM=HZEN\r
1259 .SUBCKT DI_BZT52C4V3S  1 2\r
1260 *        Terminals    A   K\r
1261 D1 1 2 DF\r
1262 DZ 3 1 DR\r
1263 VZ 2 3 1.76\r
1264 .MODEL DF D ( IS=19.2p RS=32.8 N=1.10\r
1265 + CJO=370p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1266 \r
1267 *SRC=BZT52C4V7;DI_BZT52C4V7;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C4V7  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 2.27\r.MODEL DF D ( IS=43.8p RS=35.2 N=1.10\r+ CJO=357p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=8.77f RS=64.5 N=3.00\r
1268 \r
1269 *SRC=BZT52C4V7S;DI_BZT52C4V7S;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1270 *SYM=HZEN\r
1271 .SUBCKT DI_BZT52C4V7S  1 2\r
1272 *        Terminals    A   K\r
1273 D1 1 2 DF\r
1274 DZ 3 1 DR\r
1275 VZ 2 3 2.20\r
1276 .MODEL DF D ( IS=17.5p RS=32.6 N=1.10\r
1277 + CJO=357p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1278 \r
1279 *SRC=BZT52C51;DI_BZT52C51;Diodes;Zener >50V; 51.0V  0.410W   Diodes Inc. Zener \r
1280 *SYM=HZEN \r
1281 .SUBCKT DI_BZT52C51  1 2 \r
1282 *        Terminals    A   K \r
1283 D1 1 2 DF \r
1284 DZ 3 1 DR \r
1285 VZ 2 3 48.3 \r
1286 .MODEL DF D ( IS=3.31p RS=1.45 N=1.10 \r
1287 + CJO=24.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
1288 .MODEL DR D ( IS=6.62e-016 RS=84.5 N=3.00 ) \r
1289 .ENDS\r
1290 \r
1291 *SRC=BZT52C5V1;DI_BZT52C5V1;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C5V1  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 2.77\r.MODEL DF D ( IS=40.4p RS=34.9 N=1.10\r+ CJO=145p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=8.08f RS=44.5 N=3.00\r
1292 \r
1293 *SRC=BZT52C5V1S;DI_BZT52C5V1S;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1294 *SYM=HZEN\r
1295 .SUBCKT DI_BZT52C5V1S  1 2\r
1296 *        Terminals    A   K\r
1297 D1 1 2 DF\r
1298 DZ 3 1 DR\r
1299 VZ 2 3 2.70\r
1300 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
1301 + CJO=145p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1302 \r
1303 *SRC=BZT52C5V6;DI_BZT52C5V6;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C5V6  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 3.36\r.MODEL DF D ( IS=36.8p RS=34.7 N=1.10\r+ CJO=99.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=7.36f RS=24.5 N=3.00\r
1304 \r
1305 *SRC=BZT52C5V6S;DI_BZT52C5V6S;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1306 *SYM=HZEN\r
1307 .SUBCKT DI_BZT52C5V6S  1 2\r
1308 *        Terminals    A   K\r
1309 D1 1 2 DF\r
1310 DZ 3 1 DR\r
1311 VZ 2 3 3.29\r
1312 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
1313 + CJO=99.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1314 \r
1315 *SRC=BZT52C6V2;DI_BZT52C6V2;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C6V2  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 5.14\r.MODEL DF D ( IS=33.2p RS=34.4 N=1.10\r+ CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=6.65f RS=2.30 N=1.49\r
1316 \r
1317 *SRC=BZT52C6V2S;DI_BZT52C6V2S;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1318 *SYM=HZEN\r
1319 .SUBCKT DI_BZT52C6V2S  1 2\r
1320 *        Terminals    A   K\r
1321 D1 1 2 DF\r
1322 DZ 3 1 DR\r
1323 VZ 2 3 5.10\r
1324 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
1325 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1326 \r
1327 *SRC=BZT52C6V8;DI_BZT52C6V8;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C6V8  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 5.20\r.MODEL DF D ( IS=30.3p RS=34.1 N=1.10\r+ CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=6.06f RS=3.45 N=2.23\r
1328 \r
1329 *SRC=BZT52C6V8S;DI_BZT52C6V8S;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1330 *SYM=HZEN\r
1331 .SUBCKT DI_BZT52C6V8S  1 2\r
1332 *        Terminals    A   K\r
1333 D1 1 2 DF\r
1334 DZ 3 1 DR\r
1335 VZ 2 3 5.15\r
1336 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
1337 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1338 \r
1339 *SRC=BZT52C7V5;DI_BZT52C7V5;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.500W   Diodes Inc.\r-\r*SYM=HZEN\r.SUBCKT DI_BZT52C7V5  1 2\r*        Terminals    A   K\rD1 1 2 DF\rDZ 3 1 DR\rVZ 2 3 5.89\r.MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r+ CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r.MODEL DR D ( IS=5.49f RS=3.45 N=2.23\r
1340 \r
1341 *SRC=BZT52C7V5S;DI_BZT52C7V5S;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1342 *SYM=HZEN\r
1343 .SUBCKT DI_BZT52C7V5S  1 2\r
1344 *        Terminals    A   K\r
1345 D1 1 2 DF\r
1346 DZ 3 1 DR\r
1347 VZ 2 3 5.84\r
1348 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
1349 + CJO=54.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1350 \r
1351 *SRC=BZT52C8V2;DI_BZT52C8V2;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.500W   Diodes Inc. -\r
1352 *SYM=HZEN\r
1353 .SUBCKT DI_BZT52C8V2  1 2\r
1354 *        Terminals    A   K\r
1355 D1 1 2 DF\r
1356 DZ 3 1 DR\r
1357 VZ 2 3 6.59\r
1358 .MODEL DF D ( IS=25.1p RS=33.6 N=1.10\r
1359 + CJO=38.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1360 .MODEL DR D ( IS=5.02f RS=3.45 N=2.23 )\r
1361 .ENDS\r
1362 \r
1363 *SRC=BZT52C8V2S;DI_BZT52C8V2S;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1364 *SYM=HZEN\r
1365 .SUBCKT DI_BZT52C8V2S  1 2\r
1366 *        Terminals    A   K\r
1367 D1 1 2 DF\r
1368 DZ 3 1 DR\r
1369 VZ 2 3 6.53\r
1370 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
1371 + CJO=51.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1372 \r
1373 *SRC=BZT52C9V1;DI_BZT52C9V1;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.500W   Diodes Inc. -\r
1374 *SYM=HZEN\r
1375 .SUBCKT DI_BZT52C9V1  1 2\r
1376 *        Terminals    A   K\r
1377 D1 1 2 DF\r
1378 DZ 3 1 DR\r
1379 VZ 2 3 7.48\r
1380 .MODEL DF D ( IS=22.6p RS=33.3 N=1.10\r
1381 + CJO=35.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1382 .MODEL DR D ( IS=4.53f RS=3.45 N=2.23 )\r
1383 .ENDS\r
1384 \r
1385 *SRC=BZT52C9V1S;DI_BZT52C9V1S;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1386 *SYM=HZEN\r
1387 .SUBCKT DI_BZT52C9V1S  1 2\r
1388 *        Terminals    A   K\r
1389 D1 1 2 DF\r
1390 DZ 3 1 DR\r
1391 VZ 2 3 7.43\r
1392 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
1393 + CJO=48.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1394 \r
1395 *SRC=BZX84C10;DI_BZX84C10;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1396 *SYM=HZEN\r
1397 .SUBCKT DI_BZX84C10  1 2\r
1398 *        Terminals    A   K\r
1399 D1 1 2 DF\r
1400 DZ 3 1 DR\r
1401 VZ 2 3 7.81\r
1402 .MODEL DF D ( IS=14.4p RS=32.0 N=1.10\r
1403 + CJO=24.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1404 .MODEL DR D ( IS=2.88f RS=4.60 N=2.97 )\r
1405 .ENDS\r
1406 \r
1407 *SRC=BZX84C10S;DI_BZX84C10S;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1408 *SYM=HZEN\r
1409 .SUBCKT DI_BZX84C10S  1 2\r
1410 *        Terminals    A   K\r
1411 D1 1 2 DF\r
1412 DZ 3 1 DR\r
1413 VZ 2 3 7.76\r
1414 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
1415 + CJO=24.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1416 \r
1417 *SRC=BZX84C10T;DI_BZX84C10T;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1418 *SYM=HZEN\r
1419 .SUBCKT DI_BZX84C10T  1 2\r
1420 *        Terminals    A   K\r
1421 D1 1 2 DF\r
1422 DZ 3 1 DR\r
1423 VZ 2 3 7.74\r
1424 .MODEL DF D ( IS=6.18p RS=29.6 N=1.10\r
1425 + CJO=24.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1426 \r
1427 *SRC=BZX84C10TS;DI_BZX84C10TS;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1428 *SYM=HZEN\r
1429 .SUBCKT DI_BZX84C10TS  1 2\r
1430 *        Terminals    A   K\r
1431 D1 1 2 DF\r
1432 DZ 3 1 DR\r
1433 VZ 2 3 7.76\r
1434 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
1435 + CJO=24.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1436 \r
1437 *SRC=BZX84C10W;DI_BZX84C10W;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1438 *SYM=HZEN\r
1439 .SUBCKT DI_BZX84C10W  1 2\r
1440 *        Terminals    A   K\r
1441 D1 1 2 DF\r
1442 DZ 3 1 DR\r
1443 VZ 2 3 7.76\r
1444 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
1445 + CJO=24.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1446 \r
1447 *SRC=BZX84C11;DI_BZX84C11;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1448 *SYM=HZEN\r
1449 .SUBCKT DI_BZX84C11  1 2\r
1450 *        Terminals    A   K\r
1451 D1 1 2 DF\r
1452 DZ 3 1 DR\r
1453 VZ 2 3 8.80\r
1454 .MODEL DF D ( IS=13.1p RS=31.7 N=1.10\r
1455 + CJO=45.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1456 .MODEL DR D ( IS=2.62f RS=4.60 N=2.97 )\r
1457 .ENDS\r
1458 \r
1459 *SRC=BZX84C11S;DI_BZX84C11S;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1460 *SYM=HZEN\r
1461 .SUBCKT DI_BZX84C11S  1 2\r
1462 *        Terminals    A   K\r
1463 D1 1 2 DF\r
1464 DZ 3 1 DR\r
1465 VZ 2 3 8.76\r
1466 .MODEL DF D ( IS=7.49p RS=30.1 N=1.10\r
1467 + CJO=45.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1468 \r
1469 *SRC=BZX84C11T;DI_BZX84C11T;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1470 *SYM=HZEN\r
1471 .SUBCKT DI_BZX84C11T  1 2\r
1472 *        Terminals    A   K\r
1473 D1 1 2 DF\r
1474 DZ 3 1 DR\r
1475 VZ 2 3 8.74\r
1476 .MODEL DF D ( IS=5.62p RS=29.3 N=1.10\r
1477 + CJO=45.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1478 \r
1479 *SRC=BZX84C11TS;DI_BZX84C11TS;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1480 *SYM=HZEN\r
1481 .SUBCKT DI_BZX84C11TS  1 2\r
1482 *        Terminals    A   K\r
1483 D1 1 2 DF\r
1484 DZ 3 1 DR\r
1485 VZ 2 3 8.76\r
1486 .MODEL DF D ( IS=7.49p RS=30.1 N=1.10\r
1487 + CJO=45.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1488 \r
1489 *SRC=BZX84C11W;DI_BZX84C11W;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1490 *SYM=HZEN\r
1491 .SUBCKT DI_BZX84C11W  1 2\r
1492 *        Terminals    A   K\r
1493 D1 1 2 DF\r
1494 DZ 3 1 DR\r
1495 VZ 2 3 8.76\r
1496 .MODEL DF D ( IS=7.49p RS=30.1 N=1.10\r
1497 + CJO=45.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1498 \r
1499 *SRC=BZX84C12;DI_BZX84C12;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1500 *SYM=HZEN\r
1501 .SUBCKT DI_BZX84C12  1 2\r
1502 *        Terminals    A   K\r
1503 D1 1 2 DF\r
1504 DZ 3 1 DR\r
1505 VZ 2 3 9.75\r
1506 .MODEL DF D ( IS=12.0p RS=31.5 N=1.10\r
1507 + CJO=42.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1508 .MODEL DR D ( IS=2.40f RS=9.46 N=3.00 )\r
1509 .ENDS\r
1510 \r
1511 *SRC=BZX84C12S;DI_BZX84C12S;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1512 *SYM=HZEN\r
1513 .SUBCKT DI_BZX84C12S  1 2\r
1514 *        Terminals    A   K\r
1515 D1 1 2 DF\r
1516 DZ 3 1 DR\r
1517 VZ 2 3 9.71\r
1518 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
1519 + CJO=42.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1520 \r
1521 *SRC=BZX84C12T;DI_BZX84C12T;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1522 *SYM=HZEN\r
1523 .SUBCKT DI_BZX84C12T  1 2\r
1524 *        Terminals    A   K\r
1525 D1 1 2 DF\r
1526 DZ 3 1 DR\r
1527 VZ 2 3 9.68\r
1528 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
1529 + CJO=42.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1530 \r
1531 *SRC=BZX84C12TS;DI_BZX84C12TS;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1532 *SYM=HZEN\r
1533 .SUBCKT DI_BZX84C12TS  1 2\r
1534 *        Terminals    A   K\r
1535 D1 1 2 DF\r
1536 DZ 3 1 DR\r
1537 VZ 2 3 9.71\r
1538 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
1539 + CJO=42.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1540 \r
1541 *SRC=BZX84C12W;DI_BZX84C12W;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1542 *SYM=HZEN\r
1543 .SUBCKT DI_BZX84C12W  1 2\r
1544 *        Terminals    A   K\r
1545 D1 1 2 DF\r
1546 DZ 3 1 DR\r
1547 VZ 2 3 9.71\r
1548 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
1549 + CJO=42.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1550 \r
1551 *SRC=BZX84C13;DI_BZX84C13;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1552 *SYM=HZEN\r
1553 .SUBCKT DI_BZX84C13  1 2\r
1554 *        Terminals    A   K\r
1555 D1 1 2 DF\r
1556 DZ 3 1 DR\r
1557 VZ 2 3 10.7\r
1558 .MODEL DF D ( IS=11.1p RS=31.3 N=1.10\r
1559 + CJO=40.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1560 .MODEL DR D ( IS=2.22f RS=14.5 N=3.00 )\r
1561 .ENDS\r
1562 \r
1563 *SRC=BZX84C13S;DI_BZX84C13S;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1564 *SYM=HZEN\r
1565 .SUBCKT DI_BZX84C13S  1 2\r
1566 *        Terminals    A   K\r
1567 D1 1 2 DF\r
1568 DZ 3 1 DR\r
1569 VZ 2 3 10.7\r
1570 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
1571 + CJO=40.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1572 \r
1573 *SRC=BZX84C13T;DI_BZX84C13T;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1574 *SYM=HZEN\r
1575 .SUBCKT DI_BZX84C13T  1 2\r
1576 *        Terminals    A   K\r
1577 D1 1 2 DF\r
1578 DZ 3 1 DR\r
1579 VZ 2 3 10.7\r
1580 .MODEL DF D ( IS=4.75p RS=28.8 N=1.10\r
1581 + CJO=40.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1582 \r
1583 *SRC=BZX84C13TS;DI_BZX84C13TS;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1584 *SYM=HZEN\r
1585 .SUBCKT DI_BZX84C13TS  1 2\r
1586 *        Terminals    A   K\r
1587 D1 1 2 DF\r
1588 DZ 3 1 DR\r
1589 VZ 2 3 10.7\r
1590 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
1591 + CJO=40.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1592 \r
1593 *SRC=BZX84C13W;DI_BZX84C13W;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1594 *SYM=HZEN\r
1595 .SUBCKT DI_BZX84C13W  1 2\r
1596 *        Terminals    A   K\r
1597 D1 1 2 DF\r
1598 DZ 3 1 DR\r
1599 VZ 2 3 10.7\r
1600 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
1601 + CJO=40.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1602 \r
1603 *SRC=BZX84C15;DI_BZX84C15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1604 *SYM=HZEN\r
1605 .SUBCKT DI_BZX84C15  1 2\r
1606 *        Terminals    A   K\r
1607 D1 1 2 DF\r
1608 DZ 3 1 DR\r
1609 VZ 2 3 12.7\r
1610 .MODEL DF D ( IS=9.61p RS=30.8 N=1.10\r
1611 + CJO=37.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1612 .MODEL DR D ( IS=1.92f RS=14.5 N=3.00 )\r
1613 .ENDS\r
1614 \r
1615 *SRC=BZX84C15S;DI_BZX84C15S;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1616 *SYM=HZEN\r
1617 .SUBCKT DI_BZX84C15S  1 2\r
1618 *        Terminals    A   K\r
1619 D1 1 2 DF\r
1620 DZ 3 1 DR\r
1621 VZ 2 3 12.7\r
1622 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
1623 + CJO=37.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1624 \r
1625 *SRC=BZX84C15T;DI_BZX84C15T;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1626 *SYM=HZEN\r
1627 .SUBCKT DI_BZX84C15T  1 2\r
1628 *        Terminals    A   K\r
1629 D1 1 2 DF\r
1630 DZ 3 1 DR\r
1631 VZ 2 3 12.6\r
1632 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
1633 + CJO=37.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1634 \r
1635 *SRC=BZX84C15TS;DI_BZX84C15TS;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1636 *SYM=HZEN\r
1637 .SUBCKT DI_BZX84C15TS  1 2\r
1638 *        Terminals    A   K\r
1639 D1 1 2 DF\r
1640 DZ 3 1 DR\r
1641 VZ 2 3 12.7\r
1642 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
1643 + CJO=37.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1644 \r
1645 *SRC=BZX84C15W;DI_BZX84C15W;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1646 *SYM=HZEN\r
1647 .SUBCKT DI_BZX84C15W  1 2\r
1648 *        Terminals    A   K\r
1649 D1 1 2 DF\r
1650 DZ 3 1 DR\r
1651 VZ 2 3 12.7\r
1652 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
1653 + CJO=37.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1654 \r
1655 *SRC=BZX84C16;DI_BZX84C16;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1656 *SYM=HZEN\r
1657 .SUBCKT DI_BZX84C16  1 2\r
1658 *        Terminals    A   K\r
1659 D1 1 2 DF\r
1660 DZ 3 1 DR\r
1661 VZ 2 3 13.7\r
1662 .MODEL DF D ( IS=9.01p RS=30.7 N=1.10\r
1663 + CJO=35.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1664 .MODEL DR D ( IS=1.80f RS=24.5 N=3.00 )\r
1665 .ENDS\r
1666 \r
1667 *SRC=BZX84C16S;DI_BZX84C16S;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1668 *SYM=HZEN\r
1669 .SUBCKT DI_BZX84C16S  1 2\r
1670 *        Terminals    A   K\r
1671 D1 1 2 DF\r
1672 DZ 3 1 DR\r
1673 VZ 2 3 13.6\r
1674 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
1675 + CJO=35.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1676 \r
1677 *SRC=BZX84C16T;DI_BZX84C16T;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1678 *SYM=HZEN\r
1679 .SUBCKT DI_BZX84C16T  1 2\r
1680 *        Terminals    A   K\r
1681 D1 1 2 DF\r
1682 DZ 3 1 DR\r
1683 VZ 2 3 13.6\r
1684 .MODEL DF D ( IS=3.86p RS=28.2 N=1.10\r
1685 + CJO=35.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1686 \r
1687 *SRC=BZX84C16TS;DI_BZX84C16TS;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1688 *SYM=HZEN\r
1689 .SUBCKT DI_BZX84C16TS  1 2\r
1690 *        Terminals    A   K\r
1691 D1 1 2 DF\r
1692 DZ 3 1 DR\r
1693 VZ 2 3 13.6\r
1694 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
1695 + CJO=35.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1696 \r
1697 *SRC=BZX84C16W;DI_BZX84C16W;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1698 *SYM=HZEN\r
1699 .SUBCKT DI_BZX84C16W  1 2\r
1700 *        Terminals    A   K\r
1701 D1 1 2 DF\r
1702 DZ 3 1 DR\r
1703 VZ 2 3 13.6\r
1704 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
1705 + CJO=35.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1706 \r
1707 *SRC=BZX84C18;DI_BZX84C18;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1708 *SYM=HZEN\r
1709 .SUBCKT DI_BZX84C18  1 2\r
1710 *        Terminals    A   K\r
1711 D1 1 2 DF\r
1712 DZ 3 1 DR\r
1713 VZ 2 3 15.6\r
1714 .MODEL DF D ( IS=8.01p RS=30.3 N=1.10\r
1715 + CJO=33.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1716 .MODEL DR D ( IS=1.60f RS=29.5 N=3.00 )\r
1717 .ENDS\r
1718 \r
1719 *SRC=BZX84C18S;DI_BZX84C18S;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1720 *SYM=HZEN\r
1721 .SUBCKT DI_BZX84C18S  1 2\r
1722 *        Terminals    A   K\r
1723 D1 1 2 DF\r
1724 DZ 3 1 DR\r
1725 VZ 2 3 15.6\r
1726 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
1727 + CJO=33.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1728 \r
1729 *SRC=BZX84C18T;DI_BZX84C18T;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1730 *SYM=HZEN\r
1731 .SUBCKT DI_BZX84C18T  1 2\r
1732 *        Terminals    A   K\r
1733 D1 1 2 DF\r
1734 DZ 3 1 DR\r
1735 VZ 2 3 15.6\r
1736 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
1737 + CJO=33.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1738 \r
1739 *SRC=BZX84C18TS;DI_BZX84C18TS;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1740 *SYM=HZEN\r
1741 .SUBCKT DI_BZX84C18TS  1 2\r
1742 *        Terminals    A   K\r
1743 D1 1 2 DF\r
1744 DZ 3 1 DR\r
1745 VZ 2 3 15.6\r
1746 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
1747 + CJO=33.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1748 \r
1749 *SRC=BZX84C18W;DI_BZX84C18W;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1750 *SYM=HZEN\r
1751 .SUBCKT DI_BZX84C18W  1 2\r
1752 *        Terminals    A   K\r
1753 D1 1 2 DF\r
1754 DZ 3 1 DR\r
1755 VZ 2 3 15.6\r
1756 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
1757 + CJO=33.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1758 \r
1759 *SRC=BZX84C20;DI_BZX84C20;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1760 *SYM=HZEN\r
1761 .SUBCKT DI_BZX84C20  1 2\r
1762 *        Terminals    A   K\r
1763 D1 1 2 DF\r
1764 DZ 3 1 DR\r
1765 VZ 2 3 17.6\r
1766 .MODEL DF D ( IS=7.21p RS=30.0 N=1.10\r
1767 + CJO=31.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1768 .MODEL DR D ( IS=1.44f RS=39.5 N=3.00 )\r
1769 .ENDS\r
1770 \r
1771 *SRC=BZX84C20S;DI_BZX84C20S;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1772 *SYM=HZEN\r
1773 .SUBCKT DI_BZX84C20S  1 2\r
1774 *        Terminals    A   K\r
1775 D1 1 2 DF\r
1776 DZ 3 1 DR\r
1777 VZ 2 3 17.5\r
1778 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
1779 + CJO=31.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1780 \r
1781 *SRC=BZX84C20T;DI_BZX84C20T;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1782 *SYM=HZEN\r
1783 .SUBCKT DI_BZX84C20T  1 2\r
1784 *        Terminals    A   K\r
1785 D1 1 2 DF\r
1786 DZ 3 1 DR\r
1787 VZ 2 3 17.5\r
1788 .MODEL DF D ( IS=3.09p RS=27.6 N=1.10\r
1789 + CJO=31.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1790 \r
1791 *SRC=BZX84C20TS;DI_BZX84C20TS;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1792 *SYM=HZEN\r
1793 .SUBCKT DI_BZX84C20TS  1 2\r
1794 *        Terminals    A   K\r
1795 D1 1 2 DF\r
1796 DZ 3 1 DR\r
1797 VZ 2 3 17.5\r
1798 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
1799 + CJO=31.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1800 \r
1801 *SRC=BZX84C20W;DI_BZX84C20W;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1802 *SYM=HZEN\r
1803 .SUBCKT DI_BZX84C20W  1 2\r
1804 *        Terminals    A   K\r
1805 D1 1 2 DF\r
1806 DZ 3 1 DR\r
1807 VZ 2 3 17.5\r
1808 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
1809 + CJO=31.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1810 \r
1811 *SRC=BZX84C22;DI_BZX84C22;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1812 *SYM=HZEN\r
1813 .SUBCKT DI_BZX84C22  1 2\r
1814 *        Terminals    A   K\r
1815 D1 1 2 DF\r
1816 DZ 3 1 DR\r
1817 VZ 2 3 19.6\r
1818 .MODEL DF D ( IS=6.55p RS=29.8 N=1.10\r
1819 + CJO=30.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1820 .MODEL DR D ( IS=1.31f RS=39.5 N=3.00 )\r
1821 .ENDS\r
1822 \r
1823 *SRC=BZX84C22S;DI_BZX84C22S;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1824 *SYM=HZEN\r
1825 .SUBCKT DI_BZX84C22S  1 2\r
1826 *        Terminals    A   K\r
1827 D1 1 2 DF\r
1828 DZ 3 1 DR\r
1829 VZ 2 3 19.5\r
1830 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
1831 + CJO=30.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1832 \r
1833 *SRC=BZX84C22T;DI_BZX84C22T;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1834 *SYM=HZEN\r
1835 .SUBCKT DI_BZX84C22T  1 2\r
1836 *        Terminals    A   K\r
1837 D1 1 2 DF\r
1838 DZ 3 1 DR\r
1839 VZ 2 3 19.5\r
1840 .MODEL DF D ( IS=2.81p RS=27.3 N=1.10\r
1841 + CJO=30.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1842 \r
1843 *SRC=BZX84C22TS;DI_BZX84C22TS;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1844 *SYM=HZEN\r
1845 .SUBCKT DI_BZX84C22TS  1 2\r
1846 *        Terminals    A   K\r
1847 D1 1 2 DF\r
1848 DZ 3 1 DR\r
1849 VZ 2 3 19.5\r
1850 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
1851 + CJO=30.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1852 \r
1853 *SRC=BZX84C22W;DI_BZX84C22W;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1854 *SYM=HZEN\r
1855 .SUBCKT DI_BZX84C22W  1 2\r
1856 *        Terminals    A   K\r
1857 D1 1 2 DF\r
1858 DZ 3 1 DR\r
1859 VZ 2 3 19.5\r
1860 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
1861 + CJO=30.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1862 \r
1863 *SRC=BZX84C24;DI_BZX84C24;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1864 *SYM=HZEN\r
1865 .SUBCKT DI_BZX84C24  1 2\r
1866 *        Terminals    A   K\r
1867 D1 1 2 DF\r
1868 DZ 3 1 DR\r
1869 VZ 2 3 21.5\r
1870 .MODEL DF D ( IS=6.01p RS=29.5 N=1.10\r
1871 + CJO=28.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1872 .MODEL DR D ( IS=1.20f RS=54.5 N=3.00 )\r
1873 .ENDS\r
1874 \r
1875 *SRC=BZX84C24S;DI_BZX84C24S;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1876 *SYM=HZEN\r
1877 .SUBCKT DI_BZX84C24S  1 2\r
1878 *        Terminals    A   K\r
1879 D1 1 2 DF\r
1880 DZ 3 1 DR\r
1881 VZ 2 3 21.4\r
1882 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
1883 + CJO=28.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1884 \r
1885 *SRC=BZX84C24T;DI_BZX84C24T;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1886 *SYM=HZEN\r
1887 .SUBCKT DI_BZX84C24T  1 2\r
1888 *        Terminals    A   K\r
1889 D1 1 2 DF\r
1890 DZ 3 1 DR\r
1891 VZ 2 3 21.4\r
1892 .MODEL DF D ( IS=2.57p RS=27.1 N=1.10\r
1893 + CJO=28.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1894 \r
1895 *SRC=BZX84C24TS;DI_BZX84C24TS;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1896 *SYM=HZEN\r
1897 .SUBCKT DI_BZX84C24TS  1 2\r
1898 *        Terminals    A   K\r
1899 D1 1 2 DF\r
1900 DZ 3 1 DR\r
1901 VZ 2 3 21.4\r
1902 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
1903 + CJO=28.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1904 \r
1905 *SRC=BZX84C24W;DI_BZX84C24W;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1906 *SYM=HZEN\r
1907 .SUBCKT DI_BZX84C24W  1 2\r
1908 *        Terminals    A   K\r
1909 D1 1 2 DF\r
1910 DZ 3 1 DR\r
1911 VZ 2 3 21.4\r
1912 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
1913 + CJO=28.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1914 \r
1915 *SRC=BZX84C27;DI_BZX84C27;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
1916 *SYM=HZEN\r
1917 .SUBCKT DI_BZX84C27  1 2\r
1918 *        Terminals    A   K\r
1919 D1 1 2 DF\r
1920 DZ 3 1 DR\r
1921 VZ 2 3 24.4\r
1922 .MODEL DF D ( IS=5.34p RS=29.2 N=1.10\r
1923 + CJO=27.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1924 .MODEL DR D ( IS=1.07f RS=64.5 N=3.00 )\r
1925 .ENDS\r
1926 \r
1927 *SRC=BZX84C27S;DI_BZX84C27S;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1928 *SYM=HZEN\r
1929 .SUBCKT DI_BZX84C27S  1 2\r
1930 *        Terminals    A   K\r
1931 D1 1 2 DF\r
1932 DZ 3 1 DR\r
1933 VZ 2 3 24.7\r
1934 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
1935 + CJO=27.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1936 \r
1937 *SRC=BZX84C27T;DI_BZX84C27T;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1938 *SYM=HZEN\r
1939 .SUBCKT DI_BZX84C27T  1 2\r
1940 *        Terminals    A   K\r
1941 D1 1 2 DF\r
1942 DZ 3 1 DR\r
1943 VZ 2 3 24.7\r
1944 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
1945 + CJO=27.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1946 \r
1947 *SRC=BZX84C27TS;DI_BZX84C27TS;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
1948 *SYM=HZEN\r
1949 .SUBCKT DI_BZX84C27TS  1 2\r
1950 *        Terminals    A   K\r
1951 D1 1 2 DF\r
1952 DZ 3 1 DR\r
1953 VZ 2 3 24.7\r
1954 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
1955 + CJO=27.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1956 \r
1957 *SRC=BZX84C27W;DI_BZX84C27W;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
1958 *SYM=HZEN\r
1959 .SUBCKT DI_BZX84C27W  1 2\r
1960 *        Terminals    A   K\r
1961 D1 1 2 DF\r
1962 DZ 3 1 DR\r
1963 VZ 2 3 24.7\r
1964 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
1965 + CJO=27.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
1966 \r
1967 *SRC=BZX84C2V4;DI_BZX84C2V4;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.350W   Diodes Inc. \r
1968 *SYM=HZEN\r
1969 .SUBCKT DI_BZX84C2V4  1 2\r
1970 *        Terminals    A   K\r
1971 D1 1 2 DF\r
1972 DZ 3 1 DR\r
1973 VZ 2 3 0\r
1974 .MODEL DF D ( IS=60.1p RS=36.1 N=1.10\r
1975 + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1976 .MODEL DR D ( IS=12.0f RS=84.5 N=3.00 )\r
1977 .ENDS\r
1978 \r
1979 *SRC=BZX84C2V4S;DI_BZX84C2V4S;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
1980 *SYM=HZEN\r
1981 .SUBCKT DI_BZX84C2V4S  1 2\r
1982 *        Terminals    A   K\r
1983 D1 1 2 DF\r
1984 DZ 3 1 DR\r
1985 VZ 2 3 0\r
1986 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
1987 + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1988 \r
1989 *SRC=BZX84C2V4T;DI_BZX84C2V4T;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
1990 *SYM=HZEN\r
1991 .SUBCKT DI_BZX84C2V4T  1 2\r
1992 *        Terminals    A   K\r
1993 D1 1 2 DF\r
1994 DZ 3 1 DR\r
1995 VZ 2 3 0\r
1996 .MODEL DF D ( IS=25.7p RS=33.7 N=1.10\r
1997 + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
1998 \r
1999 *SRC=BZX84C2V4TS;DI_BZX84C2V4TS;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2000 *SYM=HZEN\r
2001 .SUBCKT DI_BZX84C2V4TS  1 2\r
2002 *        Terminals    A   K\r
2003 D1 1 2 DF\r
2004 DZ 3 1 DR\r
2005 VZ 2 3 0\r
2006 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
2007 + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2008 \r
2009 *SRC=BZX84C2V4W;DI_BZX84C2V4W;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2010 *SYM=HZEN\r
2011 .SUBCKT DI_BZX84C2V4W  1 2\r
2012 *        Terminals    A   K\r
2013 D1 1 2 DF\r
2014 DZ 3 1 DR\r
2015 VZ 2 3 0\r
2016 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
2017 + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2018 \r
2019 *SRC=BZX84C2V7;DI_BZX84C2V7;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.350W   Diodes Inc. \r
2020 *SYM=HZEN\r
2021 .SUBCKT DI_BZX84C2V7  1 2\r
2022 *        Terminals    A   K\r
2023 D1 1 2 DF\r
2024 DZ 3 1 DR\r
2025 VZ 2 3 0.190\r
2026 .MODEL DF D ( IS=53.4p RS=35.7 N=1.10\r
2027 + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2028 .MODEL DR D ( IS=10.7f RS=84.5 N=3.00 )\r
2029 .ENDS\r
2030 \r
2031 *SRC=BZX84C2V7S;DI_BZX84C2V7S;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2032 *SYM=HZEN\r
2033 .SUBCKT DI_BZX84C2V7S  1 2\r
2034 *        Terminals    A   K\r
2035 D1 1 2 DF\r
2036 DZ 3 1 DR\r
2037 VZ 2 3 0.146\r
2038 .MODEL DF D ( IS=30.5p RS=34.1 N=1.10\r
2039 + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2040 \r
2041 *SRC=BZX84C2V7T;DI_BZX84C2V7T;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2042 *SYM=HZEN\r
2043 .SUBCKT DI_BZX84C2V7T  1 2\r
2044 *        Terminals    A   K\r
2045 D1 1 2 DF\r
2046 DZ 3 1 DR\r
2047 VZ 2 3 0.124\r
2048 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
2049 + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2050 \r
2051 *SRC=BZX84C2V7TS;DI_BZX84C2V7TS;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2052 *SYM=HZEN\r
2053 .SUBCKT DI_BZX84C2V7TS  1 2\r
2054 *        Terminals    A   K\r
2055 D1 1 2 DF\r
2056 DZ 3 1 DR\r
2057 VZ 2 3 0.146\r
2058 .MODEL DF D ( IS=30.5p RS=34.1 N=1.10\r
2059 + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2060 \r
2061 *SRC=BZX84C2V7W;DI_BZX84C2V7W;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2062 *SYM=HZEN\r
2063 .SUBCKT DI_BZX84C2V7W  1 2\r
2064 *        Terminals    A   K\r
2065 D1 1 2 DF\r
2066 DZ 3 1 DR\r
2067 VZ 2 3 0.146\r
2068 .MODEL DF D ( IS=30.5p RS=34.1 N=1.10\r
2069 + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2070 \r
2071 *SRC=BZX84C30;DI_BZX84C30;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
2072 *SYM=HZEN\r
2073 .SUBCKT DI_BZX84C30  1 2\r
2074 *        Terminals    A   K\r
2075 D1 1 2 DF\r
2076 DZ 3 1 DR\r
2077 VZ 2 3 27.4\r
2078 .MODEL DF D ( IS=4.81p RS=28.9 N=1.10\r
2079 + CJO=26.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2080 .MODEL DR D ( IS=9.61e-016 RS=64.5 N=3.00 )\r
2081 .ENDS\r
2082 \r
2083 *SRC=BZX84C30S;DI_BZX84C30S;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2084 *SYM=HZEN\r
2085 .SUBCKT DI_BZX84C30S  1 2\r
2086 *        Terminals    A   K\r
2087 D1 1 2 DF\r
2088 DZ 3 1 DR\r
2089 VZ 2 3 27.7\r
2090 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
2091 + CJO=26.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2092 \r
2093 *SRC=BZX84C30T;DI_BZX84C30T;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2094 *SYM=HZEN\r
2095 .SUBCKT DI_BZX84C30T  1 2\r
2096 *        Terminals    A   K\r
2097 D1 1 2 DF\r
2098 DZ 3 1 DR\r
2099 VZ 2 3 27.6\r
2100 .MODEL DF D ( IS=2.06p RS=26.5 N=1.10\r
2101 + CJO=26.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2102 \r
2103 *SRC=BZX84C30TS;DI_BZX84C30TS;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2104 *SYM=HZEN\r
2105 .SUBCKT DI_BZX84C30TS  1 2\r
2106 *        Terminals    A   K\r
2107 D1 1 2 DF\r
2108 DZ 3 1 DR\r
2109 VZ 2 3 27.7\r
2110 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
2111 + CJO=26.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2112 \r
2113 *SRC=BZX84C30W;DI_BZX84C30W;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2114 *SYM=HZEN\r
2115 .SUBCKT DI_BZX84C30W  1 2\r
2116 *        Terminals    A   K\r
2117 D1 1 2 DF\r
2118 DZ 3 1 DR\r
2119 VZ 2 3 27.7\r
2120 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
2121 + CJO=26.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2122 \r
2123 *SRC=BZX84C33;DI_BZX84C33;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
2124 *SYM=HZEN\r
2125 .SUBCKT DI_BZX84C33  1 2\r
2126 *        Terminals    A   K\r
2127 D1 1 2 DF\r
2128 DZ 3 1 DR\r
2129 VZ 2 3 30.4\r
2130 .MODEL DF D ( IS=4.37p RS=28.6 N=1.10\r
2131 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2132 .MODEL DR D ( IS=8.74e-016 RS=64.5 N=3.00 )\r
2133 .ENDS\r
2134 \r
2135 *SRC=BZX84C33S;DI_BZX84C33S;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2136 *SYM=HZEN\r
2137 .SUBCKT DI_BZX84C33S  1 2\r
2138 *        Terminals    A   K\r
2139 D1 1 2 DF\r
2140 DZ 3 1 DR\r
2141 VZ 2 3 30.7\r
2142 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
2143 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2144 \r
2145 *SRC=BZX84C33T;DI_BZX84C33T;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2146 *SYM=HZEN\r
2147 .SUBCKT DI_BZX84C33T  1 2\r
2148 *        Terminals    A   K\r
2149 D1 1 2 DF\r
2150 DZ 3 1 DR\r
2151 VZ 2 3 30.6\r
2152 .MODEL DF D ( IS=1.87p RS=26.2 N=1.10\r
2153 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2154 \r
2155 *SRC=BZX84C33TS;DI_BZX84C33TS;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2156 *SYM=HZEN\r
2157 .SUBCKT DI_BZX84C33TS  1 2\r
2158 *        Terminals    A   K\r
2159 D1 1 2 DF\r
2160 DZ 3 1 DR\r
2161 VZ 2 3 30.7\r
2162 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
2163 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2164 \r
2165 *SRC=BZX84C33W;DI_BZX84C33W;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2166 *SYM=HZEN\r
2167 .SUBCKT DI_BZX84C33W  1 2\r
2168 *        Terminals    A   K\r
2169 D1 1 2 DF\r
2170 DZ 3 1 DR\r
2171 VZ 2 3 30.7\r
2172 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
2173 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2174 \r
2175 *SRC=BZX84C36;DI_BZX84C36;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
2176 *SYM=HZEN\r
2177 .SUBCKT DI_BZX84C36  1 2\r
2178 *        Terminals    A   K\r
2179 D1 1 2 DF\r
2180 DZ 3 1 DR\r
2181 VZ 2 3 33.3\r
2182 .MODEL DF D ( IS=4.01p RS=28.4 N=1.10\r
2183 + CJO=24.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2184 .MODEL DR D ( IS=8.01e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
2185 .ENDS\r
2186 \r
2187 *SRC=BZX84C36S;DI_BZX84C36S;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2188 *SYM=HZEN\r
2189 .SUBCKT DI_BZX84C36S  1 2\r
2190 *        Terminals    A   K\r
2191 D1 1 2 DF\r
2192 DZ 3 1 DR\r
2193 VZ 2 3 33.6\r
2194 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
2195 + CJO=24.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2196 \r
2197 *SRC=BZX84C36T;DI_BZX84C36T;Diodes;Zener >50V; 536V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2198 *SYM=HZEN\r
2199 .SUBCKT DI_BZX84C36T  1 2\r
2200 *        Terminals    A   K\r
2201 D1 1 2 DF\r
2202 DZ 3 1 DR\r
2203 VZ 2 3 533\r
2204 .MODEL DF D ( IS=115f RS=18.2 N=1.10\r
2205 + CJO=24.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2206 \r
2207 *SRC=BZX84C36TS;DI_BZX84C36TS;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2208 *SYM=HZEN\r
2209 .SUBCKT DI_BZX84C36TS  1 2\r
2210 *        Terminals    A   K\r
2211 D1 1 2 DF\r
2212 DZ 3 1 DR\r
2213 VZ 2 3 33.6\r
2214 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
2215 + CJO=24.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2216 \r
2217 *SRC=BZX84C36W;DI_BZX84C36W;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2218 *SYM=HZEN\r
2219 .SUBCKT DI_BZX84C36W  1 2\r
2220 *        Terminals    A   K\r
2221 D1 1 2 DF\r
2222 DZ 3 1 DR\r
2223 VZ 2 3 33.6\r
2224 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
2225 + CJO=24.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2226 \r
2227 *SRC=BZX84C39;DI_BZX84C39;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
2228 *SYM=HZEN\r
2229 .SUBCKT DI_BZX84C39  1 2\r
2230 *        Terminals    A   K\r
2231 D1 1 2 DF\r
2232 DZ 3 1 DR\r
2233 VZ 2 3 36.1\r
2234 .MODEL DF D ( IS=3.70p RS=28.1 N=1.10\r
2235 + CJO=23.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2236 .MODEL DR D ( IS=7.39e-016 RS=114 N=3.00 )\r
2237 .ENDS\r
2238 \r
2239 *SRC=BZX84C39S;DI_BZX84C39S;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2240 *SYM=HZEN\r
2241 .SUBCKT DI_BZX84C39S  1 2\r
2242 *        Terminals    A   K\r
2243 D1 1 2 DF\r
2244 DZ 3 1 DR\r
2245 VZ 2 3 36.5\r
2246 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
2247 + CJO=23.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2248 \r
2249 *SRC=BZX84C39T;DI_BZX84C39T;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r\r
2250 *SYM=HZEN\r\r
2251 .SUBCKT DI_BZX84C39T  1 2\r\r
2252 *        Terminals    A   K\r\r
2253 D1 1 2 DF\r\r
2254 DZ 3 1 DR\r\r
2255 VZ 2 3 36.5\r\r
2256 .MODEL DF D ( IS=1.58p RS=25.7 N=1.10\r\r
2257 + CJO=23.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2258 \r
2259 *SRC=BZX84C39TS;DI_BZX84C39TS;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2260 *SYM=HZEN\r
2261 .SUBCKT DI_BZX84C39TS  1 2\r
2262 *        Terminals    A   K\r
2263 D1 1 2 DF\r
2264 DZ 3 1 DR\r
2265 VZ 2 3 36.5\r
2266 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
2267 + CJO=23.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2268 \r
2269 *SRC=BZX84C39W;DI_BZX84C39W;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2270 *SYM=HZEN\r
2271 .SUBCKT DI_BZX84C39W  1 2\r
2272 *        Terminals    A   K\r
2273 D1 1 2 DF\r
2274 DZ 3 1 DR\r
2275 VZ 2 3 36.5\r
2276 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
2277 + CJO=23.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2278 \r
2279 *SRC=BZX84C3V0;DI_BZX84C3V0;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.350W   Diodes Inc. \r
2280 *SYM=HZEN\r
2281 .SUBCKT DI_BZX84C3V0  1 2\r
2282 *        Terminals    A   K\r
2283 D1 1 2 DF\r
2284 DZ 3 1 DR\r
2285 VZ 2 3 0.507\r
2286 .MODEL DF D ( IS=48.1p RS=35.4 N=1.10\r
2287 + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2288 .MODEL DR D ( IS=9.61f RS=79.5 N=3.00 )\r
2289 .ENDS\r
2290 \r
2291 *SRC=BZX84C3V0S;DI_BZX84C3V0S;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2292 *SYM=HZEN\r
2293 .SUBCKT DI_BZX84C3V0S  1 2\r
2294 *        Terminals    A   K\r
2295 D1 1 2 DF\r
2296 DZ 3 1 DR\r
2297 VZ 2 3 0.463\r
2298 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
2299 + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2300 \r
2301 *SRC=BZX84C3V0T;DI_BZX84C3V0T;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2302 *SYM=HZEN\r
2303 .SUBCKT DI_BZX84C3V0T  1 2\r
2304 *        Terminals    A   K\r
2305 D1 1 2 DF\r
2306 DZ 3 1 DR\r
2307 VZ 2 3 0.441\r
2308 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=33.0 N=1.10\r
2309 + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2310 \r
2311 *SRC=BZX84C3V0TS;DI_BZX84C3V0TS;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2312 *SYM=HZEN\r
2313 .SUBCKT DI_BZX84C3V0TS  1 2\r
2314 *        Terminals    A   K\r
2315 D1 1 2 DF\r
2316 DZ 3 1 DR\r
2317 VZ 2 3 0.463\r
2318 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
2319 + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2320 \r
2321 *SRC=BZX84C3V0W;DI_BZX84C3V0W;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2322 *SYM=HZEN\r
2323 .SUBCKT DI_BZX84C3V0W  1 2\r
2324 *        Terminals    A   K\r
2325 D1 1 2 DF\r
2326 DZ 3 1 DR\r
2327 VZ 2 3 0.463\r
2328 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
2329 + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2330 \r
2331 *SRC=BZX84C3V3;DI_BZX84C3V3;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.350W   Diodes Inc. \r
2332 *SYM=HZEN\r
2333 .SUBCKT DI_BZX84C3V3  1 2\r
2334 *        Terminals    A   K\r
2335 D1 1 2 DF\r
2336 DZ 3 1 DR\r
2337 VZ 2 3 0.799\r
2338 .MODEL DF D ( IS=43.7p RS=35.2 N=1.10\r
2339 + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2340 .MODEL DR D ( IS=8.74f RS=79.5 N=3.00 )\r
2341 .ENDS\r
2342 \r
2343 *SRC=BZX84C3V3S;DI_BZX84C3V3S;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2344 *SYM=HZEN\r
2345 .SUBCKT DI_BZX84C3V3S  1 2\r
2346 *        Terminals    A   K\r
2347 D1 1 2 DF\r
2348 DZ 3 1 DR\r
2349 VZ 2 3 0.756\r
2350 .MODEL DF D ( IS=25.0p RS=33.6 N=1.10\r
2351 + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2352 \r
2353 *SRC=BZX84C3V3T;DI_BZX84C3V3T;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2354 *SYM=HZEN\r
2355 .SUBCKT DI_BZX84C3V3T  1 2\r
2356 *        Terminals    A   K\r
2357 D1 1 2 DF\r
2358 DZ 3 1 DR\r
2359 VZ 2 3 0.733\r
2360 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=32.7 N=1.10\r
2361 + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2362 \r
2363 *SRC=BZX84C3V3TS;DI_BZX84C3V3TS;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2364 *SYM=HZEN\r
2365 .SUBCKT DI_BZX84C3V3TS  1 2\r
2366 *        Terminals    A   K\r
2367 D1 1 2 DF\r
2368 DZ 3 1 DR\r
2369 VZ 2 3 0.756\r
2370 .MODEL DF D ( IS=25.0p RS=33.6 N=1.10\r
2371 + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2372 \r
2373 *SRC=BZX84C3V3W;DI_BZX84C3V3W;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2374 *SYM=HZEN\r
2375 .SUBCKT DI_BZX84C3V3W  1 2\r
2376 *        Terminals    A   K\r
2377 D1 1 2 DF\r
2378 DZ 3 1 DR\r
2379 VZ 2 3 0.756\r
2380 .MODEL DF D ( IS=25.0p RS=33.6 N=1.10\r
2381 + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2382 \r
2383 *SRC=BZX84C3V6;DI_BZX84C3V6;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.350W   Diodes Inc. \r
2384 *SYM=HZEN\r
2385 .SUBCKT DI_BZX84C3V6  1 2\r
2386 *        Terminals    A   K\r
2387 D1 1 2 DF\r
2388 DZ 3 1 DR\r
2389 VZ 2 3 1.12\r
2390 .MODEL DF D ( IS=40.1p RS=34.9 N=1.10\r
2391 + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2392 .MODEL DR D ( IS=8.01f RS=74.5 N=3.00 )\r
2393 .ENDS\r
2394 \r
2395 *SRC=BZX84C3V6S;DI_BZX84C3V6S;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2396 *SYM=HZEN\r
2397 .SUBCKT DI_BZX84C3V6S  1 2\r
2398 *        Terminals    A   K\r
2399 D1 1 2 DF\r
2400 DZ 3 1 DR\r
2401 VZ 2 3 1.07\r
2402 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
2403 + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2404 \r
2405 *SRC=BZX84C3V6T;DI_BZX84C3V6T;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2406 *SYM=HZEN\r
2407 .SUBCKT DI_BZX84C3V6T  1 2\r
2408 *        Terminals    A   K\r
2409 D1 1 2 DF\r
2410 DZ 3 1 DR\r
2411 VZ 2 3 1.05\r
2412 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=32.5 N=1.10\r
2413 + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2414 \r
2415 *SRC=BZX84C3V6TS;DI_BZX84C3V6TS;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2416 *SYM=HZEN\r
2417 .SUBCKT DI_BZX84C3V6TS  1 2\r
2418 *        Terminals    A   K\r
2419 D1 1 2 DF\r
2420 DZ 3 1 DR\r
2421 VZ 2 3 1.07\r
2422 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
2423 + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2424 \r
2425 *SRC=BZX84C3V6W;DI_BZX84C3V6W;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2426 *SYM=HZEN\r
2427 .SUBCKT DI_BZX84C3V6W  1 2\r
2428 *        Terminals    A   K\r
2429 D1 1 2 DF\r
2430 DZ 3 1 DR\r
2431 VZ 2 3 1.07\r
2432 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
2433 + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2434 \r
2435 *SRC=BZX84C3V9;DI_BZX84C3V9;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.350W   Diodes Inc. \r
2436 *SYM=HZEN\r
2437 .SUBCKT DI_BZX84C3V9  1 2\r
2438 *        Terminals    A   K\r
2439 D1 1 2 DF\r
2440 DZ 3 1 DR\r
2441 VZ 2 3 1.41\r
2442 .MODEL DF D ( IS=37.0p RS=34.7 N=1.10\r
2443 + CJO=99.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2444 .MODEL DR D ( IS=7.39f RS=74.5 N=3.00 )\r
2445 .ENDS\r
2446 \r
2447 *SRC=BZX84C3V9S;DI_BZX84C3V9S;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2448 *SYM=HZEN\r
2449 .SUBCKT DI_BZX84C3V9S  1 2\r
2450 *        Terminals    A   K\r
2451 D1 1 2 DF\r
2452 DZ 3 1 DR\r
2453 VZ 2 3 1.37\r
2454 .MODEL DF D ( IS=21.1p RS=33.1 N=1.10\r
2455 + CJO=94.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2456 \r
2457 *SRC=BZX84C3V9T;DI_BZX84C3V9T;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2458 *SYM=HZEN\r
2459 .SUBCKT DI_BZX84C3V9T  1 2\r
2460 *        Terminals    A   K\r
2461 D1 1 2 DF\r
2462 DZ 3 1 DR\r
2463 VZ 2 3 1.35\r
2464 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=32.3 N=1.10\r
2465 + CJO=94.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2466 \r
2467 *SRC=BZX84C3V9TS;DI_BZX84C3V9TS;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2468 *SYM=HZEN\r
2469 .SUBCKT DI_BZX84C3V9TS  1 2\r
2470 *        Terminals    A   K\r
2471 D1 1 2 DF\r
2472 DZ 3 1 DR\r
2473 VZ 2 3 1.37\r
2474 .MODEL DF D ( IS=21.1p RS=33.1 N=1.10\r
2475 + CJO=94.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2476 \r
2477 *SRC=BZX84C3V9W;DI_BZX84C3V9W;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2478 *SYM=HZEN\r
2479 .SUBCKT DI_BZX84C3V9W  1 2\r
2480 *        Terminals    A   K\r
2481 D1 1 2 DF\r
2482 DZ 3 1 DR\r
2483 VZ 2 3 1.37\r
2484 .MODEL DF D ( IS=21.1p RS=33.1 N=1.10\r
2485 + CJO=94.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2486 \r
2487 *SRC=BZX84C43;DI_BZX84C43;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.350W   Diodes Inc. \r
2488 *SYM=HZEN\r
2489 .SUBCKT DI_BZX84C43  1 2\r
2490 *        Terminals    A   K\r
2491 D1 1 2 DF\r
2492 DZ 3 1 DR\r
2493 VZ 2 3 40.0\r
2494 .MODEL DF D ( IS=3.35p RS=27.8 N=1.10\r
2495 + CJO=22.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2496 .MODEL DR D ( IS=6.71e-016 RS=134 N=3.00 )\r
2497 .ENDS\r
2498 \r
2499 *SRC=BZX84C47;DI_BZX84C47;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  0.350W   Diodes Inc. -\r
2500 *SYM=HZEN\r
2501 .SUBCKT DI_BZX84C47  1 2\r
2502 *        Terminals    A   K\r
2503 D1 1 2 DF\r
2504 DZ 3 1 DR\r
2505 VZ 2 3 43.9\r
2506 .MODEL DF D ( IS=3.07p RS=27.6 N=1.10\r
2507 + CJO=22.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2508 .MODEL DR D ( IS=6.14e-016 RS=154 N=3.00 )\r
2509 .ENDS\r
2510 \r
2511 *SRC=BZX84C4V3;DI_BZX84C4V3;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.350W   Diodes Inc. \r
2512 *SYM=HZEN\r
2513 .SUBCKT DI_BZX84C4V3  1 2\r
2514 *        Terminals    A   K\r
2515 D1 1 2 DF\r
2516 DZ 3 1 DR\r
2517 VZ 2 3 1.80\r
2518 .MODEL DF D ( IS=33.5p RS=34.4 N=1.10\r
2519 + CJO=85.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2520 .MODEL DR D ( IS=6.71f RS=74.5 N=3.00 )\r
2521 .ENDS\r
2522 \r
2523 *SRC=BZX84C4V3S;DI_BZX84C4V3S;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2524 *SYM=HZEN\r
2525 .SUBCKT DI_BZX84C4V3S  1 2\r
2526 *        Terminals    A   K\r
2527 D1 1 2 DF\r
2528 DZ 3 1 DR\r
2529 VZ 2 3 1.76\r
2530 .MODEL DF D ( IS=19.2p RS=32.8 N=1.10\r
2531 + CJO=85.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2532 \r
2533 *SRC=BZX84C4V3T;DI_BZX84C4V3T;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2534 *SYM=HZEN\r
2535 .SUBCKT DI_BZX84C4V3T  1 2\r
2536 *        Terminals    A   K\r
2537 D1 1 2 DF\r
2538 DZ 3 1 DR\r
2539 VZ 2 3 1.74\r
2540 .MODEL DF D ( IS=14.4p RS=32.0 N=1.10\r
2541 + CJO=85.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2542 \r
2543 *SRC=BZX84C4V3TS;DI_BZX84C4V3TS;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2544 *SYM=HZEN\r
2545 .SUBCKT DI_BZX84C4V3TS  1 2\r
2546 *        Terminals    A   K\r
2547 D1 1 2 DF\r
2548 DZ 3 1 DR\r
2549 VZ 2 3 1.76\r
2550 .MODEL DF D ( IS=19.2p RS=32.8 N=1.10\r
2551 + CJO=85.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2552 \r
2553 *SRC=BZX84C4V3W;DI_BZX84C4V3W;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2554 *SYM=HZEN\r
2555 .SUBCKT DI_BZX84C4V3W  1 2\r
2556 *        Terminals    A   K\r
2557 D1 1 2 DF\r
2558 DZ 3 1 DR\r
2559 VZ 2 3 1.76\r
2560 .MODEL DF D ( IS=19.2p RS=32.8 N=1.10\r
2561 + CJO=85.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2562 \r
2563 *SRC=BZX84C4V7;DI_BZX84C4V7;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.350W   Diodes Inc. \r
2564 *SYM=HZEN\r
2565 .SUBCKT DI_BZX84C4V7  1 2\r
2566 *        Terminals    A   K\r
2567 D1 1 2 DF\r
2568 DZ 3 1 DR\r
2569 VZ 2 3 2.25\r
2570 .MODEL DF D ( IS=30.7p RS=34.2 N=1.10\r
2571 + CJO=74.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2572 .MODEL DR D ( IS=6.14f RS=64.5 N=3.00 )\r
2573 .ENDS\r
2574 \r
2575 *SRC=BZX84C4V7S;DI_BZX84C4V7S;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2576 *SYM=HZEN\r
2577 .SUBCKT DI_BZX84C4V7S  1 2\r
2578 *        Terminals    A   K\r
2579 D1 1 2 DF\r
2580 DZ 3 1 DR\r
2581 VZ 2 3 2.20\r
2582 .MODEL DF D ( IS=17.5p RS=32.6 N=1.10\r
2583 + CJO=74.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2584 \r
2585 *SRC=BZX84C4V7T;DI_BZX84C4V7T;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2586 *SYM=HZEN\r
2587 .SUBCKT DI_BZX84C4V7T  1 2\r
2588 *        Terminals    A   K\r
2589 D1 1 2 DF\r
2590 DZ 3 1 DR\r
2591 VZ 2 3 2.18\r
2592 .MODEL DF D ( IS=13.1p RS=31.7 N=1.10\r
2593 + CJO=74.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2594 \r
2595 *SRC=BZX84C4V7TS;DI_BZX84C4V7TS;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2596 *SYM=HZEN\r
2597 .SUBCKT DI_BZX84C4V7TS  1 2\r
2598 *        Terminals    A   K\r
2599 D1 1 2 DF\r
2600 DZ 3 1 DR\r
2601 VZ 2 3 2.20\r
2602 .MODEL DF D ( IS=17.5p RS=32.6 N=1.10\r
2603 + CJO=74.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2604 \r
2605 *SRC=BZX84C4V7W;DI_BZX84C4V7W;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2606 *SYM=HZEN\r
2607 .SUBCKT DI_BZX84C4V7W  1 2\r
2608 *        Terminals    A   K\r
2609 D1 1 2 DF\r
2610 DZ 3 1 DR\r
2611 VZ 2 3 2.20\r
2612 .MODEL DF D ( IS=17.5p RS=32.6 N=1.10\r
2613 + CJO=74.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2614 \r
2615 *SRC=bzx84c51;DI_BZX84C51;Diodes;Zener >50V; 51.0V  0.350W   Diodes Inc. zener\r
2616 *SYM=HZEN\r
2617 .SUBCKT DI_BZX84C51  1 2\r
2618 *        Terminals    A   K\r
2619 D1 1 2 DF\r
2620 DZ 3 1 DR\r
2621 VZ 2 3 48.5\r
2622 .MODEL DF D ( IS=2.83p RS=1.77 N=1.10\r
2623 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
2624 .MODEL DR D ( IS=5.65e-016 RS=141 N=3.00 )\r
2625 .ENDS\r
2626 \r
2627 *SRC=BZX84C5V1;DI_BZX84C5V1;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.350W   Diodes Inc. \r
2628 *SYM=HZEN\r
2629 .SUBCKT DI_BZX84C5V1  1 2\r
2630 *        Terminals    A   K\r
2631 D1 1 2 DF\r
2632 DZ 3 1 DR\r
2633 VZ 2 3 2.74\r
2634 .MODEL DF D ( IS=28.3p RS=33.9 N=1.10\r
2635 + CJO=66.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2636 .MODEL DR D ( IS=5.65f RS=44.5 N=3.00 )\r
2637 .ENDS\r
2638 \r
2639 *SRC=BZX84C5V1S;DI_BZX84C5V1S;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2640 *SYM=HZEN\r
2641 .SUBCKT DI_BZX84C5V1S  1 2\r
2642 *        Terminals    A   K\r
2643 D1 1 2 DF\r
2644 DZ 3 1 DR\r
2645 VZ 2 3 2.70\r
2646 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
2647 + CJO=66.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2648 \r
2649 *SRC=BZX84C5V1T;DI_BZX84C5V1T;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2650 *SYM=HZEN\r
2651 .SUBCKT DI_BZX84C5V1T  1 2\r
2652 *        Terminals    A   K\r
2653 D1 1 2 DF\r
2654 DZ 3 1 DR\r
2655 VZ 2 3 2.67\r
2656 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
2657 + CJO=66.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2658 \r
2659 *SRC=BZX84C5V1TS;DI_BZX84C5V1TS;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2660 *SYM=HZEN\r
2661 .SUBCKT DI_BZX84C5V1TS  1 2\r
2662 *        Terminals    A   K\r
2663 D1 1 2 DF\r
2664 DZ 3 1 DR\r
2665 VZ 2 3 2.70\r
2666 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
2667 + CJO=66.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2668 \r
2669 *SRC=BZX84C5V1W;DI_BZX84C5V1W;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2670 *SYM=HZEN\r
2671 .SUBCKT DI_BZX84C5V1W  1 2\r
2672 *        Terminals    A   K\r
2673 D1 1 2 DF\r
2674 DZ 3 1 DR\r
2675 VZ 2 3 2.70\r
2676 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
2677 + CJO=66.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2678 \r
2679 *SRC=BZX84C5V6;DI_BZX84C5V6;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.350W   Diodes Inc. \r
2680 *SYM=HZEN\r
2681 .SUBCKT DI_BZX84C5V6  1 2\r
2682 *        Terminals    A   K\r
2683 D1 1 2 DF\r
2684 DZ 3 1 DR\r
2685 VZ 2 3 3.33\r
2686 .MODEL DF D ( IS=25.7p RS=33.7 N=1.10\r
2687 + CJO=57.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2688 .MODEL DR D ( IS=5.15f RS=24.5 N=3.00 )\r
2689 .ENDS\r
2690 \r
2691 *SRC=BZX84C5V6S;DI_BZX84C5V6S;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2692 *SYM=HZEN\r
2693 .SUBCKT DI_BZX84C5V6S  1 2\r
2694 *        Terminals    A   K\r
2695 D1 1 2 DF\r
2696 DZ 3 1 DR\r
2697 VZ 2 3 3.29\r
2698 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
2699 + CJO=57.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2700 \r
2701 *SRC=BZX84C5V6T;DI_BZX84C5V6T;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2702 *SYM=HZEN\r
2703 .SUBCKT DI_BZX84C5V6T  1 2\r
2704 *        Terminals    A   K\r
2705 D1 1 2 DF\r
2706 DZ 3 1 DR\r
2707 VZ 2 3 3.27\r
2708 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
2709 + CJO=57.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2710 \r
2711 *SRC=BZX84C5V6TS;DI_BZX84C5V6TS;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2712 *SYM=HZEN\r
2713 .SUBCKT DI_BZX84C5V6TS  1 2\r
2714 *        Terminals    A   K\r
2715 D1 1 2 DF\r
2716 DZ 3 1 DR\r
2717 VZ 2 3 3.29\r
2718 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
2719 + CJO=57.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2720 \r
2721 *SRC=BZX84C5V6W;DI_BZX84C5V6W;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2722 *SYM=HZEN\r
2723 .SUBCKT DI_BZX84C5V6W  1 2\r
2724 *        Terminals    A   K\r
2725 D1 1 2 DF\r
2726 DZ 3 1 DR\r
2727 VZ 2 3 3.29\r
2728 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
2729 + CJO=57.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2730 \r
2731 *SRC=BZX84C6V2;DI_BZX84C6V2;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.350W   Diodes Inc. \r
2732 *SYM=HZEN\r
2733 .SUBCKT DI_BZX84C6V2  1 2\r
2734 *        Terminals    A   K\r
2735 D1 1 2 DF\r
2736 DZ 3 1 DR\r
2737 VZ 2 3 5.12\r
2738 .MODEL DF D ( IS=23.3p RS=33.4 N=1.10\r
2739 + CJO=49.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2740 .MODEL DR D ( IS=4.65f RS=2.30 N=1.49 )\r
2741 .ENDS\r
2742 \r
2743 *SRC=BZX84C6V2S;DI_BZX84C6V2S;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2744 *SYM=HZEN\r
2745 .SUBCKT DI_BZX84C6V2S  1 2\r
2746 *        Terminals    A   K\r
2747 D1 1 2 DF\r
2748 DZ 3 1 DR\r
2749 VZ 2 3 5.10\r
2750 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
2751 + CJO=49.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2752 \r
2753 *SRC=BZX84C6V2T;DI_BZX84C6V2T;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2754 *SYM=HZEN\r
2755 .SUBCKT DI_BZX84C6V2T  1 2\r
2756 *        Terminals    A   K\r
2757 D1 1 2 DF\r
2758 DZ 3 1 DR\r
2759 VZ 2 3 5.09\r
2760 .MODEL DF D ( IS=9.97p RS=31.0 N=1.10\r
2761 + CJO=49.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2762 \r
2763 *SRC=BZX84C6V2TS;DI_BZX84C6V2TS;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2764 *SYM=HZEN\r
2765 .SUBCKT DI_BZX84C6V2TS  1 2\r
2766 *        Terminals    A   K\r
2767 D1 1 2 DF\r
2768 DZ 3 1 DR\r
2769 VZ 2 3 5.10\r
2770 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
2771 + CJO=49.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2772 \r
2773 *SRC=BZX84C6V2W;DI_BZX84C6V2W;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2774 *SYM=HZEN\r
2775 .SUBCKT DI_BZX84C6V2W  1 2\r
2776 *        Terminals    A   K\r
2777 D1 1 2 DF\r
2778 DZ 3 1 DR\r
2779 VZ 2 3 5.10\r
2780 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
2781 + CJO=49.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2782 \r
2783 *SRC=BZX84C6V8;DI_BZX84C6V8;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.350W   Diodes Inc. \r
2784 *SYM=HZEN\r
2785 .SUBCKT DI_BZX84C6V8  1 2\r
2786 *        Terminals    A   K\r
2787 D1 1 2 DF\r
2788 DZ 3 1 DR\r
2789 VZ 2 3 5.18\r
2790 .MODEL DF D ( IS=21.2p RS=33.1 N=1.10\r
2791 + CJO=43.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2792 .MODEL DR D ( IS=4.24f RS=3.45 N=2.23 )\r
2793 .ENDS\r
2794 \r
2795 *SRC=BZX84C6V8S;DI_BZX84C6V8S;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2796 *SYM=HZEN\r
2797 .SUBCKT DI_BZX84C6V8S  1 2\r
2798 *        Terminals    A   K\r
2799 D1 1 2 DF\r
2800 DZ 3 1 DR\r
2801 VZ 2 3 5.15\r
2802 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
2803 + CJO=43.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2804 \r
2805 SRC=BZX84C6V8T;DI_BZX84C6V8T;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r\r
2806 *SYM=HZEN\r\r
2807 .SUBCKT DI_BZX84C6V8T  1 2\r\r
2808 *        Terminals    A   K\r\r
2809 D1 1 2 DF\r\r
2810 DZ 3 1 DR\r\r
2811 VZ 2 3 5.13\r\r
2812 .MODEL DF D ( IS=9.09p RS=30.7 N=1.10\r\r
2813 + CJO=43.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r\r
2814 .MODEL DR D ( IS=1.82f RS=3.45 N=2.23 )\r\r
2815 .ENDS\r
2816 \r
2817 *SRC=BZX84C6V8TS;DI_BZX84C6V8TS;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2818 *SYM=HZEN\r
2819 .SUBCKT DI_BZX84C6V8TS  1 2\r
2820 *        Terminals    A   K\r
2821 D1 1 2 DF\r
2822 DZ 3 1 DR\r
2823 VZ 2 3 5.15\r
2824 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
2825 + CJO=43.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2826 \r
2827 *SRC=BZX84C6V8W;DI_BZX84C6V8W;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2828 *SYM=HZEN\r
2829 .SUBCKT DI_BZX84C6V8W  1 2\r
2830 *        Terminals    A   K\r
2831 D1 1 2 DF\r
2832 DZ 3 1 DR\r
2833 VZ 2 3 5.15\r
2834 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
2835 + CJO=43.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2836 \r
2837 *SRC=BZX84C7V5;DI_C;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.350W   Diodes Inc. \r
2838 *SYM=HZEN\r
2839 .SUBCKT DI_BZX84C7V5  1 2\r
2840 *        Terminals    A   K\r
2841 D1 1 2 DF\r
2842 DZ 3 1 DR\r
2843 VZ 2 3 5.87\r
2844 .MODEL DF D ( IS=19.2p RS=32.8 N=1.10\r
2845 + CJO=37.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2846 .MODEL DR D ( IS=3.85f RS=3.45 N=2.23 )\r
2847 .ENDS\r
2848 \r
2849 *SRC=BZX84C7V5S;DI_BZX84C7V5S;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2850 *SYM=HZEN\r
2851 .SUBCKT DI_BZX84C7V5S  1 2\r
2852 *        Terminals    A   K\r
2853 D1 1 2 DF\r
2854 DZ 3 1 DR\r
2855 VZ 2 3 5.84\r
2856 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
2857 + CJO=37.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2858 \r
2859 *SRC=BZX84C7V5T;DI_BZX84C7V5T;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2860 *SYM=HZEN\r
2861 .SUBCKT DI_BZX84C7V5T  1 2\r
2862 *        Terminals    A   K\r
2863 D1 1 2 DF\r
2864 DZ 3 1 DR\r
2865 VZ 2 3 5.82\r
2866 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
2867 + CJO=37.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2868 \r
2869 *SRC=BZX84C7V5TS;DI_BZX84C7V5TS;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2870 *SYM=HZEN\r
2871 .SUBCKT DI_BZX84C7V5TS  1 2\r
2872 *        Terminals    A   K\r
2873 D1 1 2 DF\r
2874 DZ 3 1 DR\r
2875 VZ 2 3 5.84\r
2876 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
2877 + CJO=37.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2878 \r
2879 *SRC=BZX84C7V5W;DI_BZX84C7V5W;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2880 *SYM=HZEN\r
2881 .SUBCKT DI_BZX84C7V5W  1 2\r
2882 *        Terminals    A   K\r
2883 D1 1 2 DF\r
2884 DZ 3 1 DR\r
2885 VZ 2 3 5.84\r
2886 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
2887 + CJO=37.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2888 \r
2889 *SRC=BZX84C8V2;DI_BZX84C8V2;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.350W   Diodes Inc. \r
2890 *SYM=HZEN\r
2891 .SUBCKT DI_BZX84C8V2  1 2\r
2892 *        Terminals    A   K\r
2893 D1 1 2 DF\r
2894 DZ 3 1 DR\r
2895 VZ 2 3 6.57\r
2896 .MODEL DF D ( IS=17.6p RS=32.6 N=1.10\r
2897 + CJO=32.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2898 .MODEL DR D ( IS=3.52f RS=3.45 N=2.23 )\r
2899 .ENDS\r
2900 \r
2901 *SRC=BZX84C8V2S;DI_BZX84C8V2S;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2902 *SYM=HZEN\r
2903 .SUBCKT DI_BZX84C8V2S  1 2\r
2904 *        Terminals    A   K\r
2905 D1 1 2 DF\r
2906 DZ 3 1 DR\r
2907 VZ 2 3 6.53\r
2908 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
2909 + CJO=32.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2910 \r
2911 *SRC=BZX84C8V2T;DI_BZX84C8V2T;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2912 *SYM=HZEN\r
2913 .SUBCKT DI_BZX84C8V2T  1 2\r
2914 *        Terminals    A   K\r
2915 D1 1 2 DF\r
2916 DZ 3 1 DR\r
2917 VZ 2 3 6.52\r
2918 .MODEL DF D ( IS=7.54p RS=30.2 N=1.10\r
2919 + CJO=32.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2920 \r
2921 *SRC=BZX84C8V2TS;DI_BZX84C8V2TS;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2922 *SYM=HZEN\r
2923 .SUBCKT DI_BZX84C8V2TS  1 2\r
2924 *        Terminals    A   K\r
2925 D1 1 2 DF\r
2926 DZ 3 1 DR\r
2927 VZ 2 3 6.53\r
2928 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
2929 + CJO=32.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2930 \r
2931 *SRC=BZX84C8V2W;DI_BZX84C8V2W;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2932 *SYM=HZEN\r
2933 .SUBCKT DI_BZX84C8V2W  1 2\r
2934 *        Terminals    A   K\r
2935 D1 1 2 DF\r
2936 DZ 3 1 DR\r
2937 VZ 2 3 6.53\r
2938 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
2939 + CJO=32.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2940 \r
2941 *SRC=BZX84C9V1;DI_BZX84C9V1;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.350W   Diodes Inc. \r
2942 *SYM=HZEN\r
2943 .SUBCKT DI_BZX84C9V1  1 2\r
2944 *        Terminals    A   K\r
2945 D1 1 2 DF\r
2946 DZ 3 1 DR\r
2947 VZ 2 3 7.46\r
2948 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=32.3 N=1.10\r
2949 + CJO=27.8p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2950 .MODEL DR D ( IS=3.17f RS=3.45 N=2.23 )\r
2951 .ENDS\r
2952 \r
2953 *SRC=BZX84C9V1S;DI_BZX84C9V1S;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Dual, Apply ea. node\r
2954 *SYM=HZEN\r
2955 .SUBCKT DI_BZX84C9V1S  1 2\r
2956 *        Terminals    A   K\r
2957 D1 1 2 DF\r
2958 DZ 3 1 DR\r
2959 VZ 2 3 7.43\r
2960 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
2961 + CJO=27.8p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2962 \r
2963 *SRC=BZX84C9V1T;DI_BZX84C9V1T;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.150W   Diodes Inc. ZENER\r
2964 *SYM=HZEN\r
2965 .SUBCKT DI_BZX84C9V1T  1 2\r
2966 *        Terminals    A   K\r
2967 D1 1 2 DF\r
2968 DZ 3 1 DR\r
2969 VZ 2 3 7.41\r
2970 .MODEL DF D ( IS=6.79p RS=29.9 N=1.10\r
2971 + CJO=27.8p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2972 \r
2973 *SRC=BZX84C9V1TS;DI_BZX84C9V1TS;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER Triple, Apply ea. node\r
2974 *SYM=HZEN\r
2975 .SUBCKT DI_BZX84C9V1TS  1 2\r
2976 *        Terminals    A   K\r
2977 D1 1 2 DF\r
2978 DZ 3 1 DR\r
2979 VZ 2 3 7.43\r
2980 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
2981 + CJO=27.8p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2982 \r
2983 *SRC=BZX84C9V1W;DI_BZX84C9V1W;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
2984 *SYM=HZEN\r
2985 .SUBCKT DI_BZX84C9V1W  1 2\r
2986 *        Terminals    A   K\r
2987 D1 1 2 DF\r
2988 DZ 3 1 DR\r
2989 VZ 2 3 7.43\r
2990 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
2991 + CJO=27.8p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
2992 \r
2993 *SRC=DDZ10C;DI_DDZ10C;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
2994 *SYM=HZEN\r
2995 .SUBCKT DI_DDZ10C  1 2\r
2996 *        Terminals    A   K\r
2997 D1 1 2 DF\r
2998 DZ 3 1 DR\r
2999 VZ 2 3 7.65\r
3000 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=33.0 N=1.10\r
3001 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3002 .MODEL DR D ( IS=4.12f RS=4.11 N=3.00 )\r
3003 .ENDS\r
3004 \r
3005 *SRC=DDZ10CS;DI_DDZ10CS;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3006 *SYM=HZEN\r
3007 .SUBCKT DI_DDZ10CS  1 2\r
3008 *        Terminals    A   K\r
3009 D1 1 2 DF\r
3010 DZ 3 1 DR\r
3011 VZ 2 3 7.58\r
3012 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
3013 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3014 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=4.11 N=3.00 )\r
3015 .ENDS\r
3016 \r
3017 *SRC=DDZ11C;DI_DDZ11C;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3018 *SYM=HZEN\r
3019 .SUBCKT DI_DDZ11C  1 2\r
3020 *        Terminals    A   K\r
3021 D1 1 2 DF\r
3022 DZ 3 1 DR\r
3023 VZ 2 3 8.77\r
3024 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=32.7 N=1.10\r
3025 + CJO=33.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3026 .MODEL DR D ( IS=3.75f RS=2.30 N=2.97 )\r
3027 .ENDS\r
3028 \r
3029 *SRC=DDZ11CS;DI_DDZ11CS;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3030 *SYM=HZEN\r
3031 .SUBCKT DI_DDZ11CS  1 2\r
3032 *        Terminals    A   K\r
3033 D1 1 2 DF\r
3034 DZ 3 1 DR\r
3035 VZ 2 3 8.70\r
3036 .MODEL DF D ( IS=7.49p RS=30.1 N=1.10\r
3037 + CJO=33.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3038 .MODEL DR D ( IS=1.50f RS=2.30 N=2.97 )\r
3039 .ENDS\r
3040 \r
3041 *SRC=DDZ12C;DI_DDZ12C;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3042 *SYM=HZEN\r
3043 .SUBCKT DI_DDZ12C  1 2\r
3044 *        Terminals    A   K\r
3045 D1 1 2 DF\r
3046 DZ 3 1 DR\r
3047 VZ 2 3 9.73\r
3048 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=32.5 N=1.10\r
3049 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3050 .MODEL DR D ( IS=3.43f RS=4.23 N=3.00 )\r
3051 .ENDS\r
3052 \r
3053 *SRC=DDZ12CS;DI_DDZ12CS;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3054 *SYM=HZEN\r
3055 .SUBCKT DI_DDZ12CS  1 2\r
3056 *        Terminals    A   K\r
3057 D1 1 2 DF\r
3058 DZ 3 1 DR\r
3059 VZ 2 3 9.66\r
3060 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
3061 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3062 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=4.23 N=3.00 )\r
3063 .ENDS\r
3064 \r
3065 *SRC=DDZ13B;DI_DDZ13B;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3066 *SYM=HZEN\r
3067 .SUBCKT DI_DDZ13B  1 2\r
3068 *        Terminals    A   K\r
3069 D1 1 2 DF\r
3070 DZ 3 1 DR\r
3071 VZ 2 3 10.7\r
3072 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=32.3 N=1.10\r
3073 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3074 .MODEL DR D ( IS=3.17f RS=6.23 N=3.00 )\r
3075 .ENDS\r
3076 \r
3077 *SRC=DDZ13BS;DI_DDZ13BS;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3078 *SYM=HZEN\r
3079 .SUBCKT DI_DDZ13BS  1 2\r
3080 *        Terminals    A   K\r
3081 D1 1 2 DF\r
3082 DZ 3 1 DR\r
3083 VZ 2 3 10.6\r
3084 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
3085 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3086 .MODEL DR D ( IS=1.27f RS=6.23 N=3.00 )\r
3087 .ENDS\r
3088 \r
3089 *SRC=DDZ14;DI_DDZ14;Diodes;Zener 10V-50V; 14.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3090 *SYM=HZEN\r
3091 .SUBCKT DI_DDZ14  1 2\r
3092 *        Terminals    A   K\r
3093 D1 1 2 DF\r
3094 DZ 3 1 DR\r
3095 VZ 2 3 11.7\r
3096 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
3097 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3098 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=8.23 N=3.00 )\r
3099 .ENDS\r
3100 \r
3101 *SRC=DDZ14S;DI_DDZ14S;Diodes;Zener 10V-50V; 14.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3102 *SYM=HZEN\r
3103 .SUBCKT DI_DDZ14S  1 2\r
3104 *        Terminals    A   K\r
3105 D1 1 2 DF\r
3106 DZ 3 1 DR\r
3107 VZ 2 3 11.6\r
3108 .MODEL DF D ( IS=5.89p RS=29.4 N=1.10\r
3109 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3110 .MODEL DR D ( IS=1.18f RS=8.23 N=3.00 )\r
3111 .ENDS\r
3112 \r
3113 *SRC=DDZ15;DI_DDZ15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3114 *SYM=HZEN\r
3115 .SUBCKT DI_DDZ15  1 2\r
3116 *        Terminals    A   K\r
3117 D1 1 2 DF\r
3118 DZ 3 1 DR\r
3119 VZ 2 3 12.7\r
3120 .MODEL DF D ( IS=13.7p RS=31.9 N=1.10\r
3121 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3122 .MODEL DR D ( IS=2.75f RS=10.2 N=3.00 )\r
3123 .ENDS\r
3124 \r
3125 *SRC=DDZ15S;DI_DDZ15S;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3126 *SYM=HZEN\r
3127 .SUBCKT DI_DDZ15S  1 2\r
3128 *        Terminals    A   K\r
3129 D1 1 2 DF\r
3130 DZ 3 1 DR\r
3131 VZ 2 3 12.6\r
3132 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
3133 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3134 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=10.2 N=3.00 )\r
3135 .ENDS\r
3136 \r
3137 *SRC=DDZ16;DI_DDZ16;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3138 *SYM=HZEN\r
3139 .SUBCKT DI_DDZ16  1 2\r
3140 *        Terminals    A   K\r
3141 D1 1 2 DF\r
3142 DZ 3 1 DR\r
3143 VZ 2 3 13.6\r
3144 .MODEL DF D ( IS=12.9p RS=31.7 N=1.10\r
3145 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3146 .MODEL DR D ( IS=2.58f RS=10.2 N=3.00 )\r
3147 .ENDS\r
3148 \r
3149 *SRC=DDZ16S;DI_DDZ16S;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3150 *SYM=HZEN\r
3151 .SUBCKT DI_DDZ16S  1 2\r
3152 *        Terminals    A   K\r
3153 D1 1 2 DF\r
3154 DZ 3 1 DR\r
3155 VZ 2 3 13.6\r
3156 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
3157 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3158 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=10.2 N=3.00 )\r
3159 .ENDS\r
3160 \r
3161 *SRC=DDZ18C;DI_DDZ18C;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3162 *SYM=HZEN\r
3163 .SUBCKT DI_DDZ18C  1 2\r
3164 *        Terminals    A   K\r
3165 D1 1 2 DF\r
3166 DZ 3 1 DR\r
3167 VZ 2 3 15.6\r
3168 .MODEL DF D ( IS=11.4p RS=31.3 N=1.10\r
3169 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3170 .MODEL DR D ( IS=2.29f RS=15.2 N=3.00 )\r
3171 .ENDS\r
3172 \r
3173 *SRC=DDZ18CS;DI_DDZ18CS;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3174 *SYM=HZEN\r
3175 .SUBCKT DI_DDZ18CS  1 2\r
3176 *        Terminals    A   K\r
3177 D1 1 2 DF\r
3178 DZ 3 1 DR\r
3179 VZ 2 3 15.5\r
3180 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
3181 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3182 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=15.2 N=3.00 )\r
3183 .ENDS\r
3184 \r
3185 *SRC=DDZ20C;DI_DDZ20C;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3186 *SYM=HZEN\r
3187 .SUBCKT DI_DDZ20C  1 2\r
3188 *        Terminals    A   K\r
3189 D1 1 2 DF\r
3190 DZ 3 1 DR\r
3191 VZ 2 3 17.5\r
3192 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
3193 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3194 .MODEL DR D ( IS=2.06f RS=20.2 N=3.00 )\r
3195 .ENDS\r
3196 \r
3197 *SRC=DDZ20CS;DI_DDZ20CS;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3198 *SYM=HZEN\r
3199 .SUBCKT DI_DDZ20CS  1 2\r
3200 *        Terminals    A   K\r
3201 D1 1 2 DF\r
3202 DZ 3 1 DR\r
3203 VZ 2 3 17.5\r
3204 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
3205 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3206 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=20.2 N=3.00 )\r
3207 .ENDS\r
3208 \r
3209 *SRC=DDZ22D;DI_DDZ22D;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3210 *SYM=HZEN\r
3211 .SUBCKT DI_DDZ22D  1 2\r
3212 *        Terminals    A   K\r
3213 D1 1 2 DF\r
3214 DZ 3 1 DR\r
3215 VZ 2 3 19.7\r
3216 .MODEL DF D ( IS=9.36p RS=30.8 N=1.10\r
3217 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3218 .MODEL DR D ( IS=1.87f RS=14.5 N=3.00 )\r
3219 .ENDS\r
3220 \r
3221 *SRC=DDZ22DS;DI_DDZ22DS;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3222 *SYM=HZEN\r
3223 .SUBCKT DI_DDZ22DS  1 2\r
3224 *        Terminals    A   K\r
3225 D1 1 2 DF\r
3226 DZ 3 1 DR\r
3227 VZ 2 3 19.6\r
3228 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
3229 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3230 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=14.5 N=3.00 )\r
3231 .ENDS\r
3232 \r
3233 *SRC=DDZ24C;DI_DDZ24C;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3234 *SYM=HZEN\r
3235 .SUBCKT DI_DDZ24C  1 2\r
3236 *        Terminals    A   K\r
3237 D1 1 2 DF\r
3238 DZ 3 1 DR\r
3239 VZ 2 3 21.7\r
3240 .MODEL DF D ( IS=8.58p RS=30.5 N=1.10\r
3241 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3242 .MODEL DR D ( IS=1.72f RS=19.5 N=3.00 )\r
3243 .ENDS\r
3244 \r
3245 *SRC=DDZ24CS;DI_DDZ24CS;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3246 *SYM=HZEN\r
3247 .SUBCKT DI_DDZ24CS  1 2\r
3248 *        Terminals    A   K\r
3249 D1 1 2 DF\r
3250 DZ 3 1 DR\r
3251 VZ 2 3 21.6\r
3252 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
3253 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3254 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=19.5 N=3.00 )\r
3255 .ENDS\r
3256 \r
3257 *SRC=DDZ27D;DI_DDZ27D;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3258 *SYM=HZEN\r
3259 .SUBCKT DI_DDZ27D  1 2\r
3260 *        Terminals    A   K\r
3261 D1 1 2 DF\r
3262 DZ 3 1 DR\r
3263 VZ 2 3 24.6\r
3264 .MODEL DF D ( IS=7.63p RS=30.2 N=1.10\r
3265 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3266 .MODEL DR D ( IS=1.53f RS=29.5 N=3.00 )\r
3267 .ENDS\r
3268 \r
3269 *SRC=DDZ27DS;DI_DDZ27DS;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3270 *SYM=HZEN\r
3271 .SUBCKT DI_DDZ27DS  1 2\r
3272 *        Terminals    A   K\r
3273 D1 1 2 DF\r
3274 DZ 3 1 DR\r
3275 VZ 2 3 24.5\r
3276 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
3277 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3278 .MODEL DR D ( IS=6.10e-016 RS=29.5 N=3.00 )\r
3279 .ENDS\r
3280 \r
3281 *SRC=DDZ30D;DI_DDZ30D;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3282 *SYM=HZEN\r
3283 .SUBCKT DI_DDZ30D  1 2\r
3284 *        Terminals    A   K\r
3285 D1 1 2 DF\r
3286 DZ 3 1 DR\r
3287 VZ 2 3 27.6\r
3288 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
3289 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3290 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=39.5 N=3.00 )\r
3291 .ENDS\r
3292 \r
3293 *SRC=DDZ30DS;DI_DDZ30DS;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3294 *SYM=HZEN\r
3295 .SUBCKT DI_DDZ30DS  1 2\r
3296 *        Terminals    A   K\r
3297 D1 1 2 DF\r
3298 DZ 3 1 DR\r
3299 VZ 2 3 27.5\r
3300 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
3301 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3302 .MODEL DR D ( IS=5.49e-016 RS=39.5 N=3.00 )\r
3303 .ENDS\r
3304 \r
3305 *SRC=DDZ33;DI_DDZ33;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3306 *SYM=HZEN\r
3307 .SUBCKT DI_DDZ33  1 2\r
3308 *        Terminals    A   K\r
3309 D1 1 2 DF\r
3310 DZ 3 1 DR\r
3311 VZ 2 3 30.4\r
3312 .MODEL DF D ( IS=6.24p RS=29.6 N=1.10\r
3313 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3314 .MODEL DR D ( IS=1.25f RS=59.5 N=3.00 )\r
3315 .ENDS\r
3316 \r
3317 *SRC=DDZ33S;DI_DDZ33S;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3318 *SYM=HZEN\r
3319 .SUBCKT DI_DDZ33S  1 2\r
3320 *        Terminals    A   K\r
3321 D1 1 2 DF\r
3322 DZ 3 1 DR\r
3323 VZ 2 3 30.4\r
3324 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
3325 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3326 .MODEL DR D ( IS=4.99e-016 RS=59.5 N=3.00 )\r
3327 .ENDS\r
3328 \r
3329 *SRC=DDZ36;DI_DDZ36;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3330 *SYM=HZEN\r
3331 .SUBCKT DI_DDZ36  1 2\r
3332 *        Terminals    A   K\r
3333 D1 1 2 DF\r
3334 DZ 3 1 DR\r
3335 VZ 2 3 33.4\r
3336 .MODEL DF D ( IS=5.72p RS=29.4 N=1.10\r
3337 + CJO=23.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3338 .MODEL DR D ( IS=1.14f RS=69.5 N=3.00 )\r
3339 .ENDS\r
3340 \r
3341 *SRC=DDZ36S;DI_DDZ36S;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3342 *SYM=HZEN\r
3343 .SUBCKT DI_DDZ36S  1 2\r
3344 *        Terminals    A   K\r
3345 D1 1 2 DF\r
3346 DZ 3 1 DR\r
3347 VZ 2 3 33.3\r
3348 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
3349 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3350 .MODEL DR D ( IS=4.58e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
3351 .ENDS\r
3352 \r
3353 *SRC=DDZ39F;DI_DDZ39F;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3354 *SYM=HZEN\r
3355 .SUBCKT DI_DDZ39F  1 2\r
3356 *        Terminals    A   K\r
3357 D1 1 2 DF\r
3358 DZ 3 1 DR\r
3359 VZ 2 3 36.4\r
3360 .MODEL DF D ( IS=5.28p RS=29.1 N=1.10\r
3361 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3362 .MODEL DR D ( IS=1.06f RS=69.5 N=3.00 )\r
3363 .ENDS\r
3364 \r
3365 *SRC=DDZ39FS;DI_DDZ39FS;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3366 *SYM=HZEN\r
3367 .SUBCKT DI_DDZ39FS  1 2\r
3368 *        Terminals    A   K\r
3369 D1 1 2 DF\r
3370 DZ 3 1 DR\r
3371 VZ 2 3 36.3\r
3372 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
3373 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3374 .MODEL DR D ( IS=4.23e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
3375 .ENDS\r
3376 \r
3377 *SRC=DDZ43;DI_DDZ43;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3378 *SYM=HZEN\r
3379 .SUBCKT DI_DDZ43  1 2\r
3380 *        Terminals    A   K\r
3381 D1 1 2 DF\r
3382 DZ 3 1 DR\r
3383 VZ 2 3 40.4\r
3384 .MODEL DF D ( IS=4.79p RS=28.9 N=1.10\r
3385 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3386 .MODEL DR D ( IS=9.58e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
3387 .ENDS\r
3388 \r
3389 *SRC=DDZ43S;DI_DDZ43S;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3390 *SYM=HZEN\r
3391 .SUBCKT DI_DDZ43S  1 2\r
3392 *        Terminals    A   K\r
3393 D1 1 2 DF\r
3394 DZ 3 1 DR\r
3395 VZ 2 3 40.3\r
3396 .MODEL DF D ( IS=1.92p RS=26.3 N=1.10\r
3397 + CJO=12.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3398 .MODEL DR D ( IS=3.83e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
3399 .ENDS\r
3400 \r
3401 *SRC=DDZ47S;DI_DDZ47S;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3402 *SYM=HZEN\r
3403 .SUBCKT DI_DDZ47S  1 2\r
3404 *        Terminals    A   K\r
3405 D1 1 2 DF\r
3406 DZ 3 1 DR\r
3407 VZ 2 3 44.3\r
3408 .MODEL DF D ( IS=1.75p RS=26.0 N=1.10\r
3409 + CJO=12.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3410 .MODEL DR D ( IS=3.51e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
3411 .ENDS\r
3412 \r
3413 *SRC=DDZ5V1B;DI_DDZ5V1B;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3414 *SYM=HZEN\r
3415 .SUBCKT DI_DDZ5V1B  1 2\r
3416 *        Terminals    A   K\r
3417 D1 1 2 DF\r
3418 DZ 3 1 DR\r
3419 VZ 2 3 2.62\r
3420 .MODEL DF D ( IS=40.4p RS=34.9 N=1.10\r
3421 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3422 .MODEL DR D ( IS=8.08f RS=13.1 N=3.00 )\r
3423 .ENDS\r
3424 \r
3425 *SRC=DDZ5V1BS;DI_DDZ5V1BS;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3426 *SYM=HZEN\r
3427 .SUBCKT DI_DDZ5V1BS  1 2\r
3428 *        Terminals    A   K\r
3429 D1 1 2 DF\r
3430 DZ 3 1 DR\r
3431 VZ 2 3 2.55\r
3432 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
3433 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3434 .MODEL DR D ( IS=3.23f RS=13.1 N=3.00 )\r
3435 .ENDS\r
3436 \r
3437 *SRC=DDZ5V6B;DI_DDZ5V6B;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3438 *SYM=HZEN\r
3439 .SUBCKT DI_DDZ5V6B  1 2\r
3440 *        Terminals    A   K\r
3441 D1 1 2 DF\r
3442 DZ 3 1 DR\r
3443 VZ 2 3 3.23\r
3444 .MODEL DF D ( IS=36.8p RS=34.7 N=1.10\r
3445 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3446 .MODEL DR D ( IS=7.36f RS=7.11 N=3.00 )\r
3447 .ENDS\r
3448 \r
3449 *SRC=DDZ5V6BS;DI_DDZ5V6BS;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3450 *SYM=HZEN\r
3451 .SUBCKT DI_DDZ5V6BS  1 2\r
3452 *        Terminals    A   K\r
3453 D1 1 2 DF\r
3454 DZ 3 1 DR\r
3455 VZ 2 3 3.16\r
3456 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
3457 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3458 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=7.11 N=3.00 )\r
3459 .ENDS\r
3460 \r
3461 *SRC=DDZ6V2B;DI_DDZ6V2B;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3462 *SYM=HZEN\r
3463 .SUBCKT DI_DDZ6V2B  1 2\r
3464 *        Terminals    A   K\r
3465 D1 1 2 DF\r
3466 DZ 3 1 DR\r
3467 VZ 2 3 3.91\r
3468 .MODEL DF D ( IS=33.2p RS=34.4 N=1.10\r
3469 + CJO=80.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3470 .MODEL DR D ( IS=6.65f RS=3.11 N=3.00 )\r
3471 .ENDS\r
3472 \r
3473 *SRC=DDZ6V2BS;DI_DDZ6V2BS;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3474 *SYM=HZEN\r
3475 .SUBCKT DI_DDZ6V2BS  1 2\r
3476 *        Terminals    A   K\r
3477 D1 1 2 DF\r
3478 DZ 3 1 DR\r
3479 VZ 2 3 3.83\r
3480 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
3481 + CJO=80.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3482 .MODEL DR D ( IS=2.66f RS=3.11 N=3.00 )\r
3483 .ENDS\r
3484 \r
3485 *SRC=DDZ6V8C;DI_DDZ6V8C;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3486 *SYM=HZEN\r
3487 .SUBCKT DI_DDZ6V8C  1 2\r
3488 *        Terminals    A   K\r
3489 D1 1 2 DF\r
3490 DZ 3 1 DR\r
3491 VZ 2 3 4.56\r
3492 .MODEL DF D ( IS=30.3p RS=34.1 N=1.10\r
3493 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3494 .MODEL DR D ( IS=6.06f RS=1.15 N=2.97 )\r
3495 .ENDS\r
3496 \r
3497 *SRC=DDZ6V8CS;DI_DDZ6V8CS;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3498 *SYM=HZEN\r
3499 .SUBCKT DI_DDZ6V8CS  1 2\r
3500 *        Terminals    A   K\r
3501 D1 1 2 DF\r
3502 DZ 3 1 DR\r
3503 VZ 2 3 4.49\r
3504 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
3505 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3506 .MODEL DR D ( IS=2.42f RS=1.15 N=2.97 )\r
3507 .ENDS\r
3508 \r
3509 *SRC=DDZ7V5C;DI_DDZ7V5C;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3510 *SYM=HZEN\r
3511 .SUBCKT DI_DDZ7V5C  1 2\r
3512 *        Terminals    A   K\r
3513 D1 1 2 DF\r
3514 DZ 3 1 DR\r
3515 VZ 2 3 5.21\r
3516 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
3517 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3518 .MODEL DR D ( IS=5.49f RS=2.12 N=3.00 )\r
3519 .ENDS\r
3520 \r
3521 *SRC=DDZ7V5CS;DI_DDZ7V5CS;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3522 *SYM=HZEN\r
3523 .SUBCKT DI_DDZ7V5CS  1 2\r
3524 *        Terminals    A   K\r
3525 D1 1 2 DF\r
3526 DZ 3 1 DR\r
3527 VZ 2 3 5.14\r
3528 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
3529 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3530 .MODEL DR D ( IS=2.20f RS=2.12 N=3.00 )\r
3531 .ENDS\r
3532 \r
3533 *SRC=DDZ8V2C;DI_DDZ8V2C;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
3534 *SYM=HZEN\r
3535 .SUBCKT DI_DDZ8V2C  1 2\r
3536 *        Terminals    A   K\r
3537 D1 1 2 DF\r
3538 DZ 3 1 DR\r
3539 VZ 2 3 5.86\r
3540 .MODEL DF D ( IS=25.1p RS=33.6 N=1.10\r
3541 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3542 .MODEL DR D ( IS=5.02f RS=4.11 N=3.00 )\r
3543 .ENDS\r
3544 \r
3545 *SRC=DDZ8V2CS;DI_DDZ8V2CS;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
3546 *SYM=HZEN\r
3547 .SUBCKT DI_DDZ8V2CS  1 2\r
3548 *        Terminals    A   K\r
3549 D1 1 2 DF\r
3550 DZ 3 1 DR\r
3551 VZ 2 3 5.79\r
3552 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
3553 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3554 .MODEL DR D ( IS=2.01f RS=4.11 N=3.00 )\r
3555 .ENDS\r
3556 \r
3557 *SRC=DDZ9688;DI_DDZ9688;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3558 *SYM=HZEN\r
3559 .SUBCKT DI_DDZ9688  1 2\r
3560 *        Terminals    A   K\r
3561 D1 1 2 DF\r
3562 DZ 3 1 DR\r
3563 VZ 2 3 2.63\r
3564 .MODEL DF D ( IS=43.8p RS=35.2 N=1.10\r
3565 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3566 .MODEL DR D ( IS=8.77f RS=6.45k N=3.00 )\r
3567 .ENDS\r
3568 \r
3569 *SRC=DDZ9688S;DI_DDZ9688S;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3570 *SYM=HZEN\r
3571 .SUBCKT DI_DDZ9688S  1 2\r
3572 *        Terminals    A   K\r
3573 D1 1 2 DF\r
3574 DZ 3 1 DR\r
3575 VZ 2 3 2.56\r
3576 .MODEL DF D ( IS=17.5p RS=32.6 N=1.10\r
3577 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3578 .MODEL DR D ( IS=3.51f RS=6.45k N=3.00 )\r
3579 .ENDS\r
3580 \r
3581 *SRC=DDZ9689;DI_DDZ9689;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3582 *SYM=HZEN\r
3583 .SUBCKT DI_DDZ9689  1 2\r
3584 *        Terminals    A   K\r
3585 D1 1 2 DF\r
3586 DZ 3 1 DR\r
3587 VZ 2 3 3.15\r
3588 .MODEL DF D ( IS=40.4p RS=34.9 N=1.10\r
3589 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3590 .MODEL DR D ( IS=8.08f RS=3.95k N=3.00 )\r
3591 .ENDS\r
3592 \r
3593 *SRC=DDZ9689S;DI_DDZ9689S;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3594 *SYM=HZEN\r
3595 .SUBCKT DI_DDZ9689S  1 2\r
3596 *        Terminals    A   K\r
3597 D1 1 2 DF\r
3598 DZ 3 1 DR\r
3599 VZ 2 3 3.08\r
3600 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
3601 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3602 .MODEL DR D ( IS=3.23f RS=3.95k N=3.00 )\r
3603 .ENDS\r
3604 \r
3605 *SRC=DDZ9690;DI_DDZ9690;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3606 *SYM=HZEN\r
3607 .SUBCKT DI_DDZ9690  1 2\r
3608 *        Terminals    A   K\r
3609 D1 1 2 DF\r
3610 DZ 3 1 DR\r
3611 VZ 2 3 3.79\r
3612 .MODEL DF D ( IS=36.8p RS=34.7 N=1.10\r
3613 + CJO=92.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3614 .MODEL DR D ( IS=7.36f RS=946 N=3.00 )\r
3615 .ENDS\r
3616 \r
3617 *SRC=DDZ9690S;DI_DDZ9690S;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3618 *SYM=HZEN\r
3619 .SUBCKT DI_DDZ9690S  1 2\r
3620 *        Terminals    A   K\r
3621 D1 1 2 DF\r
3622 DZ 3 1 DR\r
3623 VZ 2 3 3.72\r
3624 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
3625 + CJO=92.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3626 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=946 N=3.00 )\r
3627 .ENDS\r
3628 \r
3629 *SRC=DDZ9691;DI_DDZ9691;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3630 *SYM=HZEN\r
3631 .SUBCKT DI_DDZ9691  1 2\r
3632 *        Terminals    A   K\r
3633 D1 1 2 DF\r
3634 DZ 3 1 DR\r
3635 VZ 2 3 5.31\r
3636 .MODEL DF D ( IS=33.2p RS=34.4 N=1.10\r
3637 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3638 .MODEL DR D ( IS=6.65f RS=230 N=1.49 )\r
3639 .ENDS\r
3640 \r
3641 *SRC=DDZ9691S;DI_DDZ9691S;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3642 *SYM=HZEN\r
3643 .SUBCKT DI_DDZ9691S  1 2\r
3644 *        Terminals    A   K\r
3645 D1 1 2 DF\r
3646 DZ 3 1 DR\r
3647 VZ 2 3 5.28\r
3648 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
3649 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3650 .MODEL DR D ( IS=2.66f RS=230 N=1.49 )\r
3651 .ENDS\r
3652 \r
3653 *SRC=DDZ9692;DI_DDZ9692;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3654 *SYM=HZEN\r
3655 .SUBCKT DI_DDZ9692  1 2\r
3656 *        Terminals    A   K\r
3657 D1 1 2 DF\r
3658 DZ 3 1 DR\r
3659 VZ 2 3 6.71\r
3660 .MODEL DF D ( IS=30.3p RS=34.1 N=1.10\r
3661 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3662 .MODEL DR D ( IS=6.06f RS=23.0 N=0.149 )\r
3663 .ENDS\r
3664 \r
3665 *SRC=DDZ9692S;DI_DDZ9692S;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3666 *SYM=HZEN\r
3667 .SUBCKT DI_DDZ9692S  1 2\r
3668 *        Terminals    A   K\r
3669 D1 1 2 DF\r
3670 DZ 3 1 DR\r
3671 VZ 2 3 6.71\r
3672 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
3673 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3674 .MODEL DR D ( IS=2.42f RS=23.0 N=0.149 )\r
3675 .ENDS\r
3676 \r
3677 *SRC=DDZ9693;DI_DDZ9693;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3678 *SYM=HZEN\r
3679 .SUBCKT DI_DDZ9693  1 2\r
3680 *        Terminals    A   K\r
3681 D1 1 2 DF\r
3682 DZ 3 1 DR\r
3683 VZ 2 3 7.41\r
3684 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
3685 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3686 .MODEL DR D ( IS=5.49f RS=23.0 N=0.149 )\r
3687 .ENDS\r
3688 \r
3689 *SRC=DDZ9693S;DI_DDZ9693S;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3690 *SYM=HZEN\r
3691 .SUBCKT DI_DDZ9693S  1 2\r
3692 *        Terminals    A   K\r
3693 D1 1 2 DF\r
3694 DZ 3 1 DR\r
3695 VZ 2 3 7.41\r
3696 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
3697 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3698 .MODEL DR D ( IS=2.20f RS=23.0 N=0.149 )\r
3699 .ENDS\r
3700 \r
3701 *SRC=DDZ9694;DI_DDZ9694;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3702 *SYM=HZEN\r
3703 .SUBCKT DI_DDZ9694  1 2\r
3704 *        Terminals    A   K\r
3705 D1 1 2 DF\r
3706 DZ 3 1 DR\r
3707 VZ 2 3 8.07\r
3708 .MODEL DF D ( IS=25.1p RS=33.6 N=1.10\r
3709 + CJO=47.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3710 .MODEL DR D ( IS=5.02f RS=34.5 N=0.223 )\r
3711 .ENDS\r
3712 \r
3713 *SRC=DDZ9694S;DI_DDZ9694S;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3714 *SYM=HZEN\r
3715 .SUBCKT DI_DDZ9694S  1 2\r
3716 *        Terminals    A   K\r
3717 D1 1 2 DF\r
3718 DZ 3 1 DR\r
3719 VZ 2 3 8.06\r
3720 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
3721 + CJO=47.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3722 .MODEL DR D ( IS=2.01f RS=34.5 N=0.223 )\r
3723 .ENDS\r
3724 \r
3725 *SRC=DDZ9696;DI_DDZ9696;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3726 *SYM=HZEN\r
3727 .SUBCKT DI_DDZ9696  1 2\r
3728 *        Terminals    A   K\r
3729 D1 1 2 DF\r
3730 DZ 3 1 DR\r
3731 VZ 2 3 8.90\r
3732 .MODEL DF D ( IS=22.6p RS=33.3 N=1.10\r
3733 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3734 .MODEL DR D ( IS=4.53f RS=50.6 N=0.327 )\r
3735 .ENDS\r
3736 \r
3737 *SRC=DDZ9696S;DI_DDZ9696S;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3738 *SYM=HZEN\r
3739 .SUBCKT DI_DDZ9696S  1 2\r
3740 *        Terminals    A   K\r
3741 D1 1 2 DF\r
3742 DZ 3 1 DR\r
3743 VZ 2 3 8.89\r
3744 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
3745 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3746 .MODEL DR D ( IS=1.81f RS=50.6 N=0.327 )\r
3747 .ENDS\r
3748 \r
3749 *SRC=DDZ9697;DI_DDZ9697;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3750 *SYM=HZEN\r
3751 .SUBCKT DI_DDZ9697  1 2\r
3752 *        Terminals    A   K\r
3753 D1 1 2 DF\r
3754 DZ 3 1 DR\r
3755 VZ 2 3 9.73\r
3756 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=33.0 N=1.10\r
3757 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3758 .MODEL DR D ( IS=4.12f RS=69.0 N=0.446 )\r
3759 .ENDS\r
3760 \r
3761 *SRC=DDZ9697S;DI_DDZ9697S;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3762 *SYM=HZEN\r
3763 .SUBCKT DI_DDZ9697S  1 2\r
3764 *        Terminals    A   K\r
3765 D1 1 2 DF\r
3766 DZ 3 1 DR\r
3767 VZ 2 3 9.72\r
3768 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
3769 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
3770 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=69.0 N=0.446 )\r
3771 .ENDS\r
3772 \r
3773 *SRC=DDZ9698;DI_DDZ9698;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3774 *SYM=HZEN\r
3775 .SUBCKT DI_DDZ9698  1 2\r
3776 *        Terminals    A   K\r
3777 D1 1 2 DF\r
3778 DZ 3 1 DR\r
3779 VZ 2 3 10.7\r
3780 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=32.7 N=1.10\r
3781 + CJO=35.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3782 .MODEL DR D ( IS=3.75f RS=69.0 N=0.446 )\r
3783 .ENDS\r
3784 \r
3785 *SRC=DDZ9699;DI_DDZ9699;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3786 *SYM=HZEN\r
3787 .SUBCKT DI_DDZ9699  1 2\r
3788 *        Terminals    A   K\r
3789 D1 1 2 DF\r
3790 DZ 3 1 DR\r
3791 VZ 2 3 11.7\r
3792 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=32.5 N=1.10\r
3793 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3794 .MODEL DR D ( IS=3.43f RS=69.0 N=0.446 )\r
3795 .ENDS\r
3796 \r
3797 *SRC=DDZ9699S;DI_DDZ9699S;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3798 *SYM=HZEN\r
3799 .SUBCKT DI_DDZ9699S  1 2\r
3800 *        Terminals    A   K\r
3801 D1 1 2 DF\r
3802 DZ 3 1 DR\r
3803 VZ 2 3 11.7\r
3804 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
3805 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3806 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=69.0 N=0.446 )\r
3807 .ENDS\r
3808 \r
3809 *SRC=DDZ9700;DI_DDZ9700;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3810 *SYM=HZEN\r
3811 .SUBCKT DI_DDZ9700  1 2\r
3812 *        Terminals    A   K\r
3813 D1 1 2 DF\r
3814 DZ 3 1 DR\r
3815 VZ 2 3 12.7\r
3816 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=32.3 N=1.10\r
3817 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3818 .MODEL DR D ( IS=3.17f RS=69.0 N=0.446 )\r
3819 .ENDS\r
3820 \r
3821 *SRC=DDZ9700S;DI_DDZ9700S;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3822 *SYM=HZEN\r
3823 .SUBCKT DI_DDZ9700S  1 2\r
3824 *        Terminals    A   K\r
3825 D1 1 2 DF\r
3826 DZ 3 1 DR\r
3827 VZ 2 3 12.7\r
3828 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
3829 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3830 .MODEL DR D ( IS=1.27f RS=69.0 N=0.446 )\r
3831 .ENDS\r
3832 \r
3833 *SRC=DDZ9701;DI_DDZ9701;Diodes;Zener 10V-50V; 14.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3834 *SYM=HZEN\r
3835 .SUBCKT DI_DDZ9701  1 2\r
3836 *        Terminals    A   K\r
3837 D1 1 2 DF\r
3838 DZ 3 1 DR\r
3839 VZ 2 3 13.7\r
3840 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
3841 + CJO=27.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3842 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=69.0 N=0.446 )\r
3843 .ENDS\r
3844 \r
3845 *SRC=DDZ9702;DI_DDZ9702;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3846 *SYM=HZEN\r
3847 .SUBCKT DI_DDZ9702  1 2\r
3848 *        Terminals    A   K\r
3849 D1 1 2 DF\r
3850 DZ 3 1 DR\r
3851 VZ 2 3 14.7\r
3852 .MODEL DF D ( IS=13.7p RS=31.9 N=1.10\r
3853 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3854 .MODEL DR D ( IS=2.75f RS=69.0 N=0.446 )\r
3855 .ENDS\r
3856 \r
3857 *SRC=DDZ9702S;DI_DDZ9702S;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3858 *SYM=HZEN\r
3859 .SUBCKT DI_DDZ9702S  1 2\r
3860 *        Terminals    A   K\r
3861 D1 1 2 DF\r
3862 DZ 3 1 DR\r
3863 VZ 2 3 14.7\r
3864 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
3865 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3866 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=69.0 N=0.446 )\r
3867 .ENDS\r
3868 \r
3869 *SRC=DDZ9703;DI_DDZ9703;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3870 *SYM=HZEN\r
3871 .SUBCKT DI_DDZ9703  1 2\r
3872 *        Terminals    A   K\r
3873 D1 1 2 DF\r
3874 DZ 3 1 DR\r
3875 VZ 2 3 15.7\r
3876 .MODEL DF D ( IS=12.9p RS=31.7 N=1.10\r
3877 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3878 .MODEL DR D ( IS=2.58f RS=69.0 N=0.446 )\r
3879 .ENDS\r
3880 \r
3881 *SRC=DDZ9703S;DI_DDZ9703S;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3882 *SYM=HZEN\r
3883 .SUBCKT DI_DDZ9703S  1 2\r
3884 *        Terminals    A   K\r
3885 D1 1 2 DF\r
3886 DZ 3 1 DR\r
3887 VZ 2 3 15.7\r
3888 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
3889 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3890 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=69.0 N=0.446 )\r
3891 .ENDS\r
3892 \r
3893 *SRC=DDZ9705;DI_DDZ9705;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3894 *SYM=HZEN\r
3895 .SUBCKT DI_DDZ9705  1 2\r
3896 *        Terminals    A   K\r
3897 D1 1 2 DF\r
3898 DZ 3 1 DR\r
3899 VZ 2 3 17.7\r
3900 .MODEL DF D ( IS=11.4p RS=31.3 N=1.10\r
3901 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3902 .MODEL DR D ( IS=2.29f RS=69.0 N=0.446 )\r
3903 .ENDS\r
3904 \r
3905 *SRC=DDZ9705S;DI_DDZ9705S;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3906 *SYM=HZEN\r
3907 .SUBCKT DI_DDZ9705S  1 2\r
3908 *        Terminals    A   K\r
3909 D1 1 2 DF\r
3910 DZ 3 1 DR\r
3911 VZ 2 3 17.7\r
3912 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
3913 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3914 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=69.0 N=0.446 )\r
3915 .ENDS\r
3916 \r
3917 *SRC=DDZ9707;DI_DDZ9707;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3918 *SYM=HZEN\r
3919 .SUBCKT DI_DDZ9707  1 2\r
3920 *        Terminals    A   K\r
3921 D1 1 2 DF\r
3922 DZ 3 1 DR\r
3923 VZ 2 3 19.7\r
3924 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
3925 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3926 .MODEL DR D ( IS=2.06f RS=69.0 N=0.446 )\r
3927 .ENDS\r
3928 \r
3929 *SRC=DDZ9707S;DI_DDZ9707S;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3930 *SYM=HZEN\r
3931 .SUBCKT DI_DDZ9707S  1 2\r
3932 *        Terminals    A   K\r
3933 D1 1 2 DF\r
3934 DZ 3 1 DR\r
3935 VZ 2 3 19.7\r
3936 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
3937 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3938 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=69.0 N=0.446 )\r
3939 .ENDS\r
3940 \r
3941 *SRC=DDZ9708;DI_DDZ9708;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3942 *SYM=HZEN\r
3943 .SUBCKT DI_DDZ9708  1 2\r
3944 *        Terminals    A   K\r
3945 D1 1 2 DF\r
3946 DZ 3 1 DR\r
3947 VZ 2 3 21.6\r
3948 .MODEL DF D ( IS=9.36p RS=30.8 N=1.10\r
3949 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3950 .MODEL DR D ( IS=1.87f RS=92.0 N=0.594 )\r
3951 .ENDS\r
3952 \r
3953 *SRC=DDZ9708S;DI_DDZ9708S;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3954 *SYM=HZEN\r
3955 .SUBCKT DI_DDZ9708S  1 2\r
3956 *        Terminals    A   K\r
3957 D1 1 2 DF\r
3958 DZ 3 1 DR\r
3959 VZ 2 3 21.6\r
3960 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
3961 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3962 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
3963 .ENDS\r
3964 \r
3965 *SRC=DDZ9709;DI_DDZ9709;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3966 *SYM=HZEN\r
3967 .SUBCKT DI_DDZ9709  1 2\r
3968 *        Terminals    A   K\r
3969 D1 1 2 DF\r
3970 DZ 3 1 DR\r
3971 VZ 2 3 23.6\r
3972 .MODEL DF D ( IS=8.58p RS=30.5 N=1.10\r
3973 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3974 .MODEL DR D ( IS=1.72f RS=92.0 N=0.594 )\r
3975 .ENDS\r
3976 \r
3977 *SRC=DDZ9709S;DI_DDZ9709S;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
3978 *SYM=HZEN\r
3979 .SUBCKT DI_DDZ9709S  1 2\r
3980 *        Terminals    A   K\r
3981 D1 1 2 DF\r
3982 DZ 3 1 DR\r
3983 VZ 2 3 23.6\r
3984 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
3985 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3986 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
3987 .ENDS\r
3988 \r
3989 *SRC=DDZ9711;DI_DDZ9711;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
3990 *SYM=HZEN\r
3991 .SUBCKT DI_DDZ9711  1 2\r
3992 *        Terminals    A   K\r
3993 D1 1 2 DF\r
3994 DZ 3 1 DR\r
3995 VZ 2 3 26.6\r
3996 .MODEL DF D ( IS=7.63p RS=30.2 N=1.10\r
3997 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
3998 .MODEL DR D ( IS=1.53f RS=92.0 N=0.594 )\r
3999 .ENDS\r
4000 \r
4001 *SRC=DDZ9711S;DI_DDZ9711S;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
4002 *SYM=HZEN\r
4003 .SUBCKT DI_DDZ9711S  1 2\r
4004 *        Terminals    A   K\r
4005 D1 1 2 DF\r
4006 DZ 3 1 DR\r
4007 VZ 2 3 26.6\r
4008 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
4009 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4010 .MODEL DR D ( IS=6.10e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
4011 .ENDS\r
4012 \r
4013 *SRC=DDZ9712;DI_DDZ9712;Diodes;Zener 10V-50V; 28.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
4014 *SYM=HZEN\r
4015 .SUBCKT DI_DDZ9712  1 2\r
4016 *        Terminals    A   K\r
4017 D1 1 2 DF\r
4018 DZ 3 1 DR\r
4019 VZ 2 3 27.6\r
4020 .MODEL DF D ( IS=7.36p RS=30.1 N=1.10\r
4021 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4022 .MODEL DR D ( IS=1.47f RS=92.0 N=0.594 )\r
4023 .ENDS\r
4024 \r
4025 *SRC=DDZ9712S;DI_DDZ9712S;Diodes;Zener 10V-50V; 28.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
4026 *SYM=HZEN\r
4027 .SUBCKT DI_DDZ9712S  1 2\r
4028 *        Terminals    A   K\r
4029 D1 1 2 DF\r
4030 DZ 3 1 DR\r
4031 VZ 2 3 27.6\r
4032 .MODEL DF D ( IS=2.94p RS=27.5 N=1.10\r
4033 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4034 .MODEL DR D ( IS=5.89e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
4035 .ENDS\r
4036 \r
4037 *SRC=DDZ9713;DI_DDZ9713;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
4038 *SYM=HZEN\r
4039 .SUBCKT DI_DDZ9713  1 2\r
4040 *        Terminals    A   K\r
4041 D1 1 2 DF\r
4042 DZ 3 1 DR\r
4043 VZ 2 3 29.6\r
4044 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
4045 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4046 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=92.0 N=0.594 )\r
4047 .ENDS\r
4048 \r
4049 *SRC=DDZ9713S;DI_DDZ9713S;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
4050 *SYM=HZEN\r
4051 .SUBCKT DI_DDZ9713S  1 2\r
4052 *        Terminals    A   K\r
4053 D1 1 2 DF\r
4054 DZ 3 1 DR\r
4055 VZ 2 3 29.6\r
4056 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
4057 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4058 .MODEL DR D ( IS=5.49e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
4059 .ENDS\r
4060 \r
4061 *SRC=DDZ9714;DI_DDZ9714;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
4062 *SYM=HZEN\r
4063 .SUBCKT DI_DDZ9714  1 2\r
4064 *        Terminals    A   K\r
4065 D1 1 2 DF\r
4066 DZ 3 1 DR\r
4067 VZ 2 3 31.0\r
4068 .MODEL DF D ( IS=6.24p RS=29.6 N=1.10\r
4069 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4070 .MODEL DR D ( IS=1.25f RS=1.35k N=3.00 )\r
4071 .ENDS\r
4072 \r
4073 *SRC=DDZ9714S;DI_DDZ9714S;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
4074 *SYM=HZEN\r
4075 .SUBCKT DI_DDZ9714S  1 2\r
4076 *        Terminals    A   K\r
4077 D1 1 2 DF\r
4078 DZ 3 1 DR\r
4079 VZ 2 3 31.0\r
4080 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
4081 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4082 .MODEL DR D ( IS=4.99e-016 RS=1.35k N=3.00 )\r
4083 .ENDS\r
4084 \r
4085 *SRC=DDZ9715;DI_DDZ9715;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
4086 *SYM=HZEN\r
4087 .SUBCKT DI_DDZ9715  1 2\r
4088 *        Terminals    A   K\r
4089 D1 1 2 DF\r
4090 DZ 3 1 DR\r
4091 VZ 2 3 33.9\r
4092 .MODEL DF D ( IS=5.72p RS=29.4 N=1.10\r
4093 + CJO=13.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4094 .MODEL DR D ( IS=1.14f RS=4.45k N=3.00 )\r
4095 .ENDS\r
4096 \r
4097 *SRC=DDZ9715S;DI_DDZ9715S;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
4098 *SYM=HZEN\r
4099 .SUBCKT DI_DDZ9715S  1 2\r
4100 *        Terminals    A   K\r
4101 D1 1 2 DF\r
4102 DZ 3 1 DR\r
4103 VZ 2 3 34.0\r
4104 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
4105 + CJO=13.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4106 .MODEL DR D ( IS=4.58e-016 RS=1.45k N=3.00 )\r
4107 .ENDS\r
4108 \r
4109 *SRC=DDZ9716;DI_DDZ9716;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
4110 *SYM=HZEN\r
4111 .SUBCKT DI_DDZ9716  1 2\r
4112 *        Terminals    A   K\r
4113 D1 1 2 DF\r
4114 DZ 3 1 DR\r
4115 VZ 2 3 36.9\r
4116 .MODEL DF D ( IS=5.28p RS=29.1 N=1.10\r
4117 + CJO=24.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4118 .MODEL DR D ( IS=1.06f RS=4.45k N=3.00 )\r
4119 .ENDS\r
4120 \r
4121 *SRC=DDZ9716S;DI_DDZ9716S;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
4122 *SYM=HZEN\r
4123 .SUBCKT DI_DDZ9716S  1 2\r
4124 *        Terminals    A   K\r
4125 D1 1 2 DF\r
4126 DZ 3 1 DR\r
4127 VZ 2 3 36.9\r
4128 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
4129 + CJO=12.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4130 .MODEL DR D ( IS=4.23e-016 RS=1.45k N=3.00 )\r
4131 .ENDS\r
4132 \r
4133 *SRC=DDZ9717;DI_DDZ9717;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
4134 *SYM=HZEN\r
4135 .SUBCKT DI_DDZ9717  1 2\r
4136 *        Terminals    A   K\r
4137 D1 1 2 DF\r
4138 DZ 3 1 DR\r
4139 VZ 2 3 40.8\r
4140 .MODEL DF D ( IS=4.79p RS=28.9 N=1.10\r
4141 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4142 .MODEL DR D ( IS=9.58e-016 RS=6.25k N=3.00 )\r
4143 .ENDS\r
4144 \r
4145 *SRC=DDZ9V1C;DI_DDZ9V1C;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.500W   Diodes Inc. ZENER\r
4146 *SYM=HZEN\r
4147 .SUBCKT DI_DDZ9V1C  1 2\r
4148 *        Terminals    A   K\r
4149 D1 1 2 DF\r
4150 DZ 3 1 DR\r
4151 VZ 2 3 6.76\r
4152 .MODEL DF D ( IS=22.6p RS=33.3 N=1.10\r
4153 + CJO=41.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4154 .MODEL DR D ( IS=4.53f RS=4.11 N=3.00 )\r
4155 .ENDS\r
4156 \r
4157 *SRC=DDZ9V1CS;DI_DDZ9V1CS;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4158 *SYM=HZEN\r
4159 .SUBCKT DI_DDZ9V1CS  1 2\r
4160 *        Terminals    A   K\r
4161 D1 1 2 DF\r
4162 DZ 3 1 DR\r
4163 VZ 2 3 6.68\r
4164 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
4165 + CJO=41.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4166 .MODEL DR D ( IS=1.81f RS=4.11 N=3.00 )\r
4167 .ENDS\r
4168 \r
4169 *SRC=DDZX10C;DI_DDZX10C;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4170 *SYM=HZEN\r
4171 .SUBCKT DI_DDZX10C  1 2\r
4172 *        Terminals    A   K\r
4173 D1 1 2 DF\r
4174 DZ 3 1 DR\r
4175 VZ 2 3 7.61\r
4176 .MODEL DF D ( IS=12.4p RS=31.6 N=1.10\r
4177 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4178 .MODEL DR D ( IS=2.47f RS=4.11 N=3.00 )\r
4179 .ENDS\r
4180 \r
4181 *SRC=DDZX10CTS;DI_DDZX10CTS;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4182 *SYM=HZEN\r
4183 .SUBCKT DI_DDZX10CTS  1 2\r
4184 *        Terminals    A   K\r
4185 D1 1 2 DF\r
4186 DZ 3 1 DR\r
4187 VZ 2 3 7.58\r
4188 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
4189 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4190 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=4.11 N=3.00 )\r
4191 .ENDS\r
4192 \r
4193 *SRC=DDZX10CW;DI_DDZX10CW;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4194 *SYM=HZEN\r
4195 .SUBCKT DI_DDZX10CW  1 2\r
4196 *        Terminals    A   K\r
4197 D1 1 2 DF\r
4198 DZ 3 1 DR\r
4199 VZ 2 3 7.58\r
4200 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
4201 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4202 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=4.11 N=3.00 )\r
4203 .ENDS\r
4204 \r
4205 *SRC=DDZX11C;DI_DDZX11C;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4206 *SYM=HZEN\r
4207 .SUBCKT DI_DDZX11C  1 2\r
4208 *        Terminals    A   K\r
4209 D1 1 2 DF\r
4210 DZ 3 1 DR\r
4211 VZ 2 3 8.74\r
4212 .MODEL DF D ( IS=11.2p RS=31.3 N=1.10\r
4213 + CJO=33.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4214 .MODEL DR D ( IS=2.25f RS=2.30 N=2.97 )\r
4215 .ENDS\r
4216 \r
4217 *SRC=DDZX11CTS;DI_DDZX11CTS;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4218 *SYM=HZEN\r
4219 .SUBCKT DI_DDZX11CTS  1 2\r
4220 *        Terminals    A   K\r
4221 D1 1 2 DF\r
4222 DZ 3 1 DR\r
4223 VZ 2 3 8.70\r
4224 .MODEL DF D ( IS=7.49p RS=30.1 N=1.10\r
4225 + CJO=33.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4226 .MODEL DR D ( IS=1.50f RS=2.30 N=2.97 )\r
4227 .ENDS\r
4228 \r
4229 *SRC=DDZX11CW;DI_DDZX11CW;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4230 *SYM=HZEN\r
4231 .SUBCKT DI_DDZX11CW  1 2\r
4232 *        Terminals    A   K\r
4233 D1 1 2 DF\r
4234 DZ 3 1 DR\r
4235 VZ 2 3 8.70\r
4236 .MODEL DF D ( IS=7.49p RS=30.1 N=1.10\r
4237 + CJO=33.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4238 .MODEL DR D ( IS=1.50f RS=2.30 N=2.97 )\r
4239 .ENDS\r
4240 \r
4241 *SRC=DDZX12C;DI_DDZX12C;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4242 *SYM=HZEN\r
4243 .SUBCKT DI_DDZX12C  1 2\r
4244 *        Terminals    A   K\r
4245 D1 1 2 DF\r
4246 DZ 3 1 DR\r
4247 VZ 2 3 9.69\r
4248 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
4249 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4250 .MODEL DR D ( IS=2.06f RS=4.23 N=3.00 )\r
4251 .ENDS\r
4252 \r
4253 *SRC=DDZX12CTS;DI_DDZX12CTS;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4254 *SYM=HZEN\r
4255 .SUBCKT DI_DDZX12CTS  1 2\r
4256 *        Terminals    A   K\r
4257 D1 1 2 DF\r
4258 DZ 3 1 DR\r
4259 VZ 2 3 9.66\r
4260 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
4261 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4262 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=4.23 N=3.00 )\r
4263 .ENDS\r
4264 \r
4265 *SRC=DDZX12CW;DI_DDZX12CW;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4266 *SYM=HZEN\r
4267 .SUBCKT DI_DDZX12CW  1 2\r
4268 *        Terminals    A   K\r
4269 D1 1 2 DF\r
4270 DZ 3 1 DR\r
4271 VZ 2 3 9.66\r
4272 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
4273 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4274 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=4.23 N=3.00 )\r
4275 .ENDS\r
4276 \r
4277 *SRC=DDZX13B;DI_DDZX13B;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4278 *SYM=HZEN\r
4279 .SUBCKT DI_DDZX13B  1 2\r
4280 *        Terminals    A   K\r
4281 D1 1 2 DF\r
4282 DZ 3 1 DR\r
4283 VZ 2 3 10.7\r
4284 .MODEL DF D ( IS=9.51p RS=30.8 N=1.10\r
4285 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4286 .MODEL DR D ( IS=1.90f RS=6.23 N=3.00 )\r
4287 .ENDS\r
4288 \r
4289 *SRC=DDZX13BTS;DI_DDZX13BTS;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4290 *SYM=HZEN\r
4291 .SUBCKT DI_DDZX13BTS  1 2\r
4292 *        Terminals    A   K\r
4293 D1 1 2 DF\r
4294 DZ 3 1 DR\r
4295 VZ 2 3 10.6\r
4296 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
4297 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4298 .MODEL DR D ( IS=1.27f RS=6.23 N=3.00 )\r
4299 .ENDS\r
4300 \r
4301 *SRC=DDZX13BW;DI_DDZX13BW;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4302 *SYM=HZEN\r
4303 .SUBCKT DI_DDZX13BW  1 2\r
4304 *        Terminals    A   K\r
4305 D1 1 2 DF\r
4306 DZ 3 1 DR\r
4307 VZ 2 3 10.6\r
4308 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
4309 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4310 .MODEL DR D ( IS=1.27f RS=6.23 N=3.00 )\r
4311 .ENDS\r
4312 \r
4313 *SRC=DDZX14;DI_DDZX14;Diodes;Zener 10V-50V; 14.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4314 *SYM=HZEN\r
4315 .SUBCKT DI_DDZX14  1 2\r
4316 *        Terminals    A   K\r
4317 D1 1 2 DF\r
4318 DZ 3 1 DR\r
4319 VZ 2 3 11.6\r
4320 .MODEL DF D ( IS=8.83p RS=30.6 N=1.10\r
4321 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4322 .MODEL DR D ( IS=1.77f RS=8.23 N=3.00 )\r
4323 .ENDS\r
4324 \r
4325 *SRC=DDZX14TS;DI_DDZX14TS;Diodes;Zener 10V-50V; 14.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4326 *SYM=HZEN\r
4327 .SUBCKT DI_DDZX14TS  1 2\r
4328 *        Terminals    A   K\r
4329 D1 1 2 DF\r
4330 DZ 3 1 DR\r
4331 VZ 2 3 11.6\r
4332 .MODEL DF D ( IS=5.89p RS=29.4 N=1.10\r
4333 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4334 .MODEL DR D ( IS=1.18f RS=8.23 N=3.00 )\r
4335 .ENDS\r
4336 \r
4337 *SRC=DDZX14W;DI_DDZX14W;Diodes;Zener 10V-50V; 14.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4338 *SYM=HZEN\r
4339 .SUBCKT DI_DDZX14W  1 2\r
4340 *        Terminals    A   K\r
4341 D1 1 2 DF\r
4342 DZ 3 1 DR\r
4343 VZ 2 3 11.6\r
4344 .MODEL DF D ( IS=5.89p RS=29.4 N=1.10\r
4345 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4346 .MODEL DR D ( IS=1.18f RS=8.23 N=3.00 )\r
4347 .ENDS\r
4348 \r
4349 *SRC=DDZX15;DI_DDZX15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4350 *SYM=HZEN\r
4351 .SUBCKT DI_DDZX15  1 2\r
4352 *        Terminals    A   K\r
4353 D1 1 2 DF\r
4354 DZ 3 1 DR\r
4355 VZ 2 3 12.6\r
4356 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
4357 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4358 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=10.2 N=3.00 )\r
4359 .ENDS\r
4360 \r
4361 *SRC=DDZX15TS;DI_DDZX15TS;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4362 *SYM=HZEN\r
4363 .SUBCKT DI_DDZX15TS  1 2\r
4364 *        Terminals    A   K\r
4365 D1 1 2 DF\r
4366 DZ 3 1 DR\r
4367 VZ 2 3 12.6\r
4368 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
4369 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4370 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=10.2 N=3.00 )\r
4371 .ENDS\r
4372 \r
4373 *SRC=DDZX15W;DI_DDZX15W;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4374 *SYM=HZEN\r
4375 .SUBCKT DI_DDZX15W  1 2\r
4376 *        Terminals    A   K\r
4377 D1 1 2 DF\r
4378 DZ 3 1 DR\r
4379 VZ 2 3 12.6\r
4380 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
4381 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4382 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=10.2 N=3.00 )\r
4383 .ENDS\r
4384 \r
4385 *SRC=DDZX16;DI_DDZX16;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4386 *SYM=HZEN\r
4387 .SUBCKT DI_DDZX16  1 2\r
4388 *        Terminals    A   K\r
4389 D1 1 2 DF\r
4390 DZ 3 1 DR\r
4391 VZ 2 3 13.6\r
4392 .MODEL DF D ( IS=7.72p RS=30.2 N=1.10\r
4393 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4394 .MODEL DR D ( IS=1.55f RS=10.2 N=3.00 )\r
4395 .ENDS\r
4396 \r
4397 *SRC=DDZX16TS;DI_DDZX16TS;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4398 *SYM=HZEN\r
4399 .SUBCKT DI_DDZX16TS  1 2\r
4400 *        Terminals    A   K\r
4401 D1 1 2 DF\r
4402 DZ 3 1 DR\r
4403 VZ 2 3 13.6\r
4404 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
4405 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4406 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=10.2 N=3.00 )\r
4407 .ENDS\r
4408 \r
4409 *SRC=DDZX16W;DI_DDZX16W;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4410 *SYM=HZEN\r
4411 .SUBCKT DI_DDZX16W  1 2\r
4412 *        Terminals    A   K\r
4413 D1 1 2 DF\r
4414 DZ 3 1 DR\r
4415 VZ 2 3 13.6\r
4416 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
4417 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4418 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=10.2 N=3.00 )\r
4419 .ENDS\r
4420 \r
4421 *SRC=DDZX18C;DI_DDZX18C;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4422 *SYM=HZEN\r
4423 .SUBCKT DI_DDZX18C  1 2\r
4424 *        Terminals    A   K\r
4425 D1 1 2 DF\r
4426 DZ 3 1 DR\r
4427 VZ 2 3 15.5\r
4428 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
4429 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4430 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=15.2 N=3.00 )\r
4431 .ENDS\r
4432 \r
4433 *SRC=DDZX18CTS;DI_DDZX18CTS;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4434 *SYM=HZEN\r
4435 .SUBCKT DI_DDZX18CTS  1 2\r
4436 *        Terminals    A   K\r
4437 D1 1 2 DF\r
4438 DZ 3 1 DR\r
4439 VZ 2 3 15.5\r
4440 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
4441 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4442 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=15.2 N=3.00 )\r
4443 .ENDS\r
4444 \r
4445 *SRC=DDZX18CW;DI_DDZX18CW;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4446 *SYM=HZEN\r
4447 .SUBCKT DI_DDZX18CW  1 2\r
4448 *        Terminals    A   K\r
4449 D1 1 2 DF\r
4450 DZ 3 1 DR\r
4451 VZ 2 3 15.5\r
4452 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
4453 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4454 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=15.2 N=3.00 )\r
4455 .ENDS\r
4456 \r
4457 *SRC=DDZX20C;DI_DDZX20C;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4458 *SYM=HZEN\r
4459 .SUBCKT DI_DDZX20C  1 2\r
4460 *        Terminals    A   K\r
4461 D1 1 2 DF\r
4462 DZ 3 1 DR\r
4463 VZ 2 3 17.5\r
4464 .MODEL DF D ( IS=6.18p RS=29.6 N=1.10\r
4465 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4466 .MODEL DR D ( IS=1.24f RS=20.2 N=3.00 )\r
4467 .ENDS\r
4468 \r
4469 *SRC=DDZX20CTS;DI_DDZX20CTS;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4470 *SYM=HZEN\r
4471 .SUBCKT DI_DDZX20CTS  1 2\r
4472 *        Terminals    A   K\r
4473 D1 1 2 DF\r
4474 DZ 3 1 DR\r
4475 VZ 2 3 17.5\r
4476 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
4477 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4478 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=20.2 N=3.00 )\r
4479 .ENDS\r
4480 \r
4481 *SRC=DDZX20CW;DI_DDZX20CW;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4482 *SYM=HZEN\r
4483 .SUBCKT DI_DDZX20CW  1 2\r
4484 *        Terminals    A   K\r
4485 D1 1 2 DF\r
4486 DZ 3 1 DR\r
4487 VZ 2 3 17.5\r
4488 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
4489 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4490 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=20.2 N=3.00 )\r
4491 .ENDS\r
4492 \r
4493 *SRC=DDZX22D;DI_DDZX22D;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4494 *SYM=HZEN\r
4495 .SUBCKT DI_DDZX22D  1 2\r
4496 *        Terminals    A   K\r
4497 D1 1 2 DF\r
4498 DZ 3 1 DR\r
4499 VZ 2 3 19.7\r
4500 .MODEL DF D ( IS=5.62p RS=29.3 N=1.10\r
4501 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4502 .MODEL DR D ( IS=1.12f RS=14.5 N=3.00 )\r
4503 .ENDS\r
4504 \r
4505 *SRC=DDZX22DTS;DI_DDZX22DTS;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4506 *SYM=HZEN\r
4507 .SUBCKT DI_DDZX22DTS  1 2\r
4508 *        Terminals    A   K\r
4509 D1 1 2 DF\r
4510 DZ 3 1 DR\r
4511 VZ 2 3 19.6\r
4512 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
4513 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4514 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=14.5 N=3.00 )\r
4515 .ENDS\r
4516 \r
4517 *SRC=DDZX22DW;DI_DDZX22DW;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4518 *SYM=HZEN\r
4519 .SUBCKT DI_DDZX22DW  1 2\r
4520 *        Terminals    A   K\r
4521 D1 1 2 DF\r
4522 DZ 3 1 DR\r
4523 VZ 2 3 19.6\r
4524 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
4525 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4526 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=14.5 N=3.00 )\r
4527 .ENDS\r
4528 \r
4529 *SRC=DDZX24C;DI_DDZX24C;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4530 *SYM=HZEN\r
4531 .SUBCKT DI_DDZX24C  1 2\r
4532 *        Terminals    A   K\r
4533 D1 1 2 DF\r
4534 DZ 3 1 DR\r
4535 VZ 2 3 21.6\r
4536 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
4537 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4538 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=19.5 N=3.00 )\r
4539 .ENDS\r
4540 \r
4541 *SRC=DDZX24CTS;DI_DDZX24CTS;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4542 *SYM=HZEN\r
4543 .SUBCKT DI_DDZX24CTS  1 2\r
4544 *        Terminals    A   K\r
4545 D1 1 2 DF\r
4546 DZ 3 1 DR\r
4547 VZ 2 3 21.6\r
4548 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
4549 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4550 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=19.5 N=3.00 )\r
4551 .ENDS\r
4552 \r
4553 *SRC=DDZX24CW;DI_DDZX24CW;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4554 *SYM=HZEN\r
4555 .SUBCKT DI_DDZX24CW  1 2\r
4556 *        Terminals    A   K\r
4557 D1 1 2 DF\r
4558 DZ 3 1 DR\r
4559 VZ 2 3 21.6\r
4560 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
4561 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4562 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=19.5 N=3.00 )\r
4563 .ENDS\r
4564 \r
4565 *SRC=DDZX27D;DI_DDZX27D;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4566 *SYM=HZEN\r
4567 .SUBCKT DI_DDZX27D  1 2\r
4568 *        Terminals    A   K\r
4569 D1 1 2 DF\r
4570 DZ 3 1 DR\r
4571 VZ 2 3 24.6\r
4572 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
4573 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4574 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=29.5 N=3.00 )\r
4575 .ENDS\r
4576 \r
4577 *SRC=DDZX27DTS;DI_DDZX27DTS;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4578 *SYM=HZEN\r
4579 .SUBCKT DI_DDZX27DTS  1 2\r
4580 *        Terminals    A   K\r
4581 D1 1 2 DF\r
4582 DZ 3 1 DR\r
4583 VZ 2 3 24.5\r
4584 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
4585 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4586 .MODEL DR D ( IS=6.10e-016 RS=29.5 N=3.00 )\r
4587 .ENDS\r
4588 \r
4589 *SRC=DDZX27DW;DI_DDZX27DW;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4590 *SYM=HZEN\r
4591 .SUBCKT DI_DDZX27DW  1 2\r
4592 *        Terminals    A   K\r
4593 D1 1 2 DF\r
4594 DZ 3 1 DR\r
4595 VZ 2 3 24.5\r
4596 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
4597 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4598 .MODEL DR D ( IS=6.10e-016 RS=29.5 N=3.00 )\r
4599 .ENDS\r
4600 \r
4601 *SRC=DDZX30D;DI_DDZX30D;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4602 *SYM=HZEN\r
4603 .SUBCKT DI_DDZX30D  1 2\r
4604 *        Terminals    A   K\r
4605 D1 1 2 DF\r
4606 DZ 3 1 DR\r
4607 VZ 2 3 27.5\r
4608 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
4609 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4610 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=39.5 N=3.00 )\r
4611 .ENDS\r
4612 \r
4613 *SRC=DDZX30DS;DI_DDZX30DS;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4614 *SYM=HZEN\r
4615 .SUBCKT DI_DDZX30DS  1 2\r
4616 *        Terminals    A   K\r
4617 D1 1 2 DF\r
4618 DZ 3 1 DR\r
4619 VZ 2 3 27.5\r
4620 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
4621 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4622 .MODEL DR D ( IS=5.49e-016 RS=39.5 N=3.00 )\r
4623 .ENDS\r
4624 \r
4625 *SRC=DDZX30DW;DI_DDZX30DW;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4626 *SYM=HZEN\r
4627 .SUBCKT DI_DDZX30DW  1 2\r
4628 *        Terminals    A   K\r
4629 D1 1 2 DF\r
4630 DZ 3 1 DR\r
4631 VZ 2 3 27.5\r
4632 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
4633 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4634 .MODEL DR D ( IS=5.49e-016 RS=39.5 N=3.00 )\r
4635 .ENDS\r
4636 \r
4637 *SRC=DDZX33;DI_DDZX33;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4638 *SYM=HZEN\r
4639 .SUBCKT DI_DDZX33  1 2\r
4640 *        Terminals    A   K\r
4641 D1 1 2 DF\r
4642 DZ 3 1 DR\r
4643 VZ 2 3 30.4\r
4644 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
4645 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4646 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=59.5 N=3.00 )\r
4647 .ENDS\r
4648 \r
4649 *SRC=DDZX33TS;DI_DDZX33TS;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4650 *SYM=HZEN\r
4651 .SUBCKT DI_DDZX33TS  1 2\r
4652 *        Terminals    A   K\r
4653 D1 1 2 DF\r
4654 DZ 3 1 DR\r
4655 VZ 2 3 30.4\r
4656 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
4657 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4658 .MODEL DR D ( IS=4.99e-016 RS=59.5 N=3.00 )\r
4659 .ENDS\r
4660 \r
4661 *SRC=DDZX33W;DI_DDZX33W;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4662 *SYM=HZEN\r
4663 .SUBCKT DI_DDZX33W  1 2\r
4664 *        Terminals    A   K\r
4665 D1 1 2 DF\r
4666 DZ 3 1 DR\r
4667 VZ 2 3 30.4\r
4668 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
4669 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4670 .MODEL DR D ( IS=4.99e-016 RS=59.5 N=3.00 )\r
4671 .ENDS\r
4672 \r
4673 *SRC=DDZX36;DI_DDZX36;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4674 *SYM=HZEN\r
4675 .SUBCKT DI_DDZX36  1 2\r
4676 *        Terminals    A   K\r
4677 D1 1 2 DF\r
4678 DZ 3 1 DR\r
4679 VZ 2 3 33.4\r
4680 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
4681 + CJO=23.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4682 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
4683 .ENDS\r
4684 \r
4685 *SRC=DDZX36TS;DI_DDZX36TS;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4686 *SYM=HZEN\r
4687 .SUBCKT DI_DDZX36TS  1 2\r
4688 *        Terminals    A   K\r
4689 D1 1 2 DF\r
4690 DZ 3 1 DR\r
4691 VZ 2 3 33.3\r
4692 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
4693 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4694 .MODEL DR D ( IS=4.58e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
4695 .ENDS\r
4696 \r
4697 *SRC=DDZX36W;DI_DDZX36W;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4698 *SYM=HZEN\r
4699 .SUBCKT DI_DDZX36W  1 2\r
4700 *        Terminals    A   K\r
4701 D1 1 2 DF\r
4702 DZ 3 1 DR\r
4703 VZ 2 3 33.3\r
4704 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
4705 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4706 .MODEL DR D ( IS=4.58e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
4707 .ENDS\r
4708 \r
4709 *SRC=DDZX39F;DI_DDZX39F;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4710 *SYM=HZEN\r
4711 .SUBCKT DI_DDZX39F  1 2\r
4712 *        Terminals    A   K\r
4713 D1 1 2 DF\r
4714 DZ 3 1 DR\r
4715 VZ 2 3 36.3\r
4716 .MODEL DF D ( IS=3.17p RS=27.7 N=1.10\r
4717 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4718 .MODEL DR D ( IS=6.34e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
4719 .ENDS\r
4720 \r
4721 *SRC=DDZX39FTS;DI_DDZX39FTS;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4722 *SYM=HZEN\r
4723 .SUBCKT DI_DDZX39FTS  1 2\r
4724 *        Terminals    A   K\r
4725 D1 1 2 DF\r
4726 DZ 3 1 DR\r
4727 VZ 2 3 36.3\r
4728 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
4729 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4730 .MODEL DR D ( IS=4.23e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
4731 .ENDS\r
4732 \r
4733 *SRC=DDZX39FW;DI_DDZX39FW;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4734 *SYM=HZEN\r
4735 .SUBCKT DI_DDZX39FW  1 2\r
4736 *        Terminals    A   K\r
4737 D1 1 2 DF\r
4738 DZ 3 1 DR\r
4739 VZ 2 3 36.3\r
4740 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
4741 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4742 .MODEL DR D ( IS=4.23e-016 RS=69.5 N=3.00 )\r
4743 .ENDS\r
4744 \r
4745 *SRC=DDZX43;DI_DDZX43;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4746 *SYM=HZEN\r
4747 .SUBCKT DI_DDZX43  1 2\r
4748 *        Terminals    A   K\r
4749 D1 1 2 DF\r
4750 DZ 3 1 DR\r
4751 VZ 2 3 40.3\r
4752 .MODEL DF D ( IS=2.87p RS=27.4 N=1.10\r
4753 + CJO=20.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4754 .MODEL DR D ( IS=5.75e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
4755 .ENDS\r
4756 \r
4757 *SRC=DDZX43TS;DI_DDZX43TS;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4758 *SYM=HZEN\r
4759 .SUBCKT DI_DDZX43TS  1 2\r
4760 *        Terminals    A   K\r
4761 D1 1 2 DF\r
4762 DZ 3 1 DR\r
4763 VZ 2 3 40.3\r
4764 .MODEL DF D ( IS=1.92p RS=26.3 N=1.10\r
4765 + CJO=12.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4766 .MODEL DR D ( IS=3.83e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
4767 .ENDS\r
4768 \r
4769 *SRC=DDZX43W;DI_DDZX43W;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4770 *SYM=HZEN\r
4771 .SUBCKT DI_DDZX43W  1 2\r
4772 *        Terminals    A   K\r
4773 D1 1 2 DF\r
4774 DZ 3 1 DR\r
4775 VZ 2 3 40.3\r
4776 .MODEL DF D ( IS=1.92p RS=26.3 N=1.10\r
4777 + CJO=12.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4778 .MODEL DR D ( IS=3.83e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
4779 .ENDS\r
4780 \r
4781 *SRC=DDZX47TS;DI_DDZX47TS;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4782 *SYM=HZEN\r
4783 .SUBCKT DI_DDZX47TS  1 2\r
4784 *        Terminals    A   K\r
4785 D1 1 2 DF\r
4786 DZ 3 1 DR\r
4787 VZ 2 3 44.3\r
4788 .MODEL DF D ( IS=1.75p RS=26.0 N=1.10\r
4789 + CJO=12.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4790 .MODEL DR D ( IS=3.51e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
4791 .ENDS\r
4792 \r
4793 *SRC=DDZX47W;DI_DDZX47W;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4794 *SYM=HZEN\r
4795 .SUBCKT DI_DDZX47W  1 2\r
4796 *        Terminals    A   K\r
4797 D1 1 2 DF\r
4798 DZ 3 1 DR\r
4799 VZ 2 3 44.3\r
4800 .MODEL DF D ( IS=1.75p RS=26.0 N=1.10\r
4801 + CJO=12.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
4802 .MODEL DR D ( IS=3.51e-016 RS=74.5 N=3.00 )\r
4803 .ENDS\r
4804 \r
4805 *SRC=DDZX5V1B;DI_DDZX5V1B;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4806 *SYM=HZEN\r
4807 .SUBCKT DI_DDZX5V1B  1 2\r
4808 *        Terminals    A   K\r
4809 D1 1 2 DF\r
4810 DZ 3 1 DR\r
4811 VZ 2 3 2.58\r
4812 .MODEL DF D ( IS=24.2p RS=33.5 N=1.10\r
4813 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4814 .MODEL DR D ( IS=4.85f RS=13.1 N=3.00 )\r
4815 .ENDS\r
4816 \r
4817 *SRC=DDZX5V1BTS;DI_DDZX5V1BTS;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4818 *SYM=HZEN\r
4819 .SUBCKT DI_DDZX5V1BTS  1 2\r
4820 *        Terminals    A   K\r
4821 D1 1 2 DF\r
4822 DZ 3 1 DR\r
4823 VZ 2 3 2.55\r
4824 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
4825 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4826 .MODEL DR D ( IS=3.23f RS=13.1 N=3.00 )\r
4827 .ENDS\r
4828 \r
4829 *SRC=DDZX5V1BW;DI_DDZX5V1BW;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4830 *SYM=HZEN\r
4831 .SUBCKT DI_DDZX5V1BW  1 2\r
4832 *        Terminals    A   K\r
4833 D1 1 2 DF\r
4834 DZ 3 1 DR\r
4835 VZ 2 3 2.55\r
4836 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
4837 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4838 .MODEL DR D ( IS=3.23f RS=13.1 N=3.00 )\r
4839 .ENDS\r
4840 \r
4841 *SRC=DDZX5V6B;DI_DDZX5V6B;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4842 *SYM=HZEN\r
4843 .SUBCKT DI_DDZX5V6B  1 2\r
4844 *        Terminals    A   K\r
4845 D1 1 2 DF\r
4846 DZ 3 1 DR\r
4847 VZ 2 3 3.19\r
4848 .MODEL DF D ( IS=22.1p RS=33.2 N=1.10\r
4849 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4850 .MODEL DR D ( IS=4.41f RS=7.11 N=3.00 )\r
4851 .ENDS\r
4852 \r
4853 *SRC=DDZX5V6BTS;DI_DDZX5V6BTS;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4854 *SYM=HZEN\r
4855 .SUBCKT DI_DDZX5V6BTS  1 2\r
4856 *        Terminals    A   K\r
4857 D1 1 2 DF\r
4858 DZ 3 1 DR\r
4859 VZ 2 3 3.16\r
4860 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
4861 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4862 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=7.11 N=3.00 )\r
4863 .ENDS\r
4864 \r
4865 *SRC=DDZX5V6BW;DI_DDZX5V6BW;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4866 *SYM=HZEN\r
4867 .SUBCKT DI_DDZX5V6BW  1 2\r
4868 *        Terminals    A   K\r
4869 D1 1 2 DF\r
4870 DZ 3 1 DR\r
4871 VZ 2 3 3.16\r
4872 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
4873 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4874 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=7.11 N=3.00 )\r
4875 .ENDS\r
4876 \r
4877 *SRC=DDZX6V2B;DI_DDZX6V2B;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4878 *SYM=HZEN\r
4879 .SUBCKT DI_DDZX6V2B  1 2\r
4880 *        Terminals    A   K\r
4881 D1 1 2 DF\r
4882 DZ 3 1 DR\r
4883 VZ 2 3 3.87\r
4884 .MODEL DF D ( IS=19.9p RS=32.9 N=1.10\r
4885 + CJO=80.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4886 .MODEL DR D ( IS=3.99f RS=3.11 N=3.00 )\r
4887 .ENDS\r
4888 \r
4889 *SRC=DDZX6V2BTS;DI_DDZX6V2BTS;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4890 *SYM=HZEN\r
4891 .SUBCKT DI_DDZX6V2BTS  1 2\r
4892 *        Terminals    A   K\r
4893 D1 1 2 DF\r
4894 DZ 3 1 DR\r
4895 VZ 2 3 3.83\r
4896 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
4897 + CJO=80.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4898 .MODEL DR D ( IS=2.66f RS=3.11 N=3.00 )\r
4899 .ENDS\r
4900 \r
4901 *SRC=DDZX6V2BW;DI_DDZX6V2BW;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4902 *SYM=HZEN\r
4903 .SUBCKT DI_DDZX6V2BW  1 2\r
4904 *        Terminals    A   K\r
4905 D1 1 2 DF\r
4906 DZ 3 1 DR\r
4907 VZ 2 3 3.83\r
4908 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
4909 + CJO=80.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4910 .MODEL DR D ( IS=2.66f RS=3.11 N=3.00 )\r
4911 .ENDS\r
4912 \r
4913 *SRC=DDZX6V8C;DI_DDZX6V8C;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4914 *SYM=HZEN\r
4915 .SUBCKT DI_DDZX6V8C  1 2\r
4916 *        Terminals    A   K\r
4917 D1 1 2 DF\r
4918 DZ 3 1 DR\r
4919 VZ 2 3 4.52\r
4920 .MODEL DF D ( IS=18.2p RS=32.7 N=1.10\r
4921 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4922 .MODEL DR D ( IS=3.64f RS=1.15 N=2.97 )\r
4923 .ENDS\r
4924 \r
4925 *SRC=DDZX6V8CTS;DI_DDZX6V8CTS;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4926 *SYM=HZEN\r
4927 .SUBCKT DI_DDZX6V8CTS  1 2\r
4928 *        Terminals    A   K\r
4929 D1 1 2 DF\r
4930 DZ 3 1 DR\r
4931 VZ 2 3 4.49\r
4932 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
4933 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4934 .MODEL DR D ( IS=2.42f RS=1.15 N=2.97 )\r
4935 .ENDS\r
4936 \r
4937 *SRC=DDZX6V8CW;DI_DDZX6V8CW;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4938 *SYM=HZEN\r
4939 .SUBCKT DI_DDZX6V8CW  1 2\r
4940 *        Terminals    A   K\r
4941 D1 1 2 DF\r
4942 DZ 3 1 DR\r
4943 VZ 2 3 4.49\r
4944 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
4945 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4946 .MODEL DR D ( IS=2.42f RS=1.15 N=2.97 )\r
4947 .ENDS\r
4948 \r
4949 *SRC=DDZX7V5C;DI_DDZX7V5C;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4950 *SYM=HZEN\r
4951 .SUBCKT DI_DDZX7V5C  1 2\r
4952 *        Terminals    A   K\r
4953 D1 1 2 DF\r
4954 DZ 3 1 DR\r
4955 VZ 2 3 5.17\r
4956 .MODEL DF D ( IS=16.5p RS=32.4 N=1.10\r
4957 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4958 .MODEL DR D ( IS=3.30f RS=2.12 N=3.00 )\r
4959 .ENDS\r
4960 \r
4961 *SRC=DDZX7V5CTS;DI_DDZX7V5CTS;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4962 *SYM=HZEN\r
4963 .SUBCKT DI_DDZX7V5CTS  1 2\r
4964 *        Terminals    A   K\r
4965 D1 1 2 DF\r
4966 DZ 3 1 DR\r
4967 VZ 2 3 5.14\r
4968 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
4969 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4970 .MODEL DR D ( IS=2.20f RS=2.12 N=3.00 )\r
4971 .ENDS\r
4972 \r
4973 *SRC=DDZX7V5CW;DI_DDZX7V5CW;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4974 *SYM=HZEN\r
4975 .SUBCKT DI_DDZX7V5CW  1 2\r
4976 *        Terminals    A   K\r
4977 D1 1 2 DF\r
4978 DZ 3 1 DR\r
4979 VZ 2 3 5.14\r
4980 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
4981 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4982 .MODEL DR D ( IS=2.20f RS=2.12 N=3.00 )\r
4983 .ENDS\r
4984 \r
4985 *SRC=DDZX8V2C;DI_DDZX8V2C;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
4986 *SYM=HZEN\r
4987 .SUBCKT DI_DDZX8V2C  1 2\r
4988 *        Terminals    A   K\r
4989 D1 1 2 DF\r
4990 DZ 3 1 DR\r
4991 VZ 2 3 5.82\r
4992 .MODEL DF D ( IS=15.1p RS=32.1 N=1.10\r
4993 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
4994 .MODEL DR D ( IS=3.01f RS=4.11 N=3.00 )\r
4995 .ENDS\r
4996 \r
4997 *SRC=DDZX8V2CTS;DI_DDZX8V2CTS;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
4998 *SYM=HZEN\r
4999 .SUBCKT DI_DDZX8V2CTS  1 2\r
5000 *        Terminals    A   K\r
5001 D1 1 2 DF\r
5002 DZ 3 1 DR\r
5003 VZ 2 3 5.79\r
5004 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
5005 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5006 .MODEL DR D ( IS=2.01f RS=4.11 N=3.00 )\r
5007 .ENDS\r
5008 \r
5009 *SRC=DDZX8V2CW;DI_DDZX8V2CW;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
5010 *SYM=HZEN\r
5011 .SUBCKT DI_DDZX8V2CW  1 2\r
5012 *        Terminals    A   K\r
5013 D1 1 2 DF\r
5014 DZ 3 1 DR\r
5015 VZ 2 3 5.79\r
5016 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
5017 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5018 .MODEL DR D ( IS=2.01f RS=4.11 N=3.00 )\r
5019 .ENDS\r
5020 \r
5021 *SRC=DDZX9688;DI_DDZX9688;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5022 *SYM=HZEN\r
5023 .SUBCKT DI_DDZX9688  1 2\r
5024 *        Terminals    A   K\r
5025 D1 1 2 DF\r
5026 DZ 3 1 DR\r
5027 VZ 2 3 2.59\r
5028 .MODEL DF D ( IS=26.3p RS=33.7 N=1.10\r
5029 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5030 .MODEL DR D ( IS=5.26f RS=6.45k N=3.00 )\r
5031 .ENDS\r
5032 \r
5033 *SRC=DDZX9688TS;DI_DDZX9688TS;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5034 *SYM=HZEN\r
5035 .SUBCKT DI_DDZX9688TS  1 2\r
5036 *        Terminals    A   K\r
5037 D1 1 2 DF\r
5038 DZ 3 1 DR\r
5039 VZ 2 3 2.56\r
5040 .MODEL DF D ( IS=17.5p RS=32.6 N=1.10\r
5041 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5042 .MODEL DR D ( IS=3.51f RS=6.45k N=3.00 )\r
5043 .ENDS\r
5044 \r
5045 *SRC=DDZX9688W;DI_DDZX9688W;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5046 *SYM=HZEN\r
5047 .SUBCKT DI_DDZX9688W  1 2\r
5048 *        Terminals    A   K\r
5049 D1 1 2 DF\r
5050 DZ 3 1 DR\r
5051 VZ 2 3 2.56\r
5052 .MODEL DF D ( IS=17.5p RS=32.6 N=1.10\r
5053 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5054 .MODEL DR D ( IS=3.51f RS=6.45k N=3.00 )\r
5055 .ENDS\r
5056 \r
5057 *SRC=DDZX9689;DI_DDZX9689;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5058 *SYM=HZEN\r
5059 .SUBCKT DI_DDZX9689  1 2\r
5060 *        Terminals    A   K\r
5061 D1 1 2 DF\r
5062 DZ 3 1 DR\r
5063 VZ 2 3 3.11\r
5064 .MODEL DF D ( IS=24.2p RS=33.5 N=1.10\r
5065 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5066 .MODEL DR D ( IS=4.85f RS=3.95k N=3.00 )\r
5067 .ENDS\r
5068 \r
5069 *SRC=DDZX9689TS;DI_DDZX9689TS;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5070 *SYM=HZEN\r
5071 .SUBCKT DI_DDZX9689TS  1 2\r
5072 *        Terminals    A   K\r
5073 D1 1 2 DF\r
5074 DZ 3 1 DR\r
5075 VZ 2 3 3.08\r
5076 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
5077 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5078 .MODEL DR D ( IS=3.23f RS=3.95k N=3.00 )\r
5079 .ENDS\r
5080 \r
5081 *SRC=DDZX9689W;DI_DDZX9689W;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5082 *SYM=HZEN\r
5083 .SUBCKT DI_DDZX9689W  1 2\r
5084 *        Terminals    A   K\r
5085 D1 1 2 DF\r
5086 DZ 3 1 DR\r
5087 VZ 2 3 3.08\r
5088 .MODEL DF D ( IS=16.2p RS=32.3 N=1.10\r
5089 + CJO=119p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5090 .MODEL DR D ( IS=3.23f RS=3.95k N=3.00 )\r
5091 .ENDS\r
5092 \r
5093 *SRC=DDZX9690;DI_DDZX9690;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5094 *SYM=HZEN\r
5095 .SUBCKT DI_DDZX9690  1 2\r
5096 *        Terminals    A   K\r
5097 D1 1 2 DF\r
5098 DZ 3 1 DR\r
5099 VZ 2 3 3.75\r
5100 .MODEL DF D ( IS=22.1p RS=33.2 N=1.10\r
5101 + CJO=92.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5102 .MODEL DR D ( IS=4.41f RS=946 N=3.00 )\r
5103 .ENDS\r
5104 \r
5105 *SRC=DDZX9690TS;DI_DDZX9690TS;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5106 *SYM=HZEN\r
5107 .SUBCKT DI_DDZX9690TS  1 2\r
5108 *        Terminals    A   K\r
5109 D1 1 2 DF\r
5110 DZ 3 1 DR\r
5111 VZ 2 3 3.72\r
5112 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
5113 + CJO=92.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5114 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=946 N=3.00 )\r
5115 .ENDS\r
5116 \r
5117 *SRC=DDZX9690W;DI_DDZX9690W;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5118 *SYM=HZEN\r
5119 .SUBCKT DI_DDZX9690W  1 2\r
5120 *        Terminals    A   K\r
5121 D1 1 2 DF\r
5122 DZ 3 1 DR\r
5123 VZ 2 3 3.72\r
5124 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
5125 + CJO=92.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5126 .MODEL DR D ( IS=2.94f RS=946 N=3.00 )\r
5127 .ENDS\r
5128 \r
5129 *SRC=DDZX9691;DI_DDZX9691;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5130 *SYM=HZEN\r
5131 .SUBCKT DI_DDZX9691  1 2\r
5132 *        Terminals    A   K\r
5133 D1 1 2 DF\r
5134 DZ 3 1 DR\r
5135 VZ 2 3 5.29\r
5136 .MODEL DF D ( IS=19.9p RS=32.9 N=1.10\r
5137 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5138 .MODEL DR D ( IS=3.99f RS=230 N=1.49 )\r
5139 .ENDS\r
5140 \r
5141 *SRC=DDZX9691TS;DI_DDZX9691TS;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5142 *SYM=HZEN\r
5143 .SUBCKT DI_DDZX9691TS  1 2\r
5144 *        Terminals    A   K\r
5145 D1 1 2 DF\r
5146 DZ 3 1 DR\r
5147 VZ 2 3 5.28\r
5148 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
5149 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5150 .MODEL DR D ( IS=2.66f RS=230 N=1.49 )\r
5151 .ENDS\r
5152 \r
5153 *SRC=DDZX9691W;DI_DDZX9691W;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5154 *SYM=HZEN\r
5155 .SUBCKT DI_DDZX9691W  1 2\r
5156 *        Terminals    A   K\r
5157 D1 1 2 DF\r
5158 DZ 3 1 DR\r
5159 VZ 2 3 5.28\r
5160 .MODEL DF D ( IS=13.3p RS=31.8 N=1.10\r
5161 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5162 .MODEL DR D ( IS=2.66f RS=230 N=1.49 )\r
5163 .ENDS\r
5164 \r
5165 *SRC=DDZX9692;DI_DDZX9692;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5166 *SYM=HZEN\r
5167 .SUBCKT DI_DDZX9692  1 2\r
5168 *        Terminals    A   K\r
5169 D1 1 2 DF\r
5170 DZ 3 1 DR\r
5171 VZ 2 3 6.71\r
5172 .MODEL DF D ( IS=18.2p RS=32.7 N=1.10\r
5173 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5174 .MODEL DR D ( IS=3.64f RS=23.0 N=0.149 )\r
5175 .ENDS\r
5176 \r
5177 *SRC=DDZX9692TS;DI_DDZX9692TS;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5178 *SYM=HZEN\r
5179 .SUBCKT DI_DDZX9692TS  1 2\r
5180 *        Terminals    A   K\r
5181 D1 1 2 DF\r
5182 DZ 3 1 DR\r
5183 VZ 2 3 6.71\r
5184 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
5185 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5186 .MODEL DR D ( IS=2.42f RS=23.0 N=0.149 )\r
5187 .ENDS\r
5188 \r
5189 *SRC=DDZX9692W;DI_DDZX9692W;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5190 *SYM=HZEN\r
5191 .SUBCKT DI_DDZX9692W  1 2\r
5192 *        Terminals    A   K\r
5193 D1 1 2 DF\r
5194 DZ 3 1 DR\r
5195 VZ 2 3 6.71\r
5196 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
5197 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5198 .MODEL DR D ( IS=2.42f RS=23.0 N=0.149 )\r
5199 .ENDS\r
5200 \r
5201 *SRC=DDZX9693;DI_DDZX9693;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5202 *SYM=HZEN\r
5203 .SUBCKT DI_DDZX9693  1 2\r
5204 *        Terminals    A   K\r
5205 D1 1 2 DF\r
5206 DZ 3 1 DR\r
5207 VZ 2 3 7.41\r
5208 .MODEL DF D ( IS=16.5p RS=32.4 N=1.10\r
5209 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5210 .MODEL DR D ( IS=3.30f RS=23.0 N=0.149 )\r
5211 .ENDS\r
5212 \r
5213 *SRC=DDZX9693TS;DI_DDZX9693TS;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5214 *SYM=HZEN\r
5215 .SUBCKT DI_DDZX9693TS  1 2\r
5216 *        Terminals    A   K\r
5217 D1 1 2 DF\r
5218 DZ 3 1 DR\r
5219 VZ 2 3 7.41\r
5220 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
5221 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5222 .MODEL DR D ( IS=2.20f RS=23.0 N=0.149 )\r
5223 .ENDS\r
5224 \r
5225 *SRC=DDZX9693W;DI_DDZX9693W;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5226 *SYM=HZEN\r
5227 .SUBCKT DI_DDZX9693W  1 2\r
5228 *        Terminals    A   K\r
5229 D1 1 2 DF\r
5230 DZ 3 1 DR\r
5231 VZ 2 3 7.41\r
5232 .MODEL DF D ( IS=11.0p RS=31.2 N=1.10\r
5233 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5234 .MODEL DR D ( IS=2.20f RS=23.0 N=0.149 )\r
5235 .ENDS\r
5236 \r
5237 *SRC=DDZX9694;DI_DDZX9694;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5238 *SYM=HZEN\r
5239 .SUBCKT DI_DDZX9694  1 2\r
5240 *        Terminals    A   K\r
5241 D1 1 2 DF\r
5242 DZ 3 1 DR\r
5243 VZ 2 3 8.06\r
5244 .MODEL DF D ( IS=15.1p RS=32.1 N=1.10\r
5245 + CJO=47.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5246 .MODEL DR D ( IS=3.01f RS=34.5 N=0.223 )\r
5247 .ENDS\r
5248 \r
5249 *SRC=DDZX9694TS;DI_DDZX9694TS;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5250 *SYM=HZEN\r
5251 .SUBCKT DI_DDZX9694TS  1 2\r
5252 *        Terminals    A   K\r
5253 D1 1 2 DF\r
5254 DZ 3 1 DR\r
5255 VZ 2 3 8.06\r
5256 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
5257 + CJO=47.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5258 .MODEL DR D ( IS=2.01f RS=34.5 N=0.223 )\r
5259 .ENDS\r
5260 \r
5261 *SRC=DDZX9694W;DI_DDZX9694W;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5262 *SYM=HZEN\r
5263 .SUBCKT DI_DDZX9694W  1 2\r
5264 *        Terminals    A   K\r
5265 D1 1 2 DF\r
5266 DZ 3 1 DR\r
5267 VZ 2 3 8.06\r
5268 .MODEL DF D ( IS=10.0p RS=31.0 N=1.10\r
5269 + CJO=47.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5270 .MODEL DR D ( IS=2.01f RS=34.5 N=0.223 )\r
5271 .ENDS\r
5272 \r
5273 *SRC=DDZX9696;DI_DDZX9696;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5274 *SYM=HZEN\r
5275 .SUBCKT DI_DDZX9696  1 2\r
5276 *        Terminals    A   K\r
5277 D1 1 2 DF\r
5278 DZ 3 1 DR\r
5279 VZ 2 3 8.90\r
5280 .MODEL DF D ( IS=13.6p RS=31.8 N=1.10\r
5281 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5282 .MODEL DR D ( IS=2.72f RS=50.6 N=0.327 )\r
5283 .ENDS\r
5284 \r
5285 *SRC=DDZX9696TS;DI_DDZX9696TS;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5286 *SYM=HZEN\r
5287 .SUBCKT DI_DDZX9696TS  1 2\r
5288 *        Terminals    A   K\r
5289 D1 1 2 DF\r
5290 DZ 3 1 DR\r
5291 VZ 2 3 8.89\r
5292 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
5293 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5294 .MODEL DR D ( IS=1.81f RS=50.6 N=0.327 )\r
5295 .ENDS\r
5296 \r
5297 *SRC=DDZX9696W;DI_DDZX9696W;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5298 *SYM=HZEN\r
5299 .SUBCKT DI_DDZX9696W  1 2\r
5300 *        Terminals    A   K\r
5301 D1 1 2 DF\r
5302 DZ 3 1 DR\r
5303 VZ 2 3 8.89\r
5304 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
5305 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5306 .MODEL DR D ( IS=1.81f RS=50.6 N=0.327 )\r
5307 .ENDS\r
5308 \r
5309 *SRC=DDZX9697;DI_DDZX9697;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5310 *SYM=HZEN\r
5311 .SUBCKT DI_DDZX9697  1 2\r
5312 *        Terminals    A   K\r
5313 D1 1 2 DF\r
5314 DZ 3 1 DR\r
5315 VZ 2 3 9.72\r
5316 .MODEL DF D ( IS=12.4p RS=31.6 N=1.10\r
5317 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5318 .MODEL DR D ( IS=2.47f RS=69.0 N=0.446 )\r
5319 .ENDS\r
5320 \r
5321 *SRC=DDZX9697TS;DI_DDZX9697TS;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5322 *SYM=HZEN\r
5323 .SUBCKT DI_DDZX9697TS  1 2\r
5324 *        Terminals    A   K\r
5325 D1 1 2 DF\r
5326 DZ 3 1 DR\r
5327 VZ 2 3 9.72\r
5328 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
5329 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5330 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=69.0 N=0.446 )\r
5331 .ENDS\r
5332 \r
5333 *SRC=DDZX9697W;DI_DDZX9697W;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5334 *SYM=HZEN\r
5335 .SUBCKT DI_DDZX9697W  1 2\r
5336 *        Terminals    A   K\r
5337 D1 1 2 DF\r
5338 DZ 3 1 DR\r
5339 VZ 2 3 9.72\r
5340 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
5341 + CJO=39.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5342 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=69.0 N=0.446 )\r
5343 .ENDS\r
5344 \r
5345 *SRC=DDZX9699;DI_DDZX9699;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5346 *SYM=HZEN\r
5347 .SUBCKT DI_DDZX9699  1 2\r
5348 *        Terminals    A   K\r
5349 D1 1 2 DF\r
5350 DZ 3 1 DR\r
5351 VZ 2 3 11.7\r
5352 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
5353 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5354 .MODEL DR D ( IS=2.06f RS=69.0 N=0.446 )\r
5355 .ENDS\r
5356 \r
5357 *SRC=DDZX9699TS;DI_DDZX9699TS;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5358 *SYM=HZEN\r
5359 .SUBCKT DI_DDZX9699TS  1 2\r
5360 *        Terminals    A   K\r
5361 D1 1 2 DF\r
5362 DZ 3 1 DR\r
5363 VZ 2 3 11.7\r
5364 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
5365 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5366 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=69.0 N=0.446 )\r
5367 .ENDS\r
5368 \r
5369 *SRC=DDZX9699W;DI_DDZX9699W;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5370 *SYM=HZEN\r
5371 .SUBCKT DI_DDZX9699W  1 2\r
5372 *        Terminals    A   K\r
5373 D1 1 2 DF\r
5374 DZ 3 1 DR\r
5375 VZ 2 3 11.7\r
5376 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
5377 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5378 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=69.0 N=0.446 )\r
5379 .ENDS\r
5380 \r
5381 *SRC=DDZX9700;DI_DDZX9700;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5382 *SYM=HZEN\r
5383 .SUBCKT DI_DDZX9700  1 2\r
5384 *        Terminals    A   K\r
5385 D1 1 2 DF\r
5386 DZ 3 1 DR\r
5387 VZ 2 3 12.7\r
5388 .MODEL DF D ( IS=9.51p RS=30.8 N=1.10\r
5389 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5390 .MODEL DR D ( IS=1.90f RS=69.0 N=0.446 )\r
5391 .ENDS\r
5392 \r
5393 *SRC=DDZX9700TS;DI_DDZX9700TS;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5394 *SYM=HZEN\r
5395 .SUBCKT DI_DDZX9700TS  1 2\r
5396 *        Terminals    A   K\r
5397 D1 1 2 DF\r
5398 DZ 3 1 DR\r
5399 VZ 2 3 12.7\r
5400 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
5401 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5402 .MODEL DR D ( IS=1.27f RS=69.0 N=0.446 )\r
5403 .ENDS\r
5404 \r
5405 *SRC=DDZX9700W;DI_DDZX9700W;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5406 *SYM=HZEN\r
5407 .SUBCKT DI_DDZX9700W  1 2\r
5408 *        Terminals    A   K\r
5409 D1 1 2 DF\r
5410 DZ 3 1 DR\r
5411 VZ 2 3 12.7\r
5412 .MODEL DF D ( IS=6.34p RS=29.7 N=1.10\r
5413 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5414 .MODEL DR D ( IS=1.27f RS=69.0 N=0.446 )\r
5415 .ENDS\r
5416 \r
5417 *SRC=DDZX9702;DI_DDZX9702;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5418 *SYM=HZEN\r
5419 .SUBCKT DI_DDZX9702  1 2\r
5420 *        Terminals    A   K\r
5421 D1 1 2 DF\r
5422 DZ 3 1 DR\r
5423 VZ 2 3 14.7\r
5424 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
5425 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5426 .MODEL DR D ( IS=1.65f RS=69.0 N=0.446 )\r
5427 .ENDS\r
5428 \r
5429 *SRC=DDZX9702TS;DI_DDZX9702TS;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5430 *SYM=HZEN\r
5431 .SUBCKT DI_DDZX9702TS  1 2\r
5432 *        Terminals    A   K\r
5433 D1 1 2 DF\r
5434 DZ 3 1 DR\r
5435 VZ 2 3 14.7\r
5436 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
5437 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5438 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=69.0 N=0.446 )\r
5439 .ENDS\r
5440 \r
5441 *SRC=DDZX9702W;DI_DDZX9702W;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5442 *SYM=HZEN\r
5443 .SUBCKT DI_DDZX9702W  1 2\r
5444 *        Terminals    A   K\r
5445 D1 1 2 DF\r
5446 DZ 3 1 DR\r
5447 VZ 2 3 14.7\r
5448 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
5449 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5450 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=69.0 N=0.446 )\r
5451 .ENDS\r
5452 \r
5453 *SRC=DDZX9703;DI_DDZX9703;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5454 *SYM=HZEN\r
5455 .SUBCKT DI_DDZX9703  1 2\r
5456 *        Terminals    A   K\r
5457 D1 1 2 DF\r
5458 DZ 3 1 DR\r
5459 VZ 2 3 15.7\r
5460 .MODEL DF D ( IS=7.72p RS=30.2 N=1.10\r
5461 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5462 .MODEL DR D ( IS=1.54f RS=69.0 N=0.446 )\r
5463 .ENDS\r
5464 \r
5465 *SRC=DDZX9703TS;DI_DDZX9703TS;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5466 *SYM=HZEN\r
5467 .SUBCKT DI_DDZX9703TS  1 2\r
5468 *        Terminals    A   K\r
5469 D1 1 2 DF\r
5470 DZ 3 1 DR\r
5471 VZ 2 3 15.7\r
5472 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
5473 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5474 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=69.0 N=0.446 )\r
5475 .ENDS\r
5476 \r
5477 *SRC=DDZX9703W;DI_DDZX9703W;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5478 *SYM=HZEN\r
5479 .SUBCKT DI_DDZX9703W  1 2\r
5480 *        Terminals    A   K\r
5481 D1 1 2 DF\r
5482 DZ 3 1 DR\r
5483 VZ 2 3 15.7\r
5484 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
5485 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5486 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=69.0 N=0.446 )\r
5487 .ENDS\r
5488 \r
5489 *SRC=DDZX9705;DI_DDZX9705;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5490 *SYM=HZEN\r
5491 .SUBCKT DI_DDZX9705  1 2\r
5492 *        Terminals    A   K\r
5493 D1 1 2 DF\r
5494 DZ 3 1 DR\r
5495 VZ 2 3 17.7\r
5496 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
5497 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5498 .MODEL DR D ( IS=1.37f RS=69.0 N=0.446 )\r
5499 .ENDS\r
5500 \r
5501 *SRC=DDZX9705TS;DI_DDZX9705TS;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5502 *SYM=HZEN\r
5503 .SUBCKT DI_DDZX9705TS  1 2\r
5504 *        Terminals    A   K\r
5505 D1 1 2 DF\r
5506 DZ 3 1 DR\r
5507 VZ 2 3 17.7\r
5508 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
5509 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5510 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=69.0 N=0.446 )\r
5511 .ENDS\r
5512 \r
5513 *SRC=DDZX9705W;DI_DDZX9705W;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5514 *SYM=HZEN\r
5515 .SUBCKT DI_DDZX9705W  1 2\r
5516 *        Terminals    A   K\r
5517 D1 1 2 DF\r
5518 DZ 3 1 DR\r
5519 VZ 2 3 17.7\r
5520 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
5521 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5522 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=69.0 N=0.446 )\r
5523 .ENDS\r
5524 \r
5525 *SRC=DDZX9707;DI_DDZX9707;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5526 *SYM=HZEN\r
5527 .SUBCKT DI_DDZX9707  1 2\r
5528 *        Terminals    A   K\r
5529 D1 1 2 DF\r
5530 DZ 3 1 DR\r
5531 VZ 2 3 19.7\r
5532 .MODEL DF D ( IS=6.18p RS=29.6 N=1.10\r
5533 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5534 .MODEL DR D ( IS=1.24f RS=69.0 N=0.446 )\r
5535 .ENDS\r
5536 \r
5537 *SRC=DDZX9707TS;DI_DDZX9707TS;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5538 *SYM=HZEN\r
5539 .SUBCKT DI_DDZX9707TS  1 2\r
5540 *        Terminals    A   K\r
5541 D1 1 2 DF\r
5542 DZ 3 1 DR\r
5543 VZ 2 3 19.7\r
5544 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
5545 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5546 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=69.0 N=0.446 )\r
5547 .ENDS\r
5548 \r
5549 *SRC=DDZX9707W;DI_DDZX9707W;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5550 *SYM=HZEN\r
5551 .SUBCKT DI_DDZX9707W  1 2\r
5552 *        Terminals    A   K\r
5553 D1 1 2 DF\r
5554 DZ 3 1 DR\r
5555 VZ 2 3 19.7\r
5556 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
5557 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5558 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=69.0 N=0.446 )\r
5559 .ENDS\r
5560 \r
5561 *SRC=DDZX9708;DI_DDZX9708;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5562 *SYM=HZEN\r
5563 .SUBCKT DI_DDZX9708  1 2\r
5564 *        Terminals    A   K\r
5565 D1 1 2 DF\r
5566 DZ 3 1 DR\r
5567 VZ 2 3 21.6\r
5568 .MODEL DF D ( IS=5.62p RS=29.3 N=1.10\r
5569 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5570 .MODEL DR D ( IS=1.12f RS=92.0 N=0.594 )\r
5571 .ENDS\r
5572 \r
5573 *SRC=DDZX9708TS;DI_DDZX9708TS;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5574 *SYM=HZEN\r
5575 .SUBCKT DI_DDZX9708TS  1 2\r
5576 *        Terminals    A   K\r
5577 D1 1 2 DF\r
5578 DZ 3 1 DR\r
5579 VZ 2 3 21.6\r
5580 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
5581 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5582 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5583 .ENDS\r
5584 \r
5585 *SRC=DDZX9708W;DI_DDZX9708W;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5586 *SYM=HZEN\r
5587 .SUBCKT DI_DDZX9708W  1 2\r
5588 *        Terminals    A   K\r
5589 D1 1 2 DF\r
5590 DZ 3 1 DR\r
5591 VZ 2 3 21.6\r
5592 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
5593 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5594 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5595 .ENDS\r
5596 \r
5597 *SRC=DDZX9709;DI_DDZX9709;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5598 *SYM=HZEN\r
5599 .SUBCKT DI_DDZX9709  1 2\r
5600 *        Terminals    A   K\r
5601 D1 1 2 DF\r
5602 DZ 3 1 DR\r
5603 VZ 2 3 23.6\r
5604 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
5605 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5606 .MODEL DR D ( IS=1.03f RS=92.0 N=0.594 )\r
5607 .ENDS\r
5608 \r
5609 *SRC=DDZX9709TS;DI_DDZX9709TS;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5610 *SYM=HZEN\r
5611 .SUBCKT DI_DDZX9709TS  1 2\r
5612 *        Terminals    A   K\r
5613 D1 1 2 DF\r
5614 DZ 3 1 DR\r
5615 VZ 2 3 23.6\r
5616 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
5617 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5618 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5619 .ENDS\r
5620 \r
5621 *SRC=DDZX9709W;DI_DDZX9709W;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5622 *SYM=HZEN\r
5623 .SUBCKT DI_DDZX9709W  1 2\r
5624 *        Terminals    A   K\r
5625 D1 1 2 DF\r
5626 DZ 3 1 DR\r
5627 VZ 2 3 23.6\r
5628 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
5629 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5630 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5631 .ENDS\r
5632 \r
5633 *SRC=DDZX9711;DI_DDZX9711;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5634 *SYM=HZEN\r
5635 .SUBCKT DI_DDZX9711  1 2\r
5636 *        Terminals    A   K\r
5637 D1 1 2 DF\r
5638 DZ 3 1 DR\r
5639 VZ 2 3 26.6\r
5640 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
5641 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5642 .MODEL DR D ( IS=9.16e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5643 .ENDS\r
5644 \r
5645 *SRC=DDZX9711TS;DI_DDZX9711TS;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5646 *SYM=HZEN\r
5647 .SUBCKT DI_DDZX9711TS  1 2\r
5648 *        Terminals    A   K\r
5649 D1 1 2 DF\r
5650 DZ 3 1 DR\r
5651 VZ 2 3 26.6\r
5652 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
5653 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5654 .MODEL DR D ( IS=6.10e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5655 .ENDS\r
5656 \r
5657 *SRC=DDZX9711W;DI_DDZX9711W;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5658 *SYM=HZEN\r
5659 .SUBCKT DI_DDZX9711W  1 2\r
5660 *        Terminals    A   K\r
5661 D1 1 2 DF\r
5662 DZ 3 1 DR\r
5663 VZ 2 3 26.6\r
5664 .MODEL DF D ( IS=3.05p RS=27.6 N=1.10\r
5665 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5666 .MODEL DR D ( IS=6.10e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5667 .ENDS\r
5668 \r
5669 *SRC=DDZX9712;DI_DDZX9712;Diodes;Zener 10V-50V; 28.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5670 *SYM=HZEN\r
5671 .SUBCKT DI_DDZX9712  1 2\r
5672 *        Terminals    A   K\r
5673 D1 1 2 DF\r
5674 DZ 3 1 DR\r
5675 VZ 2 3 27.6\r
5676 .MODEL DF D ( IS=4.41p RS=28.6 N=1.10\r
5677 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5678 .MODEL DR D ( IS=8.83e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5679 .ENDS\r
5680 \r
5681 *SRC=DDZX9712TS;DI_DDZX9712TS;Diodes;Zener 10V-50V; 28.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5682 *SYM=HZEN\r
5683 .SUBCKT DI_DDZX9712TS  1 2\r
5684 *        Terminals    A   K\r
5685 D1 1 2 DF\r
5686 DZ 3 1 DR\r
5687 VZ 2 3 27.6\r
5688 .MODEL DF D ( IS=2.94p RS=27.5 N=1.10\r
5689 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5690 .MODEL DR D ( IS=5.89e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5691 .ENDS\r
5692 \r
5693 *SRC=DDZX9712W;DI_DDZX9712W;Diodes;Zener 10V-50V; 28.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5694 *SYM=HZEN\r
5695 .SUBCKT DI_DDZX9712W  1 2\r
5696 *        Terminals    A   K\r
5697 D1 1 2 DF\r
5698 DZ 3 1 DR\r
5699 VZ 2 3 27.6\r
5700 .MODEL DF D ( IS=2.94p RS=27.5 N=1.10\r
5701 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5702 .MODEL DR D ( IS=5.89e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5703 .ENDS\r
5704 \r
5705 *SRC=DDZX9713;DI_DDZX9713;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5706 *SYM=HZEN\r
5707 .SUBCKT DI_DDZX9713  1 2\r
5708 *        Terminals    A   K\r
5709 D1 1 2 DF\r
5710 DZ 3 1 DR\r
5711 VZ 2 3 29.6\r
5712 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
5713 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5714 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5715 .ENDS\r
5716 \r
5717 *SRC=DDZX9713TS;DI_DDZX9713TS;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5718 *SYM=HZEN\r
5719 .SUBCKT DI_DDZX9713TS  1 2\r
5720 *        Terminals    A   K\r
5721 D1 1 2 DF\r
5722 DZ 3 1 DR\r
5723 VZ 2 3 29.6\r
5724 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
5725 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5726 .MODEL DR D ( IS=5.49e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5727 .ENDS\r
5728 \r
5729 *SRC=DDZX9713W;DI_DDZX9713W;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5730 *SYM=HZEN\r
5731 .SUBCKT DI_DDZX9713W  1 2\r
5732 *        Terminals    A   K\r
5733 D1 1 2 DF\r
5734 DZ 3 1 DR\r
5735 VZ 2 3 29.6\r
5736 .MODEL DF D ( IS=2.75p RS=27.3 N=1.10\r
5737 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5738 .MODEL DR D ( IS=5.49e-016 RS=92.0 N=0.594 )\r
5739 .ENDS\r
5740 \r
5741 *SRC=DDZX9714;DI_DDZX9714;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5742 *SYM=HZEN\r
5743 .SUBCKT DI_DDZX9714  1 2\r
5744 *        Terminals    A   K\r
5745 D1 1 2 DF\r
5746 DZ 3 1 DR\r
5747 VZ 2 3 31.0\r
5748 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
5749 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5750 .MODEL DR D ( IS=7.49e-016 RS=1.35k N=3.00 )\r
5751 .ENDS\r
5752 \r
5753 *SRC=DDZX9714TS;DI_DDZX9714TS;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5754 *SYM=HZEN\r
5755 .SUBCKT DI_DDZX9714TS  1 2\r
5756 *        Terminals    A   K\r
5757 D1 1 2 DF\r
5758 DZ 3 1 DR\r
5759 VZ 2 3 31.0\r
5760 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
5761 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5762 .MODEL DR D ( IS=4.99e-016 RS=1.35k N=3.00 )\r
5763 .ENDS\r
5764 \r
5765 *SRC=DDZX9714W;DI_DDZX9714W;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5766 *SYM=HZEN\r
5767 .SUBCKT DI_DDZX9714W  1 2\r
5768 *        Terminals    A   K\r
5769 D1 1 2 DF\r
5770 DZ 3 1 DR\r
5771 VZ 2 3 31.0\r
5772 .MODEL DF D ( IS=2.50p RS=27.0 N=1.10\r
5773 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5774 .MODEL DR D ( IS=4.99e-016 RS=1.35k N=3.00 )\r
5775 .ENDS\r
5776 \r
5777 *SRC=DDZX9715;DI_DDZX9715;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5778 *SYM=HZEN\r
5779 .SUBCKT DI_DDZX9715  1 2\r
5780 *        Terminals    A   K\r
5781 D1 1 2 DF\r
5782 DZ 3 1 DR\r
5783 VZ 2 3 33.8\r
5784 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
5785 + CJO=13.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5786 .MODEL DR D ( IS=6.87e-016 RS=4.45k N=3.00 )\r
5787 .ENDS\r
5788 \r
5789 *SRC=DDZX9715TS;DI_DDZX9715TS;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5790 *SYM=HZEN\r
5791 .SUBCKT DI_DDZX9715TS  1 2\r
5792 *        Terminals    A   K\r
5793 D1 1 2 DF\r
5794 DZ 3 1 DR\r
5795 VZ 2 3 34.0\r
5796 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
5797 + CJO=13.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5798 .MODEL DR D ( IS=4.58e-016 RS=1.45k N=3.00 )\r
5799 .ENDS\r
5800 \r
5801 *SRC=DDZX9715W;DI_DDZX9715W;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5802 *SYM=HZEN\r
5803 .SUBCKT DI_DDZX9715W  1 2\r
5804 *        Terminals    A   K\r
5805 D1 1 2 DF\r
5806 DZ 3 1 DR\r
5807 VZ 2 3 34.0\r
5808 .MODEL DF D ( IS=2.29p RS=26.8 N=1.10\r
5809 + CJO=13.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5810 .MODEL DR D ( IS=4.58e-016 RS=1.45k N=3.00 )\r
5811 .ENDS\r
5812 \r
5813 *SRC=DDZX9716;DI_DDZX9716;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5814 *SYM=HZEN\r
5815 .SUBCKT DI_DDZX9716  1 2\r
5816 *        Terminals    A   K\r
5817 D1 1 2 DF\r
5818 DZ 3 1 DR\r
5819 VZ 2 3 36.8\r
5820 .MODEL DF D ( IS=3.17p RS=27.7 N=1.10\r
5821 + CJO=24.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5822 .MODEL DR D ( IS=6.34e-016 RS=4.45k N=3.00 )\r
5823 .ENDS\r
5824 \r
5825 *SRC=DDZX9716TS;DI_DDZX9716TS;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5826 *SYM=HZEN\r
5827 .SUBCKT DI_DDZX9716TS  1 2\r
5828 *        Terminals    A   K\r
5829 D1 1 2 DF\r
5830 DZ 3 1 DR\r
5831 VZ 2 3 36.9\r
5832 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
5833 + CJO=12.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5834 .MODEL DR D ( IS=4.23e-016 RS=1.45k N=3.00 )\r
5835 .ENDS\r
5836 \r
5837 *SRC=DDZX9716W;DI_DDZX9716W;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.200W   Diodes Inc. zener\r
5838 *SYM=HZEN\r
5839 .SUBCKT DI_DDZX9716W  1 2\r
5840 *        Terminals    A   K\r
5841 D1 1 2 DF\r
5842 DZ 3 1 DR\r
5843 VZ 2 3 36.9\r
5844 .MODEL DF D ( IS=2.11p RS=26.5 N=1.10\r
5845 + CJO=12.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5846 .MODEL DR D ( IS=4.23e-016 RS=1.45k N=3.00 )\r
5847 .ENDS\r
5848 \r
5849 *SRC=DDZX9717;DI_DDZX9717;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.300W   Diodes Inc. zener\r
5850 *SYM=HZEN\r
5851 .SUBCKT DI_DDZX9717  1 2\r
5852 *        Terminals    A   K\r
5853 D1 1 2 DF\r
5854 DZ 3 1 DR\r
5855 VZ 2 3 40.7\r
5856 .MODEL DF D ( IS=2.87p RS=27.4 N=1.10\r
5857 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5858 .MODEL DR D ( IS=5.75e-016 RS=6.25k N=3.00 )\r
5859 .ENDS\r
5860 \r
5861 *SRC=DDZX9V1C;DI_DDZX9V1C;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.300W   Diodes Inc. ZENER\r
5862 *SYM=HZEN\r
5863 .SUBCKT DI_DDZX9V1C  1 2\r
5864 *        Terminals    A   K\r
5865 D1 1 2 DF\r
5866 DZ 3 1 DR\r
5867 VZ 2 3 6.72\r
5868 .MODEL DF D ( IS=13.6p RS=31.8 N=1.10\r
5869 + CJO=41.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5870 .MODEL DR D ( IS=2.72f RS=4.11 N=3.00 )\r
5871 .ENDS\r
5872 \r
5873 *SRC=DDZX9V1CTS;DI_DDZX9V1CTS;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
5874 *SYM=HZEN\r
5875 .SUBCKT DI_DDZX9V1CTS  1 2\r
5876 *        Terminals    A   K\r
5877 D1 1 2 DF\r
5878 DZ 3 1 DR\r
5879 VZ 2 3 6.68\r
5880 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
5881 + CJO=41.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5882 .MODEL DR D ( IS=1.81f RS=4.11 N=3.00 )\r
5883 .ENDS\r
5884 \r
5885 *SRC=DDZX9V1CW;DI_DDZX9V1CW;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.200W   Diodes Inc. ZENER\r
5886 *SYM=HZEN\r
5887 .SUBCKT DI_DDZX9V1CW  1 2\r
5888 *        Terminals    A   K\r
5889 D1 1 2 DF\r
5890 DZ 3 1 DR\r
5891 VZ 2 3 6.68\r
5892 .MODEL DF D ( IS=9.05p RS=30.7 N=1.10\r
5893 + CJO=41.0p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5894 .MODEL DR D ( IS=1.81f RS=4.11 N=3.00 )\r
5895 .ENDS\r
5896 \r
5897 *SRC=DZ23C10;DI_DZ23C10;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5898 *SYM=HZEN\r
5899 .SUBCKT DI_DZ23C10  1 2\r
5900 *        Terminals    A   K\r
5901 D1 1 2 DF\r
5902 DZ 3 1 DR\r
5903 VZ 2 3 8.35\r
5904 .MODEL DF D ( IS=12.4p RS=31.6 N=1.10\r
5905 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
5906 \r
5907 *SRC=DZ23C11;DI_DZ23C11;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5908 *SYM=HZEN\r
5909 .SUBCKT DI_DZ23C11  1 2\r
5910 *        Terminals    A   K\r
5911 D1 1 2 DF\r
5912 DZ 3 1 DR\r
5913 VZ 2 3 8.79\r
5914 .MODEL DF D ( IS=11.2p RS=31.3 N=1.10\r
5915 + CJO=41.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5916 \r
5917 *SRC=DZ23C12;DI_DZ23C12;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5918 *SYM=HZEN\r
5919 .SUBCKT DI_DZ23C12  1 2\r
5920 *        Terminals    A   K\r
5921 D1 1 2 DF\r
5922 DZ 3 1 DR\r
5923 VZ 2 3 9.78\r
5924 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
5925 + CJO=39.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5926 \r
5927 *SRC=DZ23C13;DI_DZ23C13;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5928 *SYM=HZEN\r
5929 .SUBCKT DI_DZ23C13  1 2\r
5930 *        Terminals    A   K\r
5931 D1 1 2 DF\r
5932 DZ 3 1 DR\r
5933 VZ 2 3 10.7\r
5934 .MODEL DF D ( IS=9.51p RS=30.8 N=1.10\r
5935 + CJO=37.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5936 \r
5937 *SRC=DZ23C15;DI_DZ23C15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5938 *SYM=HZEN\r
5939 .SUBCKT DI_DZ23C15  1 2\r
5940 *        Terminals    A   K\r
5941 D1 1 2 DF\r
5942 DZ 3 1 DR\r
5943 VZ 2 3 12.7\r
5944 .MODEL DF D ( IS=8.24p RS=30.4 N=1.10\r
5945 + CJO=31.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5946 \r
5947 *SRC=DZ23C16;DI_DZ23C16;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5948 *SYM=HZEN\r
5949 .SUBCKT DI_DZ23C16  1 2\r
5950 *        Terminals    A   K\r
5951 D1 1 2 DF\r
5952 DZ 3 1 DR\r
5953 VZ 2 3 13.6\r
5954 .MODEL DF D ( IS=7.72p RS=30.2 N=1.10\r
5955 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5956 \r
5957 *SRC=DZ23C18;DI_DZ23C18;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5958 *SYM=HZEN\r
5959 .SUBCKT DI_DZ23C18  1 2\r
5960 *        Terminals    A   K\r
5961 D1 1 2 DF\r
5962 DZ 3 1 DR\r
5963 VZ 2 3 15.6\r
5964 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
5965 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5966 \r
5967 *SRC=DZ23C20;DI_DZ23C20;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5968 *SYM=HZEN\r
5969 .SUBCKT DI_DZ23C20  1 2\r
5970 *        Terminals    A   K\r
5971 D1 1 2 DF\r
5972 DZ 3 1 DR\r
5973 VZ 2 3 17.6\r
5974 .MODEL DF D ( IS=6.18p RS=29.6 N=1.10\r
5975 + CJO=23.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5976 \r
5977 *SRC=DZ23C22;DI_DZ23C22;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5978 *SYM=HZEN\r
5979 .SUBCKT DI_DZ23C22  1 2\r
5980 *        Terminals    A   K\r
5981 D1 1 2 DF\r
5982 DZ 3 1 DR\r
5983 VZ 2 3 19.5\r
5984 .MODEL DF D ( IS=5.62p RS=29.3 N=1.10\r
5985 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5986 \r
5987 *SRC=DZ23C24;DI_DZ23C24;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5988 *SYM=HZEN\r
5989 .SUBCKT DI_DZ23C24  1 2\r
5990 *        Terminals    A   K\r
5991 D1 1 2 DF\r
5992 DZ 3 1 DR\r
5993 VZ 2 3 21.4\r
5994 .MODEL DF D ( IS=5.15p RS=29.1 N=1.10\r
5995 + CJO=21.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
5996 \r
5997 *SRC=DZ23C27;DI_DZ23C27;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
5998 *SYM=HZEN\r
5999 .SUBCKT DI_DZ23C27  1 2\r
6000 *        Terminals    A   K\r
6001 D1 1 2 DF\r
6002 DZ 3 1 DR\r
6003 VZ 2 3 24.4\r
6004 .MODEL DF D ( IS=4.58p RS=28.7 N=1.10\r
6005 + CJO=20.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6006 \r
6007 *SRC=DZ23C2V7;DI_DZ23C2V7;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6008 *SYM=HZEN\r
6009 .SUBCKT DI_DZ23C2V7  1 2\r
6010 *        Terminals    A   K\r
6011 D1 1 2 DF\r
6012 DZ 3 1 DR\r
6013 VZ 2 3 0.263\r
6014 .MODEL DF D ( IS=45.8p RS=35.3 N=1.10\r
6015 + CJO=450p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6016 \r
6017 *SRC=DZ23C30;DI_DZ23C30;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6018 *SYM=HZEN\r
6019 .SUBCKT DI_DZ23C30  1 2\r
6020 *        Terminals    A   K\r
6021 D1 1 2 DF\r
6022 DZ 3 1 DR\r
6023 VZ 2 3 27.4\r
6024 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
6025 + CJO=19.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6026 \r
6027 *SRC=DZ23C33;DI_DZ23C33;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6028 *SYM=HZEN\r
6029 .SUBCKT DI_DZ23C33  1 2\r
6030 *        Terminals    A   K\r
6031 D1 1 2 DF\r
6032 DZ 3 1 DR\r
6033 VZ 2 3 30.4\r
6034 .MODEL DF D ( IS=3.75p RS=28.2 N=1.10\r
6035 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6036 \r
6037 *SRC=DZ23C36;DI_DZ23C36;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6038 *SYM=HZEN\r
6039 .SUBCKT DI_DZ23C36  1 2\r
6040 *        Terminals    A   K\r
6041 D1 1 2 DF\r
6042 DZ 3 1 DR\r
6043 VZ 2 3 33.3\r
6044 .MODEL DF D ( IS=3.43p RS=27.9 N=1.10\r
6045 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6046 \r
6047 *SRC=DZ23C39;DI_DZ23C39;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6048 *SYM=HZEN\r
6049 .SUBCKT DI_DZ23C39  1 2\r
6050 *        Terminals    A   K\r
6051 D1 1 2 DF\r
6052 DZ 3 1 DR\r
6053 VZ 2 3 36.3\r
6054 .MODEL DF D ( IS=3.17p RS=27.7 N=1.10\r
6055 + CJO=17.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6056 \r
6057 *SRC=DZ23C3V0;DI_DZ23C3V0;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6058 *SYM=HZEN\r
6059 .SUBCKT DI_DZ23C3V0  1 2\r
6060 *        Terminals    A   K\r
6061 D1 1 2 DF\r
6062 DZ 3 1 DR\r
6063 VZ 2 3 0.495\r
6064 .MODEL DF D ( IS=41.2p RS=35.0 N=1.10\r
6065 + CJO=417p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6066 \r
6067 *SRC=DZ23C3V3;DI_DZ23C3V3;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6068 *SYM=HZEN\r
6069 .SUBCKT DI_DZ23C3V3  1 2\r
6070 *        Terminals    A   K\r
6071 D1 1 2 DF\r
6072 DZ 3 1 DR\r
6073 VZ 2 3 0.787\r
6074 .MODEL DF D ( IS=37.5p RS=34.7 N=1.10\r
6075 + CJO=397p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6076 \r
6077 *SRC=DZ23C3V6;DI_DZ23C3V6;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6078 *SYM=HZEN\r
6079 .SUBCKT DI_DZ23C3V6 1 2\r
6080 *        Terminals    A   K\r
6081 D1 1 2 DF\r
6082 DZ 3 1 DR\r
6083 VZ 2 3 1.08\r
6084 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
6085 + CJO=384p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6086 \r
6087 *SRC=DZ23C3V9;DI_DZ23C3V9;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6088 *SYM=HZEN\r
6089 .SUBCKT DI_DZ23C3V9  1 2\r
6090 *        Terminals    A   K\r
6091 D1 1 2 DF\r
6092 DZ 3 1 DR\r
6093 VZ 2 3 1.08\r
6094 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
6095 + CJO=370p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6096 \r
6097 *SRC=DZ23C43;DI_DZ23C43;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6098 *SYM=HZEN\r
6099 .SUBCKT DI_DZ23C43  1 2\r
6100 *        Terminals    A   K\r
6101 D1 1 2 DF\r
6102 DZ 3 1 DR\r
6103 VZ 2 3 40.3\r
6104 .MODEL DF D ( IS=2.87p RS=27.4 N=1.10\r
6105 + CJO=16.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6106 \r
6107 *SRC=DZ23C47;DI_DZ23C47;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6108 *SYM=HZEN\r
6109 .SUBCKT DI_DZ23C47  1 2\r
6110 *        Terminals    A   K\r
6111 D1 1 2 DF\r
6112 DZ 3 1 DR\r
6113 VZ 2 3 44.3\r
6114 .MODEL DF D ( IS=2.63p RS=27.2 N=1.10\r
6115 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6116 \r
6117 *SRC=DZ23C4V3;DI_DZ23C4V3;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6118 *SYM=HZEN\r
6119 .SUBCKT DI_DZ23C4V3  1 2\r
6120 *        Terminals    A   K\r
6121 D1 1 2 DF\r
6122 DZ 3 1 DR\r
6123 VZ 2 3 1.77\r
6124 .MODEL DF D ( IS=28.7p RS=34.0 N=1.10\r
6125 + CJO=357p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6126 \r
6127 *SRC=DZ23C4V7;DI_DZ23C4V7;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6128 *SYM=HZEN\r
6129 .SUBCKT DI_DZ23C4V7  1 2\r
6130 *        Terminals    A   K\r
6131 D1 1 2 DF\r
6132 DZ 3 1 DR\r
6133 VZ 2 3 2.24\r
6134 .MODEL DF D ( IS=26.3p RS=33.7 N=1.10\r
6135 + CJO=350p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6136 \r
6137 *SRC=DZ23C51;DI_DZ23C51;Diodes;Zener >50V; 51.0V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6138 *SYM=HZEN\r
6139 .SUBCKT DI_DZ23C51  1 2\r
6140 *        Terminals    A   K\r
6141 D1 1 2 DF\r
6142 DZ 3 1 DR\r
6143 VZ 2 3 48.2\r
6144 .MODEL DF D ( IS=2.42p RS=26.9 N=1.10\r
6145 + CJO=16.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
6146 \r
6147 *SRC=DZ23C5V1;DI_DZ23C5V1;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6148 *SYM=HZEN\r
6149 .SUBCKT DI_DZ23C5V1  1 2\r
6150 *        Terminals    A   K\r
6151 D1 1 2 DF\r
6152 DZ 3 1 DR\r
6153 VZ 2 3 2.73\r
6154 .MODEL DF D ( IS=24.2p RS=33.5 N=1.10\r
6155 + CJO=132p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6156 \r
6157 *SRC=DZ23C5V6;DI_DZ23C5V6;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6158 *SYM=HZEN\r
6159 .SUBCKT DI_DZ23C5V6  1 2\r
6160 *        Terminals    A   K\r
6161 D1 1 2 DF\r
6162 DZ 3 1 DR\r
6163 VZ 2 3 3.32\r
6164 .MODEL DF D ( IS=22.1p RS=33.2 N=1.10\r
6165 + CJO=102p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6166 \r
6167 *SRC=DZ23C6V2;DI_DZ23C6V2;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6168 *SYM=HZEN\r
6169 .SUBCKT DI_DZ23C6V2  1 2\r
6170 *        Terminals    A   K\r
6171 D1 1 2 DF\r
6172 DZ 3 1 DR\r
6173 VZ 2 3 5.12\r
6174 .MODEL DF D ( IS=19.9p RS=32.9 N=1.10\r
6175 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6176 \r
6177 *SRC=DZ23C6V8;DI_DZ23C6V8;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6178 *SYM=HZEN\r
6179 .SUBCKT DI_DZ23C6V8  1 2\r
6180 *        Terminals    A   K\r
6181 D1 1 2 DF\r
6182 DZ 3 1 DR\r
6183 VZ 2 3 5.93\r
6184 .MODEL DF D ( IS=18.2p RS=32.7 N=1.10\r
6185 + CJO=72.7p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6186 \r
6187 *SRC=DZ23C7V5;DI_DZ23C7V5;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6188 *SYM=HZEN\r
6189 .SUBCKT DI_DZ23C7V5  1 2\r
6190 *        Terminals    A   K\r
6191 D1 1 2 DF\r
6192 DZ 3 1 DR\r
6193 VZ 2 3 6.74\r
6194 .MODEL DF D ( IS=16.5p RS=32.4 N=1.10\r
6195 + CJO=59.5p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6196 \r
6197 *SRC=DZ23C8V2;DI_DZ23C8V2;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6198 *SYM=HZEN\r
6199 .SUBCKT DI_DZ23C8V2  1 2\r
6200 *        Terminals    A   K\r
6201 D1 1 2 DF\r
6202 DZ 3 1 DR\r
6203 VZ 2 3 7.43\r
6204 .MODEL DF D ( IS=15.1p RS=32.1 N=1.10\r
6205 + CJO=54.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6206 \r
6207 *SRC=DZ23C9V1;DI_DZ23C9V1;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.300W   Diodes Inc. Per node.  Device contains two\r
6208 *SYM=HZEN\r
6209 .SUBCKT DI_DZ23C9V1  1 2\r
6210 *        Terminals    A   K\r
6211 D1 1 2 DF\r
6212 DZ 3 1 DR\r
6213 VZ 2 3 8.00\r
6214 .MODEL DF D ( IS=13.6p RS=31.8 N=1.10\r
6215 + CJO=48.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6216 \r
6217 *SRC=MMBZ5221B;DI_MMBZ5221B;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.350W   Diodes Inc. \r
6218 *SYM=HZEN\r
6219 .SUBCKT DI_MMBZ5221B  1 2\r
6220 *        Terminals    A   K\r
6221 D1 1 2 DF\r
6222 DZ 3 1 DR\r
6223 VZ 2 3 0\r
6224 .MODEL DF D ( IS=60.1p RS=36.1 N=1.10\r
6225 + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6226 .MODEL DR D ( IS=12.0f RS=26.1 N=3.00 )\r
6227 .ENDS\r
6228 \r
6229 *SRC=MMBZ5221BS;DI_MMBZ5221BS;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.200W   Diodes Inc. This model covers only one element.  There are two elements per pkg.\r
6230 *SYM=HZEN\r
6231 .SUBCKT DI_MMBZ5221BS  1 2\r
6232 *        Terminals    A   K\r
6233 D1 1 2 DF\r
6234 DZ 3 1 DR\r
6235 VZ 2 3 0\r
6236 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
6237 + CJO=340p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6238 \r
6239 *SRC=MMBZ5221BT;DI_MMBZ5221BT;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.150W   Diodes\r
6240 Inc. -\r
6241 *SYM=HZEN\r
6242 .SUBCKT DI_MMBZ5221BT  1 2\r
6243 *        Terminals    A   K\r
6244 D1 1 2 DF\r
6245 DZ 3 1 DR\r
6246 VZ 2 3 0\r
6247 .MODEL DF D ( IS=25.7p RS=33.7 N=1.10\r
6248 + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6249 \r
6250 *SRC=MMBZ5221BTS;DI_MMBZ5221BTS;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.200W   Diodes\r
6251 Inc. This model covers only one element.  There are three elements per pkg. *SYM=HZEN .SUBCKT DI_MMBZ5221BTS  1 2\r
6252 *        Terminals    A   K\r
6253 D1 1 2 DF\r
6254 DZ 3 1 DR\r
6255 VZ 2 3 0\r
6256 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
6257 + CJO=340p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6258 \r
6259 *SRC=MMBZ5221BW;DI_MMBZ5221BW;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.200W\r
6260       Diodes Inc.\r
6261       *SYM=HZEN\r
6262       .SUBCKT DI_MMBZ5221BW  1 2\r
6263       *        Terminals    A   K\r
6264       D1 1 2 DF\r
6265       DZ 3 1 DR\r
6266       VZ 2 3 0\r
6267       .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
6268       + CJO=205p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6269 \r
6270 *SRC=MMBZ5223B;DI_MMBZ5223B;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.350W   Diodes Inc. \r
6271 *SYM=HZEN\r
6272 .SUBCKT DI_MMBZ5223B  1 2\r
6273 *        Terminals    A   K\r
6274 D1 1 2 DF\r
6275 DZ 3 1 DR\r
6276 VZ 2 3 0\r
6277 .MODEL DF D ( IS=53.4p RS=35.7 N=1.10\r
6278 + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6279 .MODEL DR D ( IS=10.7f RS=26.1 N=3.00 )\r
6280 .ENDS\r
6281 \r
6282 *SRC=MMBZ5223BS;DI_MMBZ5223BS;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.200W   Diodes Inc. This model covers only one element.  There are two elements per pkg.\r
6283 *SYM=HZEN\r
6284 .SUBCKT DI_MMBZ5223BS  1 2\r
6285 *        Terminals    A   K\r
6286 D1 1 2 DF\r
6287 DZ 3 1 DR\r
6288 VZ 2 3 0\r
6289 .MODEL DF D ( IS=30.5p RS=34.1 N=1.10\r
6290 + CJO=275p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6291 \r
6292 *SRC=MMBZ5223BT;DI_MMBZ5223BT;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.150W   Diodes\r
6293 Inc. -\r
6294 *SYM=HZEN\r
6295 .SUBCKT DI_MMBZ5223BT  1 2\r
6296 *        Terminals    A   K\r
6297 D1 1 2 DF\r
6298 DZ 3 1 DR\r
6299 VZ 2 3 0\r
6300 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
6301 + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6302 \r
6303 *SRC=MMBZ5223BTS;DI_MMBZ5223BTS;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.200W   Diodes\r
6304 Inc. This model covers only one element.  There are three elements per pkg. *SYM=HZEN .SUBCKT DI_MMBZ5223BTS  1 2\r
6305 *        Terminals    A   K\r
6306 D1 1 2 DF\r
6307 DZ 3 1 DR\r
6308 VZ 2 3 0\r
6309 .MODEL DF D ( IS=30.5p RS=34.1 N=1.10\r
6310 + CJO=275p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6311 \r
6312 *SRC=MMBZ5223BW;DI_MMBZ5223BW;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.200W\r
6313       Diodes Inc. -\r
6314       *SYM=HZEN\r
6315       .SUBCKT DI_MMBZ5223BW  1 2\r
6316       *        Terminals    A   K\r
6317       D1 1 2 DF\r
6318       DZ 3 1 DR\r
6319       VZ 2 3 0\r
6320       .MODEL DF D ( IS=30.5p RS=34.1 N=1.10\r
6321       + CJO=172p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6322 \r
6323 *SRC=MMBZ5225B;DI_MMBZ5225B;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.350W   Diodes Inc. \r
6324 *SYM=HZEN\r
6325 .SUBCKT DI_MMBZ5225B  1 2\r
6326 *        Terminals    A   K\r
6327 D1 1 2 DF\r
6328 DZ 3 1 DR\r
6329 VZ 2 3 0.274\r
6330 .MODEL DF D ( IS=48.1p RS=35.4 N=1.10\r
6331 + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6332 .MODEL DR D ( IS=9.61f RS=26.1 N=3.00 )\r
6333 .ENDS\r
6334 \r
6335 *SRC=MMBZ5225BS;DI_MMBZ5225BS;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.200W   Diodes Inc. This model covers only one element.  There are two elements per pkg.\r
6336 *SYM=HZEN\r
6337 .SUBCKT DI_MMBZ5225BS  1 2\r
6338 *        Terminals    A   K\r
6339 D1 1 2 DF\r
6340 DZ 3 1 DR\r
6341 VZ 2 3 0.230\r
6342 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
6343 + CJO=240p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6344 \r
6345 *SRC=MMBZ5225BT;DI_MMBZ5225BT;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.150W   Diodes\r
6346 Inc. -\r
6347 *SYM=HZEN\r
6348 .SUBCKT DI_MMBZ5225BT  1 2\r
6349 *        Terminals    A   K\r
6350 D1 1 2 DF\r
6351 DZ 3 1 DR\r
6352 VZ 2 3 0.208\r
6353 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=33.0 N=1.10\r
6354 + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6355 \r
6356 *SRC=MMBZ5225BTS;DI_MMBZ5225BTS;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.200W   Diodes\r
6357 Inc. This model covers only one element.  There are three elements per pkg. *SYM=HZEN .SUBCKT DI_MMBZ5225BTS  1 2\r
6358 *        Terminals    A   K\r
6359 D1 1 2 DF\r
6360 DZ 3 1 DR\r
6361 VZ 2 3 0.230\r
6362 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
6363 + CJO=240p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6364 \r
6365 *SRC=MMBZ5225BW;DI_MMBZ5225BW;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.200W\r
6366       Diodes Inc. -\r
6367       *SYM=HZEN\r
6368       .SUBCKT DI_MMBZ5225BW  1 2\r
6369       *        Terminals    A   K\r
6370       D1 1 2 DF\r
6371       DZ 3 1 DR\r
6372       VZ 2 3 0.230\r
6373       .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
6374       + CJO=147p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6375 \r
6376 *SRC=MMBZ5226B;DI_MMBZ5226B;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.350W   Diodes Inc. \r
6377 *SYM=HZEN\r
6378 .SUBCKT DI_MMBZ5226B  1 2\r
6379 *        Terminals    A   K\r
6380 D1 1 2 DF\r
6381 DZ 3 1 DR\r
6382 VZ 2 3 0.606\r
6383 .MODEL DF D ( IS=43.7p RS=35.2 N=1.10\r
6384 + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6385 .MODEL DR D ( IS=8.74f RS=24.1 N=3.00 )\r
6386 .ENDS\r
6387 \r
6388 *SRC=MMBZ5226BS;DI_MMBZ5226BS;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.200W   Diodes Inc. This model covers only one element.  There are two elements per pkg.\r
6389 *SYM=HZEN\r
6390 .SUBCKT DI_MMBZ5226BS  1 2\r
6391 *        Terminals    A   K\r
6392 D1 1 2 DF\r
6393 DZ 3 1 DR\r
6394 VZ 2 3 0.563\r
6395 .MODEL DF D ( IS=25.0p RS=33.6 N=1.10\r
6396 + CJO=230p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6397 \r
6398 *SRC=MMBZ5226BT;DI_MMBZ5226BT;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.150W   Diodes\r
6399 Inc. -\r
6400 *SYM=HZEN\r
6401 .SUBCKT DI_MMBZ5226BT  1 2\r
6402 *        Terminals    A   K\r
6403 D1 1 2 DF\r
6404 DZ 3 1 DR\r
6405 VZ 2 3 0.541\r
6406 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=32.7 N=1.10\r
6407 + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6408 \r
6409 *SRC=MMBZ5226BTS;DI_MMBZ5226BTS;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.200W   Diodes\r
6410 Inc. This model covers only one element.  There are three elements per pkg. *SYM=HZEN .SUBCKT DI_MMBZ5226BTS  1 2\r
6411 *        Terminals    A   K\r
6412 D1 1 2 DF\r
6413 DZ 3 1 DR\r
6414 VZ 2 3 0.563\r
6415 .MODEL DF D ( IS=25.0p RS=33.6 N=1.10\r
6416 + CJO=230p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6417 \r
6418 *SRC=MMBZ5226BW;DI_MMBZ5226BW;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.200W\r
6419       Diodes Inc. -\r
6420       *SYM=HZEN\r
6421       .SUBCKT DI_MMBZ5226BW  1 2\r
6422       *        Terminals    A   K\r
6423       D1 1 2 DF\r
6424       DZ 3 1 DR\r
6425       VZ 2 3 0.563\r
6426       .MODEL DF D ( IS=25.0p RS=33.6 N=1.10\r
6427       + CJO=127p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6428 \r
6429 *SRC=MMBZ5227B;DI_MMBZ5227B;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.350W   Diodes Inc. \r
6430 *SYM=HZEN\r
6431 .SUBCKT DI_MMBZ5227B  1 2\r
6432 *        Terminals    A   K\r
6433 D1 1 2 DF\r
6434 DZ 3 1 DR\r
6435 VZ 2 3 0.980\r
6436 .MODEL DF D ( IS=40.1p RS=34.9 N=1.10\r
6437 + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6438 .MODEL DR D ( IS=8.01f RS=20.1 N=3.00 )\r
6439 .ENDS\r
6440 \r
6441 *SRC=MMBZ5227BS;DI_MMBZ5227BS;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.200W   Diodes Inc. This model covers only one element.  There are two elements per pkg.\r
6442 *SYM=HZEN\r
6443 .SUBCKT DI_MMBZ5227BS  1 2\r
6444 *        Terminals    A   K\r
6445 D1 1 2 DF\r
6446 DZ 3 1 DR\r
6447 VZ 2 3 0.936\r
6448 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
6449 + CJO=190p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6450 \r
6451 *SRC=MMBZ5227BT;DI_MMBZ5227BT;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.150W   Diodes\r
6452 Inc. -\r
6453 *SYM=HZEN\r
6454 .SUBCKT DI_MMBZ5227BT  1 2\r
6455 *        Terminals    A   K\r
6456 D1 1 2 DF\r
6457 DZ 3 1 DR\r
6458 VZ 2 3 0.914\r
6459 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=32.5 N=1.10\r
6460 + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6461 \r
6462 *SRC=MMBZ5227BTS;DI_MMBZ5227BTS;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.200W   Diodes\r
6463 Inc. This model covers only one element.  There are three elements per pkg. *SYM=HZEN .SUBCKT DI_MMBZ5227BTS  1 2\r
6464 *        Terminals    A   K\r
6465 D1 1 2 DF\r
6466 DZ 3 1 DR\r
6467 VZ 2 3 0.936\r
6468 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
6469 + CJO=190p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6470 \r
6471 *SRC=MMBZ5227BW;DI_MMBZ5227BW;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.200W\r
6472       Diodes Inc. -\r
6473       *SYM=HZEN\r
6474       .SUBCKT DI_MMBZ5227BW  1 2\r
6475       *        Terminals    A   K\r
6476       D1 1 2 DF\r
6477       DZ 3 1 DR\r
6478       VZ 2 3 0.936\r
6479       .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=33.3 N=1.10\r
6480       + CJO=112p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6481 \r
6482 *SRC=MMBZ5228B;DI_MMBZ5228B;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.350W   Diodes Inc. \r
6483 *SYM=HZEN\r
6484 .SUBCKT DI_MMBZ5228B  1 2\r
6485 *        Terminals    A   K\r
6486 D1 1 2 DF\r
6487 DZ 3 1 DR\r
6488 VZ 2 3 1.29\r
6489 .MODEL DF D ( IS=37.0p RS=34.7 N=1.10\r
6490 + CJO=99.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6491 .MODEL DR D ( IS=7.39f RS=19.1 N=3.00 )\r
6492 .ENDS\r
6493 \r
6494 *SRC=MMBZ5228BS;DI_MMBZ5228BS;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.200W   Diodes Inc. This model covers only one element.  There are two elements per pkg.\r
6495 *SYM=HZEN\r
6496 .SUBCKT DI_MMBZ5228BS  1 2\r
6497 *        Terminals    A   K\r
6498 D1 1 2 DF\r
6499 DZ 3 1 DR\r
6500 VZ 2 3 1.25\r
6501 .MODEL DF D ( IS=21.1p RS=33.1 N=1.10\r
6502 + CJO=180p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6503 \r
6504 *SRC=MMBZ5228BT;DI_MMBZ5228BT;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.150W   Diodes\r
6505 Inc. -\r
6506 *SYM=HZEN\r
6507 .SUBCKT DI_MMBZ5228BT  1 2\r
6508 *        Terminals    A   K\r
6509 D1 1 2 DF\r
6510 DZ 3 1 DR\r
6511 VZ 2 3 1.23\r
6512 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=32.3 N=1.10\r
6513 + CJO=99.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6514 \r
6515 *SRC=MMBZ5228BTS;DI_MMBZ5228BTS;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.200W   Diodes\r
6516 Inc. This model covers only one element.  There are three elements per pkg. *SYM=HZEN .SUBCKT DI_MMBZ5228BTS  1 2\r
6517 *        Terminals    A   K\r
6518 D1 1 2 DF\r
6519 DZ 3 1 DR\r
6520 VZ 2 3 1.25\r
6521 .MODEL DF D ( IS=21.1p RS=33.1 N=1.10\r
6522 + CJO=180p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6523 \r
6524 *SRC=MMBZ5228BW;DI_MMBZ5228BW;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.200W\r
6525       Diodes Inc. -\r
6526       *SYM=HZEN\r
6527       .SUBCKT DI_MMBZ5228BW  1 2\r
6528       *        Terminals    A   K\r
6529       D1 1 2 DF\r
6530       DZ 3 1 DR\r
6531       VZ 2 3 1.25\r
6532       .MODEL DF D ( IS=21.1p RS=33.1 N=1.10\r
6533       + CJO=99.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6534 \r
6535 *SRC=MMBZ5229B;DI_MMBZ5229B;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.350W   Diodes Inc. \r
6536 *SYM=HZEN\r
6537 .SUBCKT DI_MMBZ5229B  1 2\r
6538 *        Terminals    A   K\r
6539 D1 1 2 DF\r
6540 DZ 3 1 DR\r
6541 VZ 2 3 1.71\r
6542 .MODEL DF D ( IS=33.5p RS=34.4 N=1.10\r
6543 + CJO=85.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6544 .MODEL DR D ( IS=6.71f RS=18.1 N=3.00 )\r
6545 .ENDS\r
6546 \r
6547 *SRC=MMBZ5229BS;DI_MMBZ5229BS;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.200W   Diodes Inc. This model covers only one element.  There are two elements per pkg.\r
6548 *SYM=HZEN\r
6549 .SUBCKT DI_MMBZ5229BS  1 2\r
6550 *        Terminals    A   K\r
6551 D1 1 2 DF\r
6552 DZ 3 1 DR\r
6553 VZ 2 3 1.66\r
6554 .MODEL DF D ( IS=19.2p RS=32.8 N=1.10\r
6555 + CJO=170p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6556 \r
6557 *SRC=MMBZ5229BT;DI_MMBZ5229BT;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.150W   Diodes\r
6558 Inc. -\r
6559 *SYM=HZEN\r
6560 .SUBCKT DI_MMBZ5229BT  1 2\r
6561 *        Terminals    A   K\r
6562 D1 1 2 DF\r
6563 DZ 3 1 DR\r
6564 VZ 2 3 1.64\r
6565 .MODEL DF D ( IS=14.4p RS=32.0 N=1.10\r
6566 + CJO=85.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6567 \r
6568 *SRC=MMBZ5229BTS;DI_MMBZ5229BTS;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.200W   Diodes\r
6569 Inc. This model covers only one element.  There are three elements per pkg. *SYM=HZEN .SUBCKT DI_MMBZ5229BTS  1 2\r
6570 *        Terminals    A   K\r
6571 D1 1 2 DF\r
6572 DZ 3 1 DR\r
6573 VZ 2 3 1.66\r
6574 .MODEL DF D ( IS=19.2p RS=32.8 N=1.10\r
6575 + CJO=170p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6576 \r
6577 \r
6578 \r
6579 \r
6580 \r
6581 \r
6582 \r
6583 \r
6584 \r
6585 \r
6586 \r
6587 \r
6588 \r
6589 \r
6590 \r
6591 \r
6592 \r
6593 \r
6594 \r
6595 \r
6596 \r
6597 \r
6598 \r
6599 \r
6600 \r
6601 \r
6602 \r
6603 \r
6604 \r
6605 \r
6606 \r
6607 \r
6608 \r
6609 \r
6610 \r
6611 \r
6612 \r
6613 \r
6614 \r
6615 \r
6616 \r
6617 \r
6618 \r
6619 \r
6620 \r
6621 \r
6622 \r
6623 \r
6624 \r
6625 \r
6626 \r
6627 \r
6628 \r
6629 \r
6630 \r
6631 \r
6632 \r
6633 \r
6634 \r
6635 \r
6636 \r
6637 \r
6638 \r
6639 \r
6640 \r
6641 \r
6642 \r
6643 \r
6644 \r
6645 \r
6646 \r
6647 \r
6648 \r
6649 \r
6650 \r
6651 \r
6652 \r
6653 \r
6654 \r
6655 \r
6656 \r
6657 \r
6658 \r
6659 \r
6660 \r
6661 \r
6662 \r
6663 \r
6664 \r
6665 \r
6666 \r
6667 \r
6668 \r
6669 \r
6670 \r
6671 \r
6672 \r
6673 \r
6674 \r
6675 \r
6676 \r
6677 \r
6678 \r
6679 \r
6680 \r
6681 \r
6682 \r
6683 \r
6684 \r
6685 \r
6686 \r
6687 \r
6688 \r
6689 \r
6690 \r
6691 \r
6692 \r
6693 \r
6694 \r
6695 \r
6696 \r
6697 \r
6698 \r
6699 \r
6700 \r
6701 \r
6702 \r
6703 \r
6704 \r
6705 \r
6706 \r
6707 \r
6708 \r
6709 \r
6710 \r
6711 \r
6712 \r
6713 \r
6714 \r
6715 \r
6716 \r
6717 \r
6718 \r
6719 \r
6720 \r
6721 \r
6722 \r
6723 \r
6724 \r
6725 \r
6726 \r
6727 \r
6728 \r
6729 \r
6730 \r
6731 \r
6732 \r
6733 \r
6734 \r
6735 \r
6736 \r
6737 \r
6738 \r
6739 \r
6740 \r
6741 \r
6742 \r
6743 \r
6744 \r
6745 \r
6746 \r
6747 \r
6748 \r
6749 \r
6750 \r
6751 \r
6752 \r
6753 \r
6754 \r
6755 \r
6756 \r
6757 \r
6758 \r
6759 \r
6760 \r
6761 \r
6762 \r
6763 \r
6764 \r
6765 \r
6766 \r
6767 \r
6768 \r
6769 \r
6770 \r
6771 \r
6772 \r
6773 \r
6774 \r
6775 \r
6776 \r
6777 \r
6778 \r
6779 \r
6780 \r
6781 \r
6782 \r
6783 \r
6784 \r
6785 \r
6786 \r
6787 \r
6788 \r
6789 \r
6790 \r
6791 \r
6792 \r
6793 \r
6794 \r
6795 \r
6796 \r
6797 \r
6798 \r
6799 \r
6800 \r
6801 \r
6802 \r
6803 \r
6804 \r
6805 \r
6806 \r
6807 \r
6808 \r
6809 \r
6810 \r
6811 \r
6812 \r
6813 \r
6814 \r
6815 \r
6816 \r
6817 \r
6818 \r
6819 \r
6820 \r
6821 \r
6822 \r
6823 \r
6824 \r
6825 \r
6826 \r
6827 \r
6828 \r
6829 \r
6830 \r
6831 *SRC=MMSZ5221B;DI_MMSZ5221B;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6832 *SYM=HZEN\r
6833 .SUBCKT DI_MMSZ5221B  1 2\r
6834 *        Terminals    A   K\r
6835 D1 1 2 DF\r
6836 DZ 3 1 DR\r
6837 VZ 2 3 0\r
6838 .MODEL DF D ( IS=85.8p RS=37.1 N=1.10\r
6839 + CJO=794p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6840 \r
6841 *SRC=MMSZ5221BS;DI_MMSZ5221BS;Diodes;Zener <=10V; 2.40V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6842 *SYM=HZEN\r
6843 .SUBCKT DI_MMSZ5221BS  1 2\r
6844 *        Terminals    A   K\r
6845 D1 1 2 DF\r
6846 DZ 3 1 DR\r
6847 VZ 2 3 0\r
6848 .MODEL DF D ( IS=85.8p RS=37.1 N=1.10\r
6849 + CJO=794p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6850 \r
6851 *SRC=MMSZ5223B;DI_MMSZ5223B;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6852 *SYM=HZEN\r
6853 .SUBCKT DI_MMSZ5223B  1 2\r
6854 *        Terminals    A   K\r
6855 D1 1 2 DF\r
6856 DZ 3 1 DR\r
6857 VZ 2 3 9.75m\r
6858 .MODEL DF D ( IS=76.3p RS=36.7 N=1.10\r
6859 + CJO=463p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6860 \r
6861 *SRC=MMSZ5223BS;DI_MMSZ5223BS;Diodes;Zener <=10V; 2.70V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6862 *SYM=HZEN\r
6863 .SUBCKT DI_MMSZ5223BS  1 2\r
6864 *        Terminals    A   K\r
6865 D1 1 2 DF\r
6866 DZ 3 1 DR\r
6867 VZ 2 3 9.75m\r
6868 .MODEL DF D ( IS=76.3p RS=36.7 N=1.10\r
6869 + CJO=463p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6870 \r
6871 *SRC=MMSZ5225B;DI_MMSZ5225B;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6872 *SYM=HZEN\r
6873 .SUBCKT DI_MMSZ5225B  1 2\r
6874 *        Terminals    A   K\r
6875 D1 1 2 DF\r
6876 DZ 3 1 DR\r
6877 VZ 2 3 0.302\r
6878 .MODEL DF D ( IS=68.7p RS=36.4 N=1.10\r
6879 + CJO=397p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6880 \r
6881 *SRC=MMSZ5225BS;DI_MMSZ5225BS;Diodes;Zener <=10V; 3.00V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6882 *SYM=HZEN\r
6883 .SUBCKT DI_MMSZ5225BS  1 2\r
6884 *        Terminals    A   K\r
6885 D1 1 2 DF\r
6886 DZ 3 1 DR\r
6887 VZ 2 3 0.302\r
6888 .MODEL DF D ( IS=68.7p RS=36.4 N=1.10\r
6889 + CJO=397p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6890 \r
6891 *SRC=MMSZ5226B;DI_MMSZ5226B;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6892 *SYM=HZEN\r
6893 .SUBCKT DI_MMSZ5226B  1 2\r
6894 *        Terminals    A   K\r
6895 D1 1 2 DF\r
6896 DZ 3 1 DR\r
6897 VZ 2 3 0.634\r
6898 .MODEL DF D ( IS=62.4p RS=36.2 N=1.10\r
6899 + CJO=251p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6900 \r
6901 *SRC=MMSZ5226BS;DI_MMSZ5226BS;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6902 *SYM=HZEN\r
6903 .SUBCKT DI_MMSZ5226BS  1 2\r
6904 *        Terminals    A   K\r
6905 D1 1 2 DF\r
6906 DZ 3 1 DR\r
6907 VZ 2 3 0.634\r
6908 .MODEL DF D ( IS=62.4p RS=36.2 N=1.10\r
6909 + CJO=251p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6910 \r
6911 *SRC=MMSZ5227B;DI_MMSZ5227B;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6912 *SYM=HZEN\r
6913 .SUBCKT DI_MMSZ5227B  1 2\r
6914 *        Terminals    A   K\r
6915 D1 1 2 DF\r
6916 DZ 3 1 DR\r
6917 VZ 2 3 1.01\r
6918 .MODEL DF D ( IS=57.2p RS=35.9 N=1.10\r
6919 + CJO=238p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6920 \r
6921 *SRC=MMSZ5227BS;DI_MMSZ5227BS;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6922 *SYM=HZEN\r
6923 .SUBCKT DI_MMSZ5227BS  1 2\r
6924 *        Terminals    A   K\r
6925 D1 1 2 DF\r
6926 DZ 3 1 DR\r
6927 VZ 2 3 1.01\r
6928 .MODEL DF D ( IS=57.2p RS=35.9 N=1.10\r
6929 + CJO=238p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6930 \r
6931 *SRC=MMSZ5228B;DI_MMSZ5228B;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6932 *SYM=HZEN\r
6933 .SUBCKT DI_MMSZ5228B  1 2\r
6934 *        Terminals    A   K\r
6935 D1 1 2 DF\r
6936 DZ 3 1 DR\r
6937 VZ 2 3 1.32\r
6938 .MODEL DF D ( IS=52.8p RS=35.7 N=1.10\r
6939 + CJO=159p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6940 \r
6941 *SRC=MMSZ5228BS;DI_MMSZ5228BS;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6942 *SYM=HZEN\r
6943 .SUBCKT DI_MMSZ5228BS  1 2\r
6944 *        Terminals    A   K\r
6945 D1 1 2 DF\r
6946 DZ 3 1 DR\r
6947 VZ 2 3 1.32\r
6948 .MODEL DF D ( IS=52.8p RS=35.7 N=1.10\r
6949 + CJO=159p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6950 \r
6951 *SRC=MMSZ5229B;DI_MMSZ5229B;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6952 *SYM=HZEN\r
6953 .SUBCKT DI_MMSZ5229B  1 2\r
6954 *        Terminals    A   K\r
6955 D1 1 2 DF\r
6956 DZ 3 1 DR\r
6957 VZ 2 3 1.73\r
6958 .MODEL DF D ( IS=47.9p RS=35.4 N=1.10\r
6959 + CJO=145p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6960 \r
6961 *SRC=MMSZ5229BS;DI_MMSZ5229BS;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6962 *SYM=HZEN\r
6963 .SUBCKT DI_MMSZ5229BS  1 2\r
6964 *        Terminals    A   K\r
6965 D1 1 2 DF\r
6966 DZ 3 1 DR\r
6967 VZ 2 3 1.73\r
6968 .MODEL DF D ( IS=47.9p RS=35.4 N=1.10\r
6969 + CJO=145p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6970 \r
6971 *SRC=MMSZ5230B;DI_MMSZ5230B;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6972 *SYM=HZEN\r
6973 .SUBCKT DI_MMSZ5230B  1 2\r
6974 *        Terminals    A   K\r
6975 D1 1 2 DF\r
6976 DZ 3 1 DR\r
6977 VZ 2 3 2.19\r
6978 .MODEL DF D ( IS=43.8p RS=35.2 N=1.10\r
6979 + CJO=139p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6980 \r
6981 *SRC=MMSZ5230BS;DI_MMSZ5230BS;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6982 *SYM=HZEN\r
6983 .SUBCKT DI_MMSZ5230BS  1 2\r
6984 *        Terminals    A   K\r
6985 D1 1 2 DF\r
6986 DZ 3 1 DR\r
6987 VZ 2 3 2.19\r
6988 .MODEL DF D ( IS=43.8p RS=35.2 N=1.10\r
6989 + CJO=139p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
6990 \r
6991 *SRC=MMSZ5231B;DI_MMSZ5231B;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
6992 *SYM=HZEN\r
6993 .SUBCKT DI_MMSZ5231B  1 2\r
6994 *        Terminals    A   K\r
6995 D1 1 2 DF\r
6996 DZ 3 1 DR\r
6997 VZ 2 3 2.62\r
6998 .MODEL DF D ( IS=40.4p RS=34.9 N=1.10\r
6999 + CJO=132p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7000 \r
7001 *SRC=MMSZ5231BS;DI_MMSZ5231BS;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7002 *SYM=HZEN\r
7003 .SUBCKT DI_MMSZ5231BS  1 2\r
7004 *        Terminals    A   K\r
7005 D1 1 2 DF\r
7006 DZ 3 1 DR\r
7007 VZ 2 3 2.62\r
7008 .MODEL DF D ( IS=40.4p RS=34.9 N=1.10\r
7009 + CJO=132p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7010 \r
7011 *SRC=MMSZ5232B;DI_MMSZ5232B;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7012 *SYM=HZEN\r
7013 .SUBCKT DI_MMSZ5232B  1 2\r
7014 *        Terminals    A   K\r
7015 D1 1 2 DF\r
7016 DZ 3 1 DR\r
7017 VZ 2 3 3.23\r
7018 .MODEL DF D ( IS=36.8p RS=34.7 N=1.10\r
7019 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7020 \r
7021 *SRC=MMSZ5232BS;DI_MMSZ5232BS;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7022 *SYM=HZEN\r
7023 .SUBCKT DI_MMSZ5232BS  1 2\r
7024 *        Terminals    A   K\r
7025 D1 1 2 DF\r
7026 DZ 3 1 DR\r
7027 VZ 2 3 3.23\r
7028 .MODEL DF D ( IS=36.8p RS=34.7 N=1.10\r
7029 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7030 \r
7031 *SRC=MMSZ5233B;DI_MMSZ5233B;Diodes;Zener <=10V; 6.00V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7032 *SYM=HZEN\r
7033 .SUBCKT DI_MMSZ5233B  1 2\r
7034 *        Terminals    A   K\r
7035 D1 1 2 DF\r
7036 DZ 3 1 DR\r
7037 VZ 2 3 3.71\r
7038 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
7039 + CJO=83.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7040 \r
7041 *SRC=MMSZ5233BS;DI_MMSZ5233BS;Diodes;Zener <=10V; 6.00V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7042 *SYM=HZEN\r
7043 .SUBCKT DI_MMSZ5233BS  1 2\r
7044 *        Terminals    A   K\r
7045 D1 1 2 DF\r
7046 DZ 3 1 DR\r
7047 VZ 2 3 3.71\r
7048 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=34.5 N=1.10\r
7049 + CJO=83.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7050 \r
7051 *SRC=MMSZ5234B;DI_MMSZ5234B;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7052 *SYM=HZEN\r
7053 .SUBCKT DI_MMSZ5234B  1 2\r
7054 *        Terminals    A   K\r
7055 D1 1 2 DF\r
7056 DZ 3 1 DR\r
7057 VZ 2 3 3.91\r
7058 .MODEL DF D ( IS=33.2p RS=34.4 N=1.10\r
7059 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7060 \r
7061 *SRC=MMSZ5234BS;DI_MMSZ5234BS;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7062 *SYM=HZEN\r
7063 .SUBCKT DI_MMSZ5234BS  1 2\r
7064 *        Terminals    A   K\r
7065 D1 1 2 DF\r
7066 DZ 3 1 DR\r
7067 VZ 2 3 3.91\r
7068 .MODEL DF D ( IS=33.2p RS=34.4 N=1.10\r
7069 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7070 \r
7071 *SRC=MMSZ5235B;DI_MMSZ5235B;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7072 *SYM=HZEN\r
7073 .SUBCKT DI_MMSZ5235B  1 2\r
7074 *        Terminals    A   K\r
7075 D1 1 2 DF\r
7076 DZ 3 1 DR\r
7077 VZ 2 3 4.56\r
7078 .MODEL DF D ( IS=30.3p RS=34.1 N=1.10\r
7079 + CJO=71.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7080 \r
7081 *SRC=MMSZ5235BS;DI_MMSZ5235BS;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7082 *SYM=HZEN\r
7083 .SUBCKT DI_MMSZ5235BS  1 2\r
7084 *        Terminals    A   K\r
7085 D1 1 2 DF\r
7086 DZ 3 1 DR\r
7087 VZ 2 3 4.56\r
7088 .MODEL DF D ( IS=30.3p RS=34.1 N=1.10\r
7089 + CJO=71.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7090 \r
7091 *SRC=MMSZ5236B;DI_MMSZ5236B;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7092 *SYM=HZEN\r
7093 .SUBCKT DI_MMSZ5236B  1 2\r
7094 *        Terminals    A   K\r
7095 D1 1 2 DF\r
7096 DZ 3 1 DR\r
7097 VZ 2 3 5.21\r
7098 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
7099 + CJO=58.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7100 \r
7101 *SRC=MMSZ5236BS;DI_MMSZ5236BS;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7102 *SYM=HZEN\r
7103 .SUBCKT DI_MMSZ5236BS  1 2\r
7104 *        Terminals    A   K\r
7105 D1 1 2 DF\r
7106 DZ 3 1 DR\r
7107 VZ 2 3 5.21\r
7108 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=33.8 N=1.10\r
7109 + CJO=58.2p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7110 \r
7111 *SRC=MMSZ5237B;DI_MMSZ5237B;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7112 *SYM=HZEN\r
7113 .SUBCKT DI_MMSZ5237B  1 2\r
7114 *        Terminals    A   K\r
7115 D1 1 2 DF\r
7116 DZ 3 1 DR\r
7117 VZ 2 3 5.86\r
7118 .MODEL DF D ( IS=25.1p RS=33.6 N=1.10\r
7119 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7120 \r
7121 *SRC=MMSZ5237BS;DI_MMSZ5237BS;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7122 *SYM=HZEN\r
7123 .SUBCKT DI_MMSZ5237BS  1 2\r
7124 *        Terminals    A   K\r
7125 D1 1 2 DF\r
7126 DZ 3 1 DR\r
7127 VZ 2 3 5.86\r
7128 .MODEL DF D ( IS=25.1p RS=33.6 N=1.10\r
7129 + CJO=52.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7130 \r
7131 *SRC=MMSZ5238B;DI_MMSZ5238B;Diodes;Zener <=10V; 8.70V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7132 *SYM=HZEN\r
7133 .SUBCKT DI_MMSZ5238B  1 2\r
7134 *        Terminals    A   K\r
7135 D1 1 2 DF\r
7136 DZ 3 1 DR\r
7137 VZ 2 3 6.36\r
7138 .MODEL DF D ( IS=23.7p RS=33.4 N=1.10\r
7139 + CJO=51.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7140 \r
7141 *SRC=MMSZ5238BS;DI_MMSZ5238BS;Diodes;Zener <=10V; 8.70V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7142 *SYM=HZEN\r
7143 .SUBCKT DI_MMSZ5238BS  1 2\r
7144 *        Terminals    A   K\r
7145 D1 1 2 DF\r
7146 DZ 3 1 DR\r
7147 VZ 2 3 6.36\r
7148 .MODEL DF D ( IS=23.7p RS=33.4 N=1.10\r
7149 + CJO=51.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7150 \r
7151 *SRC=MMSZ5239B;DI_MMSZ5239B;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7152 *SYM=HZEN\r
7153 .SUBCKT DI_MMSZ5239B  1 2\r
7154 *        Terminals    A   K\r
7155 D1 1 2 DF\r
7156 DZ 3 1 DR\r
7157 VZ 2 3 6.72\r
7158 .MODEL DF D ( IS=22.6p RS=33.3 N=1.10\r
7159 + CJO=50.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7160 \r
7161 *SRC=MMSZ5239BS;DI_MMSZ5239BS;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7162 *SYM=HZEN\r
7163 .SUBCKT DI_MMSZ5239BS  1 2\r
7164 *        Terminals    A   K\r
7165 D1 1 2 DF\r
7166 DZ 3 1 DR\r
7167 VZ 2 3 6.72\r
7168 .MODEL DF D ( IS=22.6p RS=33.3 N=1.10\r
7169 + CJO=50.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7170 \r
7171 *SRC=MMSZ5240B;DI_MMSZ5240B;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7172 *SYM=HZEN\r
7173 .SUBCKT DI_MMSZ5240B  1 2\r
7174 *        Terminals    A   K\r
7175 D1 1 2 DF\r
7176 DZ 3 1 DR\r
7177 VZ 2 3 7.47\r
7178 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=33.0 N=1.10\r
7179 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7180 \r
7181 *SRC=MMSZ5240BS;DI_MMSZ5240BS;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7182 *SYM=HZEN\r
7183 .SUBCKT DI_MMSZ5240BS  1 2\r
7184 *        Terminals    A   K\r
7185 D1 1 2 DF\r
7186 DZ 3 1 DR\r
7187 VZ 2 3 7.47\r
7188 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=33.0 N=1.10\r
7189 + CJO=46.3p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7190 \r
7191 *SRC=MMSZ5241B;DI_MMSZ5241B;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7192 *SYM=HZEN\r
7193 .SUBCKT DI_MMSZ5241B  1 2\r
7194 *        Terminals    A   K\r
7195 D1 1 2 DF\r
7196 DZ 3 1 DR\r
7197 VZ 2 3 8.36\r
7198 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=32.7 N=1.10\r
7199 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7200 \r
7201 *SRC=MMSZ5241BS;DI_MMSZ5241BS;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7202 *SYM=HZEN\r
7203 .SUBCKT DI_MMSZ5241BS  1 2\r
7204 *        Terminals    A   K\r
7205 D1 1 2 DF\r
7206 DZ 3 1 DR\r
7207 VZ 2 3 8.36\r
7208 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=32.7 N=1.10\r
7209 + CJO=32.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7210 \r
7211 *SRC=MMSZ5242B;DI_MMSZ5242B;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7212 *SYM=HZEN\r
7213 .SUBCKT DI_MMSZ5242B  1 2\r
7214 *        Terminals    A   K\r
7215 D1 1 2 DF\r
7216 DZ 3 1 DR\r
7217 VZ 2 3 9.19\r
7218 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=32.5 N=1.10\r
7219 + CJO=31.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7220 \r
7221 *SRC=MMSZ5242BS;DI_MMSZ5242BS;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7222 *SYM=HZEN\r
7223 .SUBCKT DI_MMSZ5242BS  1 2\r
7224 *        Terminals    A   K\r
7225 D1 1 2 DF\r
7226 DZ 3 1 DR\r
7227 VZ 2 3 9.19\r
7228 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=32.5 N=1.10\r
7229 + CJO=31.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7230 \r
7231 *SRC=MMSZ5243B;DI_MMSZ5243B;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7232 *SYM=HZEN\r
7233 .SUBCKT DI_MMSZ5243B  1 2\r
7234 *        Terminals    A   K\r
7235 D1 1 2 DF\r
7236 DZ 3 1 DR\r
7237 VZ 2 3 10.7\r
7238 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=32.3 N=1.10\r
7239 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7240 \r
7241 *SRC=MMSZ5243BS;DI_MMSZ5243BS;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7242 *SYM=HZEN\r
7243 .SUBCKT DI_MMSZ5243BS  1 2\r
7244 *        Terminals    A   K\r
7245 D1 1 2 DF\r
7246 DZ 3 1 DR\r
7247 VZ 2 3 10.7\r
7248 .MODEL DF D ( IS=15.8p RS=32.3 N=1.10\r
7249 + CJO=30.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7250 \r
7251 *SRC=MMSZ5245B;DI_MMSZ5245B;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7252 *SYM=HZEN\r
7253 .SUBCKT DI_MMSZ5245B  1 2\r
7254 *        Terminals    A   K\r
7255 D1 1 2 DF\r
7256 DZ 3 1 DR\r
7257 VZ 2 3 12.7\r
7258 .MODEL DF D ( IS=13.7p RS=31.9 N=1.10\r
7259 + CJO=28.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7260 \r
7261 *SRC=MMSZ5245BS;DI_MMSZ5245BS;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7262 *SYM=HZEN\r
7263 .SUBCKT DI_MMSZ5245BS  1 2\r
7264 *        Terminals    A   K\r
7265 D1 1 2 DF\r
7266 DZ 3 1 DR\r
7267 VZ 2 3 12.7\r
7268 .MODEL DF D ( IS=13.7p RS=31.9 N=1.10\r
7269 + CJO=28.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7270 \r
7271 *SRC=MMSZ5246B;DI_MMSZ5246B;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7272 *SYM=HZEN\r
7273 .SUBCKT DI_MMSZ5246B  1 2\r
7274 *        Terminals    A   K\r
7275 D1 1 2 DF\r
7276 DZ 3 1 DR\r
7277 VZ 2 3 13.7\r
7278 .MODEL DF D ( IS=12.9p RS=31.7 N=1.10\r
7279 + CJO=27.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7280 \r
7281 *SRC=MMSZ5246BS;DI_MMSZ5246BS;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7282 *SYM=HZEN\r
7283 .SUBCKT DI_MMSZ5246BS  1 2\r
7284 *        Terminals    A   K\r
7285 D1 1 2 DF\r
7286 DZ 3 1 DR\r
7287 VZ 2 3 13.7\r
7288 .MODEL DF D ( IS=12.9p RS=31.7 N=1.10\r
7289 + CJO=27.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7290 \r
7291 *SRC=MMSZ5248B;DI_MMSZ5248B;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7292 *SYM=HZEN\r
7293 .SUBCKT DI_MMSZ5248B  1 2\r
7294 *        Terminals    A   K\r
7295 D1 1 2 DF\r
7296 DZ 3 1 DR\r
7297 VZ 2 3 15.7\r
7298 .MODEL DF D ( IS=11.4p RS=31.3 N=1.10\r
7299 + CJO=25.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7300 \r
7301 *SRC=MMSZ5248BS;DI_MMSZ5248BS;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7302 *SYM=HZEN\r
7303 .SUBCKT DI_MMSZ5248BS  1 2\r
7304 *        Terminals    A   K\r
7305 D1 1 2 DF\r
7306 DZ 3 1 DR\r
7307 VZ 2 3 15.7\r
7308 .MODEL DF D ( IS=11.4p RS=31.3 N=1.10\r
7309 + CJO=25.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7310 \r
7311 *SRC=MMSZ5250B;DI_MMSZ5250B;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7312 *SYM=HZEN\r
7313 .SUBCKT DI_MMSZ5250B  1 2\r
7314 *        Terminals    A   K\r
7315 D1 1 2 DF\r
7316 DZ 3 1 DR\r
7317 VZ 2 3 17.7\r
7318 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
7319 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7320 \r
7321 *SRC=MMSZ5250BS;DI_MMSZ5250BS;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7322 *SYM=HZEN\r
7323 .SUBCKT DI_MMSZ5250BS  1 2\r
7324 *        Terminals    A   K\r
7325 D1 1 2 DF\r
7326 DZ 3 1 DR\r
7327 VZ 2 3 17.7\r
7328 .MODEL DF D ( IS=10.3p RS=31.0 N=1.10\r
7329 + CJO=25.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7330 \r
7331 *SRC=MMSZ5251B;DI_MMSZ5251B;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7332 *SYM=HZEN\r
7333 .SUBCKT DI_MMSZ5251B  1 2\r
7334 *        Terminals    A   K\r
7335 D1 1 2 DF\r
7336 DZ 3 1 DR\r
7337 VZ 2 3 19.7\r
7338 .MODEL DF D ( IS=9.36p RS=30.8 N=1.10\r
7339 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7340 \r
7341 *SRC=MMSZ5251BS;DI_MMSZ5251BS;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7342 *SYM=HZEN\r
7343 .SUBCKT DI_MMSZ5251BS  1 2\r
7344 *        Terminals    A   K\r
7345 D1 1 2 DF\r
7346 DZ 3 1 DR\r
7347 VZ 2 3 19.7\r
7348 .MODEL DF D ( IS=9.36p RS=30.8 N=1.10\r
7349 + CJO=18.9p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7350 \r
7351 *SRC=MMSZ5252B;DI_MMSZ5252B;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7352 *SYM=HZEN\r
7353 .SUBCKT DI_MMSZ5252B  1 2\r
7354 *        Terminals    A   K\r
7355 D1 1 2 DF\r
7356 DZ 3 1 DR\r
7357 VZ 2 3 21.7\r
7358 .MODEL DF D ( IS=8.58p RS=30.5 N=1.10\r
7359 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7360 \r
7361 *SRC=MMSZ5252BS;DI_MMSZ5252BS;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7362 *SYM=HZEN\r
7363 .SUBCKT DI_MMSZ5252BS  1 2\r
7364 *        Terminals    A   K\r
7365 D1 1 2 DF\r
7366 DZ 3 1 DR\r
7367 VZ 2 3 21.7\r
7368 .MODEL DF D ( IS=8.58p RS=30.5 N=1.10\r
7369 + CJO=17.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7370 \r
7371 *SRC=MMSZ5254B;DI_MMSZ5254B;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7372 *SYM=HZEN\r
7373 .SUBCKT DI_MMSZ5254B  1 2\r
7374 *        Terminals    A   K\r
7375 D1 1 2 DF\r
7376 DZ 3 1 DR\r
7377 VZ 2 3 24.6\r
7378 .MODEL DF D ( IS=7.63p RS=30.2 N=1.10\r
7379 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7380 \r
7381 *SRC=MMSZ5254BS;DI_MMSZ5254BS;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7382 *SYM=HZEN\r
7383 .SUBCKT DI_MMSZ5254BS 1 2\r
7384 *        Terminals    A   K\r
7385 D1 1 2 DF\r
7386 DZ 3 1 DR\r
7387 VZ 2 3 24.6\r
7388 .MODEL DF D ( IS=7.63p RS=30.2 N=1.10\r
7389 + CJO=16.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7390 \r
7391 *SRC=MMSZ5255B;DI_MMSZ5255B;Diodes;Zener 10V-50V; 28.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7392 *SYM=HZEN\r
7393 .SUBCKT DI_MMSZ5255B  1 2\r
7394 *        Terminals    A   K\r
7395 D1 1 2 DF\r
7396 DZ 3 1 DR\r
7397 VZ 2 3 25.6\r
7398 .MODEL DF D ( IS=7.36p RS=30.1 N=1.10\r
7399 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7400 \r
7401 *SRC=MMSZ5255BS;DI_MMSZ5255BS;Diodes;Zener 10V-50V; 28.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7402 *SYM=HZEN\r
7403 .SUBCKT DI_MMSZ5255BS  1 2\r
7404 *        Terminals    A   K\r
7405 D1 1 2 DF\r
7406 DZ 3 1 DR\r
7407 VZ 2 3 25.6\r
7408 .MODEL DF D ( IS=7.36p RS=30.1 N=1.10\r
7409 + CJO=15.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7410 \r
7411 *SRC=MMSZ5256B;DI_MMSZ5256B;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7412 *SYM=HZEN\r
7413 .SUBCKT DI_MMSZ5256B  1 2\r
7414 *        Terminals    A   K\r
7415 D1 1 2 DF\r
7416 DZ 3 1 DR\r
7417 VZ 2 3 27.6\r
7418 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
7419 + CJO=14.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7420 \r
7421 *SRC=MMSZ5256BS;DI_MMSZ5256BS;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7422 *SYM=HZEN\r
7423 .SUBCKT DI_MMSZ5256BS  1 2\r
7424 *        Terminals    A   K\r
7425 D1 1 2 DF\r
7426 DZ 3 1 DR\r
7427 VZ 2 3 27.6\r
7428 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
7429 + CJO=14.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7430 \r
7431 *SRC=MMSZ5257B;DI_MMSZ5257B;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7432 *SYM=HZEN\r
7433 .SUBCKT DI_MMSZ5257B  1 2\r
7434 *        Terminals    A   K\r
7435 D1 1 2 DF\r
7436 DZ 3 1 DR\r
7437 VZ 2 3 30.6\r
7438 .MODEL DF D ( IS=6.24p RS=29.6 N=1.10\r
7439 + CJO=14.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7440 \r
7441 *SRC=MMSZ5257BS;DI_MMSZ5257BS;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7442 *SYM=HZEN\r
7443 .SUBCKT DI_MMSZ5257BS  1 2\r
7444 *        Terminals    A   K\r
7445 D1 1 2 DF\r
7446 DZ 3 1 DR\r
7447 VZ 2 3 30.6\r
7448 .MODEL DF D ( IS=6.24p RS=29.6 N=1.10\r
7449 + CJO=14.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7450 \r
7451 *SRC=MMSZ5258B;DI_MMSZ5258B;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7452 *SYM=HZEN\r
7453 .SUBCKT DI_MMSZ5258B  1 2\r
7454 *        Terminals    A   K\r
7455 D1 1 2 DF\r
7456 DZ 3 1 DR\r
7457 VZ 2 3 33.6\r
7458 .MODEL DF D ( IS=5.72p RS=29.4 N=1.10\r
7459 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7460 \r
7461 *SRC=MMSZ5258BS;DI_MMSZ5258BS;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7462 *SYM=HZEN\r
7463 .SUBCKT DI_MMSZ5258BS  1 2\r
7464 *        Terminals    A   K\r
7465 D1 1 2 DF\r
7466 DZ 3 1 DR\r
7467 VZ 2 3 33.6\r
7468 .MODEL DF D ( IS=5.72p RS=29.4 N=1.10\r
7469 + CJO=13.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7470 \r
7471 *SRC=MMSZ5259B;DI_MMSZ5259B;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7472 *SYM=HZEN\r
7473 .SUBCKT DI_MMSZ5259B  1 2\r
7474 *        Terminals    A   K\r
7475 D1 1 2 DF\r
7476 DZ 3 1 DR\r
7477 VZ 2 3 36.6\r
7478 .MODEL DF D ( IS=5.28p RS=29.1 N=1.10\r
7479 + CJO=13.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7480 \r
7481 *SRC=MMSZ5259BS;DI_MMSZ5259BS;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  0.500W   Diodes Inc. 500 mW Zener\r
7482 *SYM=HZEN\r
7483 .SUBCKT DI_MMSZ5259BS  1 2\r
7484 *        Terminals    A   K\r
7485 D1 1 2 DF\r
7486 DZ 3 1 DR\r
7487 VZ 2 3 36.6\r
7488 .MODEL DF D ( IS=5.28p RS=29.1 N=1.10\r
7489 + CJO=13.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7490 \r
7491 *SRC=QZX363C12;DI_QZX363C12;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  0.200W   Diodes Inc. Zener Diode Array, quad, one node of four\r
7492 *SYM=HZEN\r
7493 .SUBCKT DI_QZX363C12  1 2\r
7494 *        Terminals    A   K\r
7495 D1 1 2 DF\r
7496 DZ 3 1 DR\r
7497 VZ 2 3 9.71\r
7498 .MODEL DF D ( IS=6.87p RS=29.9 N=1.10\r
7499 + CJO=26.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7500 \r
7501 *SRC=QZX363C15;DI_QZX363C15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  0.200W   Diodes Inc. Zener Diode Array, quad, one node of four\r
7502 *SYM=HZEN\r
7503 .SUBCKT DI_QZX363C15  1 2\r
7504 *        Terminals    A   K\r
7505 D1 1 2 DF\r
7506 DZ 3 1 DR\r
7507 VZ 2 3 12.7\r
7508 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=29.3 N=1.10\r
7509 + CJO=25.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7510 \r
7511 *SRC=QZX363C20;DI_QZX363C20;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  0.200W   Diodes Inc. Zener Diode Array, quad, one node of four\r
7512 *SYM=HZEN\r
7513 .SUBCKT DI_QZX363C20  1 2\r
7514 *        Terminals    A   K\r
7515 D1 1 2 DF\r
7516 DZ 3 1 DR\r
7517 VZ 2 3 17.5\r
7518 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=28.4 N=1.10\r
7519 + CJO=22.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7520 \r
7521 *SRC=QZX363C5V6;DI_QZX363C5V6;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  0.200W   Diodes Inc. Zener Diode Array, quad, one node of four\r
7522 *SYM=HZEN\r
7523 .SUBCKT DI_QZX363C5V6  1 2\r
7524 *        Terminals    A   K\r
7525 D1 1 2 DF\r
7526 DZ 3 1 DR\r
7527 VZ 2 3 3.29\r
7528 .MODEL DF D ( IS=14.7p RS=32.1 N=1.10\r
7529 + CJO=92.6p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7530 \r
7531 *SRC=QZX363C6V8;DI_QZX363C6V8;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.200W   Diodes Inc. Zener Diode Array, quad, one node of four\r
7532 *SYM=HZEN\r
7533 .SUBCKT DI_QZX363C6V8  1 2\r
7534 *        Terminals    A   K\r
7535 D1 1 2 DF\r
7536 DZ 3 1 DR\r
7537 VZ 2 3 5.15\r
7538 .MODEL DF D ( IS=12.1p RS=31.5 N=1.10\r
7539 + CJO=66.1p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7540 \r
7541 *SRC=SMAZ10;DI_SMAZ10;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  1.00W   Diodes Inc. Zener\r
7542 *SYM=HZEN\r
7543 .SUBCKT DI_SMAZ10  1 2\r
7544 *        Terminals    A   K\r
7545 D1 1 2 DF\r
7546 DZ 3 1 DR\r
7547 VZ 2 3 9.20\r
7548 .MODEL DF D ( IS=41.2p RS=0.823 N=1.10\r
7549 + CJO=661p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7550 .MODEL DR D ( IS=8.24f RS=0.161 N=1.04 )\r
7551 .ENDS\r
7552 \r
7553 *SRC=SMAZ12;DI_SMAZ12;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7554 Zener\r
7555 *SYM=HZEN\r
7556 .SUBCKT DI_SMAZ12  1 2\r
7557 *        Terminals    A   K\r
7558 D1 1 2 DF\r
7559 DZ 3 1 DR\r
7560 VZ 2 3 10.8\r
7561 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=0.797 N=1.10\r
7562 + CJO=377p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7563 .MODEL DR D ( IS=6.87f RS=0.230 N=1.49 )\r
7564 .ENDS\r
7565 \r
7566 *SRC=SMAZ15;DI_SMAZ15;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7567 Zener\r
7568 *SYM=HZEN\r
7569 .SUBCKT DI_SMAZ15  1 2\r
7570 *        Terminals    A   K\r
7571 D1 1 2 DF\r
7572 DZ 3 1 DR\r
7573 VZ 2 3 13.8\r
7574 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=0.765 N=1.10\r
7575 + CJO=377p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7576 .MODEL DR D ( IS=5.49f RS=0.230 N=1.49 )\r
7577 .ENDS\r
7578 \r
7579 *SRC=SMAZ16;DI_SMAZ16;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7580 Zener\r
7581 *SYM=HZEN\r
7582 .SUBCKT DI_SMAZ16  1 2\r
7583 *        Terminals    A   K\r
7584 D1 1 2 DF\r
7585 DZ 3 1 DR\r
7586 VZ 2 3 14.9\r
7587 .MODEL DF D ( IS=25.7p RS=0.756 N=1.10\r
7588 + CJO=377p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7589 .MODEL DR D ( IS=5.15f RS=0.460 N=1.49 )\r
7590 .ENDS\r
7591 \r
7592 *SRC=SMAZ18;DI_SMAZ18;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7593 Zener\r
7594 *SYM=HZEN\r
7595 .SUBCKT DI_SMAZ18  1 2\r
7596 *        Terminals    A   K\r
7597 D1 1 2 DF\r
7598 DZ 3 1 DR\r
7599 VZ 2 3 16.6\r
7600 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=0.739 N=1.10\r
7601 + CJO=251p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7602 .MODEL DR D ( IS=4.58f RS=0.575 N=1.86 )\r
7603 .ENDS\r
7604 \r
7605 *SRC=SMAZ20;DI_SMAZ20;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7606 Zener\r
7607 *SYM=HZEN\r
7608 .SUBCKT DI_SMAZ20  1 2\r
7609 *        Terminals    A   K\r
7610 D1 1 2 DF\r
7611 DZ 3 1 DR\r
7612 VZ 2 3 18.3\r
7613 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=0.724 N=1.10\r
7614 + CJO=251p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7615 .MODEL DR D ( IS=4.12f RS=0.690 N=2.23 )\r
7616 .ENDS\r
7617 \r
7618 *SRC=SMAZ22;DI_SMAZ22;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7619 Zener\r
7620 *SYM=HZEN\r
7621 .SUBCKT DI_SMAZ22  1 2\r
7622 *        Terminals    A   K\r
7623 D1 1 2 DF\r
7624 DZ 3 1 DR\r
7625 VZ 2 3 20.2\r
7626 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=0.711 N=1.10\r
7627 + CJO=251p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7628 .MODEL DR D ( IS=3.75f RS=0.736 N=2.38 )\r
7629 .ENDS\r
7630 \r
7631 *SRC=SMAZ24;DI_SMAZ24;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7632 Zener\r
7633 *SYM=HZEN\r
7634 .SUBCKT DI_SMAZ24  1 2\r
7635 *        Terminals    A   K\r
7636 D1 1 2 DF\r
7637 DZ 3 1 DR\r
7638 VZ 2 3 21.7\r
7639 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=0.698 N=1.10\r
7640 + CJO=226p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7641 .MODEL DR D ( IS=3.43f RS=0.920 N=2.97 )\r
7642 .ENDS\r
7643 \r
7644 *SRC=SMAZ27;DI_SMAZ27;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7645 Zener\r
7646 *SYM=HZEN\r
7647 .SUBCKT DI_SMAZ27  1 2\r
7648 *        Terminals    A   K\r
7649 D1 1 2 DF\r
7650 DZ 3 1 DR\r
7651 VZ 2 3 25.0\r
7652 .MODEL DF D ( IS=15.3p RS=0.681 N=1.10\r
7653 + CJO=226p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7654 .MODEL DR D ( IS=3.05f RS=0.805 N=2.60 )\r
7655 .ENDS\r
7656 \r
7657 *SRC=SMAZ30;DI_SMAZ30;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7658 Zener\r
7659 *SYM=HZEN\r
7660 .SUBCKT DI_SMAZ30  1 2\r
7661 *        Terminals    A   K\r
7662 D1 1 2 DF\r
7663 DZ 3 1 DR\r
7664 VZ 2 3 27.6\r
7665 .MODEL DF D ( IS=13.7p RS=0.666 N=1.10\r
7666 + CJO=226p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7667 .MODEL DR D ( IS=2.75f RS=2.39 N=3.00 )\r
7668 .ENDS\r
7669 \r
7670 *SRC=SMAZ33;DI_SMAZ33;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7671 Zener\r
7672 *SYM=HZEN\r
7673 .SUBCKT DI_SMAZ33  1 2\r
7674 *        Terminals    A   K\r
7675 D1 1 2 DF\r
7676 DZ 3 1 DR\r
7677 VZ 2 3 30.6\r
7678 .MODEL DF D ( IS=12.5p RS=0.653 N=1.10\r
7679 + CJO=189p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7680 .MODEL DR D ( IS=2.50f RS=2.89 N=3.00 )\r
7681 .ENDS\r
7682 \r
7683 *SRC=SMAZ36;DI_SMAZ36;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7684 Zener\r
7685 *SYM=HZEN\r
7686 .SUBCKT DI_SMAZ36  1 2\r
7687 *        Terminals    A   K\r
7688 D1 1 2 DF\r
7689 DZ 3 1 DR\r
7690 VZ 2 3 34.4\r
7691 .MODEL DF D ( IS=11.4p RS=0.640 N=1.10\r
7692 + CJO=189p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7693 .MODEL DR D ( IS=2.29f RS=1.61 N=2.08 )\r
7694 .ENDS\r
7695 \r
7696 *SRC=SMAZ39;DI_SMAZ39;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  1.00W   Diodes Inc.\r
7697 Zener\r
7698 *SYM=HZEN\r
7699 .SUBCKT DI_SMAZ39  1 2\r
7700 *        Terminals    A   K\r
7701 D1 1 2 DF\r
7702 DZ 3 1 DR\r
7703 VZ 2 3 37.2\r
7704 .MODEL DF D ( IS=10.6p RS=0.629 N=1.10\r
7705 + CJO=189p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7706 .MODEL DR D ( IS=2.11f RS=1.84 N=2.38 )\r
7707 .ENDS\r
7708 \r
7709 *SRC=SMAZ5V1;DI_SMAZ5V1;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  1.00W   Diodes Inc.\r
7710 Zener\r
7711 *SYM=HZEN\r
7712 .SUBCKT DI_SMAZ5V1  1 2\r
7713 *        Terminals    A   K\r
7714 D1 1 2 DF\r
7715 DZ 3 1 DR\r
7716 VZ 2 3 4.41\r
7717 .MODEL DF D ( IS=80.8p RS=0.919 N=1.10\r
7718 + CJO=1.06n VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7719 .MODEL DR D ( IS=16.2f RS=69.0m N=0.892 )\r
7720 .ENDS\r
7721 \r
7722 *SRC=SMAZ6V2;DI_SMAZ6V2;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  1.00W   Diodes Inc.\r
7723 Zener\r
7724 *SYM=HZEN\r
7725 .SUBCKT DI_SMAZ6V2  1 2\r
7726 *        Terminals    A   K\r
7727 D1 1 2 DF\r
7728 DZ 3 1 DR\r
7729 VZ 2 3 5.28\r
7730 .MODEL DF D ( IS=66.5p RS=0.891 N=1.10\r
7731 + CJO=1.06n VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7732 .MODEL DR D ( IS=13.3f RS=92.0m N=1.19 )\r
7733 .ENDS\r
7734 \r
7735 *SRC=SMAZ6V2;DI_SMAZ6V2;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  1.00W   Diodes Inc.\r
7736 Zener\r
7737 *SYM=HZEN\r
7738 .SUBCKT DI_SMAZ6V2  1 2\r
7739 *        Terminals    A   K\r
7740 D1 1 2 DF\r
7741 DZ 3 1 DR\r
7742 VZ 2 3 5.28\r
7743 .MODEL DF D ( IS=66.5p RS=0.891 N=1.10\r
7744 + CJO=1.06n VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7745 .MODEL DR D ( IS=13.3f RS=92.0m N=1.19 )\r
7746 .ENDS\r
7747 \r
7748 *SRC=SMAZ6V8;DI_SMAZ6V8;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  1.00W   Diodes Inc.\r
7749 Zener\r
7750 *SYM=HZEN\r
7751 .SUBCKT DI_SMAZ6V8  1 2\r
7752 *        Terminals    A   K\r
7753 D1 1 2 DF\r
7754 DZ 3 1 DR\r
7755 VZ 2 3 5.87\r
7756 .MODEL DF D ( IS=60.6p RS=0.878 N=1.10\r
7757 + CJO=926p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7758 .MODEL DR D ( IS=12.1f RS=92.0m N=1.19 )\r
7759 .ENDS\r
7760 \r
7761 *SRC=SMAZ7V5;DI_SMAZ7V5;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  1.00W   Diodes Inc.\r
7762 Zener\r
7763 *SYM=HZEN\r
7764 .SUBCKT DI_SMAZ7V5  1 2\r
7765 *        Terminals    A   K\r
7766 D1 1 2 DF\r
7767 DZ 3 1 DR\r
7768 VZ 2 3 6.55\r
7769 .MODEL DF D ( IS=54.9p RS=0.864 N=1.10\r
7770 + CJO=926p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7771 .MODEL DR D ( IS=11.0f RS=94.3m N=1.22 )\r
7772 .ENDS\r
7773 \r
7774 *SRC=SMAZ8V2;DI_SMAZ8V2;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  1.00W   Diodes Inc.\r
7775 Zener\r
7776 *SYM=HZEN\r
7777 .SUBCKT DI_SMAZ8V2  1 2\r
7778 *        Terminals    A   K\r
7779 D1 1 2 DF\r
7780 DZ 3 1 DR\r
7781 VZ 2 3 7.04\r
7782 .MODEL DF D ( IS=50.2p RS=0.851 N=1.10\r
7783 + CJO=794p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7784 .MODEL DR D ( IS=10.0f RS=0.115 N=1.49 )\r
7785 .ENDS\r
7786 \r
7787 *SRC=SMAZ9V1;DI_SMAZ9V1;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  1.00W   Diodes Inc.\r
7788 Zener\r
7789 *SYM=HZEN\r
7790 .SUBCKT DI_SMAZ9V1  1 2\r
7791 *        Terminals    A   K\r
7792 D1 1 2 DF\r
7793 DZ 3 1 DR\r
7794 VZ 2 3 8.30\r
7795 .MODEL DF D ( IS=45.3p RS=0.836 N=1.10\r
7796 + CJO=661p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7797 .MODEL DR D ( IS=9.05f RS=0.161 N=1.04 )\r
7798 .ENDS\r
7799 \r
7800 *SRC=ZM4728A;DI_ZM4728A;Diodes;Zener <=10V; 3.30V  1.00W   Diodes Inc. \r
7801 *SYM=HZEN\r
7802 .SUBCKT DI_ZM4728A  1 2\r
7803 *        Terminals    A   K\r
7804 D1 1 2 DF\r
7805 DZ 3 1 DR\r
7806 VZ 2 3 0.384\r
7807 .MODEL DF D ( IS=125p RS=2.98 N=1.10\r
7808 + CJO=364p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7809 .MODEL DR D ( IS=25.0f RS=8.98 N=3.00 )\r
7810 .ENDS\r
7811 \r
7812 *SRC=ZM4729A;DI_ZM4729A;Diodes;Zener <=10V; 3.60V  1.00W   Diodes Inc. \r
7813 *SYM=HZEN\r
7814 .SUBCKT DI_ZM4729A  1 2\r
7815 *        Terminals    A   K\r
7816 D1 1 2 DF\r
7817 DZ 3 1 DR\r
7818 VZ 2 3 0.755\r
7819 .MODEL DF D ( IS=114p RS=2.97 N=1.10\r
7820 + CJO=319p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7821 .MODEL DR D ( IS=22.9f RS=8.87 N=3.00 )\r
7822 .ENDS\r
7823 \r
7824 *SRC=ZM4730A;DI_ZM4730A;Diodes;Zener <=10V; 3.90V  1.00W   Diodes Inc. \r
7825 *SYM=HZEN\r
7826 .SUBCKT DI_ZM4730A  1 2\r
7827 *        Terminals    A   K\r
7828 D1 1 2 DF\r
7829 DZ 3 1 DR\r
7830 VZ 2 3 1.17\r
7831 .MODEL DF D ( IS=106p RS=2.96 N=1.10\r
7832 + CJO=283p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7833 .MODEL DR D ( IS=21.1f RS=7.79 N=3.00 )\r
7834 .ENDS\r
7835 \r
7836 *SRC=ZM4731A;DI_ZM4731A;Diodes;Zener <=10V; 4.30V  1.00W   Diodes Inc. \r
7837 *SYM=HZEN\r
7838 .SUBCKT DI_ZM4731A  1 2\r
7839 *        Terminals    A   K\r
7840 D1 1 2 DF\r
7841 DZ 3 1 DR\r
7842 VZ 2 3 1.68\r
7843 .MODEL DF D ( IS=95.8p RS=2.94 N=1.10\r
7844 + CJO=244p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7845 .MODEL DR D ( IS=19.2f RS=6.66 N=3.00 )\r
7846 .ENDS\r
7847 \r
7848 *SRC=ZM4732A;DI_ZM4732A;Diodes;Zener <=10V; 4.70V  1.00W   Diodes Inc. \r
7849 *SYM=HZEN\r
7850 .SUBCKT DI_ZM4732A  1 2\r
7851 *        Terminals    A   K\r
7852 D1 1 2 DF\r
7853 DZ 3 1 DR\r
7854 VZ 2 3 2.12\r
7855 .MODEL DF D ( IS=87.7p RS=2.93 N=1.10\r
7856 + CJO=214p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7857 .MODEL DR D ( IS=17.5f RS=6.53 N=3.00 )\r
7858 .ENDS\r
7859 \r
7860 *SRC=ZM4733A;DI_ZM4733A;Diodes;Zener <=10V; 5.10V  1.00W   Diodes Inc. \r
7861 *SYM=HZEN\r
7862 .SUBCKT DI_ZM4733A  1 2\r
7863 *        Terminals    A   K\r
7864 D1 1 2 DF\r
7865 DZ 3 1 DR\r
7866 VZ 2 3 2.60\r
7867 .MODEL DF D ( IS=80.8p RS=2.92 N=1.10\r
7868 + CJO=189p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7869 .MODEL DR D ( IS=16.2f RS=5.41 N=3.00 )\r
7870 .ENDS\r
7871 \r
7872 *SRC=ZM4734A;DI_ZM4734A;Diodes;Zener <=10V; 5.60V  1.00W   Diodes Inc. \r
7873 *SYM=HZEN\r
7874 .SUBCKT DI_ZM4734A  1 2\r
7875 *        Terminals    A   K\r
7876 D1 1 2 DF\r
7877 DZ 3 1 DR\r
7878 VZ 2 3 3.22\r
7879 .MODEL DF D ( IS=73.6p RS=2.91 N=1.10\r
7880 + CJO=165p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7881 .MODEL DR D ( IS=14.7f RS=3.27 N=3.00 )\r
7882 .ENDS\r
7883 \r
7884 *SRC=ZM4735A;DI_ZM4735A;Diodes;Zener <=10V; 6.20V  1.00W   Diodes Inc. \r
7885 *SYM=HZEN\r
7886 .SUBCKT DI_ZM4735A  1 2\r
7887 *        Terminals    A   K\r
7888 D1 1 2 DF\r
7889 DZ 3 1 DR\r
7890 VZ 2 3 4.37\r
7891 .MODEL DF D ( IS=66.5p RS=2.89 N=1.10\r
7892 + CJO=141p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7893 .MODEL DR D ( IS=13.3f RS=0.460 N=2.44 )\r
7894 .ENDS\r
7895 \r
7896 *SRC=ZM4736A;DI_ZM4736A;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  1.00W   Diodes Inc. \r
7897 *SYM=HZEN\r
7898 .SUBCKT DI_ZM4736A  1 2\r
7899 *        Terminals    A   K\r
7900 D1 1 2 DF\r
7901 DZ 3 1 DR\r
7902 VZ 2 3 4.51\r
7903 .MODEL DF D ( IS=60.6p RS=2.88 N=1.10\r
7904 + CJO=123p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7905 .MODEL DR D ( IS=12.1f RS=1.40 N=3.00 )\r
7906 .ENDS\r
7907 \r
7908 *SRC=ZM4737A;DI_ZM4737A;Diodes;Zener <=10V; 7.50V  1.00W   Diodes Inc. \r
7909 *SYM=HZEN\r
7910 .SUBCKT DI_ZM4737A  1 2\r
7911 *        Terminals    A   K\r
7912 D1 1 2 DF\r
7913 DZ 3 1 DR\r
7914 VZ 2 3 5.21\r
7915 .MODEL DF D ( IS=54.9p RS=2.86 N=1.10\r
7916 + CJO=106p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7917 .MODEL DR D ( IS=11.0f RS=1.71 N=3.00 )\r
7918 .ENDS\r
7919 \r
7920 *SRC=ZM4738A;DI_ZM4738A;Diodes;Zener <=10V; 8.20V  1.00W   Diodes Inc. \r
7921 *SYM=HZEN\r
7922 .SUBCKT DI_ZM4738A  1 2\r
7923 *        Terminals    A   K\r
7924 D1 1 2 DF\r
7925 DZ 3 1 DR\r
7926 VZ 2 3 5.90\r
7927 .MODEL DF D ( IS=50.2p RS=2.85 N=1.10\r
7928 + CJO=92.8p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7929 .MODEL DR D ( IS=10.0f RS=1.99 N=3.00 )\r
7930 .ENDS\r
7931 \r
7932 *SRC=ZM4739A;DI_ZM4739A;Diodes;Zener <=10V; 9.10V  1.00W   Diodes Inc. \r
7933 *SYM=HZEN\r
7934 .SUBCKT DI_ZM4739A  1 2\r
7935 *        Terminals    A   K\r
7936 D1 1 2 DF\r
7937 DZ 3 1 DR\r
7938 VZ 2 3 6.80\r
7939 .MODEL DF D ( IS=45.3p RS=2.84 N=1.10\r
7940 + CJO=79.4p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7941 .MODEL DR D ( IS=9.05f RS=2.23 N=3.00 )\r
7942 .ENDS\r
7943 \r
7944 *SRC=ZM4740A;DI_ZM4740A;Diodes;Zener <=10V; 10.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
7945 *SYM=HZEN\r
7946 .SUBCKT DI_ZM4740A  1 2\r
7947 *        Terminals    A   K\r
7948 D1 1 2 DF\r
7949 DZ 3 1 DR\r
7950 VZ 2 3 7.67\r
7951 .MODEL DF D ( IS=41.2p RS=2.82 N=1.10\r
7952 + CJO=68.9p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
7953 .MODEL DR D ( IS=8.24f RS=3.89 N=3.00 )\r
7954 .ENDS\r
7955 \r
7956 *SRC=ZM4741A;DI_ZM4741A;Diodes;Zener 10V-50V; 11.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
7957 *SYM=HZEN\r
7958 .SUBCKT DI_ZM4741A  1 2\r
7959 *        Terminals    A   K\r
7960 D1 1 2 DF\r
7961 DZ 3 1 DR\r
7962 VZ 2 3 8.66\r
7963 .MODEL DF D ( IS=37.5p RS=2.81 N=1.10\r
7964 + CJO=101p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7965 .MODEL DR D ( IS=7.49f RS=4.62 N=3.00 )\r
7966 .ENDS\r
7967 \r
7968 *SRC=ZM4742A;DI_ZM4742A;Diodes;Zener 10V-50V; 12.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
7969 *SYM=HZEN\r
7970 .SUBCKT DI_ZM4742A  1 2\r
7971 *        Terminals    A   K\r
7972 D1 1 2 DF\r
7973 DZ 3 1 DR\r
7974 VZ 2 3 9.65\r
7975 .MODEL DF D ( IS=34.3p RS=2.80 N=1.10\r
7976 + CJO=94.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7977 .MODEL DR D ( IS=6.87f RS=5.30 N=3.00 )\r
7978 .ENDS\r
7979 \r
7980 *SRC=ZM4743A;DI_ZM4743A;Diodes;Zener 10V-50V; 13.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
7981 *SYM=HZEN\r
7982 .SUBCKT DI_ZM4743A  1 2\r
7983 *        Terminals    A   K\r
7984 D1 1 2 DF\r
7985 DZ 3 1 DR\r
7986 VZ 2 3 10.7\r
7987 .MODEL DF D ( IS=31.7p RS=2.79 N=1.10\r
7988 + CJO=88.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
7989 .MODEL DR D ( IS=6.34f RS=5.91 N=3.00 )\r
7990 .ENDS\r
7991 \r
7992 *SRC=ZM4744A;DI_ZM4744A;Diodes;Zener 10V-50V; 15.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
7993 *SYM=HZEN\r
7994 .SUBCKT DI_ZM4744A  1 2\r
7995 *        Terminals    A   K\r
7996 D1 1 2 DF\r
7997 DZ 3 1 DR\r
7998 VZ 2 3 12.6\r
7999 .MODEL DF D ( IS=27.5p RS=2.77 N=1.10\r
8000 + CJO=78.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8001 .MODEL DR D ( IS=5.49f RS=9.43 N=3.00 )\r
8002 .ENDS\r
8003 \r
8004 *SRC=ZM4745A;DI_ZM4745A;Diodes;Zener 10V-50V; 16.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8005 *SYM=HZEN\r
8006 .SUBCKT DI_ZM4745A  1 2\r
8007 *        Terminals    A   K\r
8008 D1 1 2 DF\r
8009 DZ 3 1 DR\r
8010 VZ 2 3 13.6\r
8011 .MODEL DF D ( IS=25.7p RS=2.76 N=1.10\r
8012 + CJO=74.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8013 .MODEL DR D ( IS=5.15f RS=11.0 N=3.00 )\r
8014 .ENDS\r
8015 \r
8016 *SRC=ZM4746A;DI_ZM4746A;Diodes;Zener 10V-50V; 18.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8017 *SYM=HZEN\r
8018 .SUBCKT DI_ZM4746A  1 2\r
8019 *        Terminals    A   K\r
8020 D1 1 2 DF\r
8021 DZ 3 1 DR\r
8022 VZ 2 3 15.6\r
8023 .MODEL DF D ( IS=22.9p RS=2.74 N=1.10\r
8024 + CJO=67.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8025 .MODEL DR D ( IS=4.58f RS=14.4 N=3.00 )\r
8026 .ENDS\r
8027 \r
8028 *SRC=ZM4747A;DI_ZM4747A;Diodes;Zener 10V-50V; 20.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8029 *SYM=HZEN\r
8030 .SUBCKT DI_ZM4747A  1 2\r
8031 *        Terminals    A   K\r
8032 D1 1 2 DF\r
8033 DZ 3 1 DR\r
8034 VZ 2 3 17.6\r
8035 .MODEL DF D ( IS=20.6p RS=2.72 N=1.10\r
8036 + CJO=62.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8037 .MODEL DR D ( IS=4.12f RS=15.8 N=3.00 )\r
8038 .ENDS\r
8039 \r
8040 *SRC=ZM4748A;DI_ZM4748A;Diodes;Zener 10V-50V; 22.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8041 *SYM=HZEN\r
8042 .SUBCKT DI_ZM4748A  1 2\r
8043 *        Terminals    A   K\r
8044 D1 1 2 DF\r
8045 DZ 3 1 DR\r
8046 VZ 2 3 19.6\r
8047 .MODEL DF D ( IS=18.7p RS=2.71 N=1.10\r
8048 + CJO=58.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8049 .MODEL DR D ( IS=3.75f RS=16.2 N=3.00 )\r
8050 .ENDS\r
8051 \r
8052 *SRC=ZM4749A;DI_ZM4749A;Diodes;Zener 10V-50V; 24.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8053 *SYM=HZEN\r
8054 .SUBCKT DI_ZM4749A  1 2\r
8055 *        Terminals    A   K\r
8056 D1 1 2 DF\r
8057 DZ 3 1 DR\r
8058 VZ 2 3 21.6\r
8059 .MODEL DF D ( IS=17.2p RS=2.70 N=1.10\r
8060 + CJO=54.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8061 .MODEL DR D ( IS=3.43f RS=17.6 N=3.00 )\r
8062 .ENDS\r
8063 \r
8064 *SRC=ZM4750A;DI_ZM4750A;Diodes;Zener 10V-50V; 27.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8065 *SYM=HZEN\r
8066 .SUBCKT DI_ZM4750A  1 2\r
8067 *        Terminals    A   K\r
8068 D1 1 2 DF\r
8069 DZ 3 1 DR\r
8070 VZ 2 3 24.5\r
8071 .MODEL DF D ( IS=15.3p RS=2.68 N=1.10\r
8072 + CJO=50.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8073 .MODEL DR D ( IS=3.05f RS=26.8 N=3.00 )\r
8074 .ENDS\r
8075 \r
8076 *SRC=ZM4751A;DI_ZM4751A;Diodes;Zener 10V-50V; 30.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8077 *SYM=HZEN\r
8078 .SUBCKT DI_ZM4751A  1 2\r
8079 *        Terminals    A   K\r
8080 D1 1 2 DF\r
8081 DZ 3 1 DR\r
8082 VZ 2 3 27.5\r
8083 .MODEL DF D ( IS=13.7p RS=2.67 N=1.10\r
8084 + CJO=46.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8085 .MODEL DR D ( IS=2.75f RS=30.9 N=3.00 )\r
8086 .ENDS\r
8087 \r
8088 *SRC=ZM4752A;DI_ZM4752A;Diodes;Zener 10V-50V; 33.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8089 *SYM=HZEN\r
8090 .SUBCKT DI_ZM4752A  1 2\r
8091 *        Terminals    A   K\r
8092 D1 1 2 DF\r
8093 DZ 3 1 DR\r
8094 VZ 2 3 30.5\r
8095 .MODEL DF D ( IS=12.5p RS=2.65 N=1.10\r
8096 + CJO=43.8p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8097 .MODEL DR D ( IS=2.50f RS=34.6 N=3.00 )\r
8098 .ENDS\r
8099 \r
8100 *SRC=ZM4753A;DI_ZM4753A;Diodes;Zener 10V-50V; 36.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8101 *SYM=HZEN\r
8102 .SUBCKT DI_ZM4753A  1 2\r
8103 *        Terminals    A   K\r
8104 D1 1 2 DF\r
8105 DZ 3 1 DR\r
8106 VZ 2 3 33.5\r
8107 .MODEL DF D ( IS=11.4p RS=2.64 N=1.10\r
8108 + CJO=41.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8109 .MODEL DR D ( IS=2.29f RS=38.9 N=3.00 )\r
8110 .ENDS\r
8111 \r
8112 *SRC=ZM4754A;DI_ZM4754A;Diodes;Zener 10V-50V; 39.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8113 *SYM=HZEN\r
8114 .SUBCKT DI_ZM4754A  1 2\r
8115 *        Terminals    A   K\r
8116 D1 1 2 DF\r
8117 DZ 3 1 DR\r
8118 VZ 2 3 36.5\r
8119 .MODEL DF D ( IS=10.6p RS=2.63 N=1.10\r
8120 + CJO=39.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8121 .MODEL DR D ( IS=2.11f RS=48.0 N=3.00 )\r
8122 .ENDS\r
8123 \r
8124 *SRC=ZM4755A;DI_ZM4755A;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8125 *SYM=HZEN\r
8126 .SUBCKT DI_ZM4755A  1 2\r
8127 *        Terminals    A   K\r
8128 D1 1 2 DF\r
8129 DZ 3 1 DR\r
8130 VZ 2 3 40.4\r
8131 .MODEL DF D ( IS=9.58p RS=2.62 N=1.10\r
8132 + CJO=37.1p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8133 .MODEL DR D ( IS=1.92f RS=57.0 N=3.00 )\r
8134 .ENDS\r
8135 \r
8136 *SRC=ZM4756A;DI_ZM4756A;Diodes;Zener 10V-50V; 47.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8137 *SYM=HZEN\r
8138 .SUBCKT DI_ZM4756A  1 2\r
8139 *        Terminals    A   K\r
8140 D1 1 2 DF\r
8141 DZ 3 1 DR\r
8142 VZ 2 3 44.4\r
8143 .MODEL DF D ( IS=8.77p RS=2.60 N=1.10\r
8144 + CJO=35.2p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8145 .MODEL DR D ( IS=1.75f RS=65.9 N=3.00 )\r
8146 .ENDS\r
8147 \r
8148 *SRC=ZM4757A;DI_ZM4757A;Diodes;Zener >50V; 51.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8149 *SYM=HZEN\r
8150 .SUBCKT DI_ZM4757A  1 2\r
8151 *        Terminals    A   K\r
8152 D1 1 2 DF\r
8153 DZ 3 1 DR\r
8154 VZ 2 3 48.4\r
8155 .MODEL DF D ( IS=8.08p RS=2.59 N=1.10\r
8156 + CJO=33.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8157 .MODEL DR D ( IS=1.62f RS=79.5 N=3.00 )\r
8158 .ENDS\r
8159 \r
8160 *SRC=ZM4758A;DI_ZM4758A;Diodes;Zener >50V; 56.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8161 *SYM=HZEN\r
8162 .SUBCKT DI_ZM4758A  1 2\r
8163 *        Terminals    A   K\r
8164 D1 1 2 DF\r
8165 DZ 3 1 DR\r
8166 VZ 2 3 53.3\r
8167 .MODEL DF D ( IS=7.36p RS=2.58 N=1.10\r
8168 + CJO=32.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8169 .MODEL DR D ( IS=1.47f RS=92.7 N=3.00 )\r
8170 .ENDS\r
8171 \r
8172 *SRC=ZM4759A;DI_ZM4759A;Diodes;Zener >50V; 62.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8173 *SYM=HZEN\r
8174 .SUBCKT DI_ZM4759A  1 2\r
8175 *        Terminals    A   K\r
8176 D1 1 2 DF\r
8177 DZ 3 1 DR\r
8178 VZ 2 3 59.3\r
8179 .MODEL DF D ( IS=6.65p RS=2.56 N=1.10\r
8180 + CJO=30.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8181 .MODEL DR D ( IS=1.33f RS=106 N=3.00 )\r
8182 .ENDS\r
8183 \r
8184 *SRC=ZM4760A;DI_ZM4760A;Diodes;Zener >50V; 68.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8185 *SYM=HZEN\r
8186 .SUBCKT DI_ZM4760A  1 2\r
8187 *        Terminals    A   K\r
8188 D1 1 2 DF\r
8189 DZ 3 1 DR\r
8190 VZ 2 3 65.3\r
8191 .MODEL DF D ( IS=6.06p RS=2.55 N=1.10\r
8192 + CJO=29.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8193 .MODEL DR D ( IS=1.21f RS=129 N=3.00 )\r
8194 .ENDS\r
8195 \r
8196 *SRC=ZM4761A;DI_ZM4761A;Diodes;Zener >50V; 75.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8197 *SYM=HZEN\r
8198 .SUBCKT DI_ZM4761A  1 2\r
8199 *        Terminals    A   K\r
8200 D1 1 2 DF\r
8201 DZ 3 1 DR\r
8202 VZ 2 3 72.3\r
8203 .MODEL DF D ( IS=5.49p RS=2.54 N=1.10\r
8204 + CJO=27.7p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8205 .MODEL DR D ( IS=1.10f RS=151 N=3.00 )\r
8206 .ENDS\r
8207 \r
8208 *SRC=ZM4762A;DI_ZM4762A;Diodes;Zener >50V; 82.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8209 *SYM=HZEN\r
8210 .SUBCKT DI_ZM4762A  1 2\r
8211 *        Terminals    A   K\r
8212 D1 1 2 DF\r
8213 DZ 3 1 DR\r
8214 VZ 2 3 79.2\r
8215 .MODEL DF D ( IS=5.02p RS=2.52 N=1.10\r
8216 + CJO=26.6p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8217 .MODEL DR D ( IS=1.00f RS=174 N=3.00 )\r
8218 .ENDS\r
8219 \r
8220 *SRC=ZM4763A;DI_ZM4763A;Diodes;Zener >50V; 91.0V  1.00W   Diodes Inc. \r
8221 *SYM=HZEN\r
8222 .SUBCKT DI_ZM4763A  1 2\r
8223 *        Terminals    A   K\r
8224 D1 1 2 DF\r
8225 DZ 3 1 DR\r
8226 VZ 2 3 88.1\r
8227 .MODEL DF D ( IS=4.53p RS=2.51 N=1.10\r
8228 + CJO=25.4p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8229 .MODEL DR D ( IS=9.05e-016 RS=222 N=3.00 )\r
8230 .ENDS\r
8231 \r
8232 *SRC=ZM4764A;DI_ZM4764A;Diodes;Zener >50V; 100V  1.00W   Diodes Inc. \r
8233 *SYM=HZEN\r
8234 .SUBCKT DI_ZM4764A  1 2\r
8235 *        Terminals    A   K\r
8236 D1 1 2 DF\r
8237 DZ 3 1 DR\r
8238 VZ 2 3 97.0\r
8239 .MODEL DF D ( IS=4.12p RS=2.49 N=1.10\r
8240 + CJO=24.5p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n )\r
8241 .MODEL DR D ( IS=8.24e-016 RS=319 N=3.00 )\r
8242 .ENDS\r
8243 \r
8244 *SRC=ZMM5235B;DI_ZMM5235B;Diodes;Zener <=10V; 6.80V  0.500W   Diodes Inc. zener\r
8245 *SYM=HZEN\r
8246 .SUBCKT DI_ZMM5235B  1 2\r
8247 *        Terminals    A   K\r
8248 D1 1 2 DF\r
8249 DZ 3 1 DR\r
8250 VZ 2 3 4.56\r
8251 .MODEL DF D ( IS=30.3p RS=4.28 N=1.10\r
8252 + CJO=196p VJ=0.750 M=0.330 TT=50.1n )\r
8253 .MODEL DR D ( IS=6.06f RS=1.15 N=2.97 )\r
8254 .ENDS\r
8255 \r
8256 *SRC=ZMM5260B;DI_ZMM5260B;Diodes;Zener 10V-50V; 43.0V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
8257 *SYM=HZEN \r
8258 .SUBCKT DI_ZMM5260B  1 2 \r
8259 *        Terminals    A   K \r
8260 D1 1 2 DF \r
8261 DZ 3 1 DR \r
8262 VZ 2 3 40.7 \r
8263 .MODEL DF D ( IS=4.79p RS=1.24 N=1.10 \r
8264 + CJO=26.0p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
8265 .MODEL DR D ( IS=9.58e-016 RS=16.0 N=3.00 ) \r
8266 .ENDS\r
8267 \r
8268 *SRC=ZMM5262B;DI_ZMM5262B;Diodes;Zener >50V; 51.0V  0.500W   Diodes Inc. Zener \r
8269 *SYM=HZEN \r
8270 .SUBCKT DI_ZMM5262B  1 2 \r
8271 *        Terminals    A   K \r
8272 D1 1 2 DF \r
8273 DZ 3 1 DR \r
8274 VZ 2 3 48.7 \r
8275 .MODEL DF D ( IS=4.04p RS=1.24 N=1.10 \r
8276 + CJO=24.3p VJ=1.00 M=0.330 TT=50.1n ) \r
8277 .MODEL DR D ( IS=8.08e-016 RS=30.1 N=3.00 ) \r
8278 .ENDS\r
8279 \r
8280 *SRC=1N4148;DI_1N4148;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. -\r
8281 .MODEL DI_1N4148 D  ( IS=222p RS=68.6m BV=75.0 IBV=1.00u\r
8282 + CJO=4.00p  M=0.333 N=1.65 TT=5.76n )\r
8283 \r
8284 *SRC=1N4148W;1N4148W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. \r
8285 .MODEL 1N4148W D  ( IS=10.4n RS=51.5m BV=75.0 IBV=1.00u\r
8286 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.07 TT=5.76n )\r
8287 \r
8288 *SRC=1N4148WS;1N4148WS;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8289 Switching Diode\r
8290 .MODEL 1N4148WS D  ( IS=10.4n RS=51.5m BV=75.0 IBV=1.00u\r
8291 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.07 TT=5.76n )\r
8292 \r
8293 *SRC=1N4148WT;DI_1N4148WT;Diodes;Si;  80.0V  0.125A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8294 Switching\r
8295 .MODEL DI_1N4148WT D  ( IS=111n RS=0.628 BV=80.0 IBV=1.00u\r
8296 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=5.76n )\r
8297 \r
8298 *SRC=1N4448HWS;DI_1N4448HWS;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode\r.MODEL DI_1N4448HWS D  ( IS=24.7n RS=84.4m BV=80.0 IBV=100n\r+ CJO=3.50p  M=0.333 N=2.12 TT=5.76n )\r
8299 \r
8300 *SRC=1N4448HWT;DI_1N4448HWT;Diodes;Si;  80.0V  0.250A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8301 Switching\r
8302 .MODEL DI_1N4448HWT D  ( IS=137f RS=0.168 BV=80.0 IBV=100n\r
8303 + CJO=3.56p  M=0.333 N=1.11 TT=5.76n )\r
8304 \r
8305 *SRC=1N4448W;DI_1N4448W;Diodes;Si;  75.0V  0.250A  4.00ns   Diodes Inc. \r
8306 .MODEL DI_1N4448W D  ( IS=355p RS=0.168 BV=75.0 IBV=2.50u\r
8307 + CJO=4.00p  M=0.333 N=1.70 TT=5.76n )\r
8308 \r
8309 *SRC=1N4448WS;DI_1N4448WS;Diodes;Si;  75.0V  0.500A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode\r
8310 .MODEL DI_1N4448WS D  ( IS=24.7n RS=84.4m BV=75.0 IBV=2.50u\r
8311 + CJO=4.00p  M=0.333 N=2.12 TT=5.76n )\r
8312 \r
8313 *SRC=BAL99;DI_BAL99;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8314 Switching Diode\r
8315 .MODEL DI_BAL99 D  ( IS=31.2n RS=0.360 BV=75.0 IBV=2.50u\r
8316 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.35 TT=5.76n )\r
8317 \r
8318 *SRC=BAS116;DI_BAS116;Diodes;Si;  60.0V  0.215A  3.00us   Diodes Inc.\r
8319 Switching Diode\r
8320 .MODEL DI_BAS116 D  ( IS=4.53u RS=0.383 BV=60.0 IBV=5.00n\r
8321 + CJO=1.72p  M=0.333 N=4.07 TT=4.32u )\r
8322 \r
8323 *SRC=BAS116T;DI_BAS116T;Diodes;Si;  85.0V  0.215A  3.00us   Diodes Inc. Switching Diode\r
8324 .MODEL DI_BAS116T D  ( IS=10.5p RS=0.196 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8325 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.61 TT=4.32u )\r
8326 \r
8327 *SRC=MMBD4148;DI_MMBD4148;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. Switching \r
8328 .MODEL DI_MMBD4148 D  ( IS=126n RS=0.140 BV=75.0 IBV=1.00u \r
8329 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.60 TT=5.76n )\r
8330 \r
8331 *SRC=BAS16T;DI_BAS16T;Diodes;Si;  85.0V  0.155A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8332 Switching Diode\r
8333 .MODEL DI_BAS16T D  ( IS=2.69n RS=0.271 BV=85.0 IBV=2.00u\r
8334 + CJO=1.99p  M=0.333 N=1.95 TT=5.76n\r
8335 ************************************************************************************************************************\r
8336 \r
8337 *SRC=BAS16TW;DI_BAS16TW;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8338 Switching Diode\r
8339 .MODEL DI_BAS16TW D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u\r
8340 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8341 \r
8342 *SRC=BAS16W;DI_BAS16W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8343 Switching Diode\r
8344 .MODEL DI_BAS16W D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u\r
8345 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8346 \r
8347 *SRC=BAS19;DI_BAS19;Diodes;Si;  100V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8348 Switching Diode\r
8349 .MODEL DI_BAS19 D  ( IS=41.7n RS=0.270 BV=100 IBV=100n\r
8350 + CJO=2.98p  M=0.333 N=2.35 TT=72.0n )\r
8351 \r
8352 *SRC=BAS19W;DI_BAS19W;Diodes;Si;  100V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8353 Switching Diode\r
8354 .MODEL DI_BAS19W D  ( IS=114n RS=0.172 BV=100 IBV=100n\r
8355 + CJO=2.98p  M=0.333 N=2.58 TT=72.0n )\r
8356 \r
8357 *SRC=BAS20;DI_BAS20;Diodes;Si;  150V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8358 Switching Diode\r
8359 .MODEL DI_BAS20 D  ( IS=41.7n RS=0.270 BV=150 IBV=100n\r
8360 + CJO=2.98p  M=0.333 N=2.35 TT=72.0n )\r
8361 \r
8362 *SRC=BAS20W;DI_BAS20W;Diodes;Si;  150V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8363 Switching Diode\r
8364 .MODEL DI_BAS20W D  ( IS=114n RS=0.172 BV=150 IBV=100n\r
8365 + CJO=2.98p  M=0.333 N=2.58 TT=72.0n )\r
8366 \r
8367 *SRC=BAS21;DI_BAS21;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8368 Switching Diode\r
8369 .MODEL DI_BAS21 D  ( IS=41.7n RS=0.270 BV=200 IBV=100n\r
8370 + CJO=2.98p  M=0.333 N=2.35 TT=72.0n )\r
8371 \r
8372 *SRC=BAS21T;DI_BAS21T;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc. Switching Diode\r
8373 .MODEL DI_BAS21T D  ( IS=401n RS=0.105 BV=200 IBV=100n\r
8374 + CJO=5.00p  M=0.333 N=2.87 TT=72.0n )\r
8375 \r
8376 *SRC=BAS21W;DI_BAS21W;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8377 Switching Diode\r
8378 .MODEL DI_BAS21W D  ( IS=114n RS=0.172 BV=200 IBV=100n\r
8379 + CJO=2.98p  M=0.333 N=2.58 TT=72.0n )\r
8380 \r
8381 *SRC=BAV101;DI_BAV101;Diodes;Si;  100V  0.250A  50.0ns   Diodes Inc. Switching \r
8382 .MODEL DI_BAV101 D  ( IS=680n RS=0.168 BV=100 IBV=100n \r
8383 + CJO=1.99p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8384 \r
8385 *SRC=BAV102;DI_BAV102;Diodes;Si;  150V  0.250A  50.0ns   Diodes Inc. Switching \r
8386 .MODEL DI_BAV102 D  ( IS=680n RS=0.168 BV=150 IBV=100n \r
8387 + CJO=1.99p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8388 \r
8389 *SRC=BAV103;DI_BAV103;Diodes;Si;  200V  0.250A  50.0ns   Diodes Inc. Switching \r
8390 .MODEL DI_BAV103 D  ( IS=680n RS=0.168 BV=200 IBV=100n \r
8391 + CJO=1.99p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8392 \r
8393 *SRC=BAV116W;DI_BAV116W;Diodes;Si;  130V  0.215A  3.00us   Diodes Inc. Low leakage diode\r
8394 .MODEL DI_BAV116W D  ( IS=22.5p RS=0.282 BV=130 IBV=5.00n\r
8395 + CJO=2.40p  M=0.333 N=1.67 TT=4.32u )\r
8396 \r
8397 *SRC=BAV16W;BAV16W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. -\r
8398 .MODEL BAV16W D  ( IS=10.4n RS=51.5m BV=75.0 IBV=1.00u\r
8399 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.07 TT=5.76n )\r
8400 \r
8401 *SRC=BAV16WS;BAV16WS;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8402 Switching Diode\r
8403 .MODEL BAV16WS D  ( IS=10.4n RS=51.5m BV=75.0 IBV=1.00u\r
8404 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.07 TT=5.76n )\r
8405 \r
8406 *SRC=BAV170;DI_BAV170;Diodes;Si;  85.0V  0.215A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
8407 .MODEL DI_BAV170 D  ( IS=31.5p RS=0.195 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8408 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u\r
8409 \r
8410 *SRC=BAV170T;DI_BAV170T;Diodes;Si;  85.0V  0.125A  3.00us   Diodes Inc. Switching Diode, dual, model for one element\r
8411 .MODEL DI_BAV170T D  ( IS=10.5p RS=0.196 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8412 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.61 TT=4.32u )\r
8413 \r
8414 *SRC=BAV199;DI_BAV199;Diodes;Si;  85.0V  0.160A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
8415 .MODEL DI_BAV199 D  ( IS=59.0p RS=0.262 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8416 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.78 TT=4.32u )\r
8417 \r
8418 *SRC=BAV199DW;DI_BAV199DW;Diodes;Si;  85.0V  0.160A  3.00us   Diodes, Inc.\r
8419 Switching - one element of BAV199DW array\r
8420 .MODEL DI_BAV199DW D  ( IS=59.0p RS=0.262 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8421 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.78 TT=4.32u )\r
8422 \r
8423 *SRC=BAV199T;DI_BAV199T;Diodes;Si;  85.0V  0.125A  3.00us   Diodes Inc. Switching Diode, dual, model for one element\r
8424 .MODEL DI_BAV199T D  ( IS=10.5p RS=0.196 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8425 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.61 TT=4.32u )\r
8426 \r
8427 *SRC=BAV19W;BAV19W;Diodes;Si;  100V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc. -\r
8428 .MODEL BAV19W D  ( IS=1.09u RS=0.105 BV=100 IBV=100n\r
8429 + CJO=5.00p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8430 \r
8431 *SRC=BAV19WS;BAV19WS;Diodes;Si;  100V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8432 Switching Diode\r
8433 .MODEL BAV19WS D  ( IS=1.09u RS=0.105 BV=100 IBV=100n\r
8434 + CJO=5.00p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8435 \r
8436 *SRC=BAV20W;DI_BAV20W;Diodes;Si;  150V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc. -\r
8437 .MODEL DI_BAV20W D  ( IS=1.09u RS=0.105 BV=150 IBV=100n\r
8438 + CJO=5.00p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8439 \r
8440 *SRC=BAV20WS;DI_BAV20WS;Diodes;Si;  150V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8441 Switching Diode\r
8442 .MODEL DI_BAV20WS D  ( IS=1.09u RS=0.105 BV=150 IBV=100n\r
8443 + CJO=5.00p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8444 \r
8445 *SRC=BAV21W;DI_BAV21W;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc. -\r
8446 .MODEL DI_BAV21W D  ( IS=1.09u RS=0.105 BV=200 IBV=100n\r
8447 + CJO=5.00p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8448 \r
8449 *SRC=BAV21WS;DI_BAV21WS;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8450 Switching Diode\r
8451 .MODEL DI_BAV21WS D  ( IS=1.09u RS=0.105 BV=200 IBV=100n\r
8452 + CJO=5.00p  M=0.333 N=3.29 TT=72.0n )\r
8453 \r
8454 *SRC=BAV23A;DI_BAV23A;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8455 .MODEL DI_BAV23A D  ( IS=237n RS=0.260 BV=200 IBV=100n \r
8456 + CJO=3.05p  M=0.333 N=2.69 TT=72.0n )\r
8457 \r
8458 *SRC=BAV23C;DI_BAV23C;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8459 .MODEL DI_BAV23C D  ( IS=237n RS=0.260 BV=200 IBV=100n \r
8460 + CJO=3.05p  M=0.333 N=2.69 TT=72.0n )\r
8461 \r
8462 *SRC=BAV23S;DI_BAV23S;Diodes;Si;  200V  0.400A  50.0ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8463 .MODEL DI_BAV23S D  ( IS=237n RS=0.260 BV=200 IBV=100n \r
8464 + CJO=3.05p  M=0.333 N=2.69 TT=72.0n )\r
8465 \r
8466 *SRC=BAV3004W;DI_BAV3004W;Diodes;Si;  300V  0.225A  50.0ns   Diodes Inc.\r
8467 Switching\r
8468 .MODEL DI_BAV3004W D  ( IS=2.76u RS=0.187 BV=300 IBV=100n\r
8469 + CJO=1.17p  M=0.333 N=1.70 TT=72.0n )\r
8470 \r
8471 *SRC=BAV70;DI_BAV70;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes, Inc. switching\r
8472 .MODEL DI_BAV70 D  ( IS=308p RS=0.329 BV=75.0 IBV=2.50u\r
8473 + CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=5.76n )\r
8474 \r
8475 *SRC=BAV70;DI_BAV70;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes, Inc. switching\r
8476 .MODEL DI_BAV70 D  ( IS=308p RS=0.329 BV=75.0 IBV=2.50u\r
8477 + CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=5.76n )\r
8478 \r
8479 *SRC=BAV70T;DI_BAV70T;Diodes;Si;  85.0V  0.155A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8480 Switching Diode - one element of device\r
8481 .MODEL DI_BAV70T D  ( IS=2.69n RS=0.271 BV=85.0 IBV=2.00u\r
8482 + CJO=1.99p  M=0.333 N=1.95 TT=5.76n )\r
8483 \r
8484 *SRC=BAV70W;DI_BAV70W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8485 Switching Diode\r
8486 .MODEL DI_BAV70W D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u\r
8487 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8488 \r
8489 *SRC=BAV756DW;DI_BAV756DW;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. Switching - one element of device \r
8490 .MODEL DI_BAV756DW D  ( IS=49.2n RS=0.141 BV=75.0 IBV=2.50u \r
8491 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.45 TT=5.76n )\r
8492 \r
8493 \r
8494 \r
8495 76n )\r
8496 \r
8497 *SRC=BAV99DW;DI_BAV99DW;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode, Quad, Model for one element\r
8498 .MODEL DI_BAV99DW D  ( IS=412p RS=0.140 BV=75.0 IBV=2.50u\r
8499 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=5.76n )\r
8500 \r
8501 *SRC=BAV99T;DI_BAV99T;Diodes;Si;  85.0V  0.155A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8502 Switching Diode - one element of device\r
8503 .MODEL DI_BAV99T D  ( IS=2.69n RS=0.271 BV=85.0 IBV=2.00u\r
8504 + CJO=1.99p  M=0.333 N=1.95 TT=5.76n )\r
8505 \r
8506 *SRC=BAV99W;DI_BAV99W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8507 Switching Diode\r
8508 .MODEL DI_BAV99W D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u\r
8509 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8510 \r
8511 *SRC=BAW156;DI_BAW156;Diodes;Si;  85.0V  0.160A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
8512 .MODEL DI_BAW156 D  ( IS=59.0p RS=0.262 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8513 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.78 TT=4.32u )\r
8514 \r
8515 *SRC=BAW156T;DI_BAW156T;Diodes;Si;  85.0V  0.125A  3.00us   Diodes Inc. Switching Diode, dual, model for one element\r
8516 .MODEL DI_BAW156T D  ( IS=10.5p RS=0.196 BV=85.0 IBV=5.00n\r
8517 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.61 TT=4.32u )\r
8518 \r
8519 *SRC=BAW56;DI_BAW56;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8520 .MODEL DI_BAW56 D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u \r
8521 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8522 \r
8523 *SRC=BAW567DW;DI_BAW567DW;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8524 .MODEL DI_BAW567DW D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u \r
8525 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8526 \r
8527 *SRC=BAW56DW;DI_BAW56DW;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8528 .MODEL DI_BAW56DW D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u \r
8529 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8530 \r
8531 *SRC=BAW56T;DI_BAW56T;Diodes;Si;  85.0V  0.155A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8532 Switching Diode - one element of device\r
8533 .MODEL DI_BAW56T D  ( IS=2.69n RS=0.271 BV=85.0 IBV=2.00u\r
8534 + CJO=1.99p  M=0.333 N=1.95 TT=5.76n )\r
8535 \r
8536 *SRC=BAW56W;DI_BAW56W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8537 Switching Diode\r
8538 .MODEL DI_BAW56W D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u\r
8539 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8540 \r
8541 *SRC=LL4148;DI_LL4148;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00us   Diodes Inc fast switching diode\r
8542 .MODEL DI_LL4148 D  ( IS=1.06n RS=0.316 BV=75.0 IBV=5.00u\r
8543 + CJO=3.00p  M=0.333 N=1.87 TT=5.76u )\r
8544 \r
8545 *SRC=MMBD2004S;DI_MMBD2004S;Diodes;Si;  240V  0.225A  50.0ns   Diodes Inc. Switching \r
8546 .MODEL DI_MMBD2004S D  ( IS=1.76u RS=0.187 BV=240 IBV=100n \r
8547 + CJO=6.63p  M=0.333 N=1.70 TT=72.0n )\r
8548 \r
8549 *SRC=MMBD3004BRM;DI_MMBD3004BRM;Diodes;Si;  300V  0.225A  50.0ns   Diodes\r
8550 Inc. Switching - one element of MMBD3004BRM\r
8551 .MODEL DI_MMBD3004BRM D  ( IS=2.76u RS=0.187 BV=300 IBV=100n\r
8552 + CJO=1.17p  M=0.333 N=1.70 TT=72.0n )\r
8553 \r
8554 *SRC=MMBD3004S;DI_MMBD3004S;Diodes;Si;  300V  0.225A  50.0ns   Diodes Inc. Switching \r
8555 .MODEL DI_MMBD3004S D  ( IS=2.76u RS=0.187 BV=300 IBV=100n \r
8556 + CJO=1.17p  M=0.333 N=1.70 TT=72.0n )\r
8557 \r
8558 *SRC=MMBD4148;DI_MMBD4148;Diodes;Si;  75.0V  0.250A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8559 .MODEL DI_MMBD4148 D  ( IS=300n RS=0.422 BV=75.0 IBV=2.50u \r
8560 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.77 TT=5.76n )\r
8561 \r
8562 *SRC=MMBD4148W;DI_MMBD4148W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8563 Switching Diode\r
8564 .MODEL DI_MMBD4148W D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u\r
8565 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8566 \r
8567 *SRC=MMBD4448;DI_MMBD4448;Diodes;Si;  75.0V  0.250A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode\r
8568 .MODEL DI_MMBD4448 D  ( IS=300n RS=0.422 BV=75.0 IBV=2.50u\r
8569 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.77 TT=5.76n )\r
8570 \r
8571 *SRC=MMBD4448H;DI_MMBD4448H;Diodes;Si;  80.0V  0.250A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode \r
8572 .MODEL DI_MMBD4448H D  ( IS=300n RS=0.422 BV=80.0 IBV=100n \r
8573 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.77 TT=5.76n )\r
8574 \r
8575 *SRC=MMBD4448HADW;DI_MMBD4448HADW;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  1.50ns\r
8576 Diodes Inc. Switching - model for one node of four\r
8577 .MODEL DI_MMBD4448HADW D  ( IS=1.12n RS=84.0m BV=80.0 IBV=100n\r
8578 + CJO=2.92p  M=0.333 N=1.70 TT=2.16n )\r
8579 \r
8580 *SRC=MMBD4448HAQW;DI_MMBD4448HAQW;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  1.50ns\r
8581 Diodes Inc. Switching - model for one node of four\r
8582 .MODEL DI_MMBD4448HAQW D  ( IS=1.12n RS=84.0m BV=80.0 IBV=100n\r
8583 + CJO=2.92p  M=0.333 N=1.70 TT=2.16n )\r
8584 \r
8585 *SRC=MMBD4448HCQW;DI_MMBD4448HCQW;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  1.50ns\r
8586 Diodes Inc. Switching - model for one node of four\r
8587 .MODEL DI_MMBD4448HCQW D  ( IS=1.12n RS=84.0m BV=80.0 IBV=100n\r
8588 + CJO=2.92p  M=0.333 N=1.70 TT=2.16n )\r
8589 \r
8590 *SRC=MMBD4448HSDW;DI_MMBD4448HSDW;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  1.50ns\r
8591 Diodes Inc. Switching - model for one node of four\r
8592 .MODEL DI_MMBD4448HSDW D  ( IS=1.12n RS=84.0m BV=80.0 IBV=100n\r
8593 + CJO=2.92p  M=0.333 N=1.70 TT=2.16n )\r
8594 \r
8595 *SRC=MMBD4448HT;DI_MMBD4448HT;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  4.00ns   Diodes\r
8596 Inc. Switching Diode\r
8597 .MODEL DI_MMBD4448HT D  ( IS=787n RS=0.208 BV=80.0 IBV=100n\r
8598 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.86 TT=5.76n )\r
8599 \r
8600 *SRC=MMBD4448HTA;DI_MMBD4448HTA;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  4.00ns   Diodes\r
8601 Inc. Switching Diode, dual, model for one element\r
8602 .MODEL DI_MMBD4448HTA D  ( IS=787n RS=0.208 BV=80.0 IBV=100n\r
8603 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.86 TT=5.76n )\r
8604 \r
8605 *SRC=MMBD4448HTC;DI_MMBD4448HTC;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  4.00ns   Diodes\r
8606 Inc. Switching Diode, dual, model for one element\r
8607 .MODEL DI_MMBD4448HTC D  ( IS=787n RS=0.208 BV=80.0 IBV=100n\r
8608 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.86 TT=5.76n )\r
8609 \r
8610 *SRC=MMBD4448HTS;DI_MMBD4448HTS;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  4.00ns   Diodes\r
8611 Inc. Switching Diode, dual, model for one element\r
8612 .MODEL DI_MMBD4448HTS D  ( IS=787n RS=0.208 BV=80.0 IBV=100n\r
8613 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.86 TT=5.76n )\r
8614 \r
8615 *SRC=MMBD4448HTW;DI_MMBD4448HTW;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  1.50ns\r
8616 Diodes Inc. Switching - model for one node of three\r
8617 .MODEL DI_MMBD4448HTW D  ( IS=1.12n RS=84.0m BV=80.0 IBV=100n\r
8618 + CJO=2.92p  M=0.333 N=1.70 TT=2.16n )\r
8619 \r
8620 *SRC=MMBD4448HW;DI_MMBD4448HW;Diodes;Si;  80.0V  0.500A  4.00ns   Diodes Inc. Switching Diode\r
8621 .MODEL DI_MMBD4448HW D  ( IS=77.0n RS=84.0m BV=80.0 IBV=100n\r
8622 + CJO=1.99p  M=0.333 N=2.37 TT=5.76n )\r
8623 \r
8624 *SRC=MMBD4448W;DI_MMBD4448W;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc.\r
8625 Switching Diode\r
8626 .MODEL DI_MMBD4448W D  ( IS=68.6n RS=0.377 BV=75.0 IBV=1.00u\r
8627 + CJO=1.72p  M=0.333 N=2.34 TT=5.76n )\r
8628 \r
8629 *SRC=MMBD7000;DI_MMBD7000;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00us   Diodes Inc. \r
8630 .MODEL DI_MMBD7000 D  ( IS=5.08n RS=0.140 BV=75.0 IBV=2.00u\r
8631 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.03 TT=5.76u )\r
8632 \r
8633 *SRC=MMBD4148;DI_MMBD4148;Diodes;Si;  75.0V  0.300A  4.00ns   Diodes Inc. Switching \r
8634 .MODEL DI_MMBD4148 D  ( IS=126n RS=0.140 BV=75.0 IBV=1.00u \r
8635 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.60 TT=5.76n )\r
8636 \r
8637 *SRC=1N5711;DI_1N5711;Diodes;Si;  70.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. -\r
8638 .MODEL DI_1N5711 D  ( IS=315n RS=2.80 BV=70.0 IBV=10.0u\r
8639 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.03 TT=1.44n )\r
8640 \r
8641 *SRC=1N5711W;DI_1N5711W;Diodes;Si;  70.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. -\r
8642 .MODEL DI_1N5711W D  ( IS=315n RS=2.80 BV=70.0 IBV=10.0u\r
8643 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.03 TT=1.44n )\r
8644 \r
8645 *SRC=1N5711WS;DI_1N5711WS;Diodes;Si;  70.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. \r
8646 .MODEL DI_1N5711WS D  ( IS=315n RS=2.80 BV=70.0 IBV=10.0u\r
8647 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.03 TT=1.44n )\r
8648 \r
8649 *SRC=1N6263W;DI_1N6263W;Diodes;Si;  60.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8650 .MODEL DI_1N6263W D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=60.0 IBV=200n \r
8651 + CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8652 \r
8653 *SRC=BAS40;DI_BAS40;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode \r
8654 .MODEL DI_BAS40 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r
8655 + CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8656 \r
8657 *SRC=BAS40-04;DI_BAS40-04;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r.MODEL DI_BAS40-04 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8658 \r
8659 *SRC=BAS40-04T;DI_BAS40-04T;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r.MODEL DI_BAS40-04T D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8660 \r
8661 *SRC=BAS40-05;DI_BAS40-05;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r.MODEL DI_BAS40-05 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8662 \r
8663 *SRC=BAS40-05T;DI_BAS40-05T;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r.MODEL DI_BAS40-05T D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8664 \r
8665 *SRC=BAS40-06;DI_BAS40-06;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r.MODEL DI_BAS40-06 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8666 \r
8667 *SRC=BAS40-06T;DI_BAS40-06T;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r.MODEL DI_BAS40-06T D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8668 \r
8669 *SRC=BAS40BRW;DI_BAS40BRW;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, Quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS40BRW D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8670 \r
8671 *SRC=BAS40DW-04;DI_BAS40DW-04;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, Quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS40DW-04 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8672 \r
8673 *SRC=BAS40DW-05;DI_BAS40DW-05;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, Quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS40DW-05 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8674 \r
8675 *SRC=BAS40DW-06;DI_BAS40DW-06;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, Quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS40DW-06 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8676 \r
8677 *SRC=BAS40T;DI_BAS40T;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode \r.MODEL DI_BAS40T D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8678 \r
8679 *SRC=BAS40TW;DI_BAS40TW;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, Tripple, one node of three\r.MODEL DI_BAS40TW D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8680 \r
8681 *SRC=BAS40W;DI_BAS40W;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode\r.MODEL DI_BAS40W D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8682 \r
8683 *SRC=BAS40W-04;DI_BAS40W-04;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS40W-04 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8684 \r
8685 *SRC=BAS40W-05;DI_BAS40W-05;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS40W-05 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8686 \r
8687 *SRC=BAS40W-06;DI_BAS40W-06;Diodes;Si;  40.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS40W-06 D  ( IS=6.12u RS=0.120 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=5.00p  M=0.333 N=2.61 TT=7.20n )\r
8688 \r
8689 *SRC=BAS70;DI_BAS70;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. -\r
8690 .MODEL DI_BAS70 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r
8691 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8692 \r
8693 *SRC=BAS70-04;DI_BAS70-04;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70-04 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8694 \r
8695 *SRC=BAS70-04T;DI_BAS70-04T;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70-04T D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8696 \r
8697 *SRC=BAS70-05;DI_BAS70-05;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70-05 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8698 \r
8699 *SRC=BAS70-05T;DI_BAS70-05T;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70-05T D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8700 \r
8701 *SRC=BAS70-06;DI_BAS70-06;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70-06 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8702 \r
8703 *SRC=BAS70-06T;DI_BAS70-06T;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70-06T D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8704 \r
8705 *SRC=BAS70BRW;DI_BAS70BRW;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS70BRW D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8706 \r
8707 *SRC=BAS70DW-04;DI_BAS70DW-04;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS70DW-04 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8708 \r
8709 *SRC=BAS70DW-05;DI_BAS70DW-05;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS70DW-05 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8710 \r
8711 *SRC=BAS70DW-06;DI_BAS70DW-06;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAS70DW-06 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8712 \r
8713 *SRC=BAS70JW;DI_BAS70JW;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70JW D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8714 \r
8715 *SRC=BAS70T;DI_BAS70T;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode\r.MODEL DI_BAS70T D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8716 \r
8717 *SRC=BAS70TW;DI_BAS70TW;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, tripple, one node of three\r.MODEL DI_BAS70TW D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8718 \r
8719 *SRC=BAS70W;DI_BAS70W;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode\r.MODEL DI_BAS70W D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8720 \r
8721 *SRC=BAS70W-04;DI_BAS70W-04;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70W-04 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8722 \r
8723 *SRC=BAS70W-05;DI_BAS70W-05;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70W-05 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8724 \r
8725 *SRC=BAS70W-06;DI_BAS70W-06;Diodes;Si;  70.0V  70.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAS70W-06 D  ( IS=99.5p RS=0.600 BV=70.0 IBV=10.0u\r+ CJO=2.00p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8726 \r
8727 *SRC=BAT42;DI_BAT42;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc.\r
8728 Schottky\r
8729 .MODEL DI_BAT42 D  ( IS=2.46u RS=0.210 BV=30.0 IBV=500n\r
8730 + CJO=13.3p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8731 \r
8732 *SRC=BAT42W;DI_BAT42W;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc Schottky Diode\r.MODEL DI_BAT42W D  ( IS=87.5u RS=18.1m BV=30.0 IBV=500n\r+ CJO=8.88p  M=0.333 N=3.51 TT=7.20n )\r
8733 \r
8734 *SRC=BAT42WS;DI_BAT42WS;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc\r
8735 Schottky Diode\r
8736 .MODEL DI_BAT42WS D  ( IS=87.5u RS=18.1m BV=30.0 IBV=500n\r
8737 + CJO=8.88p  M=0.333 N=3.51 TT=7.20n )\r
8738 \r
8739 *SRC=BAT43W;DI_BAT43W;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc Schottky Diode \r.MODEL DI_BAT43W D  ( IS=87.5u RS=18.1m BV=30.0 IBV=500n \r+ CJO=8.88p  M=0.333 N=3.51 TT=7.20n )\r
8740 \r
8741 *SRC=BAT43WS;DI_BAT43WS;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc Schottky Diode \r
8742 .MODEL DI_BAT43WS D  ( IS=87.5u RS=18.1m BV=30.0 IBV=500n \r
8743 + CJO=8.88p  M=0.333 N=3.51 TT=7.20n )\r
8744 \r
8745 *SRC=BAT46;DI_BAT46;Diodes;Si;  100V  0.150A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8746 .MODEL DI_BAT46 D  ( IS=603n RS=0.280 BV=100 IBV=5.00u \r
8747 + CJO=7.96p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8748 \r
8749 *SRC=BAT46W;DI_BAT46W;Diodes;Si;  100V  0.150A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_BAT46W D  ( IS=603n RS=0.280 BV=100 IBV=5.00u \r+ CJO=7.96p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
8750 \r
8751 *SRC=BAT54;DI_BAT54;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
8752 .MODEL DI_BAT54 D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r
8753 + CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8754 \r
8755 *SRC=BAT54A;DI_BAT54A;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54A D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8756 \r
8757 *SRC=BAT54ADW;DI_BAT54ADW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAT54ADW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8758 \r
8759 *SRC=BAT54AT;DI_BAT54AT;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54AT D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8760 \r
8761 *SRC=BAT54AW;DI_BAT54AW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54AW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8762 \r
8763 *SRC=BAT54BRW;DI_BAT54BRW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAT54BRW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8764 \r
8765 *SRC=BAT54C;DI_BAT54C;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54C D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8766 \r
8767 *SRC=BAT54CDW;DI_BAT54CDW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAT54CDW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8768 \r
8769 *SRC=BAT54CT;DI_BAT54CT;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54CT D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8770 \r
8771 *SRC=BAT54CW;DI_BAT54CW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54CW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8772 \r
8773 *******************************************************************************************************************************************\r
8774 *SRC=BAT54DW;DI_BAT54DW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky, dual, one of two nodes\r
8775 .MODEL DI_BAT54DW D  ( IS=235n RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r
8776 + CJO=13.3p  M=0.333 N=1.28 TT=7.20n )\r
8777 *******************************************************************************************************************************************\r
8778 \r
8779 *SRC=BAT54JW;DI_BAT54JW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54JW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8780 \r
8781 *SRC=BAT54S;DI_BAT54S;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54S D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8782 \r
8783 *SRC=BAT54SDW;DI_BAT54SDW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, quad, one node of four\r.MODEL DI_BAT54SDW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8784 \r
8785 *SRC=BAT54ST;DI_BAT54ST;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54ST D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8786 \r
8787 *SRC=BAT54SW;DI_BAT54SW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two\r.MODEL DI_BAT54SW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8788 \r
8789 *SRC=BAT54T;DI_BAT54T;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode\r.MODEL DI_BAT54T D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8790 \r
8791 *SRC=BAT54TW;DI_BAT54TW;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, tripple, one node of three\r.MODEL DI_BAT54TW D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8792 \r
8793 *SRC=BAT54W;DI_BAT54W;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode\r.MODEL DI_BAT54W D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r+ CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8794 \r
8795 *SRC=BAT54WS;DI_BAT54WS;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode\r
8796 .MODEL DI_BAT54WS D  ( IS=34.9u RS=0.210 BV=30.0 IBV=2.00u\r
8797 + CJO=13.3p  M=0.333 N=2.28 TT=7.20n )\r
8798 \r
8799 *SRC=LLSD101A;DI_LLSD101A;Diodes;Si;  60.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_LLSD101A D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=60.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8800 \r
8801 *SRC=LLSD101B;DI_LLSD101B;Diodes;Si;  50.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_LLSD101B D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=50.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8802 \r
8803 *SRC=LLSD101C;DI_LLSD101C;Diodes;Si;  40.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_LLSD101C D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8804 \r
8805 *SRC=LLSD103A;DI_LLSD103A;Diodes;Si;  40.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_LLSD103A D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=40.0 IBV=5.00u \r+ CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8806 \r
8807 *SRC=LLSD103B;DI_LLSD103B;Diodes;Si;  30.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_LLSD103B D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=30.0 IBV=5.00u \r+ CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8808 \r
8809 *SRC=LLSD103C;DI_LLSD103C;Diodes;Si;  20.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_LLSD103C D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=20.0 IBV=5.00u \r+ CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8810 \r
8811 *SRC=SD101A;DI_SD101A;Diodes;Si;  60.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SD101A D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=60.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8812 \r
8813 *SRC=SD101AW;DI_SD101AW;Diodes;Si;  60.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8814 .MODEL DI_SD101AW D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=60.0 IBV=200n \r
8815 + CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8816 \r
8817 *******************************************************************************************************************************************\r
8818 *SRC=SD101AWS;DI_SD101AWS;Diodes;Si;  60.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky- SD101AWS/BWS/CWS\r
8819 .MODEL DI_SD101AWS D  ( IS=230n RS=2.13 BV=60.0 IBV=200n\r
8820 + CJO=2.00p  M=0.333 N=1.96 TT=1.44n )\r
8821 *******************************************************************************************************************************************\r
8822 \r
8823 *SRC=SD101B;DI_SD101B;Diodes;Si;  50.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SD101B D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=50.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8824 \r
8825 *SRC=SD101BW;DI_SD101BW;Diodes;Si;  50.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8826 .MODEL DI_SD101BW D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=50.0 IBV=200n \r
8827 + CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8828 \r
8829 *SRC=SD101BWS;DI_SD101BWS;Diodes;Si;  50.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SD101BWS D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=50.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8830 \r
8831 *SRC=SD101C;DI_SD101C;Diodes;Si;  40.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SD101C D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8832 \r
8833 *SRC=SD101CW;DI_SD101CW;Diodes;Si;  40.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8834 .MODEL DI_SD101CW D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=40.0 IBV=200n \r
8835 + CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8836 \r
8837 *SRC=SD101CWS;DI_SD101CWS;Diodes;Si;  40.0V  15.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SD101CWS D  ( IS=1.82u RS=2.80 BV=40.0 IBV=200n \r+ CJO=2.65p  M=0.333 N=1.70 TT=1.44n )\r
8838 \r
8839 *SRC=SD103ASDM;DI_SD103ASDM;Diodes;Si;  40.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky Barrier Diode, quad, one node of four\r
8840 .MODEL DI_SD103ASDM D  ( IS=646n RS=0.120 BV=40.0 IBV=5.00u\r
8841 + CJO=29.2  M=0.333 N=1.28 TT=14.4n )\r
8842 \r
8843 *SRC=SD103ATW;DI_SD103ATW;Diodes;Si;  40.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky Barrier Diode, tripple, one node of three\r
8844 .MODEL DI_SD103ATW D  ( IS=646n RS=0.120 BV=40.0 IBV=5.00u\r
8845 + CJO=29.2  M=0.333 N=1.28 TT=14.4n )\r
8846 \r
8847 *SRC=SD103AW;DI_SD103AW;Diodes;Si;  40.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
8848 .MODEL DI_SD103AW D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=40.0 IBV=5.00u \r
8849 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8850 \r
8851 *SRC=SD103AWS;DI_SD103AWS;Diodes;Si;  40.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc.\r
8852 Schottky\r
8853 .MODEL DI_SD103AWS D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=40.0 IBV=5.00u\r
8854 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8855 \r
8856 \r
8857 \r
8858 *SRC=SD103BWS;DI_SD103BWS;Diodes;Si;  30.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r\r
8859 .MODEL DI_SD103BWS D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=30.0 IBV=5.00u \r\r
8860 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8861 \r
8862 *SRC=SD103CW;DI_SD103CW;Diodes;Si;  20.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
8863 .MODEL DI_SD103CW D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=20.0 IBV=5.00u \r
8864 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8865 \r
8866 *SRC=SD103CWS;DI_SD103CWS;Diodes;Si;  20.0V  0.350A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
8867 .MODEL DI_SD103CWS D  ( IS=8.65u RS=0.120 BV=20.0 IBV=5.00u \r
8868 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8869 \r
8870 *SRC=SDM03MT40;DI_SDM03MT40;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  3.00us   Diodes Inc. Schottky Barrier Diode, tripple, one node of three\r
8871 .MODEL DI_SDM03MT40 D  ( IS=12.5u RS=1.41 BV=40.0 IBV=1.00u\r
8872 + CJO=2.00p  M=0.333 N=2.79 TT=4.32u )\r
8873 **************************************************************************************************************************************************************\r
8874 \r
8875 *SRC=SDM03U40;DI_SDM03U40;Diodes;Si;  30.0V  30.0mA  1.00ns   Diodes Inc.\r
8876 Schottky\r
8877 .MODEL DI_SDM03U40 D  ( IS=16.5u RS=2.20 BV=30.0 IBV=500n\r
8878 + CJO=2.59p  M=0.333 N=2.92 TT=1.44n )\r
8879 \r
8880 *SRC=SDM10M45SD;DI_SDM10M45SD;Diodes;Si;  45.0V  0.100A  3.00us   Diodes Inc. Schottky Barrier Diode\r
8881 .MODEL DI_SDM10M45SD D  ( IS=553n RS=0.420 BV=45.0 IBV=1.00u\r
8882 + CJO=10.6p  M=0.333 N=1.36 TT=4.32u )\r
8883 **********************************************************************************************************************************\r
8884 \r
8885 *SRC=SDM10P45;DI_SDM10P45;Diodes;Si;  45.0V  0.100A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8886 .MODEL DI_SDM10P45 D  ( IS=745n RS=0.792 BV=45.0 IBV=1.00u \r
8887 + CJO=11.2p  M=0.333 N=1.39 TT=7.20n )\r
8888 \r
8889 *SRC=SDM10U45;DI_SDM10U45;Diodes;Si;  40.0V  0.300A  5.00ns   Diodes Inc.\r
8890 Schottky\r
8891 .MODEL DI_SDM10U45 D  ( IS=26.8u RS=0.140 BV=40.0 IBV=1.00u\r
8892 + CJO=10.6p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
8893 \r
8894 *SRC=SDM20E40C;DI_SDM20E40C;Diodes;Si;  40.0V  0.400A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8895 .MODEL DI_SDM20E40C D  ( IS=3.15u RS=0.165 BV=40.0 IBV=70.0u \r
8896 + CJO=39.8p  M=0.333 N=1.16 TT=7.20n )\r
8897 \r
8898 *SRC=SDM20U30;DI_SDM20U30;Diodes;Si;  30.0V  0.200A  5.00ns   Diodes Inc.\r
8899 Schottky\r
8900 .MODEL DI_SDM20U30 D  ( IS=59.4n RS=0.210 BV=30.0 IBV=150u\r
8901 + CJO=19.9p  M=0.333 N=0.700 TT=7.20n )\r
8902 \r
8903 *SRC=SDM20U40;DI_SDM20U40;Diodes;Si;  40.0V  0.250A  10.0ns   Diodes Inc.\r
8904 Schottky\r
8905 .MODEL DI_SDM20U40 D  ( IS=4.32u RS=0.168 BV=40.0 IBV=5.00u\r
8906 + CJO=39.8p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
8907 \r
8908 *SRC=SDM40E20LS;DI_SDM40E20LS;Diodes;Si;  20.0V  0.400A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8909 .MODEL DI_SDM40E20LS D  ( IS=54.8u RS=0.132 BV=20.0 IBV=250u \r
8910 + CJO=199p  M=0.333 N=1.34 TT=7.20n )\r
8911 \r
8912 *SRC=SDMG0340L;DI_SDMG0340L;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  1.00ns   Diodes Inc. \r
8913 .MODEL DI_SBMG0340L D  ( IS=13.9u RS=2.57 BV=40.0 IBV=10.0u\r
8914 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.82 TT=1.44n )\r
8915 \r
8916 *SRC=SDMG0340LA;DI_SDMG0340LA;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r
8917 .MODEL DI_SBMG0340LA D  ( IS=13.9u RS=2.57 BV=40.0 IBV=10.0u\r
8918 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.82 TT=1.44n )\r
8919 \r
8920 *SRC=SDMG0340LC;DI_SDMG0340LC;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r
8921 .MODEL DI_SBMG0340LC D  ( IS=13.9u RS=2.57 BV=40.0 IBV=10.0u\r
8922 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.82 TT=1.44n )\r
8923 \r
8924 *SRC=SDMG0340LS;DI_SDMG0340LS;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  1.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r
8925 .MODEL DI_SBMG0340LS D  ( IS=13.9u RS=2.57 BV=40.0 IBV=10.0u\r
8926 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.82 TT=1.44n )\r
8927 \r
8928 *SRC=SDMK0340L;DI_SDMK0340L;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  3.00us   Diodes Inc. Schottky Barrier Diode\r
8929 .MODEL DI_SDMK0340L D  ( IS=11.2u RS=3.64 BV=40.0 IBV=500n\r
8930 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.69 TT=4.32u )\r
8931 ******************************************************************************************************************************\r
8932 \r
8933 *SRC=SDMP0340LAT;DI_SDMP0340LAT;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r
8934 .MODEL DI_SDMP0340LAT D  ( IS=16.5u RS=2.20 BV=40.0 IBV=1.00u \r
8935 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.92 TT=7.20n )\r
8936 **************************************************************************************************************************************************\r
8937 \r
8938 *SRC=SDMP0340LCT;DI_SDMP0340LCT;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r
8939 .MODEL DI_SDMP0340LCT D  ( IS=16.5u RS=2.20 BV=40.0 IBV=1.00u \r
8940 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.92 TT=7.20n )\r
8941 **************************************************************************************************************************************************\r
8942 \r
8943 *SRC=SDMP0340LST;DI_SDMP0340LST;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky diode, dual, one node of two \r
8944 .MODEL DI_SDMP0340LST D  ( IS=16.5u RS=2.20 BV=40.0 IBV=1.00u \r
8945 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.92 TT=7.20n )\r
8946 **************************************************************************************************************************************************\r
8947 \r
8948 *SRC=SDMP0340LT;DI_SDMP0340LT;Diodes;Si;  40.0V  30.0mA  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
8949 .MODEL DI_SDMP0340LT D  ( IS=16.5u RS=2.20 BV=40.0 IBV=1.00u \r
8950 + CJO=2.65p  M=0.333 N=2.92 TT=7.20n )\r
8951 \r
8952 *SRC=2W005G;DI_2W005G;Diodes;Si;  50.0V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_2W005G D  ( IS=28.4n RS=21.1m BV=50.0 IBV=5.00u\r+ CJO=29.6p  M=0.333 N=1.95 TT=4.32u )\r
8953 \r
8954 *SRC=2W01G;DI_2W01G;Diodes;Si;  100V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_2W01G D  ( IS=28.4n RS=21.1m BV=100 IBV=5.00u\r+ CJO=29.6p  M=0.333 N=1.95 TT=4.32u )\r
8955 \r
8956 *SRC=2W02G;DI_2W02G;Diodes;Si;  200V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_2W02G D  ( IS=28.4n RS=21.1m BV=200 IBV=5.00u\r+ CJO=29.6p  M=0.333 N=1.95 TT=4.32u )\r
8957 \r
8958 *SRC=2W04G;DI_2W04G;Diodes;Si;  400V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_2W04G D  ( IS=28.4n RS=21.1m BV=400 IBV=5.00u\r+ CJO=29.6p  M=0.333 N=1.95 TT=4.32u )\r
8959 \r
8960 *SRC=2W06G;DI_2W06G;Diodes;Si;  600V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_2W06G D  ( IS=28.4n RS=21.1m BV=600 IBV=5.00u\r+ CJO=29.6p  M=0.333 N=1.95 TT=4.32u )\r
8961 \r
8962 *SRC=2W08G;DI_2W08G;Diodes;Si;  800V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_2W08G D  ( IS=28.4n RS=21.1m BV=800 IBV=5.00u\r+ CJO=29.6p  M=0.333 N=1.95 TT=4.32u )\r
8963 \r
8964 *SRC=2W10G;DI_2W10G;Diodes;Si;  1.00kV  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_2W10G D  ( IS=28.4n RS=21.1m BV=1.00k IBV=5.00u\r+ CJO=29.6p  M=0.333 N=1.95 TT=4.32u )\r
8965 \r
8966 *SRC=DF005M;DI_DF005M;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8967 .MODEL DI_DF005M D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=50.0 IBV=10.0u \r
8968 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8969 \r
8970 *SRC=DF005S;DI_DF005S;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8971 .MODEL DI_DF005S D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=50.0 IBV=10.0u \r
8972 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8973 \r
8974 *SRC=DF01M;DI_DF01M;Diodes;Si;  100V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8975 .MODEL DI_DF01M D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=100 IBV=10.0u \r
8976 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8977 \r
8978 *SRC=DF01S;DI_DF01S;Diodes;Si;  100V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8979 .MODEL DI_DF01S D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=100 IBV=10.0u \r
8980 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8981 \r
8982 *SRC=DF02M;DI_DF02M;Diodes;Si;  200V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8983 .MODEL DI_DF02M D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=200 IBV=10.0u \r
8984 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8985 \r
8986 *SRC=DF02S;DI_DF02S;Diodes;Si;  200V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8987 .MODEL DI_DF02S D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=200 IBV=10.0u \r
8988 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8989 \r
8990 *SRC=DF04M;DI_DF04M;Diodes;Si;  400V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8991 .MODEL DI_DF04M D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=400 IBV=10.0u \r
8992 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8993 \r
8994 *SRC=DF04S;DI_DF04S;Diodes;Si;  400V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8995 .MODEL DI_DF04S D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=400 IBV=10.0u \r
8996 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
8997 \r
8998 *SRC=DF06M;DI_DF06M;Diodes;Si;  600V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
8999 .MODEL DI_DF06M D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=600 IBV=10.0u \r
9000 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9001 \r
9002 *SRC=DF06S;DI_DF06S;Diodes;Si;  600V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
9003 .MODEL DI_DF06S D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=600 IBV=10.0u \r
9004 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9005 \r
9006 *SRC=DF08M;DI_DF08M;Diodes;Si;  800V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
9007 .MODEL DI_DF08M D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=800 IBV=10.0u \r
9008 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9009 \r
9010 *SRC=DF08S;DI_DF08S;Diodes;Si;  800V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
9011 .MODEL DI_DF08S D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=800 IBV=10.0u \r
9012 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9013 \r
9014 *SRC=DF10M;DI_DF10M;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
9015 .MODEL DI_DF10M D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=1.00k IBV=10.0u \r
9016 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9017 \r
9018 *SRC=DF10S;DI_DF10S;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element \r
9019 .MODEL DI_DF10S D  ( IS=4.42n RS=42.0m BV=1.00k IBV=10.0u \r
9020 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9021 \r
9022 *SRC=DF15005M;DI_DF15005M;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_DF15005M D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=50.0 IBV=10.0u\r+ CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9023 \r
9024 *SRC=DF15005S;DI_DF15005S;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9025 .MODEL DI_DF15005S D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=50.0 IBV=10.0u\r
9026 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9027 \r
9028 *SRC=DF1501M;DI_DF1501M;Diodes;Si;  100V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_DF1501M D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=100 IBV=10.0u\r+ CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9029 \r
9030 *SRC=DF1501S;DI_DF1501S;Diodes;Si;  100V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9031 .MODEL DI_DF1501S D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=100 IBV=10.0u\r
9032 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9033 \r
9034 *SRC=DF1502M;DI_DF1502M;Diodes;Si;  200V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_DF1502M D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=200 IBV=10.0u\r+ CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9035 \r
9036 *SRC=DF1502S;DI_DF1502S;Diodes;Si;  200V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9037 .MODEL DI_DF1502S D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=200 IBV=10.0u\r
9038 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9039 \r
9040 *SRC=DF1504M;DI_DF1504M;Diodes;Si;  400V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_DF1504M D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=400 IBV=10.0u\r+ CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9041 \r
9042 *SRC=DF1504S;DI_DF1504S;Diodes;Si;  400V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9043 .MODEL DI_DF1504S D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=400 IBV=10.0u\r
9044 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9045 \r
9046 *SRC=DF1506M;DI_DF1506M;Diodes;Si;  600V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_DF1506M D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=600 IBV=10.0u\r+ CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9047 \r
9048 *SRC=DF1506S;DI_DF1506S;Diodes;Si;  600V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9049 .MODEL DI_DF1506S D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=600 IBV=10.0u\r
9050 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9051 \r
9052 *SRC=DF1508M;DI_DF1508M;Diodes;Si;  800V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_DF1508M D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=800 IBV=10.0u\r+ CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9053 \r
9054 *SRC=DF1508S;DI_DF1508S;Diodes;Si;  800V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9055 .MODEL DI_DF1508S D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=800 IBV=10.0u\r
9056 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9057 \r
9058 *SRC=DF1510M;DI_DF1510M;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_DF1510M D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=1.00k IBV=10.0u\r+ CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9059 \r
9060 *SRC=DF1510S;DI_DF1510S;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9061 .MODEL DI_DF1510S D  ( IS=2.06n RS=28.1m BV=1.00k IBV=10.0u\r
9062 + CJO=65.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9063 \r
9064 *SRC=GBJ15005;DI_GBJ15005;Diodes;Si;  50.0V  15.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9065 Bridge Rectifier -- for one element\r
9066 .MODEL DI_GBJ15005 D  ( IS=5.11u RS=3.43m BV=50.0 IBV=10.0u\r
9067 + CJO=106p  M=0.333 N=2.44 TT=4.32u )\r
9068 \r
9069 *SRC=GBJ1501;DI_GBJ1501;Diodes;Si;  100V  15.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9070 Bridge Rectifier -- for one element\r
9071 .MODEL DI_GBJ1501 D  ( IS=5.11u RS=3.43m BV=100 IBV=10.0u\r
9072 + CJO=106p  M=0.333 N=2.44 TT=4.32u )\r
9073 \r
9074 *SRC=GBJ1502;DI_GBJ1502;Diodes;Si;  200V  15.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9075 Bridge Rectifier -- for one element\r
9076 .MODEL DI_GBJ1502 D  ( IS=5.11u RS=3.43m BV=200 IBV=10.0u\r
9077 + CJO=106p  M=0.333 N=2.44 TT=4.32u )\r
9078 \r
9079 *SRC=GBJ1504;DI_GBJ1504;Diodes;Si;  400V  15.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9080 Bridge Rectifier -- for one element\r
9081 .MODEL DI_GBJ1504 D  ( IS=5.11u RS=3.43m BV=400 IBV=10.0u\r
9082 + CJO=106p  M=0.333 N=2.44 TT=4.32u )\r
9083 \r
9084 *SRC=GBJ1506;DI_GBJ1506;Diodes;Si;  600V  15.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9085 Bridge Rectifier -- for one element\r
9086 .MODEL DI_GBJ1506 D  ( IS=5.11u RS=3.43m BV=600 IBV=10.0u\r
9087 + CJO=106p  M=0.333 N=2.44 TT=4.32u )\r
9088 \r
9089 *SRC=GBJ1508;DI_GBJ1508;Diodes;Si;  800V  15.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9090 Bridge Rectifier -- for one element\r
9091 .MODEL DI_GBJ1508 D  ( IS=5.11u RS=3.43m BV=800 IBV=10.0u\r
9092 + CJO=106p  M=0.333 N=2.44 TT=4.32u )\r
9093 \r
9094 *SRC=GBJ1510;DI_GBJ1510;Diodes;Si;  1.00kV  15.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9095 Bridge Rectifier -- for one element\r
9096 .MODEL DI_GBJ1510 D  ( IS=5.11u RS=3.43m BV=1.00k IBV=10.0u\r
9097 + CJO=106p  M=0.333 N=2.44 TT=4.32u )\r
9098 \r
9099 *SRC=GBJ20005;DI_GBJ20005;Diodes;Si;  50.0V  20.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9100 Bridge Rect. This model covers only one element.  There are four elements per pkg. .MODEL DI_GBJ20005 D  ( IS=15.1u RS=2.96m BV=50.0 IBV=10.0u\r
9101 + CJO=111p  M=0.333 N=2.84 TT=4.32u )\r
9102 \r
9103 *SRC=GBJ2001;DI_GBJ2001;Diodes;Si;  100V  20.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9104 Bridge Rect. This model covers only one element.  There are four elements per pkg. .MODEL DI_GBJ2001 D  ( IS=15.1u RS=2.96m BV=100 IBV=10.0u\r
9105 + CJO=111p  M=0.333 N=2.84 TT=4.32u )\r
9106 \r
9107 *SRC=GBJ2002;DI_GBJ2002;Diodes;Si;  200V  20.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9108 Bridge Rect. This model covers only one element.  There are four elements per pkg. .MODEL DI_GBJ2002 D  ( IS=15.1u RS=2.96m BV=200 IBV=10.0u\r
9109 + CJO=111p  M=0.333 N=2.84 TT=4.32u )\r
9110 \r
9111 *SRC=GBJ2004;DI_GBJ2004;Diodes;Si;  400V  20.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9112 Bridge Rect. This model covers only one element.  There are four elements per pkg. .MODEL DI_GBJ2004 D  ( IS=15.1u RS=2.96m BV=400 IBV=10.0u\r
9113 + CJO=111p  M=0.333 N=2.84 TT=4.32u )\r
9114 \r
9115 *SRC=GBJ2006;DI_GBJ2006;Diodes;Si;  600V  20.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9116 Bridge Rect. This model covers only one element.  There are four elements per pkg. .MODEL DI_GBJ2006 D  ( IS=15.1u RS=2.96m BV=600 IBV=10.0u\r
9117 + CJO=111p  M=0.333 N=2.84 TT=4.32u )\r
9118 \r
9119 *SRC=GBJ2008;DI_GBJ2008;Diodes;Si;  800V  20.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9120 Bridge Rect. This model covers only one element.  There are four elements per pkg. .MODEL DI_GBJ2008 D  ( IS=15.1u RS=2.96m BV=800 IBV=10.0u\r
9121 + CJO=111p  M=0.333 N=2.84 TT=4.32u )\r
9122 \r
9123 *SRC=GBJ2010;DI_GBJ2010;Diodes;Si;  1.00kV  20.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9124 Bridge Rect. This model covers only one element.  There are four elements per pkg. .MODEL DI_GBJ2010 D  ( IS=15.1u RS=2.96m BV=1.00k IBV=10.0u\r
9125 + CJO=111p  M=0.333 N=2.84 TT=4.32u )\r
9126 \r
9127 *SRC=GBJ2510;DI_GBJ2510;Diodes;Si;  1.00kV  25.0A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier--Per Element\r
9128 .MODEL DI_GBJ2510 D  ( IS=379n RS=2.84m BV=1.00k IBV=10.0u\r
9129 + CJO=146p  M=0.333 N=2.07 TT=4.32u )\r
9130 \r
9131 *SRC=GBPC3506;DI_GBPC3506;Diodes;Si;  600V  35.0A  3.00us   Diodes Inc Rectifier\r
9132 .MODEL DI_GBPC3506 D  ( IS=162u RS=3.32m BV=600 IBV=5.00u\r
9133 + CJO=477p  M=0.333 N=3.01 TT=4.32u )\r
9134 \r
9135 *SRC=GBU1002;DI_GBU1002;Diodes;Si;  200V  10.0A  3.00us   Diodes Inc.\r
9136 Bridge Rectifier -- Per Element\r
9137 .MODEL DI_GBU1002 D  ( IS=1.71f RS=7.00m BV=200 IBV=5.00u\r
9138 + CJO=133p  M=0.333 N=0.900 TT=4.32u )\r
9139 \r
9140 *SRC=HD01;DI_HD01;Diodes;Si;  100V  0.800A  3.00us   Diodes Inc. Bridge\r
9141 Rectifier -- for one element\r
9142 .MODEL DI_HD01 D  ( IS=3.47n RS=42.6m BV=100 IBV=5.00u\r
9143 + CJO=25.2p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9144 \r
9145 *SRC=HD02;DI_HD02;Diodes;Si;  200V  0.800A  3.00us   Diodes Inc. Bridge\r
9146 Rectifier -- for one element\r
9147 .MODEL DI_HD02 D  ( IS=3.47n RS=42.6m BV=200 IBV=5.00u\r
9148 + CJO=25.2p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9149 \r
9150 *SRC=HD04;DI_HD04;Diodes;Si;  400V  0.800A  3.00us   Diodes Inc. Bridge\r
9151 Rectifier -- for one element\r
9152 .MODEL DI_HD04 D  ( IS=3.47n RS=42.6m BV=400 IBV=5.00u\r
9153 + CJO=25.2p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9154 \r
9155 *SRC=HD06;DI_HD06;Diodes;Si;  600V  0.800A  3.00us   Diodes Inc. Bridge\r
9156 Rectifier -- for one element\r
9157 .MODEL DI_HD06 D  ( IS=3.47n RS=42.6m BV=600 IBV=5.00u\r
9158 + CJO=25.2p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9159 \r
9160 *SRC=KBP005G;DI_KBP005G;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_KBP005G D  ( IS=39.2u RS=28.1m BV=50.0 IBV=5.00u\r+ CJO=26.5p  M=0.333 N=4.38 TT=4.32u )\r
9161 \r
9162 *SRC=KBP01G;DI_KBP01G;Diodes;Si;  100V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_KBP01G D  ( IS=39.2u RS=28.1m BV=100 IBV=5.00u\r+ CJO=26.5p  M=0.333 N=4.38 TT=4.32u )\r
9163 \r
9164 *SRC=KBP02G;DI_KBP02G;Diodes;Si;  200V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_KBP02G D  ( IS=39.2u RS=28.1m BV=200 IBV=5.00u\r+ CJO=26.5p  M=0.333 N=4.38 TT=4.32u )\r
9165 \r
9166 *SRC=KBP04G;DI_KBP04G;Diodes;Si;  400V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_KBP04G D  ( IS=39.2u RS=28.1m BV=400 IBV=5.00u\r+ CJO=26.5p  M=0.333 N=4.38 TT=4.32u )\r
9167 \r
9168 *SRC=KBP06G;DI_KBP06G;Diodes;Si;  600V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_KBP06G D  ( IS=39.2u RS=28.1m BV=600 IBV=5.00u\r+ CJO=26.5p  M=0.333 N=4.38 TT=4.32u )\r
9169 \r
9170 *SRC=KBP08G;DI_KBP08G;Diodes;Si;  800V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_KBP08G D  ( IS=39.2u RS=28.1m BV=800 IBV=5.00u\r+ CJO=26.5p  M=0.333 N=4.38 TT=4.32u )\r
9171 \r
9172 *SRC=KBP10G;DI_KBP10G;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r.MODEL DI_KBP10G D  ( IS=39.2u RS=28.1m BV=1.00k IBV=5.00u\r+ CJO=26.5p  M=0.333 N=4.38 TT=4.32u )\r
9173 \r
9174 *SRC=KBP2005G;DI_KBP2005G;Diodes;Si;  50.0V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9175 .MODEL DI_KBP2005G D  ( IS=143n RS=21.1m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9176 + CJO=46.2p  M=0.333 N=2.12 TT=4.32u )\r
9177 \r
9178 *SRC=KBP201G;DI_KBP201G;Diodes;Si;  100V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9179 .MODEL DI_KBP201G D  ( IS=143n RS=21.1m BV=100 IBV=5.00u\r
9180 + CJO=46.2p  M=0.333 N=2.12 TT=4.32u )\r
9181 \r
9182 *SRC=KBP202G;DI_KBP202G;Diodes;Si;  200V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9183 .MODEL DI_KBP202G D  ( IS=143n RS=21.1m BV=200 IBV=5.00u\r
9184 + CJO=46.2p  M=0.333 N=2.12 TT=4.32u )\r
9185 \r
9186 *SRC=KBP204G;DI_KBP204G;Diodes;Si;  400V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9187 .MODEL DI_KBP204G D  ( IS=143n RS=21.1m BV=400 IBV=5.00u\r
9188 + CJO=46.2p  M=0.333 N=2.12 TT=4.32u )\r
9189 \r
9190 *SRC=KBP206G;DI_KBP206G;Diodes;Si;  600V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9191 .MODEL DI_KBP206G D  ( IS=143n RS=21.1m BV=600 IBV=5.00u\r
9192 + CJO=46.2p  M=0.333 N=2.12 TT=4.32u )\r
9193 \r
9194 *SRC=KBP208G;DI_KBP208G;Diodes;Si;  800V  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9195 .MODEL DI_KBP208G D  ( IS=143n RS=21.1m BV=800 IBV=5.00u\r
9196 + CJO=46.2p  M=0.333 N=2.12 TT=4.32u )\r
9197 \r
9198 *SRC=KBP210G;DI_KBP210G;Diodes;Si;  1.00kV  2.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9199 .MODEL DI_KBP210G D  ( IS=143n RS=21.1m BV=1.00k IBV=5.00u\r
9200 + CJO=46.2p  M=0.333 N=2.12 TT=4.32u )\r
9201 \r
9202 *SRC=PBPC301;DI_PBPC301;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier, per element\r.MODEL DI_PBPC301 D  ( IS=492n RS=14.1m BV=50.0 IBV=10.0u\r+ CJO=102p  M=0.333 N=2.45 TT=4.32u ) )\r
9203 \r
9204 *SRC=PBPC302;DI_PBPC302;Diodes;Si;  100V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier, per element\r.MODEL DI_PBPC302 D  ( IS=492n RS=14.1m BV=100 IBV=10.0u\r+ CJO=102p  M=0.333 N=2.45 TT=4.32u ) )\r
9205 \r
9206 *SRC=PBPC303;DI_PBPC303;Diodes;Si;  200V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier, per element\r.MODEL DI_PBPC303 D  ( IS=492n RS=14.1m BV=200 IBV=10.0u\r+ CJO=102p  M=0.333 N=2.45 TT=4.32u ) )\r
9207 \r
9208 *SRC=PBPC304;DI_PBPC304;Diodes;Si;  400V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier, per element\r.MODEL DI_PBPC304 D  ( IS=492n RS=14.1m BV=400 IBV=10.0u\r+ CJO=102p  M=0.333 N=2.45 TT=4.32u ) )\r
9209 \r
9210 *SRC=PBPC305;DI_PBPC305;Diodes;Si;  600V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier, per element\r.MODEL DI_PBPC305 D  ( IS=492n RS=14.1m BV=600 IBV=10.0u\r+ CJO=102p  M=0.333 N=2.45 TT=4.32u ) )\r
9211 \r
9212 *SRC=PBPC306;DI_PBPC306;Diodes;Si;  800V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier, per element\r.MODEL DI_PBPC306 D  ( IS=492n RS=14.1m BV=800 IBV=10.0u\r+ CJO=102p  M=0.333 N=2.45 TT=4.32u ) )\r
9213 \r
9214 *SRC=PBPC307;DI_PBPC307;Diodes;Si;  1.00kV  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Bridge Rectifier, per element\r.MODEL DI_PBPC307 D  ( IS=492n RS=14.1m BV=1.00k IBV=10.0u\r+ CJO=102p  M=0.333 N=2.45 TT=4.32u ) )\r
9215 \r
9216 *SRC=RH02;DI_RH02;Diodes;Si;  200V  0.500A  150ns   Diodes Inc. Fast Recovery Bridge Rectifier, per node\r
9217 .MODEL DI_RH02 D  ( IS=2.25n RS=0.100 BV=200 IBV=5.00u\r
9218 + CJO=24.0p  M=0.333 N=1.70 TT=216n )\r
9219 \r
9220 *SRC=RH04;DI_RH04;Diodes;Si;  400V  0.500A  150ns   Diodes Inc. Fast Recovery Bridge Rectifier, per node\r
9221 .MODEL DI_RH04 D  ( IS=2.25n RS=0.100 BV=400 IBV=5.00u\r
9222 + CJO=24.0p  M=0.333 N=1.70 TT=216n )\r
9223 \r
9224 *SRC=RH06;DI_RH06;Diodes;Si;  600V  0.500A  250ns   Diodes Inc. Fast Recovery Bridge Rectifier, per node\r
9225 .MODEL DI_RH06 D  ( IS=2.25n RS=0.100 BV=600 IBV=5.00u\r
9226 + CJO=24.0p  M=0.333 N=1.70 TT=360n )\r
9227 \r
9228 *SRC=W005G;DI_W005G;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9229 .MODEL DI_W005G D  ( IS=8.63u RS=28.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9230 + CJO=22.5p  M=0.333 N=3.21 TT=4.32u )\r
9231 \r
9232 *SRC=W01G;DI_W01G;Diodes;Si;  100V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9233 .MODEL DI_W01G D  ( IS=8.63u RS=28.0m BV=100 IBV=5.00u\r
9234 + CJO=22.5p  M=0.333 N=3.21 TT=4.32u )\r
9235 \r
9236 *SRC=W02G;DI_W02G;Diodes;Si;  200V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9237 .MODEL DI_W02G D  ( IS=8.63u RS=28.0m BV=200 IBV=5.00u\r
9238 + CJO=22.5p  M=0.333 N=3.21 TT=4.32u )\r
9239 \r
9240 *SRC=W04G;DI_W04G;Diodes;Si;  400V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9241 .MODEL DI_W04G D  ( IS=8.63u RS=28.0m BV=400 IBV=5.00u\r
9242 + CJO=22.5p  M=0.333 N=3.21 TT=4.32u )\r
9243 \r
9244 *SRC=W06G;DI_W06G;Diodes;Si;  600V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9245 .MODEL DI_W06G D  ( IS=8.63u RS=28.0m BV=600 IBV=5.00u\r
9246 + CJO=22.5p  M=0.333 N=3.21 TT=4.32u )\r
9247 \r
9248 *SRC=W08G;DI_W08G;Diodes;Si;  800V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9249 .MODEL DI_W08G D  ( IS=8.63u RS=28.0m BV=800 IBV=5.00u\r
9250 + CJO=22.5p  M=0.333 N=3.21 TT=4.32u )\r
9251 \r
9252 *SRC=W10G;DI_W10G;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  3.00us   Diodes Inc. Bridge -- for one element\r
9253 .MODEL DI_W10G D  ( IS=8.63u RS=28.0m BV=1.00k IBV=5.00u\r
9254 + CJO=22.5p  M=0.333 N=3.21 TT=4.32u )\r
9255 \r
9256 *SRC=1N5817M;DI_1N5817M;Diodes;Si;  20.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9257 .MODEL DI_1N5817M D  ( IS=363u RS=25.0m BV=20.0 IBV=1.00m \r
9258 + CJO=239p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9259 \r
9260 *SRC=1N5818M;DI_1N5818M;Diodes;Si;  30.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9261 .MODEL DI_1N5818M D  ( IS=388u RS=55.3m BV=30.0 IBV=1.00m \r
9262 + CJO=239p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9263 \r
9264 *SRC=1N5819HW;DI_1N5819HW;Diodes;Si;  40.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc.\r
9265 Schottky\r
9266 .MODEL DI_1N5819HW D  ( IS=191u RS=42.0m BV=40.0 IBV=1.00m\r
9267 + CJO=239p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9268 \r
9269 *SRC=1N5819M;DI_1N5819M;Diodes;Si;  40.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9270 .MODEL DI_1N5819M D  ( IS=41.5u RS=70.4m BV=40.0 IBV=1.00m \r
9271 + CJO=239p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9272 \r
9273 *SRC=B0520LW;DI_B0520LW;Diodes;Si;  20.0V  0.500A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r\r
9274 .MODEL DI_B0520LW D  ( IS=195u RS=49.4m BV=20.0 IBV=250u\r\r
9275 + CJO=199p  M=0.333 N=1.72 TT=7.20n )\r
9276 \r
9277 *SRC=B0520WS;DI_B0520WS;Diodes;Si;  20.0V  0.500A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky rectifier \r
9278 .MODEL DI_B0520WS D  ( IS=1.96u RS=0.131 BV=20.0 IBV=250u \r
9279 + CJO=170p  M=0.333 N=0.907 TT=7.20u )\r
9280 \r
9281 *SRC=B0530W;DI_B0530W;Diodes;Si;  30.0V  0.500A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9282 .MODEL DI_B0530W D  ( IS=47.4u RS=26.8m BV=30.0 IBV=130u \r
9283 + CJO=225p  M=0.333 N=1.66 TT=7.20n )\r
9284 \r
9285 *SRC=B0530WS;DI_B0530WS;Diodes;Si;  30.0V  0.500A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
9286 .MODEL DI_B0530WS D  ( IS=897u RS=72.9m BV=30.0 IBV=500u \r
9287 + CJO=79.6p  M=0.333 N=2.85 TT=14.4n )\r
9288 \r
9289 *SRC=B0540W;DI_B0540W;Diodes;Si;  40.0V  0.500A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
9290 .MODEL DI_B0540W D  ( IS=55.9p RS=0.125 BV=40.0 IBV=20.0u \r
9291 + CJO=225p  M=0.333 N=0.700 TT=14.4n )\r
9292 \r
9293 *SRC=B1100;DI_B1100;Diodes;Si;  100V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9294 .MODEL DI_B1100 D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=100 IBV=500n \r
9295 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9296 \r
9297 *SRC=B1100B;DI_B1100B;Diodes;Si;  100V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc.\r
9298 Schottky\r
9299 .MODEL DI_B1100B D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=100 IBV=500n\r
9300 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9301 \r
9302 *SRC=B1100LB;DI_B1100LB;Diodes;Si;  100V  1.00A  10.0ns   Diodes Inc.\r
9303 Schottky\r
9304 .MODEL DI_B1100LB D  ( IS=20.0n RS=24.7m BV=100 IBV=500n\r
9305 + CJO=225p  M=0.333 N=1.22 TT=14.4n )\r
9306 \r
9307 *SRC=B120;DI_B120;Diodes;Si;  20.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9308 .MODEL DI_B120 D  ( IS=39.6u RS=50.2m BV=20.0 IBV=500u\r
9309 + CJO=265p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9310 \r
9311 *SRC=B120B;DI_B120B;Diodes;Si;  20.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9312 .MODEL DI_B120B D  ( IS=39.6u RS=50.2m BV=20.0 IBV=500u\r
9313 + CJO=265p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9314 \r
9315 *SRC=B130;DI_B130;Diodes;Si;  30.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9316 .MODEL DI_B130 D  ( IS=39.6u RS=50.2m BV=30.0 IBV=500u\r
9317 + CJO=265p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9318 \r
9319 *SRC=B130B;DI_B130B;Diodes;Si;  30.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9320 .MODEL DI_B130B D  ( IS=39.6u RS=50.2m BV=30.0 IBV=500u\r
9321 + CJO=265p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9322 \r
9323 *SRC=B130L;DI_B130L;Diodes;Si;  30.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9324 .MODEL DI_B130L D  ( IS=188u RS=18.5m BV=30.0 IBV=1.00m\r
9325 + CJO=331p  M=0.333 N=1.65 TT=7.20n )\r
9326 \r
9327 *SRC=B130LAW;DI_B130LAW;Diodes;Si;  30.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc.\r
9328 Schottky\r
9329 .MODEL DI_B130LAW D  ( IS=407u RS=75.5m BV=30.0 IBV=1.00m\r
9330 + CJO=119p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9331 \r
9332 *SRC=B130LB;DI_B130LB;Diodes;Si;  30.0V  1.00A  10.0ns   Diodes Inc.\r
9333 Schottky\r
9334 .MODEL DI_B130LB D  ( IS=458u RS=28.0m BV=30.0 IBV=1.00m\r
9335 + CJO=159p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
9336 \r
9337 *SRC=B140;DI_B140;Diodes;Si;  40.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9338 .MODEL DI_B140 D  ( IS=39.6u RS=50.2m BV=40.0 IBV=500u\r
9339 + CJO=265p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9340 \r
9341 *SRC=B140B;DI_B140B;Diodes;Si;  40.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9342 .MODEL DI_B140B D  ( IS=39.6u RS=50.2m BV=40.0 IBV=500u\r
9343 + CJO=265p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9344 \r
9345 *SRC=B140HB;DI_B140HB;Diodes;Si;  40.0V  1.00A  10.0ns   Diodes Inc.\r
9346 Schottky\r
9347 .MODEL DI_B140HB D  ( IS=31.0u RS=42.1m BV=40.0 IBV=1.00m\r
9348 + CJO=159p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
9349 \r
9350 *SRC=B150;DI_B150;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9351 .MODEL DI_B150 D  ( IS=15.7u RS=42.0m BV=50.0 IBV=500u\r
9352 + CJO=133p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9353 \r
9354 *SRC=B150B;DI_B150B;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9355 .MODEL DI_B150B D  ( IS=15.7u RS=42.0m BV=50.0 IBV=500u\r
9356 + CJO=133p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9357 \r
9358 *SRC=B160;DI_B160;Diodes;Si;  60.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9359 .MODEL DI_B160 D  ( IS=15.7u RS=42.0m BV=60.0 IBV=500u\r
9360 + CJO=133p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9361 \r
9362 *SRC=B160B;DI_B160B;Diodes;Si;  60.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9363 .MODEL DI_B160B D  ( IS=15.7u RS=42.0m BV=60.0 IBV=500u\r
9364 + CJO=133p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9365 \r
9366 *SRC=B170;DI_B170;Diodes;Si;  70.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9367 .MODEL DI_B170 D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=70.0 IBV=500n \r
9368 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9369 \r
9370 *SRC=B170B;DI_B170B;Diodes;Si;  70.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9371 .MODEL DI_B170B D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=70.0 IBV=500n\r
9372 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9373 \r
9374 *SRC=B180;DI_B180;Diodes;Si;  80.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9375 .MODEL DI_B180 D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=80.0 IBV=500n \r
9376 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9377 \r
9378 *SRC=B180B;DI_B180B;Diodes;Si;  80.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9379 .MODEL DI_B180B D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=80.0 IBV=500n\r
9380 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9381 \r
9382 *SRC=B190;DI_B190;Diodes;Si;  90.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9383 .MODEL DI_B190 D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=90.0 IBV=500n \r
9384 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9385 \r
9386 *SRC=B190B;DI_B190B;Diodes;Si;  90.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9387 .MODEL DI_B190B D  ( IS=89.3u RS=42.2m BV=90.0 IBV=500n\r
9388 + CJO=66.3p  M=0.333 N=2.45 TT=7.20n )\r
9389 \r
9390 *SRC=B2100;DI_B2100;Diodes;Si;  100.0V  2.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky\r
9391 .MODEL DI_B2100 D  ( IS=746u RS=21.0m BV=100.0 IBV=500u\r
9392 + CJO=179p  M=0.333 N=2.87 TT=14.4n )\r
9393 \r
9394 *SRC=B220;DI_B220;Diodes;Si;  20.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9395 .MODEL DI_B220 D  ( IS=7.98u RS=13.4m BV=20.0 IBV=500u\r
9396 + CJO=370p  M=0.333 N=1.13 TT=1.44n )\r
9397 \r
9398 *SRC=B220A;DI_B220A;Diodes;Si;  20.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9399 .MODEL DI_B220A D  ( IS=7.98u RS=13.4m BV=20.0 IBV=500u\r
9400 + CJO=370p  M=0.333 N=1.13 TT=1.44n )\r
9401 \r
9402 *SRC=B230;DI_B230;Diodes;Si;  30.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9403 .MODEL DI_B230 D  ( IS=7.98u RS=13.4m BV=30.0 IBV=500u\r
9404 + CJO=370p  M=0.333 N=1.13 TT=1.44n )\r
9405 \r
9406 *SRC=B230A;DI_B230A;Diodes;Si;  30.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9407 .MODEL DI_B230A D  ( IS=7.98u RS=13.4m BV=30.0 IBV=500u\r
9408 + CJO=370p  M=0.333 N=1.13 TT=1.44n )\r
9409 \r
9410 *SRC=B240;DI_B240;Diodes;Si;  40.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9411 .MODEL DI_B240 D  ( IS=7.98u RS=13.4m BV=40.0 IBV=500u\r
9412 + CJO=370p  M=0.333 N=1.13 TT=1.44n )\r
9413 \r
9414 *SRC=B240A;DI_B240A;Diodes;Si;  40.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9415 .MODEL DI_B240A D  ( IS=7.98u RS=13.4m BV=40.0 IBV=500u\r
9416 + CJO=370p  M=0.333 N=1.13 TT=1.44n )\r
9417 \r
9418 *SRC=B250;DI_B250;Diodes;Si;  50.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9419 .MODEL DI_B250 D  ( IS=6.08u RS=14.9m BV=50.0 IBV=500u\r
9420 + CJO=370p  M=0.333 N=1.55 TT=1.44n )\r
9421 \r
9422 *SRC=B250A;DI_B250A;Diodes;Si;  50.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9423 .MODEL DI_B250A D  ( IS=6.08u RS=14.9m BV=50.0 IBV=500u\r
9424 + CJO=370p  M=0.333 N=1.55 TT=1.44n )\r
9425 \r
9426 *SRC=B260;DI_B260;Diodes;Si;  60.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9427 .MODEL DI_B260 D  ( IS=6.08u RS=14.9m BV=60.0 IBV=500u\r
9428 + CJO=370p  M=0.333 N=1.55 TT=1.44n )\r
9429 \r
9430 *SRC=B260A;DI_B260A;Diodes;Si;  60.0V  2.00A  1.00ns   Diodes Inc. \r
9431 .MODEL DI_B260A D  ( IS=6.08u RS=14.9m BV=60.0 IBV=500u\r
9432 + CJO=370p  M=0.333 N=1.55 TT=1.44n )\r
9433 \r
9434 *SRC=B270;DI_B270;Diodes;Si;  70.0V  2.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky\r
9435 .MODEL DI_B270 D  ( IS=746u RS=21.0m BV=70.0 IBV=500u\r
9436 + CJO=179p  M=0.333 N=2.87 TT=14.4n )\r
9437 \r
9438 *SRC=B280;DI_B280;Diodes;Si;  80.0V  2.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky\r
9439 .MODEL DI_B280 D  ( IS=746u RS=21.0m BV=80.0 IBV=500u\r
9440 + CJO=179p  M=0.333 N=2.87 TT=14.4n )\r
9441 \r
9442 *SRC=B290;DI_B290;Diodes;Si;  90.0V  2.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky\r
9443 .MODEL DI_B290 D  ( IS=746u RS=21.0m BV=90.0 IBV=500u\r
9444 + CJO=179p  M=0.333 N=2.87 TT=14.4n )\r
9445 \r
9446 *SRC=B3100;DI_B3100;Diodes;Si;  100V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
9447 .MODEL DI_B3100 D  ( IS=916u RS=14.1m BV=100 IBV=500u\r
9448 + CJO=159p  M=0.333 N=3.04 TT=14.4n )\r
9449 \r
9450 *SRC=B320;DI_B320;Diodes;Si;  20.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9451 .MODEL DI_B320 D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=20.0 IBV=500u\r
9452 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9453 \r
9454 *SRC=B320A;DI_B320A;Diodes;Si;  20.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9455 .MODEL DI_B320A D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=20.0 IBV=500u\r
9456 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9457 \r
9458 *SRC=B320B;DI_B320B;Diodes;Si;  20.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9459 .MODEL DI_B320B D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=20.0 IBV=500u\r
9460 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9461 \r
9462 *SRC=B330;DI_B330;Diodes;Si;  30.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9463 .MODEL DI_B330 D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=30.0 IBV=500u\r
9464 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9465 \r
9466 *SRC=B330A;DI_B330A;Diodes;Si;  30.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9467 .MODEL DI_B330A D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=30.0 IBV=500u\r
9468 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9469 \r
9470 *SRC=B330B;DI_B330B;Diodes;Si;  30.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9471 .MODEL DI_B330B D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=30.0 IBV=500u\r
9472 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9473 \r
9474 *SRC=B340;DI_B340;Diodes;Si;  40.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9475 .MODEL DI_B340 D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=40.0 IBV=500u\r
9476 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9477 \r
9478 *SRC=B340A;DI_B340A;Diodes;Si;  40.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9479 .MODEL DI_B340A D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=40.0 IBV=500u\r
9480 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9481 \r
9482 *SRC=B340B;DI_B340B;Diodes;Si;  40.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9483 .MODEL DI_B340B D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=40.0 IBV=500u\r
9484 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9485 \r
9486 *SRC=B340LA;DI_B340LA;Diodes;Si;  40.0V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc.\r
9487 Schottky\r
9488 .MODEL DI_B340LA D  ( IS=1.15m RS=17.8m BV=40.0 IBV=2.00m\r
9489 + CJO=411p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
9490 \r
9491 *SRC=B340LB;DI_B340LB;Diodes;Si;  40.0V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc.\r
9492 Schottky\r
9493 .MODEL DI_B340LB D  ( IS=1.15m RS=17.8m BV=40.0 IBV=2.00m\r
9494 + CJO=411p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
9495 \r
9496 *SRC=B350;DI_B350;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9497 .MODEL DI_B350 D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=50.0 IBV=500u\r
9498 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9499 \r
9500 *SRC=B350A;DI_B350A;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9501 .MODEL DI_B350A D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=50.0 IBV=500u\r
9502 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9503 \r
9504 *SRC=B350B;DI_B350B;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9505 .MODEL DI_B350B D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=50.0 IBV=500u\r
9506 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9507 \r
9508 *SRC=B360;DI_B360;Diodes;Si;  60.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9509 .MODEL DI_B360 D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=60.0 IBV=500u\r
9510 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9511 \r
9512 *SRC=B360A;DI_B360A;Diodes;Si;  60.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9513 .MODEL DI_B360A D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=60.0 IBV=500u\r
9514 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9515 \r
9516 *SRC=B360B;DI_B360B;Diodes;Si;  60.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9517 .MODEL DI_B360B D  ( IS=9.90n RS=14.0m BV=60.0 IBV=500u\r
9518 + CJO=464p  M=0.333 N=0.775 TT=7.20n )\r
9519 \r
9520 *SRC=B370;DI_B370;Diodes;Si;  70.0V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
9521 .MODEL DI_B370 D  ( IS=916u RS=14.1m BV=70.0 IBV=500u\r
9522 + CJO=159p  M=0.333 N=3.04 TT=14.4n )\r
9523 \r
9524 *SRC=B380;DI_B380;Diodes;Si;  80.0V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
9525 .MODEL DI_B380 D  ( IS=916u RS=14.1m BV=80.0 IBV=500u\r
9526 + CJO=159p  M=0.333 N=3.04 TT=14.4n )\r
9527 \r
9528 *SRC=B390;DI_B390;Diodes;Si;  90.0V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
9529 .MODEL DI_B390 D  ( IS=916u RS=14.1m BV=90.0 IBV=500u\r
9530 + CJO=159p  M=0.333 N=3.04 TT=14.4n )\r
9531 \r
9532 *SRC=B520C;DI_B520C;Diodes;Si;  20.0V  5.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9533 .MODEL DI_B520C D  ( IS=617u RS=10.0m BV=20.0 IBV=500u \r
9534 + CJO=497p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9535 \r
9536 *SRC=B530C;DI_B530C;Diodes;Si;  30.0V  5.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9537 .MODEL DI_B530C D  ( IS=617u RS=10.0m BV=30.0 IBV=500u \r
9538 + CJO=497p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9539 \r
9540 *SRC=B540C;DI_B540C;Diodes;Si;  40.0V  5.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9541 .MODEL DI_B540C D  ( IS=617u RS=10.0m BV=40.0 IBV=500u \r
9542 + CJO=497p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9543 \r
9544 *SRC=B550C;DI_B550C;Diodes;Si;  50.0V  5.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9545 .MODEL DI_B550C D  ( IS=66.7u RS=14.1m BV=50.0 IBV=500u \r
9546 + CJO=497p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9547 \r
9548 *SRC=B560C;DI_B560C;Diodes;Si;  60.0V  5.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9549 .MODEL DI_B560C D  ( IS=66.7u RS=14.1m BV=60.0 IBV=500u \r
9550 + CJO=497p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9551 \r
9552 *SRC=BAT1000;DI_BAT1000;Diodes;Si;  40.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky Barrier Rectifier \r
9553 .MODEL DI_BAT1000 D  ( IS=874n RS=65.3m BV=40.0 IBV=100u \r
9554 + CJO=175p  M=0.333 N=0.823 TT=7.20n )\r
9555 \r
9556 *SRC=BAT400D;DI_BAT400D;Diodes;Si;  40.0V  0.500A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9557 .MODEL DI_BAT400D D  ( IS=1.80u RS=0.103 BV=40.0 IBV=50.0u \r
9558 + CJO=119p  M=0.333 N=1.26 TT=7.20n )\r
9559 \r
9560 *SRC=BAT750;DI_BAT750;Diodes;Si;  40.0V  0.750A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9561 .MODEL DI_BAT750 D  ( IS=23.1u RS=82.3m BV=40.0 IBV=100u \r
9562 + CJO=225p  M=0.333 N=1.16 TT=7.20n )\r
9563 \r
9564 *SRC=MBRB1530CT;DI_MBRB1530CT;Diodes;Si;  30.0V  15.0A  30.0ns   Diodes\r
9565 Inc. Schottky -- one element of device\r
9566 .MODEL DI_MBRB1530CT D  ( IS=71.5u RS=2.81m BV=30.0 IBV=100u\r
9567 + CJO=464p  M=0.333 N=1.61 TT=43.2n )\r
9568 \r
9569 *SRC=MBRB1535CT;DI_MBRB1535CT;Diodes;Si;  35.0V  15.0A  30.0ns   Diodes\r
9570 Inc. Schottky -- one element of device\r
9571 .MODEL DI_MBRB1535CT D  ( IS=71.5u RS=2.81m BV=35.0 IBV=100u\r
9572 + CJO=464p  M=0.333 N=1.61 TT=43.2n )\r
9573 \r
9574 *SRC=MBRB1540CT;DI_MBRB1540CT;Diodes;Si;  40.0V  15.0A  30.0ns   Diodes\r
9575 Inc. Schottky -- one element of device\r
9576 .MODEL DI_MBRB1540CT D  ( IS=71.5u RS=2.81m BV=40.0 IBV=100u\r
9577 + CJO=464p  M=0.333 N=1.61 TT=43.2n )\r
9578 \r
9579 *SRC=MBRB1540CT;DI_MBRB1540CT;Diodes;Si;  40.0V  15.0A  30.0ns   Diodes\r
9580 Inc. Schottky -- one element of device\r
9581 .MODEL DI_MBRB1540CT D  ( IS=71.5u RS=2.81m BV=40.0 IBV=100u\r
9582 + CJO=464p  M=0.333 N=1.61 TT=43.2n )\r
9583 \r
9584 *SRC=MBRB20100CT;DI_MBRB20100CT;Diodes;Si;  100V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky Rectifier, Dual Unit, Model for One Node\r
9585 .MODEL DI_MBRB20100CT D  ( IS=750u RS=3.34m BV=100 IBV=100u\r
9586 + CJO=508p  M=0.333 N=2.41 TT=14.4n )\r
9587 \r
9588 *SRC=MBRB2070CT;DI_MBRB2070CT;Diodes;Si;  70.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky Rectifier, Dual Unit, Model for One Node\r
9589 .MODEL DI_MBRB2070CT D  ( IS=750u RS=3.34m BV=70.0 IBV=100u\r
9590 + CJO=508p  M=0.333 N=2.41 TT=14.4n )\r
9591 \r
9592 *SRC=MBRB2080CT;DI_MBRB2080CT;Diodes;Si;  80.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky Rectifier, Dual Unit, Model for One Node\r
9593 .MODEL DI_MBRB2080CT D  ( IS=750u RS=3.34m BV=80.0 IBV=100u\r
9594 + CJO=508p  M=0.333 N=2.41 TT=14.4n )\r
9595 \r
9596 *SRC=MBRB2090CT;DI_MBRB2090CT;Diodes;Si;  90.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky Rectifier, Dual Unit, Model for One Node\r
9597 .MODEL DI_MBRB2090CT D  ( IS=750u RS=3.34m BV=90.0 IBV=100u\r
9598 + CJO=508p  M=0.333 N=2.41 TT=14.4n )\r
9599 \r
9600 *SRC=MBRD1035CTL;DI_MBRD1035CTL;Diodes;Si;  35.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky, Dual, Model for one node\r.MODEL DI_MBRD1035CTL D  ( IS=2.14m RS=6.38m BV=35.0 IBV=2.00m\r+ CJO=629p  M=0.333 N=3.30 TT=14.4n )\r
9601 \r
9602 *SRC=MBRD1040;DI_MBRD1040;Diodes;Si;  40.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc.\r
9603 Schottky\r
9604 .MODEL DI_MBRD1040 D  ( IS=354u RS=4.20m BV=40.0 IBV=300u\r
9605 + CJO=2.65n  M=0.333 N=1.19 TT=7.20n )\r
9606 \r
9607 *SRC=MBRD1040CT;DI_MBRD1040CT;Diodes;Si;  40.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky, Dual, Model for one node\r.MODEL DI_MBRD1040CT D  ( IS=2.14m RS=6.38m BV=40.0 IBV=150u\r+ CJO=925p  M=0.333 N=3.30 TT=14.4n )\r
9608 \r
9609 *SRC=MBRD460CT;DI_MBRD460CT;Diodes;Si;  60.0V  2.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky, Dual, Model for one node\r.MODEL DI_MBRD460CT D  ( IS=1.45m RS=7.62u BV=60.0 IBV=100u\r+ CJO=333p  M=0.333 N=4.78 TT=14.4n )\r
9610 \r
9611 *SRC=MBRD835L;DI_MBRD835L;Diodes;Si;  35.0V  8.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky\r.MODEL DI_MBRD835L D  ( IS=9.28u RS=9.26m BV=35.0 IBV=1.40m\r+ CJO=1.11n  M=0.333 N=1.06 TT=14.4n )\r
9612 \r
9613 *SRC=MBRM3100;DI_MBRM3100;Diodes;Si;  100V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9614 .MODEL DI_MBRM3100 D  ( IS=88.1u RS=14.0m BV=100 IBV=100u \r
9615 + CJO=239p  M=0.333 N=2.12 TT=7.20n )\r
9616 \r
9617 *SRC=MBRM360;DI_MBRM360;Diodes;Si;  60.0V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
9618 .MODEL DI_MBRM360 D  ( IS=5.99u RS=16.5m BV=60.0 IBV=200u \r
9619 + CJO=240p  M=0.333 N=1.27 TT=14.4n )\r
9620 \r
9621 *SRC=MBRM5100;DI_MBRM5100;Diodes;Si;  100V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
9622 .MODEL DI_MBRM5100 D  ( IS=62.9u RS=6.79m BV=100 IBV=200u \r
9623 + CJO=530p  M=0.333 N=1.88 TT=14.4n )\r
9624 \r
9625 *SRC=MBRM560;DI_MBRM560;Diodes;Si;  60.0V  5.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
9626 .MODEL DI_MBRM560 D  ( IS=20.1u RS=8.40m BV=60.0 IBV=200u \r
9627 + CJO=207p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
9628 \r
9629 *SRC=MBRM760;DI_MBRM760;Diodes;Si;  60.0V  7.00A  10.0ns   Diodes Inc Schottky\r.MODEL DI_MBRM760 D  ( IS=849n RS=9.63m BV=60.0 IBV=200u\r+ CJO=693p  M=0.333 N=1.07 TT=14.4n )\r
9630 \r
9631 *SRC=SBG1025L;DI_SBG1025L;Diodes;Si;  25.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc.\r
9632 Schottky\r
9633 .MODEL DI_SBG1025L D  ( IS=2.36u RS=7.72m BV=25.0 IBV=1.00m\r
9634 + CJO=636p  M=0.333 N=0.722 TT=7.20n )\r
9635 \r
9636 *SRC=SBG1030CT;DI_SBG1030CT;Diodes;Si;  30.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBG1030CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=30.0 IBV=1.00m\r+ CJO=398p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9637 \r
9638 *SRC=SBG1030L;DI_SBG1030L;Diodes;Si;  30.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc.\r
9639 Schottky\r
9640 .MODEL DI_SBG1030L D  ( IS=2.36u RS=7.72m BV=30.0 IBV=1.00m\r
9641 + CJO=636p  M=0.333 N=0.722 TT=7.20n )\r
9642 \r
9643 *SRC=SBG1035CT;DI_SBG1035CT;Diodes;Si;  35.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBG1035CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=35.0 IBV=1.00m\r+ CJO=398p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9644 \r
9645 *SRC=SBG1040CT;DI_SBG1040CT;Diodes;Si;  40.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBG1040CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=398p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9646 \r
9647 *SRC=SBG1045CT;DI_SBG1045CT;Diodes;Si;  45.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBG1045CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=45.0 IBV=1.00m\r+ CJO=398p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9648 \r
9649 *SRC=SBG1630CT;DI_SBG1630CT;Diodes;Si;  30.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBG1630CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=30.0 IBV=1.00m\r+ CJO=464p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9650 \r
9651 *SRC=SBG1635CT;DI_SBG1635CT;Diodes;Si;  35.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBG1635CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=35.0 IBV=1.00m\r+ CJO=464p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9652 \r
9653 *SRC=SBG1640CT;DI_SBG1640CT;Diodes;Si;  40.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBG1640CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=464p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9654 \r
9655 *SRC=SBG1645CT;DI_SBG1645CT;Diodes;Si;  45.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9656 .MODEL DI_SBG1645CT D  ( IS=47.2u RS=6.69m BV=45.0 IBV=1.00m\r
9657 + CJO=464p  M=0.333 N=1.41 TT=7.20n )\r
9658 \r
9659 *SRC=SBG2030CT;DI_SBG2030CT;Diodes;Si;  30.0V  20.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9660 .MODEL DI_SBG2030CT D  ( IS=7.84m RS=3.91m BV=30.0 IBV=1.00m\r
9661 + CJO=1.72n  M=0.333 N=2.73 TT=7.20n )\r
9662 ===============================================================================================\r
9663 \r
9664 *SRC=SBG2035CT;DI_SBG2035CT;Diodes;Si;  35.0V  20.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9665 .MODEL DI_SBG2035CT D  ( IS=7.84m RS=3.91m BV=35.0 IBV=1.00m\r
9666 + CJO=1.72n  M=0.333 N=2.73 TT=7.20n )\r
9667 ===============================================================================================\r
9668 \r
9669 *SRC=SBG2040CT;DI_SBG2040CT;Diodes;Si;  40.0V  20.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9670 .MODEL DI_SBG2040CT D  ( IS=7.84m RS=3.91m BV=40.0 IBV=1.00m\r
9671 + CJO=1.72n  M=0.333 N=2.73 TT=7.20n )\r
9672 ===============================================================================================\r
9673 \r
9674 *SRC=SBG2045CT;DI_SBG2045CT;Diodes;Si;  45.0V  20.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9675 .MODEL DI_SBG2045CT D  ( IS=7.84m RS=3.91m BV=45.0 IBV=1.00m\r
9676 + CJO=1.72n  M=0.333 N=2.73 TT=7.20n )\r
9677 ===============================================================================================\r
9678 \r
9679 *SRC=SBG3030CT;DI_SBG3030CT;Diodes;Si;  30.0V  30.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9680 .MODEL DI_SBG3030CT D  ( IS=31.1u RS=3.70m BV=30.0 IBV=1.00m\r
9681 + CJO=796p  M=0.333 N=1.17 TT=7.20n )\r
9682 ===============================================================================================\r
9683 \r
9684 *SRC=SBG3040CT;DI_SBG3040CT;Diodes;Si;  40.0V  30.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9685 .MODEL DI_SBG3040CT D  ( IS=31.1u RS=3.70m BV=40.0 IBV=1.00m\r
9686 + CJO=796p  M=0.333 N=1.17 TT=7.20n )\r
9687 ===============================================================================================\r
9688 \r
9689 *SRC=SBG3045CT;DI_SBG3045CT;Diodes;Si;  45.0V  30.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9690 .MODEL DI_SBG3045CT D  ( IS=31.1u RS=3.70m BV=45.0 IBV=1.00m\r
9691 + CJO=796p  M=0.333 N=1.17 TT=7.20n )\r
9692 ===============================================================================================\r
9693 \r
9694 *SRC=SBG3050CT;DI_SBG3050CT;Diodes;Si;  50.0V  30.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9695 .MODEL DI_SBG3050CT D  ( IS=319u RS=3.50m BV=50.0 IBV=1.00m\r
9696 + CJO=796p  M=0.333 N=1.69 TT=7.20n )\r
9697 ===============================================================================================\r
9698 \r
9699 *SRC=SBG3060CT;DI_SBG3060CT;Diodes;Si;  60.0V  30.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
9700 .MODEL DI_SBG3060CT D  ( IS=319u RS=3.50m BV=60.0 IBV=1.00m\r
9701 + CJO=796p  M=0.333 N=1.69 TT=7.20n )\r
9702 ===============================================================================================\r
9703 \r
9704 *SRC=SBM1040;DI_SBM1040;Diodes;Si;  40.0V  10.0A  10.0ns   Diodes Inc Schottky Rectifier \r
9705 .MODEL DI_SBM1040 D  ( IS=63.8u RS=4.18m BV=40.0 IBV=300u \r
9706 + CJO=2.39n  M=0.333 N=1.36 TT=14.4n )\r
9707 \r
9708 *SRC=SBM1040CT;DI_SBM1040CT;Diodes;Si;  40.0V  5.00A  3.00us   Diodes Inc. Schottky, dual, per node\r
9709 .MODEL DI_SBM1040CT D  ( IS=2.88u RS=8.40m BV=40.0 IBV=150u\r
9710 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.03 TT=4.32u )\r
9711 \r
9712 *SRC=SBM340;DI_SBM340;Diodes;Si;  40.0V  3.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
9713 .MODEL DI_SBM340 D  ( IS=2.98n RS=19.4m BV=40.0 IBV=500u \r
9714 + CJO=333p  M=0.333 N=0.700 TT=14.4n )\r
9715 \r
9716 *SRC=SBM540;DI_SBM540;Diodes;Si;  40.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky \r
9717 .MODEL DI_SBM540 D  ( IS=19.7u RS=8.40m BV=40.0 IBV=500u \r
9718 + CJO=557p  M=0.333 N=1.28 TT=14.4n )\r
9719 \r
9720 *SRC=SK32;DI_SK32;Diodes;Si;  20.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9721 .MODEL DI_SK32 D  ( IS=50.5n RS=23.8m BV=20.0 IBV=500u\r
9722 + CJO=555p  M=0.333 N=0.700 TT=7.20n )\r
9723 \r
9724 *SRC=SK33;DI_SK33;Diodes;Si;  30.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9725 .MODEL DI_SK33 D  ( IS=50.5n RS=23.8m BV=30.0 IBV=500u\r
9726 + CJO=555p  M=0.333 N=0.700 TT=7.20n )\r
9727 \r
9728 *SRC=SK34;DI_SK34;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9729 .MODEL DI_SK34 D  ( IS=50.5n RS=23.8m BV=50.0 IBV=500u\r
9730 + CJO=555p  M=0.333 N=0.700 TT=7.20n )\r
9731 \r
9732 *SRC=SK35;DI_SK35;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9733 .MODEL DI_SK35 D  ( IS=234u RS=24.0m BV=50.0 IBV=500u\r
9734 + CJO=555p  M=0.333 N=1.90 TT=7.20n )\r
9735 \r
9736 *SRC=SK36;DI_SK36;Diodes;Si;  60.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
9737 .MODEL DI_SK36 D  ( IS=234u RS=24.0m BV=60.0 IBV=500u\r
9738 + CJO=555p  M=0.333 N=1.90 TT=7.20n )\r
9739 \r
9740 *SRC=1N4001;DI_1N4001;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
9741 .MODEL DI_1N4001 D  ( IS=76.9p RS=42.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9742 + CJO=39.8p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u )\r
9743 \r
9744 ***************************************************************************************************************************************\r
9745 *SRC=1N4001G;DI_1N4001G;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9746 .MODEL DI_1N4001G D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9747 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9748 ***************************************************************************************************************************************\r
9749 \r
9750 **************************************************************************************************************************************\r
9751 *SRC=1N4001GL;DI_1N4001GL;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9752 .MODEL DI_1N4001GL D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9753 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9754 ***************************************************************************************************************************************\r
9755 \r
9756 *SRC=1N4002;DI_1N4002;Diodes;Si;  100V  1.00A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
9757 .MODEL DI_1N4002 D  ( IS=76.9p RS=42.0m BV=100 IBV=5.00u\r
9758 + CJO=39.8p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u )\r
9759 \r
9760 ***************************************************************************************************************************************\r
9761 *SRC=1N4002G;DI_1N4002G;Diodes;Si;  100V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9762 .MODEL DI_1N4002G D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=100 IBV=5.00u\r
9763 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9764 ***************************************************************************************************************************************\r
9765 \r
9766 ***************************************************************************************************************************************\r
9767 *SRC=1N4002GL;DI_1N4002GL;Diodes;Si;  100V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9768 .MODEL DI_1N4002GL D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=100 IBV=5.00u\r
9769 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9770 ***************************************************************************************************************************************\r
9771 \r
9772 *SRC=1N4003;DI_1N4003;Diodes;Si;  200V  1.00A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
9773 .MODEL DI_1N4003 D  ( IS=76.9p RS=42.0m BV=200 IBV=5.00u\r
9774 + CJO=39.8p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u )\r
9775 \r
9776 ***************************************************************************************************************************************\r
9777 *SRC=1N4003G;DI_1N4003G;Diodes;Si;  200V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9778 .MODEL DI_1N4003G D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=200 IBV=5.00u\r
9779 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9780 ***************************************************************************************************************************************\r
9781 \r
9782 ***************************************************************************************************************************************\r
9783 *SRC=1N4003GL;DI_1N4003GL;Diodes;Si;  200V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9784 .MODEL DI_1N4003GL D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=200 IBV=5.00u\r
9785 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9786 ***************************************************************************************************************************************\r
9787 \r
9788 *SRC=1N4004;DI_1N4004;Diodes;Si;  400V  1.00A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
9789 .MODEL DI_1N4004 D  ( IS=76.9p RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u\r
9790 + CJO=39.8p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u )\r
9791 \r
9792 ***************************************************************************************************************************************\r
9793 *SRC=1N4004G;DI_1N4004G;Diodes;Si;  400V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9794 .MODEL DI_1N4004G D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=400 IBV=5.00u\r
9795 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9796 ***************************************************************************************************************************************\r
9797 \r
9798 ***************************************************************************************************************************************\r
9799 *SRC=1N4004GL;DI_1N4004GL;Diodes;Si;  400V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9800 .MODEL DI_1N4004GL D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=400 IBV=5.00u\r
9801 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9802 ***************************************************************************************************************************************\r
9803 \r
9804 *SRC=1N4005;DI_1N4005;Diodes;Si;  600V  1.00A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
9805 .MODEL DI_1N4005 D  ( IS=76.9p RS=42.0m BV=600 IBV=5.00u\r
9806 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u )\r
9807 \r
9808 ***************************************************************************************************************************************\r
9809 *SRC=1N4005G;DI_1N4005G;Diodes;Si;  600V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9810 .MODEL DI_1N4005G D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=600 IBV=5.00u\r
9811 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9812 ***************************************************************************************************************************************\r
9813 \r
9814 ***************************************************************************************************************************************\r
9815 *SRC=1N4005GL;DI_1N4005GL;Diodes;Si;  600V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9816 .MODEL DI_1N4005GL D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=600 IBV=5.00u\r
9817 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9818 ***************************************************************************************************************************************\r
9819 \r
9820 *SRC=1N4006;DI_1N4006;Diodes;Si;  800V  1.00A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
9821 .MODEL DI_1N4006 D  ( IS=76.9p RS=42.0m BV=800 IBV=5.00u\r
9822 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u )\r
9823 \r
9824 ***************************************************************************************************************************************\r
9825 *SRC=1N4006G;DI_1N4006G;Diodes;Si;  800V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9826 .MODEL DI_1N4006G D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=800 IBV=5.00u\r
9827 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9828 ***************************************************************************************************************************************\r
9829 \r
9830 ***************************************************************************************************************************************\r
9831 *SRC=1N4006GL;DI_1N4006GL;Diodes;Si;  800V  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9832 .MODEL DI_1N4006GL D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=800 IBV=5.00u\r
9833 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9834 ***************************************************************************************************************************************\r
9835 \r
9836 *SRC=1N4007;DI_1N4007;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  3.00us   Diodes, Inc. diode\r
9837 .MODEL DI_1N4007 D  ( IS=76.9p RS=42.0m BV=1.00k IBV=5.00u\r
9838 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.45 TT=4.32u )\r
9839 \r
9840 ***************************************************************************************************************************************\r
9841 *SRC=1N4007G;DI_1N4007G;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9842 .MODEL DI_1N4007G D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=1.00k IBV=5.00u\r
9843 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9844 **************************************************************************************************************************************\r
9845 \r
9846 ***************************************************************************************************************************************\r
9847 *SRC=1N4007GL;DI_1N4007GL;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  2.00us   Diodes Inc. Glass Passivated Rectifier\r
9848 .MODEL DI_1N4007GL D  ( IS=65.4p RS=42.2m BV=1.00k IBV=5.00u\r
9849 + CJO=14.8p  M=0.333 N=1.36 TT=2.88u )\r
9850 **************************************************************************************************************************************\r
9851 \r
9852 *SRC=1N5400;DI_1N5400;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Standard Rectifier \r
9853 .MODEL DI_1N5400 D  ( IS=63.0n RS=14.1m BV=50.0 IBV=10.0u \r
9854 + CJO=125p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9855 \r
9856 *SRC=1N5401;DI_1N5401;Diodes;Si;  100V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Standard Rectifier \r
9857 .MODEL DI_1N5401 D  ( IS=63.0n RS=14.1m BV=100 IBV=10.0u \r
9858 + CJO=125p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9859 \r
9860 *SRC=1N5402;DI_1N5402;Diodes;Si;  200V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Standard Rectifier \r
9861 .MODEL DI_1N5402 D  ( IS=63.0n RS=14.1m BV=200 IBV=10.0u \r
9862 + CJO=125p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9863 \r
9864 *SRC=1N5404;DI_1N5404;Diodes;Si;  400V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Standard Rectifier \r
9865 .MODEL DI_1N5404 D  ( IS=63.0n RS=14.1m BV=400 IBV=10.0u \r
9866 + CJO=125p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9867 \r
9868 *SRC=1N5406;DI_1N5406;Diodes;Si;  600V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Standard Rectifier \r
9869 .MODEL DI_1N5406 D  ( IS=63.0n RS=14.1m BV=600 IBV=10.0u \r
9870 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9871 \r
9872 *SRC=1N5407;DI_1N5407;Diodes;Si;  800V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Standard Rectifier \r
9873 .MODEL DI_1N5407 D  ( IS=63.0n RS=14.1m BV=800 IBV=10.0u \r
9874 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9875 \r
9876 *SRC=1N5408;DI_1N5408;Diodes;Si;  1.00kV  3.00A  3.00us   Diodes Inc. Standard Rectifier \r
9877 .MODEL DI_1N5408 D  ( IS=63.0n RS=14.1m BV=1.00k IBV=10.0u \r
9878 + CJO=53.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
9879 \r
9880 *SRC=6A05;DI_6A05;Diodes;Si;  50.0V  6.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
9881 .MODEL DI_6A05 D  ( IS=52.4n RS=7.00m BV=50.0 IBV=10.0u\r
9882 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
9883 \r
9884 *SRC=6A1;DI_6A1;Diodes;Si;  100V  6.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
9885 .MODEL DI_6A1 D  ( IS=52.4n RS=7.00m BV=100 IBV=10.0u\r
9886 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
9887 \r
9888 *SRC=6A10;DI_6A10;Diodes;Si;  1.00kV  6.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
9889 .MODEL DI_6A10 D  ( IS=52.4n RS=7.00m BV=1.00k IBV=10.0u\r
9890 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
9891 \r
9892 *SRC=6A2;DI_6A2;Diodes;Si;  200V  6.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
9893 .MODEL DI_6A2 D  ( IS=52.4n RS=7.00m BV=200 IBV=10.0u\r
9894 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
9895 \r
9896 *SRC=6A4;DI_6A4;Diodes;Si;  400V  6.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
9897 .MODEL DI_6A4 D  ( IS=52.4n RS=7.00m BV=400 IBV=10.0u\r
9898 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
9899 \r
9900 *SRC=6A6;DI_6A6;Diodes;Si;  600V  6.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
9901 .MODEL DI_6A6 D  ( IS=52.4n RS=7.00m BV=600 IBV=10.0u\r
9902 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
9903 \r
9904 *SRC=6A8;DI_6A8;Diodes;Si;  800V  6.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
9905 .MODEL DI_6A8 D  ( IS=52.4n RS=7.00m BV=800 IBV=10.0u\r
9906 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
9907 \r
9908 *SRC=S1A;DI_S1A;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9909 .MODEL DI_S1A D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9910 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9911 \r
9912 *SRC=S1AB;DI_S1AB;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9913 .MODEL DI_S1AB D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9914 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9915 \r
9916 *SRC=S1B;DI_S1B;Diodes;Si;  100V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9917 .MODEL DI_S1B D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=100 IBV=5.00u\r
9918 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9919 \r
9920 *SRC=S1BB;DI_S1BB;Diodes;Si;  100V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9921 .MODEL DI_S1BB D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=100 IBV=5.00u\r
9922 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9923 \r
9924 *SRC=S1D;DI_S1D;Diodes;Si;  200V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9925 .MODEL DI_S1D D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=200 IBV=5.00u\r
9926 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9927 \r
9928 *SRC=S1DB;DI_S1DB;Diodes;Si;  200V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9929 .MODEL DI_S1DB D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=200 IBV=5.00u\r
9930 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9931 \r
9932 *SRC=S1G;DI_S1G;Diodes;Si;  400V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9933 .MODEL DI_S1G D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u\r
9934 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9935 \r
9936 *SRC=S1GB;DI_S1GB;Diodes;Si;  400V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9937 .MODEL DI_S1GB D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u\r
9938 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9939 \r
9940 *SRC=S1J;DI_S1J;Diodes;Si;  600V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9941 .MODEL DI_S1J D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=600 IBV=5.00u\r
9942 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9943 \r
9944 *SRC=S1JB;DI_S1JB;Diodes;Si;  600V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9945 .MODEL DI_S1JB D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=600 IBV=5.00u\r
9946 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9947 \r
9948 *SRC=S1K;DI_S1K;Diodes;Si;  800V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9949 .MODEL DI_S1K D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=800 IBV=5.00u\r
9950 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9951 \r
9952 *SRC=S1KB;DI_S1KB;Diodes;Si;  800V  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9953 .MODEL DI_S1KB D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=800 IBV=5.00u\r
9954 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9955 \r
9956 *SRC=S1M;DI_S1M;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9957 .MODEL DI_S1M D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=1.00k IBV=5.00u\r
9958 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9959 \r
9960 *SRC=S1MB;DI_S1MB;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  3.00us   Diodes Inc. Rectifier\r
9961 .MODEL DI_S1MB D  ( IS=7.31e-018 RS=42.0m BV=1.00k IBV=5.00u\r
9962 + CJO=42.4p  M=0.333 N=0.775 TT=4.32u )\r
9963 \r
9964 *SRC=S2A;DI_S2A;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9965 .MODEL DI_S2A D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9966 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9967 \r
9968 *SRC=S2AA;DI_S2AA;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9969 .MODEL DI_S2AA D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=50.0 IBV=5.00u\r
9970 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9971 \r
9972 *SRC=S2B;DI_S2B;Diodes;Si;  100V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9973 .MODEL DI_S2B D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=100 IBV=5.00u\r
9974 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9975 \r
9976 *SRC=S2BA;DI_S2BA;Diodes;Si;  100V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9977 .MODEL DI_S2BA D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=100 IBV=5.00u\r
9978 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9979 \r
9980 *SRC=S2D;DI_S2D;Diodes;Si;  200V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9981 .MODEL DI_S2D D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=200 IBV=5.00u\r
9982 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9983 \r
9984 *SRC=S2DA;DI_S2DA;Diodes;Si;  200V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9985 .MODEL DI_S2DA D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=200 IBV=5.00u\r
9986 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9987 \r
9988 *SRC=S2G;DI_S2G;Diodes;Si;  400V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9989 .MODEL DI_S2G D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=400 IBV=5.00u\r
9990 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9991 \r
9992 *SRC=S2GA;DI_S2GA;Diodes;Si;  400V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9993 .MODEL DI_S2GA D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=400 IBV=5.00u\r
9994 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9995 \r
9996 *SRC=S2J;DI_S2J;Diodes;Si;  600V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
9997 .MODEL DI_S2J D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=600 IBV=5.00u\r
9998 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
9999 \r
10000 *SRC=S2JA;DI_S2JA;Diodes;Si;  600V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
10001 .MODEL DI_S2JA D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=600 IBV=5.00u\r
10002 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
10003 \r
10004 *SRC=S2K;DI_S2K;Diodes;Si;  800V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
10005 .MODEL DI_S2K D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=800 IBV=5.00u\r
10006 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
10007 \r
10008 *SRC=S2KA;DI_S2KA;Diodes;Si;  800V  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
10009 .MODEL DI_S2KA D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=800 IBV=5.00u\r
10010 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
10011 \r
10012 *SRC=S2M;DI_S2M;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
10013 .MODEL DI_S2M D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10014 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
10015 \r
10016 *SRC=S2MA;DI_S2MA;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  3.00us   Diodes Inc. \r
10017 .MODEL DI_S2MA D  ( IS=1.30u RS=8.92m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10018 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.58 TT=4.32u )\r
10019 \r
10020 *SRC=S3A;DI_S3A;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10021 .MODEL DI_S3A D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=50.0 IBV=10.0u\r
10022 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10023 \r
10024 *SRC=S3A;DI_S3A;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10025 .MODEL DI_S3A D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=50.0 IBV=10.0u\r
10026 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10027 \r
10028 *SRC=S3BB;S3BB;Diodes;Si;  100V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10029 .MODEL S3BB D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=100 IBV=10.0u\r
10030 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10031 \r
10032 *SRC=S3BB;S3BB;Diodes;Si;  100V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10033 .MODEL S3BB D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=100 IBV=10.0u\r
10034 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10035 \r
10036 *SRC=S3D;DI_S3D;Diodes;Si;  200V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10037 .MODEL DI_S3D D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=200 IBV=10.0u\r
10038 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10039 \r
10040 *SRC=S3DB;DI_S3DB;Diodes;Si;  200V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10041 .MODEL DI_S3DB D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=200 IBV=10.0u\r
10042 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10043 \r
10044 *SRC=S3GB;DI_S3GB;Diodes;Si;  400V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10045 .MODEL DI_S3GB D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=400 IBV=10.0u\r
10046 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10047 \r
10048 *SRC=S3GB;DI_S3GB;Diodes;Si;  400V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10049 .MODEL DI_S3GB D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=400 IBV=10.0u\r
10050 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10051 \r
10052 *SRC=S3K;DI_S3K;Diodes;Si;  800V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10053 .MODEL DI_S3K D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=800 IBV=10.0u\r
10054 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10055 \r
10056 *SRC=S3K;DI_S3K;Diodes;Si;  800V  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10057 .MODEL DI_S3K D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=800 IBV=10.0u\r
10058 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10059 \r
10060 *SRC=S3M;DI_S3M;Diodes;Si;  1.00kV  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10061 .MODEL DI_S3M D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=1.00k IBV=10.0u\r
10062 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10063 \r
10064 *SRC=S3M;DI_S3M;Diodes;Si;  1.00kV  3.00A  3.00us   Diodes Inc. -\r
10065 .MODEL DI_S3M D  ( IS=1.37n RS=14.0m BV=1.00k IBV=10.0u\r
10066 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=4.32u )\r
10067 \r
10068 *SRC=S5AC;DI_S5AC;Diodes;Si;  50.0V  5.00A  2.00us   Diodes Inc. -\r
10069 .MODEL DI_S5AC D  ( IS=2.28n RS=8.40m BV=50.0 IBV=10.0u\r
10070 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
10071 \r
10072 *SRC=S5BC;DI_S5BC;Diodes;Si;  100V  5.00A  2.00us   Diodes Inc. -\r
10073 .MODEL DI_S5BC D  ( IS=2.28n RS=8.40m BV=100 IBV=10.0u\r
10074 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
10075 \r
10076 *SRC=S5DC;DI_S5DC;Diodes;Si;  200V  5.00A  2.00us   Diodes Inc. -\r
10077 .MODEL DI_S5DC D  ( IS=2.28n RS=8.40m BV=200 IBV=10.0u\r
10078 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
10079 \r
10080 *SRC=S5GC;DI_S5GC;Diodes;Si;  400V  5.00A  2.00us   Diodes Inc. \r
10081 .MODEL DI_S5GC D  ( IS=2.28n RS=8.40m BV=400 IBV=10.0u\r
10082 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
10083 \r
10084 *SRC=S5JC;DI_S5JC;Diodes;Si;  600V  5.00A  2.00us   Diodes Inc. -\r
10085 .MODEL DI_S5JC D  ( IS=2.28n RS=8.40m BV=600 IBV=10.0u\r
10086 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
10087 \r
10088 *SRC=S5KC;DI_S5KC;Diodes;Si;  800V  5.00A  2.00us   Diodes Inc. -\r
10089 .MODEL DI_S5KC D  ( IS=2.28n RS=8.40m BV=800 IBV=10.0u\r
10090 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
10091 \r
10092 *SRC=S5MC;DI_S5MC;Diodes;Si;  1.00kV  5.00A  2.00us   Diodes Inc. -\r
10093 .MODEL DI_S5MC D  ( IS=2.28n RS=8.40m BV=1.00k IBV=10.0u\r
10094 + CJO=74.0p  M=0.333 N=1.70 TT=2.88u )\r
10095 \r
10096 *SRC=1N4933;DI_1N4933;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast\r
10097 Rectifier\r
10098 .MODEL DI_1N4933 D  ( IS=830n RS=34.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10099 + CJO=26.5p  M=0.333 N=2.46 TT=288n )\r
10100 \r
10101 *SRC=1N4934;DI_1N4934;Diodes;Si;  100V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast\r
10102 Rectifier\r
10103 .MODEL DI_1N4934 D  ( IS=830n RS=34.0m BV=100 IBV=5.00u\r
10104 + CJO=26.5p  M=0.333 N=2.46 TT=288n )\r
10105 \r
10106 *SRC=1N4935;DI_1N4935;Diodes;Si;  200V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast\r
10107 Rectifier\r
10108 .MODEL DI_1N4935 D  ( IS=830n RS=34.0m BV=200 IBV=5.00u\r
10109 + CJO=26.5p  M=0.333 N=2.46 TT=288n )\r
10110 \r
10111 *SRC=1N4936;DI_1N4936;Diodes;Si;  400V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast\r
10112 Rectifier\r
10113 .MODEL DI_1N4936 D  ( IS=830n RS=34.0m BV=400 IBV=5.00u\r
10114 + CJO=26.5p  M=0.333 N=2.46 TT=288n )\r
10115 \r
10116 *SRC=1N4937;DI_1N4937;Diodes;Si;  600V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast\r
10117 Rectifier\r
10118 .MODEL DI_1N4937 D  ( IS=830n RS=34.0m BV=600 IBV=5.00u\r
10119 + CJO=26.5p  M=0.333 N=2.46 TT=288n )\r
10120 \r
10121 *SRC=DL4933;DI_DL4933;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast Recovery Rectifier \r
10122 .MODEL DI_DL4933 D  ( IS=4.25n RS=25.0m BV=50.0 IBV=100u \r
10123 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.70 TT=288n )\r
10124 \r
10125 *SRC=DL4934;DI_DL4934;Diodes;Si;  100V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast Recovery Rectifier \r
10126 .MODEL DI_DL4934 D  ( IS=4.25n RS=25.0m BV=100 IBV=100u \r
10127 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.70 TT=288n )\r
10128 \r
10129 *SRC=DL4935;DI_DL4935;Diodes;Si;  200V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast Recovery Rectifier \r
10130 .MODEL DI_DL4935 D  ( IS=4.25n RS=25.0m BV=200 IBV=100u \r
10131 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.70 TT=288n )\r
10132 \r
10133 *SRC=DL4936;DI_DL4936;Diodes;Si;  400V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast Recovery Rectifier \r
10134 .MODEL DI_DL4936 D  ( IS=4.25n RS=25.0m BV=400 IBV=100u \r
10135 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.70 TT=288n )\r
10136 \r
10137 *SRC=DL4937;DI_DL4937;Diodes;Si;  600V  1.00A  200ns   Diodes Inc. Fast Recovery Rectifier \r
10138 .MODEL DI_DL4937 D  ( IS=4.25n RS=25.0m BV=600 IBV=100u \r
10139 + CJO=26.5p  M=0.333 N=1.70 TT=288n )\r
10140 \r
10141 *SRC=ES1A;DI_ES1A;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  20.0ns   Diodes Inc. \r
10142 .MODEL DI_ES1A D  ( IS=123n RS=42.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10143 + CJO=18.5p  M=0.333 N=2.12 TT=28.8n )\r
10144 \r
10145 *SRC=ES1B;DI_ES1B;Diodes;Si;  100V  1.00A  20.0ns   Diodes Inc. \r
10146 .MODEL DI_ES1B D  ( IS=123n RS=42.0m BV=100 IBV=5.00u\r
10147 + CJO=18.5p  M=0.333 N=2.12 TT=28.8n )\r
10148 \r
10149 *SRC=ES1C;DI_ES1C;Diodes;Si;  150V  1.00A  20.0ns   Diodes Inc. \r
10150 .MODEL DI_ES1C D  ( IS=123n RS=42.0m BV=150 IBV=5.00u\r
10151 + CJO=18.5p  M=0.333 N=2.12 TT=28.8n )\r
10152 \r
10153 *SRC=ES1D;DI_ES1D;Diodes;Si;  200V  1.00A  20.0ns   Diodes Inc. \r
10154 .MODEL DI_ES1D D  ( IS=123n RS=42.0m BV=200 IBV=5.00u\r
10155 + CJO=18.5p  M=0.333 N=2.12 TT=28.8n )\r
10156 \r
10157 *SRC=ES1G;DI_ES1G;Diodes;Si;  400V  1.00A  20.0ns   Diodes Inc. \r
10158 .MODEL DI_ES1G D  ( IS=373n RS=64.3m BV=400 IBV=5.00u\r
10159 + CJO=18.5p  M=0.333 N=2.84 TT=28.8n )\r
10160 \r
10161 *SRC=ES2A;DI_ES2A;Diodes;Si;  50.0V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10162 Rectifier\r
10163 .MODEL DI_ES2A D  ( IS=267n RS=21.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10164 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10165 \r
10166 *****************************************************************************************\r
10167 *SRC=ES2AA;DI_ES2AA;Diodes;Si;  50.0V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10168 Rectifier\r
10169 .MODEL DI_ES2AA D  ( IS=267n RS=21.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10170 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10171 ****************************************************************************************\r
10172 \r
10173 *SRC=ES2B;DI_ES2B;Diodes;Si;  100V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10174 Rectifier\r
10175 .MODEL DI_ES2B D  ( IS=267n RS=21.0m BV=100 IBV=5.00u\r
10176 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10177 \r
10178 ****************************************************************************************\r
10179 SRC=ES2BA;DI_ES2BA;Diodes;Si;  100V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10180 Rectifier\r
10181 .MODEL DI_ES2BA D  ( IS=267n RS=21.0m BV=100 IBV=5.00u\r
10182 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10183 ***************************************************************************************\r
10184 \r
10185 *SRC=ES2C;DI_ES2C;Diodes;Si;  150V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10186 Rectifier\r
10187 .MODEL DI_ES2C D  ( IS=267n RS=21.0m BV=150 IBV=5.00u\r
10188 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10189 \r
10190 ***************************************************************************************\r
10191 *SRC=ES2CA;DI_ES2CA;Diodes;Si;  150V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10192 Rectifier\r
10193 .MODEL DI_ES2CA D  ( IS=267n RS=21.0m BV=150 IBV=5.00u\r
10194 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10195 *****************************************************************************************\r
10196 \r
10197 *SRC=ES2D;DI_ES2D;Diodes;Si;  200V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10198 Rectifier\r
10199 .MODEL DI_ES2D D  ( IS=267n RS=21.0m BV=200 IBV=5.00u\r
10200 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10201 \r
10202 *****************************************************************************************\r
10203 *SRC=ES2DA;DI_ES2DA;Diodes;Si;  200V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10204 Rectifier\r
10205 .MODEL DI_ES2DA D  ( IS=267n RS=21.0m BV=200 IBV=5.00u\r
10206 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.70 TT=36.0n )\r
10207 *****************************************************************************************\r
10208 \r
10209 *SRC=ES2G;DI_ES2G;Diodes;Si;  400V  2.00A  25.0ns   Diodes Inc. Fast\r
10210 Rectifier\r
10211 .MODEL DI_ES2G D  ( IS=3.92n RS=21.0m BV=400 IBV=5.00u\r
10212 + CJO=83.5p  M=0.333 N=1.95 TT=36.0n )\r
10213 \r
10214 *SRC=ES3A;DI_ES3A;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10215 .MODEL DI_ES3A D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=50.0 IBV=10.0u\r
10216 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10217 \r
10218 *SRC=ES3AB;DI_ES3AB;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10219 .MODEL DI_ES3AB D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=50.0 IBV=10.0u\r
10220 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10221 \r
10222 *SRC=ES3B;DI_ES3B;Diodes;Si;  100V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10223 .MODEL DI_ES3B D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=100 IBV=10.0u\r
10224 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10225 \r
10226 *SRC=ES3BB;DI_ES3BB;Diodes;Si;  100V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10227 .MODEL DI_ES3BB D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=100 IBV=10.0u\r
10228 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10229 \r
10230 *SRC=ES3C;DI_ES3C;Diodes;Si;  150V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10231 .MODEL DI_ES3C D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=150 IBV=10.0u\r
10232 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10233 \r
10234 *SRC=ES3CB;DI_ES3CB;Diodes;Si;  150V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10235 .MODEL DI_ES3CB D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=150 IBV=10.0u\r
10236 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10237 \r
10238 *SRC=ES3D;DI_ES3D;Diodes;Si;  200V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10239 .MODEL DI_ES3D D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=200 IBV=10.0u\r
10240 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10241 \r
10242 *SRC=ES3DB;DI_ES3DB;Diodes;Si;  200V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. \r
10243 .MODEL DI_ES3DB D  ( IS=7.27p RS=22.4m BV=200 IBV=10.0u\r
10244 + CJO=83.2p  M=0.333 N=0.700 TT=36.0n )\r
10245 \r
10246 *SRC=MURB1610CT;DI_MURB1610CT;Diodes;Si;  100V  16.0A  25.0ns   Diodes Inc.\r
10247 Fast Rectifier -- for one element\r
10248 .MODEL DI_MURB1610CT D  ( IS=3.19n RS=3.67m BV=100 IBV=5.00u\r
10249 + CJO=225p  M=0.333 N=1.59 TT=36.0n )\r
10250 \r
10251 *SRC=MURB1620CT;DI_MURB1620CT;Diodes;Si;  200V  16.0A  25.0ns   Diodes Inc.\r
10252 Fast Rectifier -- for one element\r
10253 .MODEL DI_MURB1620CT D  ( IS=3.19n RS=3.67m BV=200 IBV=5.00u\r
10254 + CJO=225p  M=0.333 N=1.59 TT=36.0n )\r
10255 \r
10256 *SRC=MURS120;DI_MURS120;Diodes;Si;  200V  1.00A  25.0ns   Diodes Inc. Super Fast Rectifier\r
10257 .MODEL DI_MURS120 D  ( IS=17.1n RS=20.6m BV=200 IBV=2.00u\r
10258 + CJO=60.0p  M=0.333 N=1.73 TT=36.0n )\r
10259 ************************************************************************************************************************************\r
10260 \r
10261 *SRC=MURS140;DI_MURS140;Diodes;Si;  400V  1.00A  50.0ns   Diodes Inc. Super Fast Rectifier\r
10262 .MODEL DI_MURS140 D  ( IS=17.1n RS=20.6m BV=400 IBV=2.00u\r
10263 + CJO=45.0p  M=0.333 N=1.73 TT=72.0n )\r
10264 ***********************************************************************************************************************************\r
10265 \r
10266 *SRC=MURS160;DI_MURS160;Diodes;Si;  600V  1.00A  50.0ns   Diodes Inc. Super Fast Rectifier\r
10267 .MODEL DI_MURS160 D  ( IS=17.1n RS=20.6m BV=600 IBV=2.00u\r
10268 + CJO=45.0p  M=0.333 N=1.73 TT=72.0n )\r
10269 ***********************************************************************************************************************************\r
10270 \r
10271 *SRC=MURS320;DI_MURS320;Diodes;Si;  200V  3.00A  25.0ns   Diodes Inc. Super Fast Rectifier\r
10272 .MODEL DI_MURS320 D  ( IS=11.8n RS=7.89m BV=200 IBV=5.00u\r
10273 + CJO=45.0p  M=0.333 N=1.56 TT=36.0n )\r
10274 ***********************************************************************************************************************************\r
10275 \r
10276 *SRC=PR1001G;DI_PR1001G;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast\r
10277 Rectifier\r
10278 .MODEL DI_PR1001G D  ( IS=5.00n RS=29.8m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10279 + CJO=27.8p  M=0.333 N=1.72 TT=216n )\r
10280 \r
10281 *SRC=PR1002G;DI_PR1002G;Diodes;Si;  100V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast\r
10282 Rectifier\r
10283 .MODEL DI_PR1002G D  ( IS=5.00n RS=29.8m BV=100 IBV=5.00u\r
10284 + CJO=27.8p  M=0.333 N=1.72 TT=216n )\r
10285 \r
10286 *SRC=PR1003G;DI_PR1003G;Diodes;Si;  200V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast\r
10287 Rectifier\r
10288 .MODEL DI_PR1003G D  ( IS=5.00n RS=29.8m BV=200 IBV=5.00u\r
10289 + CJO=27.8p  M=0.333 N=1.72 TT=216n )\r
10290 \r
10291 *SRC=PR1004G;DI_PR1004G;Diodes;Si;  400V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast\r
10292 Rectifier\r
10293 .MODEL DI_PR1004G D  ( IS=5.00n RS=29.8m BV=400 IBV=5.00u\r
10294 + CJO=27.8p  M=0.333 N=1.72 TT=216n )\r
10295 \r
10296 *SRC=PR1005G;DI_PR1005G;Diodes;Si;  600V  1.00A  250ns   Diodes Inc. Fast\r
10297 Rectifier\r
10298 .MODEL DI_PR1005G D  ( IS=5.00n RS=29.8m BV=600 IBV=5.00u\r
10299 + CJO=19.9p  M=0.333 N=1.72 TT=360n )\r
10300 \r
10301 *SRC=PR1006G;DI_PR1006G;Diodes;Si;  800V  1.00A  500ns   Diodes Inc. Fast\r
10302 Rectifier\r
10303 .MODEL DI_PR1006G D  ( IS=5.00n RS=29.8m BV=800 IBV=5.00u\r
10304 + CJO=19.9p  M=0.333 N=1.72 TT=720n )\r
10305 \r
10306 *SRC=PR1007G;DI_PR1007G;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  500ns   Diodes Inc. Fast\r
10307 Rectifier\r
10308 .MODEL DI_PR1007G D  ( IS=5.00n RS=29.8m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10309 + CJO=19.9p  M=0.333 N=1.72 TT=720n )\r
10310 \r
10311 *SRC=PR6001;DI_PR6001;Diodes;Si;  50.0V  6.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier \r
10312 .MODEL DI_PR6001 D  ( IS=863n RS=12.6m BV=50.0 IBV=10.0u \r
10313 + CJO=663p  M=0.333 N=1.70 TT=216n )\r
10314 \r
10315 *SRC=RS1A;DI_RS1A;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10316 .MODEL DI_RS1A D  ( IS=948n RS=81.3m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10317 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10318 *************************************************************************************************************************************\r
10319 \r
10320 *SRC=RS1AB;DI_RS1AB;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10321 .MODEL DI_RS1AB D  ( IS=948n RS=81.3m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10322 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10323 *************************************************************************************************************************************\r
10324 \r
10325 *SRC=RS1B;DI_RS1B;Diodes;Si;  100V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10326 .MODEL DI_RS1B D  ( IS=948n RS=81.3m BV=100 IBV=5.00u\r
10327 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10328 **************************************************************************************************************************************\r
10329 \r
10330 *SRC=RS1BB;DI_RS1BB;Diodes;Si;  100V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10331 .MODEL DI_RS1BB D  ( IS=948n RS=81.3m BV=100 IBV=5.00u\r
10332 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10333 **************************************************************************************************************************************\r
10334 \r
10335 *SRC=RS1D;DI_RS1D;Diodes;Si;  200V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10336 .MODEL DI_RS1D D  ( IS=948n RS=81.3m BV=200 IBV=5.00u\r
10337 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10338 **************************************************************************************************************************************\r
10339 \r
10340 *SRC=RS1DB;DI_RS1DB;Diodes;Si;  200V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10341 .MODEL DI_RS1DB D  ( IS=948n RS=81.3m BV=200 IBV=5.00u\r
10342 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10343 **************************************************************************************************************************************\r
10344 \r
10345 *SRC=RS1G;DI_RS1G;Diodes;Si;  400V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10346 .MODEL DI_RS1G D  ( IS=948n RS=81.3m BV=400 IBV=5.00u\r
10347 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10348 **************************************************************************************************************************************\r
10349 \r
10350 *SRC=RS1GB;DI_RS1GB;Diodes;Si;  400V  1.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10351 .MODEL DI_RS1GB D  ( IS=948n RS=81.3m BV=400 IBV=5.00u\r
10352 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=216n )\r
10353 **************************************************************************************************************************************\r
10354 \r
10355 *SRC=RS1J;DI_RS1J;Diodes;Si;  600V  1.00A  250ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10356 .MODEL DI_RS1J D  ( IS=948n RS=81.3m BV=600 IBV=5.00u\r
10357 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=360n )\r
10358 **************************************************************************************************************************************\r
10359 \r
10360 *SRC=RS1JB;DI_RS1JB;Diodes;Si;  600V  1.00A  250ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10361 .MODEL DI_RS1JB D  ( IS=948n RS=81.3m BV=600 IBV=5.00u\r
10362 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=360n )\r
10363 **************************************************************************************************************************************\r
10364 \r
10365 *SRC=RS1K;DI_RS1K;Diodes;Si;  800V  1.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10366 .MODEL DI_RS1K D  ( IS=948n RS=81.3m BV=800 IBV=5.00u\r
10367 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=720n )\r
10368 **************************************************************************************************************************************\r
10369 \r
10370 *SRC=RS1KB;DI_RS1KB;Diodes;Si;  800V  1.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10371 .MODEL DI_RS1KB D  ( IS=948n RS=81.3m BV=800 IBV=5.00u\r
10372 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=720n )\r
10373 **************************************************************************************************************************************\r
10374 \r
10375 *SRC=RS1M;DI_RS1M;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10376 .MODEL DI_RS1M D  ( IS=948n RS=81.3m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10377 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=720n )\r
10378 **************************************************************************************************************************************\r
10379 \r
10380 *SRC=RS1MB;DI_RS1MB;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10381 .MODEL DI_RS1MB D  ( IS=948n RS=81.3m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10382 + CJO=27.7p  M=0.333 N=2.48 TT=720n )\r
10383 **************************************************************************************************************************************\r
10384 \r
10385 *SRC=RS2A;DI_RS2A;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10386 .MODEL DI_RS2A D  ( IS=169u RS=4.81m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10387 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10388 ******************************************************************************************************\r
10389 \r
10390 *SRC=RS2AA;DI_RS2AA;Diodes;Si;  50.0V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10391 .MODEL DI_RS2AA D  ( IS=169u RS=4.81m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10392 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10393 ******************************************************************************************************\r
10394 \r
10395 *SRC=RS2B;DI_RS2B;Diodes;Si;  100V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10396 .MODEL DI_RS2B D  ( IS=169u RS=4.81m BV=100 IBV=5.00u\r
10397 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10398 ******************************************************************************************************\r
10399 \r
10400 *SRC=RS2BA;DI_RS2BA;Diodes;Si;  100V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10401 .MODEL DI_RS2BA D  ( IS=169u RS=4.81m BV=100 IBV=5.00u\r
10402 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10403 ******************************************************************************************************\r
10404 \r
10405 *SRC=RS2D;DI_RS2D;Diodes;Si;  200V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10406 .MODEL DI_RS2D D  ( IS=169u RS=4.81m BV=200 IBV=5.00u\r
10407 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10408 ******************************************************************************************************\r
10409 \r
10410 *SRC=RS2DA;DI_RS2DA;Diodes;Si;  200V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10411 .MODEL DI_RS2DA D  ( IS=169u RS=4.81m BV=200 IBV=5.00u\r
10412 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10413 ******************************************************************************************************\r
10414 \r
10415 *SRC=RS2G;DI_RS2G;Diodes;Si;  400V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10416 .MODEL DI_RS2G D  ( IS=169u RS=4.81m BV=400 IBV=5.00u\r
10417 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10418 ******************************************************************************************************\r
10419 \r
10420 *SRC=RS2GA;DI_RS2GA;Diodes;Si;  400V  1.50A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10421 .MODEL DI_RS2GA D  ( IS=169u RS=4.81m BV=400 IBV=5.00u\r
10422 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=216n )\r
10423 ******************************************************************************************************\r
10424 \r
10425 *SRC=RS2J;DI_RS2J;Diodes;Si;  600V  1.50A  250ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10426 .MODEL DI_RS2J D  ( IS=169u RS=4.81m BV=600 IBV=5.00u\r
10427 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=360n )\r
10428 ******************************************************************************************************\r
10429 \r
10430 *SRC=RS2JA;DI_RS2JA;Diodes;Si;  600V  1.50A  250ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10431 .MODEL DI_RS2JA D  ( IS=169u RS=4.81m BV=600 IBV=5.00u\r
10432 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=360n )\r
10433 ******************************************************************************************************\r
10434 \r
10435 *SRC=RS2K;DI_RS2K;Diodes;Si;  800V  1.50A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10436 .MODEL DI_RS2K D  ( IS=169u RS=4.81m BV=800 IBV=5.00u\r
10437 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=720n )\r
10438 ******************************************************************************************************\r
10439 \r
10440 *SRC=RS2KA;DI_RS2KA;Diodes;Si;  800V  1.50A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10441 .MODEL DI_RS2KA D  ( IS=169u RS=4.81m BV=800 IBV=5.00u\r
10442 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=720n )\r
10443 ******************************************************************************************************\r
10444 \r
10445 *SRC=RS2M;DI_RS2M;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10446 .MODEL DI_RS2M D  ( IS=169u RS=4.81m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10447 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=720n )\r
10448 ******************************************************************************************************\r
10449 \r
10450 *SRC=RS2MA;DI_RS2MA;Diodes;Si;  1.00kV  1.50A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10451 .MODEL DI_RS2MA D  ( IS=169u RS=4.81m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10452 + CJO=55.5p  M=0.333 N=6.02 TT=720n )\r
10453 ******************************************************************************************************\r
10454 \r
10455 *SRC=RS3A;DI_RS3A;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10456 .MODEL DI_RS3A D  ( IS=200n RS=25.4m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10457 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10458 **********************************************************************************************************\r
10459 \r
10460 *SRC=RS3AB;DI_RS3AB;Diodes;Si;  50.0V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10461 .MODEL DI_RS3AB D  ( IS=200n RS=25.4m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10462 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10463 **********************************************************************************************************\r
10464 \r
10465 *SRC=RS3B;DI_RS3B;Diodes;Si;  100V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10466 .MODEL DI_RS3B D  ( IS=200n RS=25.4m BV=100 IBV=5.00u\r
10467 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10468 **********************************************************************************************************\r
10469 \r
10470 *SRC=RS3BB;DI_RS3BB;Diodes;Si;  100V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10471 .MODEL DI_RS3BB D  ( IS=200n RS=25.4m BV=100 IBV=5.00u\r
10472 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10473 **********************************************************************************************************\r
10474 \r
10475 *SRC=RS3D;DI_RS3D;Diodes;Si;  200V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10476 .MODEL DI_RS3D D  ( IS=200n RS=25.4m BV=200 IBV=5.00u\r
10477 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10478 **********************************************************************************************************\r
10479 \r
10480 *SRC=RS3DB;DI_RS3DB;Diodes;Si;  200V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10481 .MODEL DI_RS3DB D  ( IS=200n RS=25.4m BV=200 IBV=5.00u\r
10482 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10483 **********************************************************************************************************\r
10484 \r
10485 *SRC=RS3G;DI_RS3G;Diodes;Si;  400V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10486 .MODEL DI_RS3G D  ( IS=200n RS=25.4m BV=400 IBV=5.00u\r
10487 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10488 **********************************************************************************************************\r
10489 \r
10490 *SRC=RS3GB;DI_RS3GB;Diodes;Si;  400V  3.00A  150ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10491 .MODEL DI_RS3GB D  ( IS=200n RS=25.4m BV=400 IBV=5.00u\r
10492 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=216n )\r
10493 **********************************************************************************************************\r
10494 \r
10495 *SRC=RS3J;DI_RS3J;Diodes;Si;  600V  3.00A  250ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10496 .MODEL DI_RS3J D  ( IS=200n RS=25.4m BV=600 IBV=5.00u\r
10497 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=360n )\r
10498 **********************************************************************************************************\r
10499 \r
10500 *SRC=RS3JB;DI_RS3JB;Diodes;Si;  600V  3.00A  250ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10501 .MODEL DI_RS3JB D  ( IS=200n RS=25.4m BV=600 IBV=5.00u\r
10502 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=360n )\r
10503 **********************************************************************************************************\r
10504 \r
10505 *SRC=RS3K;DI_RS3K;Diodes;Si;  800V  3.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10506 .MODEL DI_RS3K D  ( IS=200n RS=25.4m BV=800 IBV=5.00u\r
10507 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=720n )\r
10508 ***********************************************************************************************************\r
10509 \r
10510 *SRC=RS3KB;DI_RS3KB;Diodes;Si;  800V  3.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10511 .MODEL DI_RS3KB D  ( IS=200n RS=25.4m BV=800 IBV=5.00u\r
10512 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=720n )\r
10513 ***********************************************************************************************************\r
10514 \r
10515 *SRC=RS3M;DI_RS3M;Diodes;Si;  1.00kV  3.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10516 .MODEL DI_RS3M D  ( IS=200n RS=25.4m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10517 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=720n )\r
10518 ***********************************************************************************************************\r
10519 \r
10520 *SRC=RS3MB;DI_RS3MB;Diodes;Si;  1.00kV  3.00A  500ns   Diodes Inc. Fast Rectifier\r
10521 .MODEL DI_RS3MB D  ( IS=200n RS=25.4m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10522 + CJO=92.5p  M=0.333 N=2.23 TT=720n )\r
10523 ***********************************************************************************************************\r
10524 \r
10525 *SRC=SF10AG;DI_SF10AG;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  35.0ns   Diodes Inc. \r
10526 .MODEL DI_SF10AG D  ( IS=1.42n RS=42.0m BV=50.0 IBV=10.0u\r
10527 + CJO=139p  M=0.333 N=1.70 TT=50.4n )\r
10528 \r
10529 *SRC=SF10BG;DI_SF10BG;Diodes;Si;  100V  1.00A  35.0ns   Diodes Inc. \r
10530 .MODEL DI_SF10BG D  ( IS=1.42n RS=42.0m BV=100 IBV=10.0u\r
10531 + CJO=139p  M=0.333 N=1.70 TT=50.4n )\r
10532 \r
10533 *SRC=SF10CG;DI_SF10CG;Diodes;Si;  150V  1.00A  35.0ns   Diodes Inc. \r
10534 .MODEL DI_SF10CG D  ( IS=1.42n RS=42.0m BV=150 IBV=10.0u\r
10535 + CJO=139p  M=0.333 N=1.70 TT=50.4n )\r
10536 \r
10537 *SRC=SF10DG;DI_SF10DG;Diodes;Si;  200V  1.00A  35.0ns   Diodes Inc. \r
10538 .MODEL DI_SF10DG D  ( IS=1.42n RS=42.0m BV=200 IBV=10.0u\r
10539 + CJO=139p  M=0.333 N=1.70 TT=50.4n )\r
10540 \r
10541 *SRC=SF10FG;DI_SF10FG;Diodes;Si; 300V 1.00A 40.0ns Diodes Inc. -\r
10542 .MODEL DI_SF10FG D ( IS=50.9p RS=75.5m BV=300 IBV=10.0u\r
10543 + CJO=139p M=0.333 N=1.70 TT=57.6n )\r
10544 \r
10545 *SRC=SF10GG;DI_SF10GG;Diodes;Si; 400V 1.00A 40.0ns Diodes Inc. -\r
10546 .MODEL DI_SF10GG D ( IS=50.9p RS=75.5m BV=400 IBV=10.0u\r
10547 + CJO=139p M=0.333 N=1.70 TT=57.6n )\r
10548 \r
10549 *SRC=SF10HG;DI_SF10HG;Diodes;Si; 500V 1.00A 50.0ns Diodes Inc. -\r
10550 .MODEL DI_SF10HG D ( IS=13.5u RS=30.9m BV=500 IBV=10.0u\r
10551 + CJO=92.5p M=0.333 N=5.40 TT=72.0n )\r
10552 \r
10553 *SRC=SF10JG;DI_SF10JG;Diodes;Si;  600V  1.00A  50.0ns   Diodes Inc. -\r
10554 .MODEL DI_SF10JG D  ( IS=13.5u RS=30.9m BV=600 IBV=10.0u\r
10555 + CJO=92.5p  M=0.333 N=5.40 TT=72.0n )\r
10556 \r
10557 *SRC=US1A;DI_US1A;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  50.0ns   Diodes Inc. -\r
10558 .MODEL DI_US1A D  ( IS=667n RS=72.0m BV=50.0 IBV=5.00u\r
10559 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.41 TT=72.0n )\r
10560 \r
10561 *SRC=US1B;DI_US1B;Diodes;Si;  100V  1.00A  50.0ns   Diodes Inc. -\r
10562 .MODEL DI_US1B D  ( IS=667n RS=72.0m BV=100 IBV=5.00u\r
10563 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.41 TT=72.0n )\r
10564 \r
10565 *SRC=US1D;DI_US1D;Diodes;Si;  200V  1.00A  50.0ns   Diodes Inc. -\r
10566 .MODEL DI_US1D D  ( IS=667n RS=72.0m BV=200 IBV=5.00u\r
10567 + CJO=37.0p  M=0.333 N=2.41 TT=72.0n )\r
10568 \r
10569 *SRC=US1G;DI_US1G;Diodes;Si;  400V  1.00A  50.0ns   Diodes Inc. \r
10570 .MODEL DI_US1G D  ( IS=540p RS=0.116 BV=400 IBV=5.00u\r
10571 + CJO=37.0p  M=0.333 N=1.70 TT=72.0n )\r
10572 \r
10573 *SRC=US1J;DI_US1J;Diodes;Si;  600V  1.00A  75.0ns   Diodes Inc. -\r
10574 .MODEL DI_US1J D  ( IS=709n RS=82.3m BV=600 IBV=5.00u\r
10575 + CJO=18.5p  M=0.333 N=3.23 TT=108n )\r
10576 \r
10577 *SRC=US1K;DI_US1K;Diodes;Si;  800V  1.00A  75.0ns   Diodes Inc. -\r
10578 .MODEL DI_US1K D  ( IS=709n RS=82.3m BV=800 IBV=5.00u\r
10579 + CJO=18.5p  M=0.333 N=3.23 TT=108n )\r
10580 \r
10581 *SRC=US1M;DI_US1M;Diodes;Si;  1.00kV  1.00A  75.0ns   Diodes Inc. -\r
10582 .MODEL DI_US1M D  ( IS=709n RS=82.3m BV=1.00k IBV=5.00u\r
10583 + CJO=18.5p  M=0.333 N=3.23 TT=108n )\r
10584 \r
10585 *SRC=MBR10100CT;DI_MBR10100CT;Diodes;Si;  100V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. \r
10586 .MODEL DI_MBR10100CT D  ( IS=27.9n RS=4.20m BV=100 IBV=100u\r
10587 + CJO=555p  M=0.333 N=1.28 TT=7.20n )\r
10588 \r
10589 *SRC=MBR1030CT;DI_MBR1030CT;Diodes;Si;  30.0V  10.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r\r
10590 .MODEL DI_MBR1030CT D  ( IS=4.25u RS=13.0m BV=30.0 IBV=100u\r\r
10591 + CJO=318p  M=0.333 N=1.15 TT=14.4n )\r
10592 \r
10593 *SRC=MBR1040CT;DI_MBR1040CT;Diodes;Si;  40.0V  10.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r\r
10594 .MODEL DI_MBR1040CT D  ( IS=4.25u RS=13.0m BV=40.0 IBV=100u\r\r
10595 + CJO=318p  M=0.333 N=1.15 TT=14.4n )\r
10596 \r
10597 *SRC=MBR1045CT;DI_MBR1045CT;Diodes;Si;  45.0V  10.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r\r
10598 .MODEL DI_MBR1045CT D  ( IS=4.25u RS=13.0m BV=45.0 IBV=100u\r\r
10599 + CJO=318p  M=0.333 N=1.15 TT=14.4n )\r
10600 \r
10601 *SRC=MBR1050CT;DI_MBR1050CT;Diodes;Si;  50.0V  10.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r\r
10602 .MODEL DI_MBR1050CT D  ( IS=7.24u RS=14.5m BV=50.0 IBV=100u\r\r
10603 + CJO=318p  M=0.333 N=1.29 TT=14.4n )\r
10604 \r
10605 *SRC=MBR1060CT;DI_MBR1060CT;Diodes;Si;  60.0V  10.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r\r
10606 .MODEL DI_MBR1060CT D  ( IS=7.24u RS=14.5m BV=60.0 IBV=100u\r\r
10607 + CJO=318p  M=0.333 N=1.29 TT=14.4n )\r
10608 \r
10609 *SRC=SB1100;DI_SB1100;Diodes;Si;  100.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
10610 .MODEL DI_SB1100 D  ( IS=6.63u RS=62.3m BV=100.0 IBV=500u \r
10611 + CJO=199p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10612 \r
10613 *SRC=SB120;DI_SB120;Diodes;Si;  20.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10614 .MODEL DI_SB120 D  ( IS=31.5u RS=49.2m BV=20.0 IBV=500u\r
10615 + CJO=239p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10616 \r
10617 *SRC=SB130;DI_SB130;Diodes;Si;  30.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10618 .MODEL DI_SB130 D  ( IS=31.5u RS=49.2m BV=30.0 IBV=500u\r
10619 + CJO=239p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10620 \r
10621 *SRC=SB140;DI_SB140;Diodes;Si;  40.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10622 .MODEL DI_SB140 D  ( IS=31.5u RS=49.2m BV=40.0 IBV=500u\r
10623 + CJO=239p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10624 \r
10625 *SRC=SB150;DI_SB150;Diodes;Si;  50.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10626 .MODEL DI_SB150 D  ( IS=1.17u RS=42.0m BV=50.0 IBV=500u\r
10627 + CJO=172p  M=0.333 N=1.28 TT=7.20n )\r
10628 \r
10629 *SRC=SB160;DI_SB160;Diodes;Si;  60.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10630 .MODEL DI_SB160 D  ( IS=1.17u RS=42.0m BV=60.0 IBV=500u\r
10631 + CJO=172p  M=0.333 N=1.28 TT=7.20n )\r
10632 \r
10633 *SRC=SB170;DI_SB170;Diodes;Si;  70.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
10634 .MODEL DI_SB170 D  ( IS=6.63u RS=62.3m BV=70.0 IBV=500u \r
10635 + CJO=199p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10636 \r
10637 *SRC=SB180;DI_SB180;Diodes;Si;  80.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
10638 .MODEL DI_SB180 D  ( IS=6.63u RS=62.3m BV=80.0 IBV=500u \r
10639 + CJO=199p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10640 \r
10641 *SRC=SB190;DI_SB190;Diodes;Si;  90.0V  1.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r
10642 .MODEL DI_SB190 D  ( IS=6.63u RS=62.3m BV=90.0 IBV=500u \r
10643 + CJO=199p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10644 \r
10645 *SRC=SB340;DI_SB340;Diodes;Si;  40.0V  3.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10646 .MODEL DI_SB340 D  ( IS=85.9n RS=18.5m BV=40.0 IBV=70.0u\r
10647 + CJO=411p  M=0.333 N=0.754 TT=7.20n )\r
10648 \r
10649 *SRC=SBL1030;DI_SBL1030;Diodes;Si;  30.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SBL1030 D  ( IS=759u RS=4.20m BV=30.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.12n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10650 \r
10651 *SRC=SBL1030CT;DI_SBL1030CT;Diodes;Si;  30.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL1030CT D  ( IS=759u RS=4.20m BV=30.0 IBV=500u\r+ CJO=941p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10652 \r
10653 *SRC=SBL1035;DI_SBL1035;Diodes;Si;  35.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SBL1035 D  ( IS=759u RS=4.20m BV=35.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.12n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10654 \r
10655 *SRC=SBL1035CT;DI_SBL1035CT;Diodes;Si;  35.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL1035CT D  ( IS=759u RS=4.20m BV=35.0 IBV=500u\r+ CJO=941p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10656 \r
10657 *SRC=SBL1040;DI_SBL1040;Diodes;Si;  40.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SBL1040 D  ( IS=759u RS=4.20m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.12n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10658 \r
10659 *SRC=SBL1040CT;DI_SBL1040CT;Diodes;Si;  40.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL1040CT D  ( IS=759u RS=4.20m BV=40.0 IBV=500u\r+ CJO=941p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10660 \r
10661 *SRC=SBL1045;DI_SBL1045;Diodes;Si;  45.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SBL1045 D  ( IS=759u RS=4.20m BV=45.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.12n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10662 \r
10663 *SRC=SBL1045CT;DI_SBL1045CT;Diodes;Si;  45.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL1045CT D  ( IS=759u RS=4.20m BV=45.0 IBV=500u\r+ CJO=941p  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10664 \r
10665 *SRC=SBL1050;DI_SBL1050;Diodes;Si;  50.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SBL1050 D  ( IS=210u RS=4.22m BV=50.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.12n  M=0.333 N=2.03 TT=7.20n )\r
10666 \r
10667 *SRC=SBL1050CT;DI_SBL1050CT;Diodes;Si;  50.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL1050CT D  ( IS=210u RS=4.22m BV=50.0 IBV=500u\r+ CJO=941p  M=0.333 N=2.03 TT=7.20n )\r
10668 \r
10669 *SRC=SBL1060;DI_SBL1060;Diodes;Si;  60.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky \r.MODEL DI_SBL1060 D  ( IS=210u RS=4.22m BV=60.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.12n  M=0.333 N=2.03 TT=7.20n )\r
10670 \r
10671 *SRC=SBL1060CT;DI_SBL1060CT;Diodes;Si;  60.0V  10.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL1060CT D  ( IS=210u RS=4.22m BV=60.0 IBV=500u\r+ CJO=941p  M=0.333 N=2.03 TT=7.20n )\r
10672 \r
10673 *SRC=SBL1630;DI_SBL1630;Diodes;Si;  30.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL1630 D  ( IS=903u RS=3.60m BV=30.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.72n  M=0.333 N=1.67 TT=7.20n )\r
10674 \r
10675 *SRC=SBL1630PT;DI_SBL1630PT;Diodes;Si;  30.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10676 .MODEL DI_SBL1630PT D  ( IS=575u RS=3.47m BV=30.0 IBV=500u\r
10677 + CJO=1.86n  M=0.333 N=1.68 TT=7.20n )\r
10678 \r
10679 *SRC=SBL1635;DI_SBL1635;Diodes;Si;  35.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL1635 D  ( IS=903u RS=3.60m BV=35.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.72n  M=0.333 N=1.67 TT=7.20n )\r
10680 \r
10681 *SRC=SBL1635PT;DI_SBL1635PT;Diodes;Si;  35.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10682 .MODEL DI_SBL1635PT D  ( IS=575u RS=3.47m BV=35.0 IBV=500u\r
10683 + CJO=1.86n  M=0.333 N=1.68 TT=7.20n )\r
10684 \r
10685 *SRC=SBL1640;DI_SBL1640;Diodes;Si;  40.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL1640 D  ( IS=903u RS=3.60m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.72n  M=0.333 N=1.67 TT=7.20n )\r
10686 \r
10687 *SRC=SBL1640PT;DI_SBL1640PT;Diodes;Si;  40.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10688 .MODEL DI_SBL1640PT D  ( IS=575u RS=3.47m BV=40.0 IBV=500u\r
10689 + CJO=1.86n  M=0.333 N=1.68 TT=7.20n )\r
10690 \r
10691 *SRC=SBL1645;DI_SBL1645;Diodes;Si;  45.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL1645 D  ( IS=903u RS=3.60m BV=45.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.72n  M=0.333 N=1.67 TT=7.20n )\r
10692 \r
10693 *SRC=SBL1645PT;DI_SBL1645PT;Diodes;Si;  45.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10694 .MODEL DI_SBL1645PT D  ( IS=575u RS=3.47m BV=45.0 IBV=500u\r
10695 + CJO=1.86n  M=0.333 N=1.68 TT=7.20n )\r
10696 \r
10697 *SRC=SBL1650;DI_SBL1650;Diodes;Si;  50.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL1650 D  ( IS=1.38m RS=3.22m BV=50.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.72n  M=0.333 N=2.27 TT=7.20n )\r
10698 \r
10699 *SRC=SBL1650PT;DI_SBL1650PT;Diodes;Si;  50.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10700 .MODEL DI_SBL1650PT D  ( IS=89.9u RS=3.60m BV=50.0 IBV=500u\r
10701 + CJO=1.86n  M=0.333 N=1.67 TT=7.20n )\r
10702 \r
10703 *SRC=SBL1660;DI_SBL1660;Diodes;Si;  60.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL1660 D  ( IS=1.38m RS=3.22m BV=60.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.72n  M=0.333 N=2.27 TT=7.20n )\r
10704 \r
10705 *SRC=SBL1660PT;DI_SBL1660PT;Diodes;Si;  60.0V  16.0A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10706 .MODEL DI_SBL1660PT D  ( IS=89.9u RS=3.60m BV=60.0 IBV=500u\r
10707 + CJO=1.86n  M=0.333 N=1.67 TT=7.20n )\r
10708 \r
10709 *SRC=SBL2030CT;DI_SBL2030CT;Diodes;Si;  30.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2030CT D  ( IS=4.83m RS=2.37m BV=30.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.34n  M=0.333 N=2.28 TT=14.4n )\r
10710 \r
10711 *SRC=SBL2030PT;DI_SBL2030PT;Diodes;Si;  30.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2030PT D  ( IS=597u RS=2.88m BV=30.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.52n  M=0.333 N=1.59 TT=14.4n )\r
10712 \r
10713 *SRC=SBL2035CT;DI_SBL2035CT;Diodes;Si;  35.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2035CT D  ( IS=4.83m RS=2.37m BV=35.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.34n  M=0.333 N=2.28 TT=14.4n )\r
10714 \r
10715 *SRC=SBL2035PT;DI_SBL2035PT;Diodes;Si;  35.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2035PT D  ( IS=597u RS=2.88m BV=35.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.52n  M=0.333 N=1.59 TT=14.4n )\r
10716 \r
10717 *SRC=SBL2040CT;DI_SBL2040CT;Diodes;Si;  40.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2040CT D  ( IS=4.83m RS=2.37m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.34n  M=0.333 N=2.28 TT=14.4n )\r
10718 \r
10719 *SRC=SBL2040PT;DI_SBL2040PT;Diodes;Si;  40.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2040PT D  ( IS=597u RS=2.88m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.52n  M=0.333 N=1.59 TT=14.4n )\r
10720 \r
10721 *SRC=SBL2045CT;DI_SBL2045CT;Diodes;Si;  45.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2045CT D  ( IS=4.83m RS=2.37m BV=45.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.34n  M=0.333 N=2.28 TT=14.4n )\r
10722 \r
10723 *SRC=SBL2045PT;DI_SBL2045PT;Diodes;Si;  45.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2045PT D  ( IS=597u RS=2.88m BV=45.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.52n  M=0.333 N=1.59 TT=14.4n )\r
10724 \r
10725 *SRC=SBL2050CT;DI_SBL2050CT;Diodes;Si;  50.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2050CT D  ( IS=3.50m RS=2.11m BV=50.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.34n  M=0.333 N=2.95 TT=14.4n )\r
10726 \r
10727 *SRC=SBL2050PT;DI_SBL2050PT;Diodes;Si;  50.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2050PT D  ( IS=587u RS=2.11m BV=50.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.52n  M=0.333 N=2.12 TT=14.4n )\r
10728 \r
10729 *SRC=SBL2060CT;DI_SBL2060CT;Diodes;Si;  60.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2060CT D  ( IS=3.50m RS=2.11m BV=60.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.34n  M=0.333 N=2.95 TT=14.4n )\r
10730 \r
10731 *SRC=SBL2060PT;DI_SBL2060PT;Diodes;Si;  60.0V  20.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL2060PT D  ( IS=587u RS=2.11m BV=60.0 IBV=1.00m\r+ CJO=2.52n  M=0.333 N=2.12 TT=14.4n )\r
10732 \r
10733 *SRC=SBL3030CT;DI_SBL3030CT;Diodes;Si;  30.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL3030CT D  ( IS=200u RS=1.92m BV=30.0 IBV=1.00m\r+ CJO=809p  M=0.333 N=1.42 TT=14.4n )\r
10734 \r
10735 *SRC=SBL3030PT;DI_SBL3030PT;Diodes;Si;  30.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10736 .MODEL DI_SBL3030PT D  ( IS=441u RS=1.92m BV=30.0 IBV=1.00m\r
10737 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.51 TT=14.4n )\r
10738 \r
10739 *SRC=SBL3035PT;DI_SBL3035PT;Diodes;Si;  35.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10740 .MODEL DI_SBL3035PT D  ( IS=441u RS=1.92m BV=35.0 IBV=1.00m\r
10741 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.51 TT=14.4n )\r
10742 \r
10743 *SRC=SBL3040CT;DI_SBL3040CT;Diodes;Si;  40.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL3040CT D  ( IS=200u RS=1.92m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=809p  M=0.333 N=1.42 TT=14.4n )\r
10744 \r
10745 *SRC=SBL3040PT;DI_SBL3040PT;Diodes;Si;  40.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10746 .MODEL DI_SBL3040PT D  ( IS=441u RS=1.92m BV=40.0 IBV=1.00m\r
10747 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.51 TT=14.4n )\r
10748 \r
10749 *SRC=SBL3045CT;DI_SBL3045CT;Diodes;Si;  45.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL3045CT D  ( IS=200u RS=1.92m BV=45.0 IBV=1.00m\r+ CJO=809p  M=0.333 N=1.42 TT=14.4n )\r
10750 \r
10751 *SRC=SBL3045PT;DI_SBL3045PT;Diodes;Si;  45.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10752 .MODEL DI_SBL3045PT D  ( IS=441u RS=1.92m BV=45.0 IBV=1.00m\r
10753 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.51 TT=14.4n )\r
10754 \r
10755 *SRC=SBL3050CT;DI_SBL3050CT;Diodes;Si;  50.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL3050CT D  ( IS=264u RS=1.99m BV=50.0 IBV=1.00m\r+ CJO=809p  M=0.333 N=1.67 TT=14.4n )\r
10756 \r
10757 *SRC=SBL3050PT;DI_SBL3050PT;Diodes;Si;  50.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10758 .MODEL DI_SBL3050PT D  ( IS=346u RS=1.61m BV=50.0 IBV=1.00m\r
10759 + CJO=1.33n  M=0.333 N=2.02 TT=14.4n )\r
10760 \r
10761 *SRC=SBL3060CT;DI_SBL3060CT;Diodes;Si;  60.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL3060CT D  ( IS=264u RS=1.99m BV=60.0 IBV=1.00m\r+ CJO=809p  M=0.333 N=1.67 TT=14.4n )\r
10762 \r
10763 *SRC=SBL3060PT;DI_SBL3060PT;Diodes;Si;  60.0V  30.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10764 .MODEL DI_SBL3060PT D  ( IS=346u RS=1.61m BV=60.0 IBV=1.00m\r
10765 + CJO=1.33n  M=0.333 N=2.02 TT=14.4n)\r
10766 \r
10767 *SRC=SBL4030PT;DI_SBL4030PT;Diodes;Si;  30.0V  40.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10768 .MODEL DI_SBL4030PT D  ( IS=10.9u RS=1.53m BV=30.0 IBV=1.00m\r
10769 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.08 TT=14.4n )\r
10770 \r
10771 *SRC=SBL4035PT;DI_SBL4035PT;Diodes;Si;  35.0V  40.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10772 .MODEL DI_SBL4035PT D  ( IS=10.9u RS=1.53m BV=35.0 IBV=1.00m\r
10773 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.08 TT=14.4n )\r
10774 \r
10775 *SRC=SBL4040PT;DI_SBL4040PT;Diodes;Si;  40.0V  40.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL4040PT D  ( IS=10.9u RS=1.53m BV=40.0 IBV=1.00m\r+ CJO=1.33n  M=0.333 N=1.08 TT=14.4n )\r
10776 \r
10777 *SRC=SBL4045PT;DI_SBL4045PT;Diodes;Si;  45.0V  40.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10778 .MODEL DI_SBL4045PT D  ( IS=10.9u RS=1.53m BV=45.0 IBV=1.00m\r
10779 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.08 TT=14.4n )\r
10780 \r
10781 *SRC=SBL4050PT;DI_SBL4050PT;Diodes;Si;  50.0V  40.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10782 .MODEL DI_SBL4050PT D  ( IS=53.0u RS=1.26m BV=50.0 IBV=1.00m\r
10783 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
10784 \r
10785 *SRC=SBL4060PT;DI_SBL4060PT;Diodes;Si;  60.0V  40.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r
10786 .MODEL DI_SBL4060PT D  ( IS=53.0u RS=1.26m BV=60.0 IBV=1.00m\r
10787 + CJO=1.33n  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
10788 \r
10789 *SRC=SBL530;DI_SBL530;Diodes;Si;  30.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL530 D  ( IS=926u RS=9.47m BV=30.0 IBV=500u\r+ CJO=968p  M=0.333 N=1.69 TT=14.4n )\r
10790 \r
10791 *SRC=SBL535;DI_SBL535;Diodes;Si;  35.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL535 D  ( IS=926u RS=9.47m BV=35.0 IBV=500u\r+ CJO=968p  M=0.333 N=1.69 TT=14.4n )\r
10792 \r
10793 *SRC=SBL540;DI_SBL540;Diodes;Si;  40.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL540 D  ( IS=926u RS=9.47m BV=40.0 IBV=500u\r+ CJO=968p  M=0.333 N=1.69 TT=14.4n )\r
10794 \r
10795 *SRC=SBL545;DI_SBL545;Diodes;Si;  45.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL545 D  ( IS=926u RS=9.47m BV=45.0 IBV=500u\r+ CJO=968p  M=0.333 N=1.69 TT=14.4n )\r
10796 \r
10797 *SRC=SBL550;DI_SBL550;Diodes;Si;  50.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL550 D  ( IS=14.0u RS=8.33m BV=50.0 IBV=500u\r+ CJO=968p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
10798 \r
10799 *SRC=SBL560;DI_SBL560;Diodes;Si;  60.0V  5.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r.MODEL DI_SBL560 D  ( IS=14.0u RS=8.33m BV=60.0 IBV=500u\r+ CJO=968p  M=0.333 N=1.70 TT=14.4n )\r
10800 \r
10801 *SRC=SBL6030PT;DI_SBL6030PT;Diodes;Si;  30.0V  60.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL6030PT D  ( IS=1.93m RS=917u BV=30.0 IBV=20.0m\r+ CJO=3.25n  M=0.333 N=1.68 TT=14.4n )\r
10802 \r
10803 *SRC=SBL6040PT;DI_SBL6040PT;Diodes;Si;  40.0V  60.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL6040PT D  ( IS=1.93m RS=917u BV=40.0 IBV=20.0m\r+ CJO=3.25n  M=0.333 N=1.68 TT=14.4n )\r
10804 \r
10805 *SRC=SBL6050PT;DI_SBL6050PT;Diodes;Si;  50.0V  60.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL6050PT D  ( IS=353u RS=909u BV=50.0 IBV=20.0m\r+ CJO=3.25n  M=0.333 N=1.76 TT=14.4n )\r
10806 \r
10807 *SRC=SBL6060PT;DI_SBL6060PT;Diodes;Si;  60.0V  60.0A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky - Single device of dual\r.MODEL DI_SBL6060PT D  ( IS=353u RS=909u BV=60.0 IBV=20.0m\r+ CJO=3.25n  M=0.333 N=1.76 TT=14.4n )\r
10808 \r
10809 *SRC=SBL830;DI_SBL830;Diodes;Si;  30.0V  8.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
10810 .MODEL DI_SBL830 D  ( IS=396u RS=4.50m BV=30.0 IBV=500u\r
10811 + CJO=1.72n  M=0.333 N=1.71 TT=14.4n )\r
10812 \r
10813 *SRC=SBL835;DI_SBL835;Diodes;Si;  35.0V  8.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
10814 .MODEL DI_SBL835 D  ( IS=396u RS=4.50m BV=35.0 IBV=500u\r
10815 + CJO=1.72n  M=0.333 N=1.71 TT=14.4n )\r
10816 \r
10817 *SRC=SBL840;DI_SBL840;Diodes;Si;  40.0V  8.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
10818 .MODEL DI_SBL840 D  ( IS=396u RS=4.50m BV=40.0 IBV=500u\r
10819 + CJO=1.72n  M=0.333 N=1.71 TT=14.4n )\r
10820 \r
10821 *SRC=SBL845;DI_SBL845;Diodes;Si;  45.0V  8.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
10822 .MODEL DI_SBL845 D  ( IS=396u RS=4.50m BV=45.0 IBV=500u\r
10823 + CJO=1.72n  M=0.333 N=1.71 TT=14.4n )\r
10824 \r
10825 *SRC=SBL850;DI_SBL850;Diodes;Si;  50.0V  8.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
10826 .MODEL DI_SBL850 D  ( IS=30.8u RS=5.66m BV=50.0 IBV=500u\r
10827 + CJO=1.72n  M=0.333 N=1.69 TT=14.4n )\r
10828 \r
10829 *SRC=SBL860;DI_SBL860;Diodes;Si;  60.0V  8.00A  10.0ns   Diodes Inc. Schottky\r
10830 .MODEL DI_SBL860 D  ( IS=30.8u RS=5.66m BV=60.0 IBV=500u\r
10831 + CJO=1.72n  M=0.333 N=1.69 TT=14.4n )\r
10832 \r
10833 *SRC=SD830;DI_SD830;Diodes;Si;  30.0V  8.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10834 .MODEL DI_SD830 D  ( IS=248u RS=5.25m BV=30.0 IBV=1.00m\r
10835 + CJO=1.06n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10836 \r
10837 *SRC=SD840;DI_SD840;Diodes;Si;  40.0V  8.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10838 .MODEL DI_SD840 D  ( IS=248u RS=5.25m BV=40.0 IBV=1.00m\r
10839 + CJO=1.06n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10840 \r
10841 *SRC=SD845;DI_SD845;Diodes;Si;  45.0V  8.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10842 .MODEL DI_SD845 D  ( IS=248u RS=5.25m BV=45.0 IBV=1.00m\r
10843 + CJO=1.06n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10844 \r
10845 *SRC=SD860;DI_SD860;Diodes;Si;  60.0V  8.00A  5.00ns   Diodes Inc. Schottky\r
10846 .MODEL DI_SD860 D  ( IS=248u RS=5.25m BV=60.0 IBV=1.00m\r
10847 + CJO=1.06n  M=0.333 N=1.70 TT=7.20n )\r
10848 \r
10849 *SRC=BC807-16;DI_BC807-16;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.500A  220MHz   Diodes\r
10850 Inc. BJTs\r
10851 .MODEL DI_BC807-16  PNP (IS=50.7f NF=1.00 BF=342 VAF=121\r
10852 + IKF=0.273 ISE=24.2p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10853 + VAR=20.0 IKR=0.675 RE=0.213 RB=0.852 RC=85.2m\r
10854 + XTB=1.5 CJE=107p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=34.7p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10855 + TF=631p TR=111n EG=1.12 )\r
10856 \r
10857 *SRC=BC807-25;DI_BC807-25;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.500A  220MHz   Diodes\r
10858 Inc. BJTs\r
10859 .MODEL DI_BC807-25  PNP (IS=50.7f NF=1.00 BF=547 VAF=121\r
10860 + IKF=0.273 ISE=15.1p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10861 + VAR=20.0 IKR=0.675 RE=0.213 RB=0.852 RC=85.2m\r
10862 + XTB=1.5 CJE=107p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=34.7p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10863 + TF=631p TR=109n EG=1.12 )\r
10864 \r
10865 *SRC=BC807-40;DI_BC807-40;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.500A  220MHz   Diodes\r
10866 Inc. BJTs\r
10867 .MODEL DI_BC807-40  PNP (IS=50.7f NF=1.00 BF=821 VAF=121\r
10868 + IKF=0.273 ISE=10.1p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10869 + VAR=20.0 IKR=0.675 RE=0.213 RB=0.852 RC=85.2m\r
10870 + XTB=1.5 CJE=107p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=34.7p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10871 + TF=631p TR=108n EG=1.12 )\r
10872 \r
10873 *SRC=BC817-16;DI_BC817-16;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.800A  220MHz   Diodes\r
10874 Inc. BJTs\r
10875 .MODEL DI_BC817-16  NPN (IS=4.04n NF=1.00 BF=342 VAF=121\r
10876 + IKF=0.273 ISE=6.86n NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10877 + VAR=20.0 IKR=0.675 RE=0.227 RB=0.907 RC=90.7m\r
10878 + XTB=1.5 CJE=107p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=34.7p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10879 + TF=651p TR=111n EG=1.12 )\r
10880 \r
10881 *SRC=BC817-25;DI_BC817-25;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.800A  220MHz   Diodes\r
10882 Inc. BJTs\r
10883 .MODEL DI_BC817-25  NPN (IS=4.04n NF=1.00 BF=548 VAF=121\r
10884 + IKF=0.273 ISE=4.29n NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10885 + VAR=20.0 IKR=0.675 RE=0.227 RB=0.907 RC=90.7m\r
10886 + XTB=1.5 CJE=107p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=34.7p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10887 + TF=651p TR=109n EG=1.12 )\r
10888 \r
10889 *SRC=BC817-40;DI_BC817-40;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.800A  220MHz   Diodes\r
10890 Inc. BJTs\r
10891 .MODEL DI_BC817-40  NPN (IS=4.04n NF=1.00 BF=822 VAF=121\r
10892 + IKF=0.273 ISE=2.86n NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10893 + VAR=20.0 IKR=0.675 RE=0.227 RB=0.907 RC=90.7m\r
10894 + XTB=1.5 CJE=107p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=34.7p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10895 + TF=651p TR=108n EG=1.12 )\r
10896 \r
10897 *SRC=BC846A;DI_BC846A;BJTs NPN; Si;  65.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10898 BJTs\r
10899 .MODEL DI_BC846A  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=305 VAF=145\r
10900 + IKF=53.6m ISE=5.86p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10901 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10902 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10903 + TF=416p TR=50.3n EG=1.12 )\r
10904 \r
10905 *SRC=BC846AW;DI_BC846AW;BJTs NPN; Si;  65.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10906 BJTs\r
10907 .MODEL DI_BC846AW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=305 VAF=145\r
10908 + IKF=53.6m ISE=5.86p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10909 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10910 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10911 + TF=416p TR=50.3n EG=1.12 )\r
10912 \r
10913 *SRC=BC846B;DI_BC846B;BJTs NPN; Si;  65.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10914 BJTs\r
10915 .MODEL DI_BC846B  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=650 VAF=145\r
10916 + IKF=39.5m ISE=2.93p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10917 + VAR=24.0 IKR=0.105 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10918 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10919 + TF=385p TR=49.0n EG=1.12 )\r
10920 \r
10921 *SRC=BC846BW;DI_BC846BW;BJTs NPN; Si;  65.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10922 BJTs\r
10923 .MODEL DI_BC846BW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=650 VAF=145\r
10924 + IKF=39.5m ISE=2.93p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10925 + VAR=24.0 IKR=0.105 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10926 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10927 + TF=385p TR=49.0n EG=1.12 )\r
10928 \r
10929 *SRC=BC846C;DI_BC846C;BJTs NPN; Si;  65.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10930 BJTs\r
10931 .MODEL DI_BC846C  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=145\r
10932 + IKF=60.7m ISE=1.60p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10933 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10934 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10935 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
10936 \r
10937 *SRC=BC846CW;DI_BC846CW;BJTs NPN; Si;  65.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10938 BJTs\r
10939 .MODEL DI_BC846CW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=145\r
10940 + IKF=60.7m ISE=1.60p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10941 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10942 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10943 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
10944 \r
10945 *SRC=BC847A;DI_BC847A;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10946 BJTs\r
10947 .MODEL DI_BC847A  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=301 VAF=121\r
10948 + IKF=60.7m ISE=5.82p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10949 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10950 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10951 + TF=427p TR=50.3n EG=1.12 )\r
10952 \r
10953 *SRC=BC847AT;DI_BC847AT;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10954 BJTs\r
10955 .MODEL DI_BC847AT  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=301 VAF=121\r
10956 + IKF=60.7m ISE=5.75p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10957 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
10958 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=13.0p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10959 + TF=423p TR=50.3n EG=1.12 )\r
10960 \r
10961 *SRC=BC847AW;DI_BC847AW;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10962 BJTs\r
10963 .MODEL DI_BC847AW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=301 VAF=121\r
10964 + IKF=60.7m ISE=5.82p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10965 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10966 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10967 + TF=427p TR=50.3n EG=1.12 )\r
10968 \r
10969 *SRC=BC847B;DI_BC847B;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes, Inc. transistor\r
10970 .MODEL DI_BC847B  NPN (IS=3.75f NF=1.00 BF=1.61k VAF=121\r
10971 + IKF=8.79m ISE=8.38p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10972 + VAR=24.0 IKR=90.0m RE=0.765 RB=3.06 RC=0.306\r
10973 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300\r
10974 + MJC=0.300 TF=520p TR=78.9n EG=1.12 )\r
10975 \r
10976 *SRC=BC847BS;DI_BC847BS;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc.\r
10977 BJTs\r
10978 .MODEL DI_BC847BS  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=616 VAF=121\r
10979 + IKF=60.7m ISE=2.81p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10980 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
10981 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.33p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10982 + TF=585p TR=49.1n EG=1.12 )\r
10983 \r
10984 *SRC=BC847BT;DI_BC847BT;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10985 BJTs\r
10986 .MODEL DI_BC847BT  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=616 VAF=121\r
10987 + IKF=60.7m ISE=2.81p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10988 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
10989 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=13.0p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
10990 + TF=423p TR=49.1n EG=1.12 )\r
10991 \r
10992 *SRC=BC847BV;DI_BC847BV;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  200MHz   Diodes Inc. BJTs - Single device of dual\r.MODEL DI_BC847BV  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=616 VAF=121\r+ IKF=42.5m ISE=2.38p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=24.0 IKR=0.105 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r+ XTB=1.5 CJE=35.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.6p VJC=0.300\r+ MJC=0.300 TF=665p TR=120n EG=1.12 )\r
10993 \r
10994 *SRC=BC847BW;DI_BC847BW;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
10995 BJTs\r
10996 .MODEL DI_BC847BW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=616 VAF=121\r
10997 + IKF=60.7m ISE=2.84p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
10998 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
10999 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11000 + TF=427p TR=49.1n EG=1.12 )\r
11001 \r
11002 *SRC=BC847C;DI_BC847C;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11003 BJTs\r
11004 .MODEL DI_BC847C  NPN (IS=10.3f NF=1.00 BF=1.09k VAF=121\r
11005 + IKF=60.7m ISE=1.61p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11006 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.965 RB=3.86 RC=0.386\r
11007 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11008 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
11009 \r
11010 *SRC=BC847CT;DI_BC847CT;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11011 BJTs\r
11012 .MODEL DI_BC847CT  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=1.09k VAF=121\r
11013 + IKF=60.7m ISE=1.58p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11014 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11015 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=13.0p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11016 + TF=423p TR=48.6n EG=1.12 )\r
11017 \r
11018 *SRC=BC847CW;DI_BC847CW;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11019 BJTs\r
11020 .MODEL DI_BC847CW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=121\r
11021 + IKF=60.7m ISE=1.60p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11022 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
11023 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11024 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
11025 \r
11026 *****************************************************************************************************************************************\r
11027 *SRC=BC847PN;DI_BC847PN_NPN;BJTs NPN; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc BJTs - Complementary\r
11028 .MODEL DI_BC847PN_NPN  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=616 VAF=121\r
11029 + IKF=60.7m ISE=2.81p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11030 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11031 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.33p VJC=0.300\r
11032 + MJC=0.300 TF=585p TR=49.1n EG=1.12 )\r
11033 \r
11034 *SRC=BC847PN;DI_BC847PN_PNP;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs - Complementary\r
11035 .MODEL DI_BC847PN_PNP  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=650 VAF=121\r
11036 + IKF=42.5m ISE=2.25p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11037 + VAR=20.0 IKR=0.105 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r
11038 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r
11039 + MJC=0.300 TF=586p TR=95.9n EG=1.12 )\r
11040 *****************************************************************************************************************************************\r
11041 \r
11042 *SRC=BC848A;DI_BC848A;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11043 BJTs\r
11044 .MODEL DI_BC848A  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=98.6\r
11045 + IKF=60.7m ISE=1.60p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11046 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
11047 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11048 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
11049 \r
11050 *SRC=BC848AW;DI_BC848AW;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11051 BJTs\r
11052 .MODEL DI_BC848AW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=98.6\r
11053 + IKF=60.7m ISE=1.60p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11054 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
11055 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11056 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
11057 \r
11058 *SRC=BC848B;DI_BC848B;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11059 BJTs\r
11060 .MODEL DI_BC848B  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=616 VAF=98.6\r
11061 + IKF=60.7m ISE=2.84p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11062 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
11063 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11064 + TF=427p TR=49.1n EG=1.12 )\r
11065 \r
11066 *SRC=BC848BW;DI_BC848BW;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11067 BJTs\r
11068 .MODEL DI_BC848BW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=616 VAF=98.6\r
11069 + IKF=60.7m ISE=2.84p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11070 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
11071 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11072 + TF=427p TR=49.1n EG=1.12 )\r
11073 \r
11074 *SRC=BC848C;DI_BC848C;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11075 BJTs\r
11076 .MODEL DI_BC848C  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=98.6\r
11077 + IKF=60.7m ISE=1.60p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11078 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
11079 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11080 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
11081 \r
11082 *SRC=BC848CW;DI_BC848CW;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.100A  300MHz   Diodes Inc\r
11083 BJTs\r
11084 .MODEL DI_BC848CW  NPN (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=98.6\r
11085 + IKF=60.7m ISE=1.60p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11086 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=0.915 RB=3.66 RC=0.366\r
11087 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11088 + TF=427p TR=48.6n EG=1.12 )\r
11089 \r
11090 *SRC=BC856A;DI_BC856A;BJTs PNP; Si;  65.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11091 .MODEL DI_BC856A  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=342 VAF=145\r\r
11092 + IKF=72.9m ISE=5.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11093 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11094 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300\r\r
11095 + MJC=0.300 TF=581p TR=97.8n EG=1.12 )\r
11096 \r
11097 *SRC=BC856AW;DI_BC856AW;BJTs PNP; Si;  65.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11098 .MODEL DI_BC856AW  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=342 VAF=145\r\r
11099 + IKF=72.9m ISE=5.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11100 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11101 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11102 + MJC=0.300 TF=581p TR=97.8n EG=1.12 )\r
11103 \r
11104 *SRC=BC856B;DI_BC856B;BJTs PNP; Si;  80.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11105 .MODEL DI_BC856B  PNP (IS=3.90f NF=1.00 BF=408 VAF=161 \r
11106 + IKF=91.1m ISE=3.25p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11107 + VAR=20.0 IKR=0.225 RE=0.782 RB=3.13 RC=0.313 \r
11108 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300 \r
11109 + MJC=0.300 TF=548p TR=94.5n EG=1.12 )\r
11110 \r
11111 *SRC=BC856BW;DI_BC856BW;BJTs PNP; Si;  80.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. Transistor\r
11112 .MODEL DI_BC856BW  PNP (IS=3.90f NF=1.00 BF=408 VAF=161\r
11113 + IKF=91.1m ISE=3.25p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11114 + VAR=20.0 IKR=0.225 RE=0.782 RB=3.13 RC=0.313\r
11115 + XTB=1.5 CJE=26.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300\r
11116 + MJC=0.300 TF=548p TR=94.5n EG=1.12 )\r
11117 \r
11118 *SRC=BC857A;DI_BC857A;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11119 .MODEL DI_BC857A  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=342 VAF=121\r\r
11120 + IKF=72.9m ISE=5.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11121 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11122 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11123 + MJC=0.300 TF=581p TR=97.8n EG=1.12 )\r
11124 \r
11125 *SRC=BC857AT;DI_BC857AT;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11126 .MODEL DI_BC857AT  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=342 VAF=121\r\r
11127 + IKF=72.9m ISE=5.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11128 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11129 + XTB=1.5 CJE=37.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=12.1p VJC=0.300\r\r
11130 + MJC=0.300 TF=488p TR=97.8n EG=1.12 )\r
11131 \r
11132 *SRC=BC857AW;DI_BC857AW;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11133 .MODEL DI_BC857AW  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=342 VAF=121\r\r
11134 + IKF=72.9m ISE=5.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11135 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11136 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11137 + MJC=0.300 TF=581p TR=97.8n EG=1.12 )\r
11138 \r
11139 *SRC=BC857B;DI_BC857B;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  200MHz   Diodes, Inc. transistor\r
11140 .MODEL DI_BC857B  PNP (IS=5.51f NF=1.00 BF=424 VAF=121\r
11141 + IKF=36.4m ISE=2.35p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11142 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.765 RB=3.06 RC=0.306\r
11143 + XTB=1.5 CJE=26.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300\r
11144 + MJC=0.300 TF=700p TR=121n EG=1.12 )\r
11145 \r
11146 *SRC=BC857BS;DI_BC857BS;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc.\r
11147 BJTs - Single device of dual\r
11148 .MODEL DI_BC857BS  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=650 VAF=121\r
11149 + IKF=42.5m ISE=2.25p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11150 + VAR=20.0 IKR=0.105 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r
11151 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11152 + TF=586p TR=95.9n EG=1.12 )\r
11153 \r
11154 *SRC=BC857BT;DI_BC857BT;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  200MHz   Diodes, Inc. transistor\r
11155 .MODEL DI_BC857B  PNP (IS=5.51f NF=1.00 BF=424 VAF=121\r
11156 + IKF=36.4m ISE=2.35p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11157 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.765 RB=3.06 RC=0.306\r
11158 + XTB=1.5 CJE=26.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300\r
11159 + MJC=0.300 TF=700p TR=121n EG=1.12 )\r
11160 \r
11161 *SRC=BC857BV;DI_BC857BV;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11162 .MODEL DI_BC857BV  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=650 VAF=121\r\r
11163 + IKF=42.5m ISE=2.25p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11164 + VAR=20.0 IKR=0.105 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11165 + XTB=1.5 CJE=37.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=12.1p VJC=0.300\r\r
11166 + MJC=0.300 TF=499p TR=95.9n EG=1.12 )=499p TR=95.9n EG=1.12 )\r
11167 \r
11168 *SRC=BC857BW;DI_BC857BW;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  200MHz   Diodes, Inc. transistor\r\r
11169 .MODEL DI_BC857BW  PNP (IS=5.51f NF=1.00 BF=424 VAF=121\r\r
11170 + IKF=36.4m ISE=2.35p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11171 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.765 RB=3.06 RC=0.306\r\r
11172 + XTB=1.5 CJE=26.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300\r\r
11173 + MJC=0.300 TF=700p TR=121n EG=1.12 )\r
11174 \r
11175 *SRC=BC857C;DI_BC857C;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11176 .MODEL DI_BC857C  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=121\r\r
11177 + IKF=36.4m ISE=1.24p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11178 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11179 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11180 + MJC=0.300 TF=587p TR=95.0n EG=1.12 )\r
11181 \r
11182 *SRC=BC857CT;DI_BC857CT;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11183 .MODEL DI_BC857CT  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=121\r\r
11184 + IKF=36.4m ISE=1.24p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11185 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11186 + XTB=1.5 CJE=30.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=12.1p VJC=0.300\r\r
11187 + MJC=0.300 TF=526p TR=95.0n EG=1.12 )\r
11188 \r
11189 *SRC=BC857CW;DI_BC857CW;BJTs PNP; Si;  45.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11190 .MODEL DI_BC857CW  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=121\r\r
11191 + IKF=36.4m ISE=1.24p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11192 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11193 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11194 + MJC=0.300 TF=587p TR=95.0n EG=1.12 )\r
11195 \r
11196 *SRC=BC858A;DIBC858A;BJTs PNP; Si;  30.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11197 .MODEL DIBC858A  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=342 VAF=98.6\r\r
11198 + IKF=72.9m ISE=5.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11199 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11200 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11201 + MJC=0.300 TF=581p TR=97.8n EG=1.12 )\r
11202 \r
11203 *SRC=BC858AW;DI_BC858AW;BJTs PNP; Si;  30.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11204 .MODEL DI_BC858AW  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=342 VAF=98.6\r\r
11205 + IKF=72.9m ISE=5.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11206 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11207 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11208 + MJC=0.300 TF=581p TR=97.8n EG=1.12 )\r
11209 \r
11210 *SRC=BC858B;DI_BC858B;BJTs PNP; Si;  30.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11211 .MODEL DI_BC858B  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=650 VAF=98.6\r\r
11212 + IKF=42.5m ISE=2.25p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11213 + VAR=20.0 IKR=0.105 RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11214 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11215 + MJC=0.300 TF=586p TR=95.9n EG=1.12 )\r
11216 \r
11217 *SRC=BC858BW;DI_BC858BW;BJTs PNP; Si;  30.0V  0.100A  200MHz   Diodes, Inc. transistor\r
11218 .MODEL DI_BC858BW  PNP (IS=5.51f NF=1.00 BF=424 VAF=98.6\r
11219 + IKF=36.4m ISE=2.35p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11220 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.765 RB=3.06 RC=0.306\r
11221 + XTB=1.5 CJE=26.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.67p VJC=0.300\r
11222 + MJC=0.300 TF=700p TR=121n EG=1.12 )\r
11223 \r
11224 *SRC=BC858C;DI_BC858C;BJTs PNP; Si;  30.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11225 .MODEL DI_BC858C  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=98.6\r\r
11226 + IKF=36.4m ISE=1.24p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11227 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11228 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11229 + MJC=0.300 TF=587p TR=95.0n EG=1.12 )\r
11230 \r
11231 *SRC=BC858CW;DI_BC858CW;BJTs PNP; Si;  30.0V  0.100A  250MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11232 .MODEL DI_BC858CW  PNP (IS=10.2f NF=1.00 BF=1.09k VAF=98.6\r\r
11233 + IKF=36.4m ISE=1.24p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11234 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=0.715 RB=2.86 RC=0.286\r\r
11235 + XTB=1.5 CJE=13.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.80p VJC=0.300\r\r
11236 + MJC=0.300 TF=587p TR=95.0n EG=1.12 )\r
11237 \r
11238 *SRC=DMMT3904W;DI_DMMT3904W;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.200A  347MHz   Diodes\r
11239 Inc. Matched Transistor\r
11240 .MODEL DI_DMMT3904W  NPN (IS=20.3f NF=1.00 BF=274 VAF=114\r
11241 + IKF=36.4m ISE=6.99p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11242 + VAR=24.0 IKR=90.0m RE=0.657 RB=2.63 RC=0.263\r
11243 + XTB=1.5 CJE=8.29p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.10p VJC=0.300\r
11244 + MJC=0.300 TF=426p TR=71.3n EG=1.12 )\r
11245 \r
11246 *****************************************************************************************************************************************\r
11247 *SRC=DMMT3906;DI_DMMT3906;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. Matched BJTs - Single device of dual\r
11248 .MODEL DI_DMMT3906  PNP (IS=20.3f NF=1.00 BF=437 VAF=114\r
11249 + IKF=44.6m ISE=6.81p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11250 + VAR=20.0 IKR=0.120 RE=1.16 RB=4.63 RC=0.463\r
11251 + XTB=1.5 CJE=23.5p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=10.7p VJC=0.300\r
11252 + MJC=0.300 TF=504p TR=94.3n EG=1.12 )\r
11253 *****************************************************************************************************************************************\r
11254 \r
11255 *SRC=DMMT3906W;DI_DMMT3906W;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.200A  257MHz   Diodes, Inc. PNP \r
11256 .MODEL DI_DMMT3906W  PNP (IS=20.3f NF=1.00 BF=274 VAF=114 \r
11257 + IKF=36.4m ISE=6.99p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11258 + VAR=20.0 IKR=90.0m RE=1.01 RB=4.03 RC=0.403 \r
11259 + XTB=1.5 CJE=12.1p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=10.7p VJC=0.300 \r
11260 + MJC=0.300 TF=531p TR=85.6n EG=1.12 )\r
11261 \r
11262 *SRC=DMMT5551;DI_DMMT5551;BJTs NPN; Si;  160V  0.200A  150MHz   Diodes Inc.  Matched BJTs - Single device of dual\r\r
11263 .MODEL DI_DMMT5551  NPN (IS=15.4f NF=1.00 BF=342 VAF=228\r\r
11264 + IKF=42.5m ISE=5.27p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11265 + VAR=24.0 IKR=0.105 RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103\r\r
11266 + XTB=1.5 CJE=52.0p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=16.8p VJC=0.300\r\r
11267 + MJC=0.300 TF=873p TR=163n EG=1.12 )\r
11268 \r
11269 *SRC=IMT4;DI_IMT4;BJTs PNP; Si;  120V  50.0mA  200MHz   Diodes Inc.\r
11270 Transistor\r
11271 .MODEL DI_IMT4  PNP (IS=12.8f NF=1.00 BF=513 VAF=197\r
11272 + IKF=30.4m ISE=2.70p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11273 + VAR=20.0 IKR=75.0m RE=1.43 RB=5.72 RC=0.572\r
11274 + XTB=1.5 CJE=19.1p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=6.15p VJC=0.300\r
11275 + MJC=0.300 TF=710p TR=121n EG=1.12 )\r
11276 \r
11277 *SRC=IMX8;DI_IMX8;BJTs NPN; Si;  120V  50.0mA  300MHz   Diodes Inc.\r
11278 Transistor\r
11279 .MODEL DI_IMX8  NPN (IS=14.6f NF=1.00 BF=581 VAF=197\r
11280 + IKF=30.4m ISE=2.54p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11281 + VAR=20.0 IKR=75.0m RE=0.830 RB=3.32 RC=0.332\r
11282 + XTB=1.5 CJE=12.5p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.02p VJC=0.300\r
11283 + MJC=0.300 TF=475p TR=80.1n EG=1.12 )\r
11284 \r
11285 *SRC=MMBT123S;DI_MMBT123S;BJTs NPN; Si;  18.0V  1.00A  100MHz   Diodes Inc.\r
11286 BJTs\r
11287 .MODEL DI_MMBT123S  NPN (IS=102f NF=1.00 BF=1.09k VAF=76.4\r
11288 + IKF=0.425 ISE=13.4p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11289 + VAR=20.0 IKR=1.05 RE=0.181 RB=0.726 RC=72.6m\r
11290 + XTB=1.5 CJE=71.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=23.1p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11291 + TF=1.55n TR=238n EG=1.12 )\r
11292 \r
11293 *SRC=MMBT2222A;DI_MMBT2222A;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  200MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11294 .MODEL DI_MMBT2222A  NPN (IS=25.4f NF=1.00 BF=274 VAF=114 \r
11295 + IKF=0.121 ISE=14.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11296 + VAR=24.0 IKR=0.300 RE=0.219 RB=0.877 RC=87.7m \r
11297 + XTB=1.5 CJE=27.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=14.2p VJC=0.300 \r
11298 + MJC=0.300 TF=622p TR=124n EG=1.12 )\r
11299 \r
11300 *SRC=MMBT2222AT;DI_MMBT2222AT;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  300MHz   Diodes\r
11301 Inc. BJTs\r
11302 .MODEL DI_MMBT2222AT  NPN (IS=60.4f NF=1.00 BF=301 VAF=114\r
11303 + IKF=66.8m ISE=14.8p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11304 + VAR=24.0 IKR=0.165 RE=0.261 RB=1.04 RC=0.104\r
11305 + XTB=1.5 CJE=36.2p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=23.1p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11306 + TF=491p TR=82.1n EG=1.12 )\r
11307 \r
11308 *SRC=MMBT2907A;DI_MMBT2907A;BJTs PNP; Si;  60.0V  0.600A  200MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11309 .MODEL DI_MMBT2907A  PNP (IS=60.7f NF=1.00 BF=312 VAF=139 \r
11310 + IKF=0.219 ISE=26.0p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11311 + VAR=20.0 IKR=0.540 RE=85.8m RB=0.343 RC=34.3m \r
11312 + XTB=1.5 CJE=50.4p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=23.1p VJC=0.300 \r
11313 + MJC=0.300 TF=758p TR=123n EG=1.12 )\r
11314 \r
11315 *SRC=MMBT2907AT;DI_MMBT2907AT;BJTs PNP; Si;  60.0V  0.500A  300MHz   Diodes Inc. BJTs \r.MODEL DI_MMBT2907AT  PNP (IS=50.0f NF=1.00 BF=410 VAF=139\r+ IKF=0.182 ISE=16.4p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=20.0 IKR=0.450 RE=0.343 RB=1.37 RC=0.137\r+ XTB=1.5 CJE=34.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=14.7p VJC=0.300\r+ MJC=0.300 TF=484p TR=29.9n EG=1.12 )\r
11316 \r
11317 *SRC=MMBT3904;DI_MMBT3904;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.200A  347MHz   Diodes Inc. NPN Transistor\r
11318 .MODEL DI_MMBT3904  NPN (IS=48.3f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11319 + IKF=0.121 ISE=13.1p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11320 + VAR=24.0 IKR=0.300 RE=2.63 RB=10.5 RC=1.05\r
11321 + XTB=1.5 CJE=9.67p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.70p VJC=0.300\r
11322 + MJC=0.300 TF=440p TR=74.7n EG=1.12 )\r
11323 \r
11324 *SRC=MMBT3904T;DI_MMBT3904T;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.200A  347MHz   Diodes\r
11325 Inc. BJTs\r
11326 .MODEL DI_MMBT3904T  NPN (IS=20.2f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11327 + IKF=30.4m ISE=4.25p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11328 + VAR=24.0 IKR=75.0m RE=0.707 RB=2.83 RC=0.283\r
11329 + XTB=1.5 CJE=8.92p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.10p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11330 + TF=383p TR=69.9n EG=1.12 )\r
11331 \r
11332 *SRC=MMBT3906;DI_MMBT3906;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. Transistor\r
11333 .MODEL DI_MMBT3906  PNP (IS=20.3f NF=1.00 BF=192 VAF=114\r
11334 + IKF=60.7m ISE=12.9p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11335 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=1.16 RB=4.63 RC=0.463\r
11336 + XTB=1.5 CJE=7.60p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=6.52p VJC=0.300\r
11337 + MJC=0.300 TF=589p TR=98.4n EG=1.12 )\r
11338 \r
11339 *SRC=MMBT3906T;DI_MMBT3906T;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.200A  257MHz   Didoes\r
11340 Inc. BJTs\r
11341 .MODEL DI_MMBT3906T  NPN (IS=7.21e-016 NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11342 + IKF=60.7m ISE=1.13p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11343 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=1.21 RB=4.83 RC=0.483\r
11344 + XTB=1.5 CJE=10.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=6.63p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11345 + TF=571p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11346 \r
11347 *SRC=MMBT4124;DI_MMBT4124;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.200A  347MHz   Diodes Inc. NPN Transistor \r\r
11348 .MODEL DI_MMBT4124  NPN (IS=20.7f NF=1.00 BF=492 VAF=98.6 \r\r
11349 + IKF=72.9m ISE=5.54p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r\r
11350 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=2.63 RB=10.5 RC=1.05 \r\r
11351 + XTB=1.5 CJE=9.65p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=9.47p VJC=0.300 \r\r
11352 + MJC=0.300 TF=415p TR=69.8n EG=1.12 ) \r\r
11353 \r\r
11354 *SRC=MMBT4126;DI_MMBT4126;BJTs PNP; Si;  25.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. Transistor \r\r
11355 .MODEL DI_MMBT4126  PNP (IS=20.3f NF=1.00 BF=598 VAF=90.0 \r\r
11356 + IKF=72.9m ISE=4.52p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r\r
11357 + VAR=16.0 IKR=0.180 RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103 \r\r
11358 + XTB=1.5 CJE=13.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=10.7p VJC=0.300 \r\r
11359 + MJC=0.300 TF=569p TR=93.4n EG=1.12 )\r
11360 \r
11361 *SRC=MMBT4126;DI_MMBT4126;BJTs PNP; Si;  25.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11362 .MODEL DI_MMBT4126  PNP (IS=20.3f NF=1.00 BF=598 VAF=90.0 \r
11363 + IKF=72.9m ISE=4.52p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11364 + VAR=16.0 IKR=0.180 RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103 \r
11365 + XTB=1.5 CJE=13.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=10.7p VJC=0.300 \r
11366 + MJC=0.300 TF=569p TR=93.4n EG=1.12 )\r
11367 \r
11368 *SRC=MMBT4401;DI_MMBT4401;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  200MHz   Diodes, Inc. transistor\r
11369 .MODEL DI_MMBT4401  NPN (IS=60.9f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11370 + IKF=0.364 ISE=25.5p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11371 + VAR=24.0 IKR=0.900 RE=0.713 RB=2.85 RC=0.285\r
11372 + XTB=1.5 CJE=36.2p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=15.4p VJC=0.300\r
11373 + MJC=0.300 TF=717p TR=121n EG=1.12 )\r
11374 \r
11375 *SRC=MMBT4401T;DI_MMBT4401T;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  275MHz   Diodes\r
11376 Inc. BJTs\r
11377 .MODEL DI_MMBT4401T  NPN (IS=1.27p NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11378 + IKF=60.7m ISE=47.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11379 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.261 RB=1.04 RC=0.104\r
11380 + XTB=1.5 CJE=27.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=14.2p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11381 + TF=533p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11382 \r
11383 *SRC=MMBT4403;DI_MMBT4403;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.600A  300MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11384 .MODEL DI_MMBT4403  PNP (IS=26.9f NF=1.00 BF=274 VAF=114 \r
11385 + IKF=0.304 ISE=23.2p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11386 + VAR=20.0 IKR=0.750 RE=0.263 RB=1.05 RC=0.105 \r
11387 + XTB=1.5 CJE=36.2p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=24.6p VJC=0.300 \r
11388 + MJC=0.300 TF=500p TR=82.4n EG=1.12 )\r
11389 \r
11390 *****************************************************************************************************************************************\r
11391 *SRC=MMBT4403T;DI_MMBT4403T;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.600A  200MHz   Diodes Inc. BJTs\r
11392 .MODEL DI_MMBT4403T  PNP (IS=60.4f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11393 + IKF=0.304 ISE=23.2p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11394 + VAR=20.0 IKR=0.750 RE=0.261 RB=1.04 RC=0.104\r
11395 + XTB=1.5 CJE=27.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300\r
11396 + MJC=0.300 TF=667p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11397 *****************************************************************************************************************************************\r
11398 \r
11399 *SRC=MMBT5401;DI_MMBT5401;BJTs PNP; Si;  150V  0.200A  300MHz   Diodes Inc.\r
11400 Transistor\r
11401 .MODEL DI_MMBT5401  PNP (IS=20.3f NF=1.00 BF=328 VAF=220\r
11402 + IKF=72.9m ISE=8.24p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11403 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103\r
11404 + XTB=1.5 CJE=54.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=17.5p VJC=0.300\r
11405 + MJC=0.300 TF=315p TR=81.7n EG=1.12 )\r
11406 \r
11407 *SRC=MMBT5551;DI_MMBT5551;BJTs NPN; Si;  160V  0.200A  130MHz   Diodes Inc.\r
11408 Transistor\r
11409 .MODEL DI_MMBT5551  NPN (IS=20.2f NF=1.00 BF=219 VAF=228\r
11410 + IKF=36.4m ISE=8.72p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11411 + VAR=24.0 IKR=90.0m RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103\r
11412 + XTB=1.5 CJE=27.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.99p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11413 + TF=1.13n TR=193n EG=1.12 )\r
11414 \r
11415 *SRC=MMBTA05;DI_MMBTA05;BJTs NPN; Si;  60.0V  0.500A  219MHz   Diodes Inc.\r
11416 BJTs\r
11417 .MODEL DI_MMBTA05  NPN (IS=51.3f NF=1.00 BF=547 VAF=139\r
11418 + IKF=0.146 ISE=11.1p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11419 + VAR=16.0 IKR=0.360 RE=0.223 RB=0.892 RC=89.2m\r
11420 + XTB=1.5 CJE=58.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.9p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11421 + TF=631p TR=110n EG=1.12 )\r
11422 \r
11423 *SRC=MMBTA06;DI_MMBTA06;BJTs NPN; Si;  80.0V  0.500A  219MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11424 .MODEL DI_MMBTA06  NPN (IS=50.8f NF=1.00 BF=479 VAF=161 \r
11425 + IKF=91.1m ISE=9.99p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11426 + VAR=16.0 IKR=0.225 RE=0.103 RB=0.412 RC=41.2m \r
11427 + XTB=1.5 CJE=58.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.9p VJC=0.300 \r
11428 + MJC=0.300 TF=576p TR=110n EG=1.12 )\r
11429 \r
11430 *SRC=MMBTA42;DI_MMBTA42;BJTs NPN; Si;  300V  0.500A  219MHz   Diodes Inc. NPN Transistor \r
11431 .MODEL DI_MMBTA42  NPN (IS=51.0f NF=1.00 BF=194 VAF=312 \r
11432 + IKF=0.182 ISE=34.9p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11433 + VAR=24.0 IKR=0.450 RE=11.6 RB=46.3 RC=4.63 \r
11434 + XTB=1.5 CJE=58.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.9p VJC=0.300 \r
11435 + MJC=0.300 TF=481p TR=115n EG=1.12 )\r
11436 \r
11437 *SRC=MMBTA55;DI_MMBTA55;BJTs PNP; Si;  60.0V  0.500A  163MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11438 .MODEL DI_MMBTA55  PNP (IS=50.8f NF=1.00 BF=479 VAF=139 \r
11439 + IKF=91.1m ISE=9.99p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11440 + VAR=16.0 IKR=0.225 RE=0.103 RB=0.412 RC=41.2m \r
11441 + XTB=1.5 CJE=125p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=40.2p VJC=0.300 \r
11442 + MJC=0.300 TF=660p TR=149n EG=1.12 )\r
11443 \r
11444 *SRC=MMBTA56;DI_MMBTA56;BJTs PNP; Si;  80.0V  0.500A  163MHz   Diodes Inc.\r
11445 Transistor\r
11446 .MODEL DI_MMBTA56  PNP (IS=50.8f NF=1.00 BF=479 VAF=161\r
11447 + IKF=91.1m ISE=9.99p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11448 + VAR=16.0 IKR=0.225 RE=0.103 RB=0.412 RC=41.2m\r
11449 + XTB=1.5 CJE=125p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=40.2p VJC=0.300\r
11450 + MJC=0.300 TF=660p TR=149n EG=1.12 )\r
11451 \r
11452 *SRC=MMBTA92;DI_MMBTA92;BJTs PNP; Si;  300V  0.500A  60.0MHz   Diodes Inc.\r
11453 Transistor\r
11454 .MODEL DI_MMBTA92  PNP (IS=177f NF=1.00 BF=239 VAF=312\r
11455 + IKF=72.9m ISE=33.4p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11456 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=1.16 RB=4.63 RC=0.463\r
11457 + XTB=1.5 CJE=125p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=40.2p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11458 + TF=2.18n TR=415n EG=1.12 )\r
11459 \r
11460 *SRC=MMBTH10;DI_MMBTH10;BJTs NPN; Si;  25.0V  50.0mA  1.00kMHz   Diodes Inc. Transistor \r
11461 .MODEL DI_MMBTH10  NPN (IS=1.26e-016 NF=1.00 BF=95.8 VAF=90.0 \r
11462 + IKF=24.3m ISE=1.28p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11463 + VAR=12.0 IKR=60.0m RE=1.51 RB=6.05 RC=0.605 \r
11464 + XTB=1.5 CJE=6.27p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=2.02p VJC=0.300 \r
11465 + MJC=0.300 TF=130p TR=27.4n EG=1.12 )\r
11466 \r
11467 *SRC=MMBTH24;DI_MMBTH24;BJTs NPN; Si;  40.0V  50.0mA  1.00kMHz   Diodes Inc. Transistor \r
11468 .MODEL DI_MMBTH24  NPN (IS=1.26e-016 NF=1.00 BF=95.8 VAF=114 \r
11469 + IKF=24.3m ISE=1.28p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11470 + VAR=16.0 IKR=60.0m RE=1.51 RB=6.05 RC=0.605 \r
11471 + XTB=1.5 CJE=6.27p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=2.02p VJC=0.300 \r
11472 + MJC=0.300 TF=130p TR=27.4n EG=1.12 )\r
11473 \r
11474 F=496p TR=81.1n EG=1.12 )\r
11475 \r
11476 *****************************************************************************************************************************************\r
11477 *SRC=MMDT2227;DI_MMDT2227_NPN;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  300MHz   Diodes Inc. BJTs - Complementary\r
11478 .MODEL DI_MMDT2227_NPN  NPN (IS=61.0f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11479 + IKF=0.121 ISE=14.8p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11480 + VAR=24.0 IKR=0.300 RE=0.269 RB=1.08 RC=0.108\r
11481 + XTB=1.5 CJE=27.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=15.3p VJC=0.300\r
11482 + MJC=0.300 TF=496p TR=81.1n EG=1.12 )\r
11483 \r
11484 *SRC=MMDT2227;DI_MMDT2227_PNP;BJTs PNP; Si;  60.0V  0.600A  300MHz   Diodes Inc. BJTs - Complementary\r
11485 .MODEL DI_MMDT2227_PNP  PNP (IS=61.2f NF=1.00 BF=410 VAF=139\r
11486 + IKF=0.279 ISE=22.4p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11487 + VAR=20.0 IKR=0.690 RE=0.361 RB=1.44 RC=0.144\r
11488 + XTB=1.5 CJE=27.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300\r
11489 + MJC=0.300 TF=491p TR=81.1n EG=1.12 )\r
11490 *****************************************************************************************************************************************\r
11491 \r
11492 *****************************************************************************************************************************************\r
11493 *SRC=MMDT2907A;DI_MMDT2907A;BJTs PNP; Si;  60.0V  0.600A  300MHz   Diodes Inc. BJTs - Single device of  dual\r
11494 .MODEL DI_MMDT2907A  PNP (IS=61.2f NF=1.00 BF=410 VAF=139\r
11495 + IKF=0.279 ISE=22.4p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11496 + VAR=20.0 IKR=0.690 RE=0.361 RB=1.44 RC=0.144\r
11497 + XTB=1.5 CJE=27.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300\r
11498 + MJC=0.300 TF=491p TR=81.1n EG=1.12 )\r
11499 *****************************************************************************************************************************************\r
11500 \r
11501 *SRC=MMDT3904;DI_MMDT3904;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.200A  347MHz   Diodes\r
11502 Inc. BJTs - Single device of dual\r
11503 .MODEL DI_MMDT3904  NPN (IS=5.81e-016 NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11504 + IKF=0.304 ISE=2.28p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11505 + VAR=24.0 IKR=0.750 RE=0.707 RB=2.83 RC=0.283\r
11506 + XTB=1.5 CJE=9.67p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=6.86p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11507 + TF=450p TR=70.2n EG=1.12 )\r
11508 \r
11509 *SRC=MMDT3906;DI_MMDT3906;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.200A  257MHz   Diodes\r
11510 Inc. BJTs - Single device of dual\r
11511 .MODEL DI_MMDT3906  PNP (IS=7.21e-016 NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11512 + IKF=48.6m ISE=1.01p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11513 + VAR=20.0 IKR=0.120 RE=1.21 RB=4.83 RC=0.483\r
11514 + XTB=1.5 CJE=10.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.57p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11515 + TF=558p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11516 \r
11517 *****************************************************************************************************************************************\r
11518 *SRC=MMDT3946;DI_MMDT3946_NPN;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.200A  347MHz   Diodes Inc. BJTs - Complementary\r
11519 .MODEL DI_MMDT3946_NPN  NPN (IS=5.81e-016 NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11520 + IKF=0.304 ISE=2.28p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11521 + VAR=24.0 IKR=0.750 RE=0.707 RB=2.83 RC=0.283\r
11522 + XTB=1.5 CJE=9.67p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=6.86p VJC=0.300\r
11523 + MJC=0.300 TF=450p TR=70.2n EG=1.12 )\r
11524 \r
11525 *SRC=MMDT3946;DI_MMDT3946_PNP;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. BJTs - Complementary\r
11526 .MODEL DI_MMDT3946_PNP  PNP (IS=7.21e-016 NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11527 + IKF=48.6m ISE=1.01p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11528 + VAR=20.0 IKR=0.120 RE=1.21 RB=4.83 RC=0.483\r
11529 + XTB=1.5 CJE=10.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.57p VJC=0.300\r
11530 + MJC=0.300 TF=558p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11531 *****************************************************************************************************************************************\r
11532 \r
11533 *SRC=MMDT4124;DI_MMDT4124;BJTs NPN; Si;  25.0V  0.200A  347MHz   Diodes\r
11534 Inc. BTJs - Single device of dual\r
11535 .MODEL DI_MMDT4124  NPN (IS=5.81e-016 NF=1.00 BF=492 VAF=90.0\r
11536 + IKF=30.4m ISE=600f NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11537 + VAR=20.0 IKR=75.0m RE=0.707 RB=2.83 RC=0.283\r
11538 + XTB=1.5 CJE=7.96p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.10p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11539 + TF=386p TR=69.8n EG=1.12 )\r
11540 \r
11541 *SRC=MMDT4126;DI_MMDT4126;BJTs PNP; Si;  25.0V  0.200A  257MHz   Diodes\r
11542 Inc. BTJs - Single device of dual\r
11543 .MODEL DI_MMDT4126  PNP (IS=7.06e-016 NF=1.00 BF=492 VAF=90.0\r
11544 + IKF=60.7m ISE=935f NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11545 + VAR=16.0 IKR=0.150 RE=1.16 RB=4.63 RC=0.463\r
11546 + XTB=1.5 CJE=7.24p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.10p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11547 + TF=585p TR=94.0n EG=1.12 )\r
11548 \r
11549 *SRC=MMBT4124;DI_MMBT4124;BJTs NPN; Si;  30.0V  0.200A  347MHz   Diodes Inc. NPN Transistor \r
11550 .MODEL DI_MMBT4124  NPN (IS=20.7f NF=1.00 BF=492 VAF=98.6 \r
11551 + IKF=72.9m ISE=5.54p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11552 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=2.63 RB=10.5 RC=1.05 \r
11553 + XTB=1.5 CJE=9.65p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=9.47p VJC=0.300 \r
11554 + MJC=0.300 TF=415p TR=69.8n EG=1.12 ) \r
11555 \r
11556 *SRC=MMBT4126;DI_MMBT4126;BJTs PNP; Si;  25.0V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. Transistor \r
11557 .MODEL DI_MMBT4126  PNP (IS=20.3f NF=1.00 BF=598 VAF=90.0 \r
11558 + IKF=72.9m ISE=4.52p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11559 + VAR=16.0 IKR=0.180 RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103 \r
11560 + XTB=1.5 CJE=13.8p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=10.7p VJC=0.300 \r
11561 + MJC=0.300 TF=569p TR=93.4n EG=1.12 )\r
11562 \r
11563 *SRC=MMDT4401;DI_MMDT4401;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  275MHz   Diodes\r
11564 Inc. BJTs - Single device of dual\r
11565 .MODEL DI_MMDT4401  NPN (IS=60.7f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11566 + IKF=0.219 ISE=19.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11567 + VAR=24.0 IKR=0.540 RE=85.8m RB=0.343 RC=34.3m\r
11568 + XTB=1.5 CJE=36.2p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=15.4p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11569 + TF=539p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11570 \r
11571 *SRC=MMDT4403;DI_MMDT4403;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.600A  275MHz   Diodes\r
11572 Inc. BJTs - Single device of dual\r
11573 .MODEL DI_MMDT4403  PNP (IS=61.0f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11574 + IKF=0.340 ISE=24.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11575 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.269 RB=1.08 RC=0.108\r
11576 + XTB=1.5 CJE=27.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11577 + TF=516p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11578 \r
11579 *****************************************************************************************************************************************\r
11580 *SRC=MMDT4413;DI_MMDT4413_NPN;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  275MHz   Diodes Inc. BJTs - Complementaryl\r
11581 .MODEL DI_MMDT4413_NPN  NPN (IS=60.7f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11582 + IKF=0.219 ISE=19.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11583 + VAR=24.0 IKR=0.540 RE=85.8m RB=0.343 RC=34.3m\r
11584 + XTB=1.5 CJE=36.2p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=15.4p VJC=0.300\r
11585 + MJC=0.300 TF=539p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11586 \r
11587 *SRC=MMDT4413;DI_MMDT4413_PNP;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.600A  275MHz   Diodes Inc. BJTs - Complementary\r
11588 .MODEL DI_MMDT4413_PNP  PNP (IS=61.0f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11589 + IKF=0.340 ISE=24.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11590 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.269 RB=1.08 RC=0.108\r
11591 + XTB=1.5 CJE=27.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300\r
11592 + MJC=0.300 TF=516p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11593 *****************************************************************************************************************************************\r
11594 \r
11595 *SRC=MMDT5401;DI_MMDT5401;BJTs PNP; Si;  150V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. BJTs - Single device of dual\r\r
11596 .MODEL DI_MMDT5401  PNP (IS=6.83f NF=1.00 BF=328 VAF=220\r\r
11597 + IKF=72.9m ISE=4.78p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11598 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.157 RB=0.630 RC=63.0m\r\r
11599 + XTB=1.5 CJE=52.0p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=16.8p VJC=0.300\r\r
11600 + MJC=0.300 TF=450p TR=95.4n EG=1.12 )\r
11601 \r
11602 *SRC=MMDT5551;DI_MMDT5551;BJTs NPN; Si;  160V  0.200A  130MHz   Diodes Inc.\r
11603 Transistor - single device of dual\r
11604 .MODEL DI_MMDT5551  NPN (IS=20.2f NF=1.00 BF=219 VAF=228\r
11605 + IKF=36.4m ISE=8.72p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11606 + VAR=24.0 IKR=90.0m RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103\r
11607 + XTB=1.5 CJE=27.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.99p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11608 + TF=1.13n TR=193n EG=1.12 )\r
11609 \r
11610 *SRC=MMST2222A;DI_MMST2222A;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  300MHz   Diodes\r
11611 Inc. BJTs\r
11612 .MODEL DI_MMST2222A  NPN (IS=61.0f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11613 + IKF=0.121 ISE=14.8p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11614 + VAR=24.0 IKR=0.300 RE=0.269 RB=1.08 RC=0.108\r
11615 + XTB=1.5 CJE=27.6p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=15.0p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11616 + TF=496p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11617 \r
11618 *SRC=MMST2907A;DI_MMST2907A;BJTs PNP; Si;  60.0V  0.600A  275MHz   Diodes\r
11619 Inc. BJTs\r
11620 .MODEL DI_MMST2907A  PNP (IS=59.9f NF=1.00 BF=410 VAF=139\r
11621 + IKF=0.273 ISE=21.9p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11622 + VAR=20.0 IKR=0.675 RE=0.344 RB=1.38 RC=0.138\r
11623 + XTB=1.5 CJE=30.2p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11624 + TF=513p TR=29.9n EG=1.12 )\r
11625 \r
11626 *SRC=MMST3904;DI_MMST3904;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.200A  347MHz   Diodes\r
11627 Inc. BJTs\r
11628 .MODEL DI_MMST3904  NPN (IS=3.95e-016 NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11629 + IKF=30.4m ISE=593f NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11630 + VAR=24.0 IKR=75.0m RE=0.707 RB=2.83 RC=0.283\r
11631 + XTB=1.5 CJE=9.95p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.99p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11632 + TF=367p TR=70.2n EG=1.12 )\r
11633 \r
11634 *SRC=MMST3906;DI_MMST3906;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.200A  347MHz   Diodes\r
11635 Inc. BJTs\r
11636 .MODEL DI_MMST3906  PNP (IS=7.06e-016 NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11637 + IKF=60.7m ISE=1.12p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11638 + VAR=20.0 IKR=0.150 RE=1.16 RB=4.63 RC=0.463\r
11639 + XTB=1.5 CJE=7.84p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.10p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11640 + TF=422p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11641 \r
11642 *SRC=MMST4124;DI_MMST4124;BJTs NPN; Si;  25.0V  0.200A  347MHz   Diodes\r
11643 Inc. BJTs\r
11644 .MODEL DI_MMST4124  NPN (IS=5.81e-016 NF=1.00 BF=492 VAF=90.0\r
11645 + IKF=30.4m ISE=600f NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11646 + VAR=20.0 IKR=75.0m RE=0.707 RB=2.83 RC=0.283\r
11647 + XTB=1.5 CJE=7.84p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=7.10p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11648 + TF=387p TR=69.8n EG=1.12 )\r
11649 \r
11650 *SRC=MMST4126;DI_MMST4126;BJTs PNP; Si;  25.0V  0.200A  257MHz   Diodes\r
11651 Inc. BJTs\r
11652 .MODEL DI_MMST4126  PNP (IS=7.06e-016 NF=1.00 BF=492 VAF=90.0\r
11653 + IKF=48.6m ISE=836f NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11654 + VAR=16.0 IKR=0.120 RE=1.16 RB=4.63 RC=0.463\r
11655 + XTB=1.5 CJE=7.24p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=6.86p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11656 + TF=576p TR=94.0n EG=1.12 )\r
11657 \r
11658 *SRC=MMST4401;DI_MMST4401;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  275MHz   Diodes Inc. BJTs\r
11659 .MODEL DI_MMST4401  NPN (IS=1.27p NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11660 + IKF=60.7m ISE=47.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11661 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.261 RB=1.04 RC=0.104\r
11662 + XTB=1.5 CJE=27.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=14.2p VJC=0.300\r
11663 + MJC=0.300 TF=533p TR=84.1n EG=1.12 )\r
11664 \r
11665 *SRC=MMST4403;DI_MMST4403;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.600A  300MHz   Diodes\r
11666 Inc. BJTs\r
11667 .MODEL DI_MMST4403  PNP (IS=60.4f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
11668 + IKF=0.334 ISE=24.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11669 + VAR=20.0 IKR=0.825 RE=0.261 RB=1.04 RC=0.104\r
11670 + XTB=1.5 CJE=31.4p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11671 + TF=486p TR=81.1n EG=1.12 )\r
11672 \r
11673 *SRC=MMST5401;DI_MMST5401;BJTs PNP; Si;  150V  0.200A  257MHz   Diodes Inc. BJTs - Single device of dual\r\r
11674 .MODEL DI_MMST5401  PNP (IS=6.83f NF=1.00 BF=328 VAF=220\r\r
11675 + IKF=72.9m ISE=4.78p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11676 + VAR=20.0 IKR=0.180 RE=0.157 RB=0.630 RC=63.0m\r\r
11677 + XTB=1.5 CJE=52.0p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=16.8p VJC=0.300\r\r
11678 + MJC=0.300 TF=450p TR=95.4n EG=1.12 )\r
11679 \r
11680 *SRC=MMST5551;DI_MMST5551;BJTs NPN; Si;  160V  0.200A  130MHz   Diodes Inc.\r
11681 Transistor\r
11682 .MODEL DI_MMST5551  NPN (IS=20.2f NF=1.00 BF=219 VAF=228\r
11683 + IKF=36.4m ISE=8.72p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11684 + VAR=24.0 IKR=90.0m RE=0.257 RB=1.03 RC=0.103\r
11685 + XTB=1.5 CJE=27.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=8.99p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11686 + TF=1.13n TR=193n EG=1.12 )\r
11687 \r
11688 *SRC=MMSTA05;DI_MMSTA05;BJTs NPN; Si;  60.0V  0.500A  219MHz   Diodes Inc.\r
11689 BJTs\r
11690 .MODEL DI_MMSTA05  NPN (IS=94.2f NF=1.00 BF=331 VAF=139\r
11691 + IKF=0.146 ISE=24.9p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11692 + VAR=16.0 IKR=0.360 RE=0.215 RB=0.860 RC=86.0m\r
11693 + XTB=1.5 CJE=58.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.9p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11694 + TF=633p TR=112n EG=1.12 )\r
11695 \r
11696 *SRC=MMSTA06;DI_MMSTA06;BJTs NPN; Si;  80.0V  0.500A  219MHz   Diodes Inc.\r
11697 BJTs\r
11698 .MODEL DI_MMSTA06  NPN (IS=94.2f NF=1.00 BF=301 VAF=161\r
11699 + IKF=0.146 ISE=27.4p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11700 + VAR=16.0 IKR=0.360 RE=0.215 RB=0.860 RC=86.0m\r
11701 + XTB=1.5 CJE=58.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.9p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11702 + TF=633p TR=112n EG=1.12 )\r
11703 \r
11704 *SRC=MMSTA42;DI_MMSTA42;BJTs NPN; Si;  300V  0.200A  347MHz   Diodes Inc. BJTs\r\r
11705 .MODEL DI_MMSTA42  NPN (IS=109f NF=1.00 BF=219 VAF=312\r\r
11706 + IKF=0.425 ISE=69.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11707 + VAR=24.0 IKR=1.05 RE=1.21 RB=4.86 RC=0.486\r\r
11708 + XTB=1.5 CJE=32.9p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=10.6p VJC=0.300\r\r
11709 + MJC=0.300 TF=441p TR=72.5n EG=1.12 )\r
11710 \r
11711 *SRC=MMSTA55;DI_MMSTA55;BJTs PNP; Si;  60.0V  0.500A  70.0MHz   Diodes Inc.\r
11712 BJTs\r
11713 .MODEL DI_MMSTA55  PNP (IS=50.2f NF=1.00 BF=331 VAF=139\r
11714 + IKF=0.182 ISE=20.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11715 + VAR=16.0 IKR=0.450 RE=0.133 RB=0.532 RC=53.2m\r
11716 + XTB=1.5 CJE=125p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=40.2p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11717 + TF=2.16n TR=350n EG=1.12 )\r
11718 \r
11719 *SRC=MMSTA56;DI_MMSTA56;BJTs PNP; Si;  80.0V  0.500A  70.0MHz   Diodes Inc.\r
11720 BJTs\r
11721 .MODEL DI_MMSTA56  PNP (IS=50.2f NF=1.00 BF=331 VAF=161\r
11722 + IKF=0.182 ISE=20.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11723 + VAR=16.0 IKR=0.450 RE=0.133 RB=0.532 RC=53.2m\r
11724 + XTB=1.5 CJE=125p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=40.2p VJC=0.300 MJC=0.300 \r
11725 + TF=2.16n TR=350n EG=1.12 )\r
11726 \r
11727 *SRC=MMSTA92;DI_MMSTA92;BJTs PNP; Si;  300V  0.100A  60.0MHz   Diodes Inc.  BJTs\r\r
11728 .MODEL DI_MMSTA92  PNP (IS=53.7f NF=1.00 BF=164 VAF=312\r\r
11729 + IKF=66.8m ISE=25.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11730 + VAR=20.0 IKR=0.165 RE=0.565 RB=2.26 RC=0.226\r\r
11731 + XTB=1.5 CJE=52.0p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=16.8p VJC=0.300\r\r
11732 + MJC=0.300 TF=2.46n TR=426n EG=1.12 )\r
11733 \r
11734 *SRC=MMBT6427;DI_MMBT6427;BJTs NPN;Darlington;40.0V 0.500A Diodes Inc. Darlington Transistor\r*SYM=DARBJTN\r.SUBCKT DII_MMBT6427 col base emtr\rQ1 col base eb QPWR .1\rQ2 col eb emtr QPWR\rD1 emtr col  DSUB\rD2 eb base  DSUB\r.MODEL QPWR NPN  (IS=600f NF=1.00 BF=448  VAF=114\r+ IKF=0.400 ISE=10.9p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=48.0  IKR=0.600 RE=0.300 RB=1.20  RC=0.120\r+ XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p\r+  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=1.30n  TR=659n )\r
11735 \r
11736 *SRC=MMBTA13;DI_MMBTA13;BJTs NPN;Darlington;30.0V 0.300A Diodes Inc. NPN Darlington \r
11737 *SYM=DARBJTN \r
11738 .SUBCKT DI_MMBTA13 col base emtr \r
11739 Q1 col base eb QPWR .1 \r
11740 Q2 col eb emtr QPWR \r
11741 D1 emtr col  DSUB \r
11742 D2 eb base  DSUB \r
11743 .MODEL QPWR NPN  (IS=360f NF=1.00 BF=134  VAF=98.6 \r
11744 + IKF=0.240 ISE=21.9p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11745 + VAR=40.0  IKR=0.360 RE=4.00 RB=16.0  RC=1.60 \r
11746 + XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p \r
11747 +  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=3.77n  TR=617n ) \r
11748 .MODEL DSUB D( IS=360f N=1 RS=4.00  BV=30.0 \r
11749 + IBV=.001  CJO=13.9p TT=617n ) \r
11750 .ENDS\r
11751 \r
11752 *SRC=MMBTA14;DI_MMBTA14;BJTs NPN;Darlington;30.0V 0.300A Diodes Inc. Darlington Transistor\r\r
11753 *SYM=DARBJTN\r\r
11754 .SUBCKT DI_MMBTA14 col base emtr\r\r
11755 Q1 col base eb QPWR .1\r\r
11756 Q2 col eb emtr QPWR\r\r
11757 D1 emtr col  DSUB\r\r
11758 D2 eb base  DSUB\r\r
11759 .MODEL QPWR NPN  (IS=360f NF=1.00 BF=141  VAF=98.6\r\r
11760 + IKF=0.240 ISE=20.8p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r\r
11761 + VAR=40.0  IKR=0.360 RE=0.333 RB=1.33  RC=0.133\r\r
11762 + XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p\r\r
11763 +  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=3.57n  TR=614n )=0.133\r\r
11764 + XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p\r\r
11765 +  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=3.57n  TR=614n )\r\r
11766 .MODEL DSUB D( IS=360f N=1 RS=0.333  BV=30.0\r\r
11767 + IBV=.001  CJO=13.9p TT=614n )\r
11768 \r
11769 *SRC=MMBTA28;DI_MMBTA28;BJTs NPN;Darlington;80.0V 0.500A Diodes Inc. NPN Darlington \r
11770 *SYM=DARBJTN \r
11771 .SUBCKT DI_MMBTA28 col base emtr \r
11772 Q1 col base eb QPWR .1 \r
11773 Q2 col eb emtr QPWR \r
11774 D1 emtr col  DSUB \r
11775 D2 eb base  DSUB \r
11776 .MODEL QPWR NPN  (IS=600f NF=1.00 BF=134  VAF=161 \r
11777 + IKF=0.400 ISE=36.5p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00 \r
11778 + VAR=48.0  IKR=0.600 RE=0.500 RB=2.00  RC=0.200 \r
11779 + XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p \r
11780 +  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=6.15n  TR=1.01u ) \r
11781 .MODEL DSUB D( IS=600f N=1 RS=0.500  BV=80.0 \r
11782 + IBV=.001  CJO=13.9p TT=1.01u ) \r
11783 .ENDS\r
11784 \r
11785 *SRC=MMBTA63;DI_MMBTA63;BJTs PNP;Darlington;30.0V 0.500A Diodes Inc.  Darlington Transistor\r*SYM=DARBJTP\r.SUBCKT DII_MMBTA63 col base emtr\rQ1 col base eb QPWR .1\rQ2 col eb emtr QPWR\rD1  col emtr DSUB\rD2 base eb DSUB\r.MODEL QPWR PNP  (IS=600f NF=1.00 BF=100  VAF=98.6\r+ IKF=0.400 ISE=49.0p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=40.0  IKR=0.600 RE=0.340 RB=1.36  RC=0.136\r+ XTB=1.5 CJE=115p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=16.5p\r+  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=5.05n  TR=641n )\r
11786 \r
11787 *SRC=MMBTA64;DI_MMBTA64;BJTs PNP;Darlington;30.0V 0.500A Diodes Inc.  Darlington Transistor\r*SYM=DARBJTP\r.SUBCKT DII_MMBTA64 col base emtr\rQ1 col base eb QPWR .1\rQ2 col eb emtr QPWR\rD1  col emtr DSUB\rD2 base eb DSUB\r.MODEL QPWR PNP  (IS=600f NF=1.00 BF=141  VAF=98.6\r+ IKF=0.400 ISE=34.6p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=40.0  IKR=0.600 RE=0.340 RB=1.36  RC=0.136\r+ XTB=1.5 CJE=115p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=16.5p\r+  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=3.57n  TR=614n )\r
11788 \r
11789 *SRC=MMST6427;DI_MMST6427;BJTs NPN;Darlington;40.0V 0.500A Diodes Inc. Darlington Transistor\r*SYM=DARBJTN\r.SUBCKT DII_MMST6427 col base emtr\rQ1 col base eb QPWR .1\rQ2 col eb emtr QPWR\rD1 emtr col  DSUB\rD2 eb base  DSUB\r.MODEL QPWR NPN  (IS=600f NF=1.00 BF=448  VAF=114\r+ IKF=0.400 ISE=10.9p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=48.0  IKR=0.600 RE=0.300 RB=1.20  RC=0.120\r+ XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p\r+  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=1.30n  TR=659n )\r
11790 \r
11791 *SRC=MMSTA13;DI_MMSTA13;BJTs NPN;Darlington;30.0V 0.300A Diodes Inc. Darlington Transistor\r*SYM=DARBJTN\r.SUBCKT DI_MMSTA13 col base emtr\rQ1 col base eb QPWR .1\rQ2 col eb emtr QPWR\rD1 emtr col  DSUB\rD2 eb base  DSUB\r.MODEL QPWR NPN  (IS=360f NF=1.00 BF=100  VAF=98.6\r+ IKF=0.240 ISE=29.4p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=40.0  IKR=0.360 RE=0.333 RB=1.33  RC=0.133\r+ XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p\r+  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=5.05n  TR=641n )\r
11792 \r
11793 *SRC=MMSTA14;DI_MMSTA14;BJTs NPN;Darlington;30.0V 0.300A Diodes Inc. Darlington Transistor\r
11794 *SYM=DARBJTN\r
11795 .SUBCKT DI_MMSTA14 col base emtr\r
11796 Q1 col base eb QPWR .1\r
11797 Q2 col eb emtr QPWR\r
11798 D1 emtr col  DSUB\r
11799 D2 eb base  DSUB\r
11800 .MODEL QPWR NPN  (IS=360f NF=1.00 BF=141  VAF=98.6\r
11801 + IKF=0.240 ISE=20.8p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11802 + VAR=40.0  IKR=0.360 RE=0.333 RB=1.33  RC=0.133\r
11803 + XTB=1.5 CJE=189p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=13.9p\r
11804 +  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=3.57n  TR=614n )\r
11805 \r
11806 *SRC=MMSTA63;DI_MMSTA63;BJTs PNP;Darlington;30.0V 0.500A Diodes Inc.  Darlington Transistor\r*SYM=DARBJTP\r.SUBCKT DII_MMSTA63 col base emtr\rQ1 col base eb QPWR .1\rQ2 col eb emtr QPWR\rD1  col emtr DSUB\rD2 base eb DSUB\r.MODEL QPWR PNP  (IS=600f NF=1.00 BF=100  VAF=98.6\r+ IKF=0.400 ISE=49.0p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=40.0  IKR=0.600 RE=0.340 RB=1.36  RC=0.136\r+ XTB=1.5 CJE=115p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=16.5p\r+  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=5.05n  TR=641n )\r
11807 \r
11808 *SRC=MMSTA64;DI_MMSTA64;BJTs PNP;Darlington;30.0V 0.500A Diodes Inc.  Darlington Transistor\r*SYM=DARBJTP\r.SUBCKT DII_MMSTA64 col base emtr\rQ1 col base eb QPWR .1\rQ2 col eb emtr QPWR\rD1  col emtr DSUB\rD2 base eb DSUB\r.MODEL QPWR PNP  (IS=600f NF=1.00 BF=141  VAF=98.6\r+ IKF=0.400 ISE=34.6p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r+ VAR=40.0  IKR=0.600 RE=0.340 RB=1.36  RC=0.136\r+ XTB=1.5 CJE=115p  VJE=0.740 MJE=0.450 CJC=16.5p\r+  VJC=1.10 MJC=0.240 TF=3.57n  TR=614n )\r
11809 \r
11810 ******************************************************************************************************************************************\r
11811 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11812 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11813 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11814 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
11815 tolerance.\r
11816 \r
11817 *SRC=DCX114EH;DI_DCX114EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11818 .MODEL DI_DCX114EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11819 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11820 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11821 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
11822 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
11823 ********************************************************************************************************************************\r
11824 ***************************************************************************************************************************************\r
11825 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11826 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11827 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11828 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
11829 tolerance.\r
11830 \r
11831 *SRC=DCX114EH;DI_DCX114EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11832 .MODEL DI_DCX114EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11833 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11834 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
11835 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
11836 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
11837 \r
11838 ******************************************************************************************************************************************\r
11839 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11840 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11841 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11842 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
11843 tolerance.\r
11844 \r
11845 *SRC=DCX114EK;DI_DCX114EK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11846 .MODEL DI_DCX114EK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11847 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11848 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11849 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
11850 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
11851 ********************************************************************************************************************************\r
11852 ***************************************************************************************************************************************\r
11853 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11854 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11855 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11856 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
11857 tolerance.\r
11858 \r
11859 *SRC=DCX114EK;DI_DCX114EK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11860 .MODEL DI_DCX114EK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11861 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11862 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
11863 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
11864 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
11865 \r
11866 ******************************************************************************************************************************************\r
11867 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11868 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11869 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11870 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
11871 tolerance.\r
11872 \r
11873 *SRC=DCX123JU;DI_DCX123JU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11874 .MODEL DI_DCX123JU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11875 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11876 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11877 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
11878 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
11879 ********************************************************************************************************************************\r
11880 ***************************************************************************************************************************************\r
11881 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11882 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11883 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11884 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
11885 tolerance.\r
11886 \r
11887 *SRC=DCX123JU;DI_DCX123JU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11888 .MODEL DI_DCX123JU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11889 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11890 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
11891 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
11892 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
11893 \r
11894 ******************************************************************************************************************************************\r
11895 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11896 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11897 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11898 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
11899 tolerance.\r
11900 \r
11901 *SRC=DCX114TH;DI_DCX114TH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11902 .MODEL DI_DCX114TH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11903 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11904 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11905 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
11906 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
11907 ********************************************************************************************************************************\r
11908 ***************************************************************************************************************************************\r
11909 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11910 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11911 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11912 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
11913 tolerance.\r
11914 \r
11915 *SRC=DCX114TH;DI_DCX114TH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11916 .MODEL DI_DCX114TH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11917 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11918 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
11919 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
11920 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
11921 \r
11922 ******************************************************************************************************************************************\r
11923 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11924 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11925 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11926 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
11927 tolerance.\r
11928 \r
11929 *SRC=DCX114TK;DI_DCX114TK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11930 .MODEL DI_DCX114TK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11931 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11932 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11933 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
11934 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
11935 ********************************************************************************************************************************\r
11936 ***************************************************************************************************************************************\r
11937 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11938 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11939 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11940 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
11941 tolerance.\r
11942 \r
11943 *SRC=DCX114TK;DI_DCX114TK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11944 .MODEL DI_DCX114TK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11945 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11946 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
11947 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
11948 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
11949 \r
11950 ******************************************************************************************************************************************\r
11951 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11952 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11953 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11954 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
11955 tolerance.\r
11956 \r
11957 *SRC=DCX114TU;DI_DCX114TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11958 .MODEL DI_DCX114TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11959 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11960 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11961 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
11962 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
11963 ********************************************************************************************************************************\r
11964 ***************************************************************************************************************************************\r
11965 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11966 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11967 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11968 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
11969 tolerance.\r
11970 \r
11971 *SRC=DCX114TU;DI_DCX114TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11972 .MODEL DI_DCX114TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11973 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11974 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
11975 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
11976 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
11977 \r
11978 ******************************************************************************************************************************************\r
11979 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11980 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11981 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11982 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
11983 tolerance.\r
11984 \r
11985 *SRC=DCX114YH;DI_DCX114YH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
11986 .MODEL DI_DCX114YH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
11987 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
11988 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
11989 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
11990 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
11991 ********************************************************************************************************************************\r
11992 ***************************************************************************************************************************************\r
11993 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
11994 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
11995 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
11996 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
11997 tolerance.\r
11998 \r
11999 *SRC=DCX114YH;DI_DCX114YH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12000 .MODEL DI_DCX114YH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12001 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12002 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12003 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12004 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12005 \r
12006 ******************************************************************************************************************************************\r
12007 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12008 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12009 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12010 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12011 tolerance.\r
12012 \r
12013 *SRC=DCX114YK;DI_DCX114YK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12014 .MODEL DI_DCX114YK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12015 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12016 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12017 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12018 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12019 ********************************************************************************************************************************\r
12020 ***************************************************************************************************************************************\r
12021 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12022 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12023 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12024 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12025 tolerance.\r
12026 \r
12027 *SRC=DCX114YK;DI_DCX114YK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12028 .MODEL DI_DCX114YK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12029 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12030 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12031 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12032 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12033 \r
12034 ******************************************************************************************************************************************\r
12035 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12036 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12037 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12038 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12039 tolerance.\r
12040 \r
12041 *SRC=DCX114YU;DI_DCX114YU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12042 .MODEL DI_DCX114YU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12043 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12044 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12045 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12046 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12047 ********************************************************************************************************************************\r
12048 ***************************************************************************************************************************************\r
12049 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12050 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12051 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12052 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12053 tolerance.\r
12054 \r
12055 *SRC=DCX114YU;DI_DCX114YU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12056 .MODEL DI_DCX114YU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12057 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12058 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12059 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12060 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12061 \r
12062 ******************************************************************************************************************************************\r
12063 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12064 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12065 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12066 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12067 tolerance.\r
12068 \r
12069 *SRC=DCX122LH;DI_DCX122LH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12070 .MODEL DI_DCX122LH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12071 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12072 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12073 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12074 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12075 ********************************************************************************************************************************\r
12076 ***************************************************************************************************************************************\r
12077 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12078 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12079 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12080 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12081 tolerance.\r
12082 \r
12083 *SRC=DCX122LH;DI_DCX122LH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12084 .MODEL DI_DCX122LH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12085 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12086 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12087 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12088 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12089 \r
12090 ******************************************************************************************************************************************\r
12091 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12092 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12093 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12094 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12095 tolerance.\r
12096 \r
12097 *SRC=DCX122TH;DI_DCX122TH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12098 .MODEL DI_DCX122TH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12099 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12100 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12101 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12102 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12103 ********************************************************************************************************************************\r
12104 ***************************************************************************************************************************************\r
12105 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12106 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12107 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12108 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12109 tolerance.\r
12110 \r
12111 *SRC=DCX122TH;DI_DCX122TH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12112 .MODEL DI_DCX122TH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12113 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12114 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12115 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12116 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12117 \r
12118 ******************************************************************************************************************************************\r
12119 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12120 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12121 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12122 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12123 tolerance.\r
12124 \r
12125 *SRC=DCX123JH;DI_DCX123JH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12126 .MODEL DI_DCX123JH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12127 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12128 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12129 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12130 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12131 ********************************************************************************************************************************\r
12132 ***************************************************************************************************************************************\r
12133 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12134 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12135 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12136 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12137 tolerance.\r
12138 \r
12139 *SRC=DCX123JH;DI_DCX123JH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12140 .MODEL DI_DCX123JH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12141 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12142 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12143 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12144 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12145 \r
12146 ******************************************************************************************************************************************\r
12147 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12148 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12149 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12150 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12151 tolerance.\r
12152 \r
12153 *SRC=DCX123JK;DI_DCX123JK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12154 .MODEL DI_DCX123JK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12155 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12156 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12157 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12158 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12159 ********************************************************************************************************************************\r
12160 ***************************************************************************************************************************************\r
12161 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12162 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12163 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12164 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12165 tolerance.\r
12166 \r
12167 *SRC=DCX123JK;DI_DCX123JK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12168 .MODEL DI_DCX123JK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12169 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12170 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12171 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12172 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12173 \r
12174 ******************************************************************************************************************************************\r
12175 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12176 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12177 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12178 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12179 tolerance.\r
12180 \r
12181 *SRC=DCX123JU;DI_DCX123JU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12182 .MODEL DI_DCX123JU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12183 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12184 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12185 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12186 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12187 ********************************************************************************************************************************\r
12188 ***************************************************************************************************************************************\r
12189 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12190 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12191 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12192 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12193 tolerance.\r
12194 \r
12195 *SRC=DCX123JU;DI_DCX123JU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12196 .MODEL DI_DCX123JU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12197 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12198 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12199 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12200 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12201 \r
12202 ******************************************************************************************************************************************\r
12203 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12204 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12205 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12206 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12207 tolerance.\r
12208 \r
12209 *SRC=DCX124EH;DI_DCX124EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12210 .MODEL DI_DCX124EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12211 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12212 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12213 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12214 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12215 ********************************************************************************************************************************\r
12216 ***************************************************************************************************************************************\r
12217 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12218 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12219 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12220 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12221 tolerance.\r
12222 \r
12223 *SRC=DCX124EH;DI_DCX124EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12224 .MODEL DI_DCX124EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12225 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12226 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12227 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12228 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12229 \r
12230 *SRC=DCX124EK;DI_DCX124EK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12231 .MODEL DI_DCX124EK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12232 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12233 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12234 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12235 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12236 ********************************************************************************************************************************\r
12237 ***************************************************************************************************************************************\r
12238 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12239 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12240 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12241 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12242 tolerance.\r
12243 \r
12244 *SRC=DCX124EK;DI_DCX124EK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12245 .MODEL DI_DCX124EK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12246 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12247 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12248 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12249 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12250 \r
12251 ******************************************************************************************************************************************\r
12252 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12253 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12254 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12255 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12256 tolerance.\r
12257 \r
12258 *SRC=DCX124EU;DI_DCX124EU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12259 .MODEL DI_DCX124EU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12260 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12261 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12262 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12263 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12264 ********************************************************************************************************************************\r
12265 ***************************************************************************************************************************************\r
12266 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12267 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12268 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12269 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12270 tolerance.\r
12271 \r
12272 *SRC=DCX124EU;DI_DCX124EU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12273 .MODEL DI_DCX124EU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12274 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12275 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12276 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12277 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12278 \r
12279 ******************************************************************************************************************************************\r
12280 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12281 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12282 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12283 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12284 tolerance.\r
12285 \r
12286 *SRC=DCX142JH;DI_DCX142JH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12287 .MODEL DI_DCX142JH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12288 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12289 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12290 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12291 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12292 ********************************************************************************************************************************\r
12293 ***************************************************************************************************************************************\r
12294 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12295 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12296 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12297 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12298 tolerance.\r
12299 \r
12300 *SRC=DCX142JH;DI_DCX142JH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12301 .MODEL DI_DCX142JH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12302 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12303 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12304 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12305 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12306 \r
12307 ******************************************************************************************************************************************\r
12308 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12309 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12310 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12311 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12312 tolerance.\r
12313 \r
12314 *SRC=DCX142TH;DI_DCX142TH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12315 .MODEL DI_DCX142TH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12316 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12317 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12318 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12319 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12320 ********************************************************************************************************************************\r
12321 ***************************************************************************************************************************************\r
12322 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12323 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12324 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12325 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12326 tolerance.\r
12327 \r
12328 *SRC=DCX142TH;DI_DCX142TH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12329 .MODEL DI_DCX142TH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12330 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12331 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12332 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12333 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12334 \r
12335 ******************************************************************************************************************************************\r
12336 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12337 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12338 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12339 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12340 tolerance.\r
12341 \r
12342 *SRC=DCX143EH;DI_DCX143EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12343 .MODEL DI_DCX143EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12344 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12345 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12346 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12347 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12348 ********************************************************************************************************************************\r
12349 ***************************************************************************************************************************************\r
12350 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12351 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12352 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12353 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12354 tolerance.\r
12355 \r
12356 *SRC=DCX143EH;DI_DCX143EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12357 .MODEL DI_DCX143EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12358 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12359 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12360 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12361 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12362 \r
12363 ******************************************************************************************************************************************\r
12364 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12365 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12366 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12367 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12368 tolerance.\r
12369 \r
12370 *SRC=DCX114EH;DI_DCX114EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12371 .MODEL DI_DCX114EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12372 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12373 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12374 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12375 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12376 ********************************************************************************************************************************\r
12377 ***************************************************************************************************************************************\r
12378 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12379 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12380 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12381 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12382 tolerance.\r
12383 \r
12384 *SRC=DCX114EH;DI_DCX114EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12385 .MODEL DI_DCX114EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12386 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12387 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12388 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12389 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12390 \r
12391 ******************************************************************************************************************************************\r
12392 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12393 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12394 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12395 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12396 tolerance.\r
12397 \r
12398 *SRC=DCX143TK;DI_DCX143TK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12399 .MODEL DI_DCX143TK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12400 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12401 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12402 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12403 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12404 ********************************************************************************************************************************\r
12405 ***************************************************************************************************************************************\r
12406 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12407 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12408 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12409 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12410 tolerance.\r
12411 \r
12412 *SRC=DCX143TK;DI_DCX143TK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12413 .MODEL DI_DCX143TK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12414 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12415 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12416 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12417 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12418 \r
12419 ******************************************************************************************************************************************\r
12420 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12421 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12422 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12423 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12424 tolerance.\r
12425 \r
12426 *SRC=DCX143TU;DI_DCX143TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12427 .MODEL DI_DCX143TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12428 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12429 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12430 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12431 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12432 ********************************************************************************************************************************\r
12433 ***************************************************************************************************************************************\r
12434 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12435 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12436 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12437 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12438 tolerance.\r
12439 \r
12440 *SRC=DCX143TU;DI_DCX143TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12441 .MODEL DI_DCX143TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12442 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12443 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12444 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12445 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12446 \r
12447 ******************************************************************************************************************************************\r
12448 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12449 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12450 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12451 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12452 tolerance.\r
12453 \r
12454 *SRC=DCX144EH;DI_DCX144EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12455 .MODEL DI_DCX144EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12456 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12457 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12458 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12459 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12460 ********************************************************************************************************************************\r
12461 ***************************************************************************************************************************************\r
12462 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12463 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12464 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12465 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12466 tolerance.\r
12467 \r
12468 *SRC=DCX144EH;DI_DCX144EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12469 .MODEL DI_DCX144EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12470 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12471 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12472 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12473 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12474 \r
12475 ******************************************************************************************************************************************\r
12476 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12477 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12478 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12479 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12480 tolerance.\r
12481 \r
12482 *SRC=DCX144EK;DI_DCX144EK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12483 .MODEL DI_DCX144EK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12484 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12485 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12486 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12487 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12488 ********************************************************************************************************************************\r
12489 ***************************************************************************************************************************************\r
12490 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12491 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12492 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12493 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12494 tolerance.\r
12495 \r
12496 *SRC=DCX144EK;DI_DCX144EK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12497 .MODEL DI_DCX144EK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12498 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12499 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12500 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12501 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12502 \r
12503 ******************************************************************************************************************************************\r
12504 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12505 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12506 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12507 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12508 tolerance.\r
12509 \r
12510 *SRC=DCX144EU;DI_DCX144EU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12511 .MODEL DI_DCX144EU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12512 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12513 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12514 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12515 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12516 ********************************************************************************************************************************\r
12517 ***************************************************************************************************************************************\r
12518 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12519 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12520 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12521 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio\r
12522 tolerance.\r
12523 \r
12524 *SRC=DCX144EU;DI_DCX144EU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12525 .MODEL DI_DCX144EU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12526 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12527 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12528 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12529 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )*********\r
12530 \r
12531 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12532 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12533 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12534 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12535 \r
12536 *SRC=DDA114EH;DI_DDA114EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12537 .MODEL DI_DDA114EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12538 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12539 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12540 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12541 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12542 \r
12543 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12544 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12545 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12546 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12547 \r
12548 *SRC=DDA114EK;DI_DDA114EK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12549 .MODEL DI_DDA114EK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12550 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12551 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12552 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12553 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12554 \r
12555 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12556 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12557 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12558 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12559 \r
12560 *SRC=DDA114EU;DI_DDA114EU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12561 .MODEL DI_DDA114EU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12562 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12563 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12564 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12565 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12566 \r
12567 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12568 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12569 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12570 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12571 \r
12572 *SRC=DDA114TH;DI_DDA114TH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12573 .MODEL DI_DDA114TH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12574 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12575 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12576 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12577 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12578 \r
12579 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12580 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12581 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12582 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12583 \r
12584 *SRC=DDA114TK;DI_DDA114TK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12585 .MODEL DI_DDA114TK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12586 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12587 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12588 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12589 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12590 \r
12591 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12592 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12593 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12594 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12595 \r
12596 *SRC=DDA114TU;DI_DDA114TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12597 .MODEL DI_DDA114TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12598 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12599 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12600 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12601 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12602 \r
12603 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12604 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12605 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12606 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12607 \r
12608 *SRC=DDA114YH;DI_DDA114YH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12609 .MODEL DI_DDA114YH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12610 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12611 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12612 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12613 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12614 \r
12615 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12616 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12617 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12618 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12619 \r
12620 *SRC=DDA114YK;DI_DDA114YK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12621 .MODEL DI_DDA114YK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12622 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12623 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12624 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12625 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12626 \r
12627 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12628 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12629 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12630 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12631 \r
12632 *SRC=DDA114YU;DI_DDA114YU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12633 .MODEL DI_DDA114YU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12634 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12635 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12636 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12637 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12638 \r
12639 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12640 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12641 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12642 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12643 \r
12644 *SRC=DDA122LH;DI_DDA122LH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12645 .MODEL DI_DDA122LH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12646 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12647 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12648 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12649 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12650 \r
12651 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12652 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12653 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12654 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12655 \r
12656 *SRC=DDA122LU;DI_DDA122LU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12657 .MODEL DI_DDA122LU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12658 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12659 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12660 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12661 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12662 \r
12663 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12664 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12665 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12666 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12667 \r
12668 *SRC=DDA122TH;DI_DDA122TH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12669 .MODEL DI_DDA122TH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12670 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12671 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12672 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12673 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12674 \r
12675 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12676 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12677 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12678 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12679 \r
12680 *SRC=DDA122TU;DI_DDA122TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12681 .MODEL DI_DDA122TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12682 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12683 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12684 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12685 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12686 \r
12687 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12688 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12689 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12690 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12691 \r
12692 *SRC=DDA123JH;DI_DDA123JH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12693 .MODEL DI_DDA123JH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12694 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12695 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12696 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12697 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12698 \r
12699 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12700 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12701 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12702 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12703 \r
12704 *SRC=DDA123JK;DI_DDA123JK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12705 .MODEL DI_DDA123JK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12706 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12707 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12708 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12709 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12710 \r
12711 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12712 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12713 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12714 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12715 \r
12716 *SRC=DDA123JU;DI_DDA123JU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12717 .MODEL DI_DDA123JU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12718 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12719 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12720 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12721 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12722 \r
12723 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12724 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12725 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12726 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12727 \r
12728 *SRC=DDA124EH;DI_DDA124EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12729 .MODEL DI_DDA124EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12730 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12731 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12732 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12733 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12734 \r
12735 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12736 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12737 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12738 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12739 \r
12740 *SRC=DDA124EK;DI_DDA124EK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12741 .MODEL DI_DDA124EK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12742 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12743 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12744 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12745 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12746 \r
12747 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12748 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12749 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12750 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12751 \r
12752 *SRC=DDA124EU;DI_DDA124EU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12753 .MODEL DI_DDA124EU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12754 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12755 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12756 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12757 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12758 \r
12759 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12760 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12761 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12762 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12763 \r
12764 *SRC=DDA142JH;DI_DDA142JH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12765 .MODEL DI_DDA142JH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12766 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12767 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12768 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12769 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12770 \r
12771 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12772 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12773 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12774 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12775 \r
12776 *SRC=DDA142JU;DI_DDA142JU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12777 .MODEL DI_DDA142JU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12778 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12779 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12780 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12781 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12782 \r
12783 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12784 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12785 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12786 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12787 \r
12788 *SRC=DDA142TH;DI_DDA142TH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12789 .MODEL DI_DDA142TH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12790 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12791 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12792 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12793 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12794 \r
12795 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12796 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12797 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12798 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12799 \r
12800 *SRC=DDA142TU;DI_DDA142TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12801 .MODEL DI_DDA142TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12802 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12803 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12804 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12805 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12806 \r
12807 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12808 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12809 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12810 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12811 \r
12812 *SRC=DDA143EH;DI_DDA143EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12813 .MODEL DI_DDA143EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12814 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12815 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12816 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12817 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12818 \r
12819 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12820 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12821 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12822 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12823 \r
12824 *SRC=DDA143TH;DI_DDA143TH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12825 .MODEL DI_DDA143TH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12826 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12827 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12828 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12829 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12830 \r
12831 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12832 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12833 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12834 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12835 \r
12836 *SRC=DDA143TK;DI_DDA143TK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12837 .MODEL DI_DDA143TK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12838 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12839 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12840 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12841 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12842 \r
12843 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12844 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12845 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12846 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12847 \r
12848 *SRC=DDA143TU;DI_DDA143TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12849 .MODEL DI_DDA143TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12850 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12851 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12852 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12853 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12854 \r
12855 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12856 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12857 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12858 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12859 \r
12860 *SRC=DDA144EH;DI_DDA144EH;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12861 .MODEL DI_DDA144EH  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12862 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12863 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12864 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12865 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12866 \r
12867 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12868 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12869 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12870 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12871 \r
12872 *SRC=DDA144EK;DI_DDA144EK;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12873 .MODEL DI_DDA144EK  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12874 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12875 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12876 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12877 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12878 \r
12879 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
12880 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
12881 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
12882 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
12883 \r
12884 *SRC=DDA144EU;DI_DDA144EU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12885 .MODEL DI_DDA144EU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12886 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12887 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
12888 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
12889 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
12890 \r
12891 ******************************************************************************************************************************************\r
12892 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12893 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12894 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12895 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12896 tolerance.\r
12897 \r
12898 *SRC=DDC114EH;DI_DDC114EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12899 .MODEL DI_DDC114EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12900 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12901 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12902 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12903 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
12904 *****************************************************************************************************************************************\r
12905 \r
12906 ******************************************************************************************************************************************\r
12907 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12908 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12909 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12910 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12911 tolerance.\r
12912 \r
12913 *SRC=DDC114EK;DI_DDC114EK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12914 .MODEL DI_DDC114EK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12915 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12916 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12917 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12918 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
12919 *****************************************************************************************************************************************\r
12920 \r
12921 ******************************************************************************************************************************************\r
12922 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12923 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12924 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12925 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12926 tolerance.\r
12927 \r
12928 *SRC=DDC114EU;DI_DDC114EU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12929 .MODEL DI_DDC114EU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12930 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12931 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12932 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12933 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
12934 *****************************************************************************************************************************************\r
12935 \r
12936 ******************************************************************************************************************************************\r
12937 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12938 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12939 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12940 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12941 tolerance.\r
12942 \r
12943 *SRC=DDC114TH;DI_DDC114TH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12944 .MODEL DI_DDC114TH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12945 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12946 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12947 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12948 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
12949 *****************************************************************************************************************************************\r
12950 \r
12951 ******************************************************************************************************************************************\r
12952 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12953 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12954 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12955 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12956 tolerance.\r
12957 \r
12958 *SRC=DDC114TK;DI_DDC114TK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12959 .MODEL DI_DDC114TK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12960 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12961 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12962 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12963 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
12964 *****************************************************************************************************************************************\r
12965 \r
12966 ******************************************************************************************************************************************\r
12967 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12968 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12969 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12970 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12971 tolerance.\r
12972 \r
12973 *SRC=DDC114TU;DI_DDC114TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12974 .MODEL DI_DDC114TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12975 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12976 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12977 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12978 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
12979 *****************************************************************************************************************************************\r
12980 \r
12981 ******************************************************************************************************************************************\r
12982 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12983 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12984 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
12985 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
12986 tolerance.\r
12987 \r
12988 *SRC=DDC114YH;DI_DDC114YH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
12989 .MODEL DI_DDC114YH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
12990 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
12991 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
12992 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
12993 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
12994 *****************************************************************************************************************************************\r
12995 \r
12996 ******************************************************************************************************************************************\r
12997 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
12998 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
12999 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13000 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13001 tolerance.\r
13002 \r
13003 *SRC=DDC114YK;DI_DDC114YK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13004 .MODEL DI_DDC114YK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13005 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13006 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13007 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13008 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13009 *****************************************************************************************************************************************\r
13010 \r
13011 ******************************************************************************************************************************************\r
13012 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13013 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13014 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13015 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13016 tolerance.\r
13017 \r
13018 *SRC=DDC114YU;DI_DDC114YU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13019 .MODEL DI_DDC114YU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13020 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13021 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13022 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13023 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13024 *****************************************************************************************************************************************\r
13025 \r
13026 ******************************************************************************************************************************************\r
13027 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13028 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13029 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13030 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13031 tolerance.\r
13032 \r
13033 *SRC=DDC122LH;DI_DDC122LH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13034 .MODEL DI_DDC122LH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13035 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13036 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13037 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13038 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13039 *****************************************************************************************************************************************\r
13040 \r
13041 ******************************************************************************************************************************************\r
13042 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13043 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13044 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13045 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13046 tolerance.\r
13047 \r
13048 *SRC=DDC122LH;DI_DDC122LH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13049 .MODEL DI_DDC122LH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13050 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13051 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13052 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13053 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13054 *****************************************************************************************************************************************\r
13055 \r
13056 ******************************************************************************************************************************************\r
13057 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13058 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13059 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13060 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13061 tolerance.\r
13062 \r
13063 *SRC=DDC122TH;DI_DDC122TH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13064 .MODEL DI_DDC122TH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13065 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13066 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13067 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13068 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13069 *****************************************************************************************************************************************\r
13070 \r
13071 ******************************************************************************************************************************************\r
13072 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13073 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13074 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13075 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13076 tolerance.\r
13077 \r
13078 *SRC=DDC122TU;DI_DDC122TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13079 .MODEL DI_DDC122TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13080 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13081 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13082 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13083 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13084 *****************************************************************************************************************************************\r
13085 \r
13086 ******************************************************************************************************************************************\r
13087 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13088 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13089 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13090 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13091 tolerance.\r
13092 \r
13093 *SRC=DDC123JH;DI_DDC123JH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13094 .MODEL DI_DDC123JH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13095 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13096 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13097 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13098 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13099 *****************************************************************************************************************************************\r
13100 \r
13101 ******************************************************************************************************************************************\r
13102 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13103 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13104 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13105 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13106 tolerance.\r
13107 \r
13108 *SRC=DDC123JK;DI_DDC123JK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13109 .MODEL DI_DDC123JK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13110 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13111 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13112 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13113 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13114 *****************************************************************************************************************************************\r
13115 \r
13116 ******************************************************************************************************************************************\r
13117 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13118 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13119 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13120 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13121 tolerance.\r
13122 \r
13123 *SRC=DDC123JU;DI_DDC123JU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13124 .MODEL DI_DDC123JU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13125 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13126 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13127 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13128 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13129 *****************************************************************************************************************************************\r
13130 \r
13131 ******************************************************************************************************************************************\r
13132 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13133 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13134 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13135 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13136 tolerance.\r
13137 \r
13138 *SRC=DDC124EH;DI_DDC124EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13139 .MODEL DI_DDC124EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13140 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13141 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13142 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13143 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13144 *****************************************************************************************************************************************\r
13145 \r
13146 ******************************************************************************************************************************************\r
13147 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13148 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13149 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13150 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13151 tolerance.\r
13152 \r
13153 *SRC=DDC124EK;DI_DDC124EK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13154 .MODEL DI_DDC124EK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13155 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13156 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13157 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13158 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13159 *****************************************************************************************************************************************\r
13160 \r
13161 ******************************************************************************************************************************************\r
13162 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13163 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13164 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13165 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13166 tolerance.\r
13167 \r
13168 *SRC=DDC124EU;DI_DDC124EU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13169 .MODEL DI_DDC124EU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13170 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13171 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13172 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13173 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13174 *****************************************************************************************************************************************\r
13175 \r
13176 ******************************************************************************************************************************************\r
13177 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13178 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13179 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13180 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13181 tolerance.\r
13182 \r
13183 *SRC=DDC142JH;DI_DDC142JH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13184 .MODEL DI_DDC142JH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13185 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13186 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13187 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13188 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13189 *****************************************************************************************************************************************\r
13190 \r
13191 ******************************************************************************************************************************************\r
13192 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13193 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13194 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13195 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13196 tolerance.\r
13197 \r
13198 *SRC=DDC142JU;DI_DDC142JU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13199 .MODEL DI_DDC142JU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13200 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13201 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13202 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13203 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13204 *****************************************************************************************************************************************\r
13205 \r
13206 ******************************************************************************************************************************************\r
13207 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13208 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13209 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13210 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13211 tolerance.\r
13212 \r
13213 *SRC=DDC142TH;DI_DDC142TH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13214 .MODEL DI_DDC142TH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13215 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13216 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13217 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13218 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13219 *****************************************************************************************************************************************\r
13220 \r
13221 ******************************************************************************************************************************************\r
13222 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13223 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13224 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13225 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13226 tolerance.\r
13227 \r
13228 *SRC=DDC142TU;DI_DDC142TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13229 .MODEL DI_DDC142TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13230 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13231 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13232 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13233 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13234 *****************************************************************************************************************************************\r
13235 \r
13236 ******************************************************************************************************************************************\r
13237 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13238 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13239 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13240 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13241 tolerance.\r
13242 \r
13243 *SRC=DDC143EH;DI_DDC143EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13244 .MODEL DI_DDC143EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13245 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13246 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13247 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13248 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13249 *****************************************************************************************************************************************\r
13250 \r
13251 ******************************************************************************************************************************************\r
13252 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13253 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13254 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13255 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13256 tolerance.\r
13257 \r
13258 *SRC=DDC143TH;DI_DDC143TH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13259 .MODEL DI_DDC143TH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13260 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13261 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13262 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13263 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13264 *****************************************************************************************************************************************\r
13265 \r
13266 ******************************************************************************************************************************************\r
13267 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13268 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13269 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13270 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13271 tolerance.\r
13272 \r
13273 *SRC=DDC143TK;DI_DDC143TK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13274 .MODEL DI_DDC143TK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13275 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13276 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13277 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13278 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13279 *****************************************************************************************************************************************\r
13280 \r
13281 ******************************************************************************************************************************************\r
13282 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13283 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13284 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13285 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13286 tolerance.\r
13287 \r
13288 *SRC=DDC143TU;DI_DDC143TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13289 .MODEL DI_DDC143TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13290 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13291 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13292 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13293 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13294 *****************************************************************************************************************************************\r
13295 \r
13296 ******************************************************************************************************************************************\r
13297 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13298 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13299 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13300 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13301 tolerance.\r
13302 \r
13303 *SRC=DDC144EH;DI_DDC144EH;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13304 .MODEL DI_DDC144EH  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13305 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13306 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13307 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13308 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13309 *****************************************************************************************************************************************\r
13310 \r
13311 ******************************************************************************************************************************************\r
13312 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13313 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13314 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13315 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13316 tolerance.\r
13317 \r
13318 *SRC=DDC144EK;DI_DDC144EK;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13319 .MODEL DI_DDC144EK  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13320 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13321 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13322 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13323 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13324 *****************************************************************************************************************************************\r
13325 \r
13326 ******************************************************************************************************************************************\r
13327 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
13328 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
13329 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
13330 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
13331 tolerance.\r
13332 \r
13333 *SRC=DDC144EU;DI_DDC144EU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13334 .MODEL DI_DDC144EU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13335 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13336 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
13337 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
13338 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
13339 *****************************************************************************************************************************************\r
13340 \r
13341 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13342 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13343 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13344 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13345 \r
13346 *SRC=DDTA113TCA;DI_DDTA113TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13347 .MODEL DI_DDTA113TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13348 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13349 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13350 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13351 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13352 \r
13353 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13354 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13355 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13356 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13357 \r
13358 *SRC=DDTA113TE;DI_DDTA113TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13359 .MODEL DI_DDTA113TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13360 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13361 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13362 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13363 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13364 \r
13365 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13366 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13367 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13368 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13369 \r
13370 *SRC=DDTA113TKA;DI_DDTA113TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13371 .MODEL DI_DDTA113TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13372 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13373 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13374 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13375 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13376 \r
13377 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13378 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13379 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13380 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13381 \r
13382 *SRC=DDTA113TUA;DI_DDTA113TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13383 .MODEL DI_DDTA113TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13384 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13385 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13386 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13387 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13388 \r
13389 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13390 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13391 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13392 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13393 \r
13394 *SRC=DDTA113ZCA;DI_DDTA113ZCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13395 .MODEL DI_DDTA113ZCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13396 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13397 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13398 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13399 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13400 \r
13401 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13402 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13403 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13404 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13405 \r
13406 *SRC=DDTA113ZE;DI_DDTA113ZE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13407 .MODEL DI_DDTA113ZE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13408 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13409 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13410 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13411 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13412 \r
13413 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13414 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13415 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13416 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13417 \r
13418 *SRC=DDTA113ZKA;DI_DDTA113ZKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13419 .MODEL DI_DDTA113ZKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13420 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13421 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13422 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13423 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13424 \r
13425 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13426 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13427 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13428 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13429 \r
13430 *SRC=DDTA113ZUA;DI_DDTA113ZUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13431 .MODEL DI_DDTA113ZUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13432 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13433 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13434 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13435 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13436 \r
13437 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13438 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13439 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13440 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13441 \r
13442 *SRC=DDTA114ECA;DI_DDTA114ECA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13443 .MODEL DI_DDTA114ECA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13444 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13445 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13446 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13447 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13448 \r
13449 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13450 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13451 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13452 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13453 \r
13454 *SRC=DDTA114EE;DI_DDTA114EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13455 .MODEL DI_DDTA114EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13456 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13457 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13458 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13459 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13460 \r
13461 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13462 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13463 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13464 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13465 \r
13466 *SRC=DDTA114EKA;DI_DDTA114EKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13467 .MODEL DI_DDTA114EKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13468 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13469 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13470 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13471 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13472 \r
13473 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13474 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13475 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13476 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13477 \r
13478 *SRC=DDTA114EUA;DI_DDTA114EUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13479 .MODEL DI_DDTA114EUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13480 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13481 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13482 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13483 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13484 \r
13485 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13486 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13487 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13488 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13489 \r
13490 *SRC=DDTA114GCA;DI_DDTA114GCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13491 .MODEL DI_DDTA114GCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13492 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13493 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13494 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13495 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13496 \r
13497 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13498 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13499 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13500 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13501 \r
13502 *SRC=DDTA114GE;DI_DDTA114GE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13503 .MODEL DI_DDTA114GE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13504 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13505 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13506 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13507 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13508 \r
13509 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13510 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13511 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13512 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13513 \r
13514 *SRC=DDTA114GUA;DI_DDTA114GUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13515 .MODEL DI_DDTA114GUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13516 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13517 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13518 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13519 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13520 \r
13521 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13522 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13523 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13524 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13525 \r
13526 *SRC=DDTA114KA;DI_DDTA114KA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13527 .MODEL DI_DDTA114KA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13528 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13529 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13530 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13531 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13532 \r
13533 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13534 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13535 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13536 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13537 \r
13538 *SRC=DDTA114TCA;DI_DDTA114TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13539 .MODEL DI_DDTA114TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13540 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13541 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13542 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13543 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13544 \r
13545 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13546 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13547 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13548 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13549 \r
13550 *SRC=DDTA114TE;DI_DDTA114TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13551 .MODEL DI_DDTA114TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13552 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13553 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13554 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13555 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13556 \r
13557 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13558 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13559 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13560 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13561 \r
13562 *SRC=DDTA114TKA;DI_DDTA114TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13563 .MODEL DI_DDTA114TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13564 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13565 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13566 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13567 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13568 \r
13569 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13570 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13571 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13572 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13573 \r
13574 *SRC=DDTA114TUA;DI_DDTA114TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13575 .MODEL DI_DDTA114TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13576 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13577 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13578 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13579 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13580 \r
13581 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13582 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13583 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13584 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13585 \r
13586 *SRC=DDTA114WCA;DI_DDTA114WCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13587 .MODEL DI_DDTA114WCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13588 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13589 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13590 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13591 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13592 \r
13593 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13594 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13595 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13596 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13597 \r
13598 *SRC=DDTA114WE;DI_DDTA114WE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13599 .MODEL DI_DDTA114WE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13600 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13601 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13602 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13603 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13604 \r
13605 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13606 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13607 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13608 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13609 \r
13610 *SRC=DDTA114WKA;DI_DDTA114WKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13611 .MODEL DI_DDTA114WKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13612 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13613 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13614 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13615 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13616 \r
13617 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13618 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13619 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13620 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13621 \r
13622 *SRC=DDTA114WUA;DI_DDTA114WUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13623 .MODEL DI_DDTA114WUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13624 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13625 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13626 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13627 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13628 \r
13629 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13630 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13631 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13632 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13633 \r
13634 *SRC=DDTA114YCA;DI_DDTA114YCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13635 .MODEL DI_DDTA114YCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13636 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13637 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13638 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13639 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13640 \r
13641 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13642 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13643 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13644 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13645 \r
13646 *SRC=DDTA114YE;DI_DDTA114YE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13647 .MODEL DI_DDTA114YE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13648 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13649 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13650 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13651 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13652 \r
13653 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13654 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13655 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13656 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13657 \r
13658 *SRC=DDTA114YKA;DI_DDTA114YKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13659 .MODEL DI_DDTA114YKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13660 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13661 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13662 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13663 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13664 \r
13665 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13666 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13667 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13668 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13669 \r
13670 *SRC=DDTA114YUA;DI_DDTA114YUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13671 .MODEL DI_DDTA114YUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13672 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13673 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13674 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13675 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13676 \r
13677 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13678 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13679 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13680 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13681 \r
13682 *SRC=DDTA115ECA;DI_DDTA115ECA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13683 .MODEL DI_DDTA115ECA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13684 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13685 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13686 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13687 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13688 \r
13689 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13690 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13691 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13692 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13693 \r
13694 *SRC=DDTA115EE;DI_DDTA115EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13695 .MODEL DI_DDTA115EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13696 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13697 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13698 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13699 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13700 \r
13701 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13702 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13703 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13704 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13705 \r
13706 *SRC=DDTA115EKA;DI_DDTA115EKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13707 .MODEL DI_DDTA115EKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13708 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13709 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13710 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13711 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13712 \r
13713 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13714 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13715 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13716 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13717 \r
13718 *SRC=DDTA115EUA;DI_DDTA115EUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13719 .MODEL DI_DDTA115EUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13720 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13721 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13722 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13723 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13724 \r
13725 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13726 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13727 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13728 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13729 \r
13730 *SRC=DDTA115GCA;DI_DDTA115GCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13731 .MODEL DI_DDTA115GCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13732 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13733 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13734 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13735 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13736 \r
13737 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13738 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13739 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13740 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13741 \r
13742 *SRC=DDTA115GE;DI_DDTA115GE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13743 .MODEL DI_DDTA115GE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13744 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13745 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13746 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13747 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13748 \r
13749 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13750 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13751 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13752 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13753 \r
13754 *SRC=DDTA115GUA;DI_DDTA115GUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13755 .MODEL DI_DDTA115GUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13756 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13757 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13758 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13759 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13760 \r
13761 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13762 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13763 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13764 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13765 \r
13766 *SRC=DDTA115KA;DI_DDTA115KA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13767 .MODEL DI_DDTA115KA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13768 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13769 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13770 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13771 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13772 \r
13773 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13774 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13775 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13776 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13777 \r
13778 *SRC=DDTA115TCA;DI_DDTA115TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13779 .MODEL DI_DDTA115TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13780 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13781 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13782 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13783 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13784 \r
13785 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13786 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13787 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13788 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13789 \r
13790 *SRC=DDTA115TE;DI_DDTA115TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13791 .MODEL DI_DDTA115TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13792 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13793 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13794 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13795 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13796 \r
13797 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13798 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13799 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13800 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13801 \r
13802 *SRC=DDTA115TKA;DI_DDTA115TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13803 .MODEL DI_DDTA115TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13804 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13805 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13806 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13807 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13808 \r
13809 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13810 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13811 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13812 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13813 \r
13814 *SRC=DDTA115TUA;DI_DDTA115TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13815 .MODEL DI_DDTA115TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13816 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13817 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13818 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13819 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13820 \r
13821 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13822 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13823 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13824 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13825 \r
13826 *SRC=DDTA122LE;DI_DDTA122LE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13827 .MODEL DI_DDTA122LE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13828 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13829 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13830 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13831 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13832 \r
13833 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13834 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13835 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13836 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13837 \r
13838 *SRC=DDTA122LU;DI_DDTA122LU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13839 .MODEL DI_DDTA122LU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13840 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13841 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13842 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13843 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13844 \r
13845 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13846 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13847 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13848 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13849 \r
13850 *SRC=DDTA122TE;DI_DDTA122TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13851 .MODEL DI_DDTA122TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13852 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13853 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13854 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13855 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13856 \r
13857 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13858 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13859 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13860 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13861 \r
13862 *SRC=DDTA122TU;DI_DDTA122TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13863 .MODEL DI_DDTA122TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13864 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13865 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13866 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13867 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13868 \r
13869 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13870 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13871 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13872 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13873 \r
13874 *SRC=DDTA123ECA;DI_DDTA123ECA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13875 .MODEL DI_DDTA123ECA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13876 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13877 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13878 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13879 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13880 \r
13881 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13882 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13883 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13884 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13885 \r
13886 *SRC=DDTA123EE;DI_DDTA123EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13887 .MODEL DI_DDTA123EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13888 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13889 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13890 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13891 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13892 \r
13893 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13894 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13895 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13896 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13897 \r
13898 *SRC=DDTA123EKA;DI_DDTA123EKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13899 .MODEL DI_DDTA123EKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13900 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13901 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13902 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13903 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13904 \r
13905 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13906 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13907 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13908 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13909 \r
13910 *SRC=DDTA123EUA;DI_DDTA123EUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13911 .MODEL DI_DDTA123EUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13912 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13913 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13914 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13915 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13916 \r
13917 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13918 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13919 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13920 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13921 \r
13922 *SRC=DDTA123JCA;DI_DDTA123JCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13923 .MODEL DI_DDTA123JCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13924 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13925 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13926 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13927 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13928 \r
13929 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13930 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13931 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13932 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13933 \r
13934 *SRC=DDTA123JE;DI_DDTA123JE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13935 .MODEL DI_DDTA123JE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13936 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13937 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13938 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13939 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13940 \r
13941 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13942 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13943 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13944 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13945 \r
13946 *SRC=DDTA123JKA;DI_DDTA123JKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13947 .MODEL DI_DDTA123JKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13948 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13949 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13950 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13951 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13952 \r
13953 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13954 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13955 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13956 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13957 \r
13958 *SRC=DDTA123JUA;DI_DDTA123JUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13959 .MODEL DI_DDTA123JUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13960 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13961 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13962 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13963 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13964 \r
13965 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13966 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13967 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13968 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13969 \r
13970 *SRC=DDTA123TCA;DI_DDTA123TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13971 .MODEL DI_DDTA123TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13972 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13973 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13974 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13975 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13976 \r
13977 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13978 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13979 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13980 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13981 \r
13982 *SRC=DDTA123TE;DI_DDTA123TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13983 .MODEL DI_DDTA123TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13984 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13985 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13986 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13987 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
13988 \r
13989 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
13990 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
13991 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
13992 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
13993 \r
13994 *SRC=DDTA123TKA;DI_DDTA123TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
13995 .MODEL DI_DDTA123TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
13996 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
13997 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
13998 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
13999 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14000 \r
14001 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14002 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14003 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14004 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14005 \r
14006 *SRC=DDTA123TUA;DI_DDTA123TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14007 .MODEL DI_DDTA123TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14008 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14009 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14010 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14011 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14012 \r
14013 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14014 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14015 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14016 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14017 \r
14018 *SRC=DDTA123YCA;DI_DDTA123YCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14019 .MODEL DI_DDTA123YCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14020 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14021 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14022 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14023 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14024 \r
14025 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14026 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14027 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14028 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14029 \r
14030 *SRC=DDTA123YE;DI_DDTA123YE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14031 .MODEL DI_DDTA123YE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14032 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14033 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14034 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14035 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14036 \r
14037 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14038 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14039 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14040 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14041 \r
14042 *SRC=DDTA123YKA;DI_DDTA123YKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14043 .MODEL DI_DDTA123YKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14044 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14045 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14046 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14047 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14048 \r
14049 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14050 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14051 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14052 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14053 \r
14054 *SRC=DDTA123YUA;DI_DDTA123YUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14055 .MODEL DI_DDTA123YUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14056 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14057 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14058 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14059 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14060 \r
14061 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14062 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14063 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14064 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14065 \r
14066 *SRC=DDTA124ECA;DI_DDTA124ECA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14067 .MODEL DI_DDTA124ECA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14068 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14069 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14070 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14071 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14072 \r
14073 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14074 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14075 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14076 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14077 \r
14078 *SRC=DDTA124EE;DI_DDTA124EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14079 .MODEL DI_DDTA124EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14080 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14081 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14082 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14083 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14084 \r
14085 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14086 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14087 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14088 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14089 \r
14090 *SRC=DDTA124EKA;DI_DDTA124EKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14091 .MODEL DI_DDTA124EKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14092 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14093 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14094 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14095 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14096 \r
14097 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14098 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14099 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14100 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14101 \r
14102 *SRC=DDTA124EUA;DI_DDTA124EUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14103 .MODEL DI_DDTA124EUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14104 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14105 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14106 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14107 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14108 \r
14109 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14110 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14111 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14112 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14113 \r
14114 *SRC=DDTA124GCA;DI_DDTA124GCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14115 .MODEL DI_DDTA124GCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14116 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14117 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14118 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14119 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14120 \r
14121 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14122 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14123 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14124 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14125 \r
14126 *SRC=DDTA124GE;DI_DDTA124GE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14127 .MODEL DI_DDTA124GE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14128 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14129 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14130 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14131 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14132 \r
14133 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14134 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14135 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14136 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14137 \r
14138 *SRC=DDTA124GUA;DI_DDTA124GUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14139 .MODEL DI_DDTA124GUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14140 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14141 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14142 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14143 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14144 \r
14145 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14146 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14147 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14148 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14149 \r
14150 *SRC=DDTA124KA;DI_DDTA124KA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14151 .MODEL DI_DDTA124KA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14152 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14153 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14154 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14155 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14156 \r
14157 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14158 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14159 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14160 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14161 \r
14162 *SRC=DDTA124TCA;DI_DDTA124TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14163 .MODEL DI_DDTA124TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14164 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14165 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14166 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14167 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14168 \r
14169 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14170 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14171 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14172 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14173 \r
14174 *SRC=DDTA124TE;DI_DDTA124TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14175 .MODEL DI_DDTA124TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14176 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14177 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14178 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14179 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14180 \r
14181 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14182 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14183 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14184 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14185 \r
14186 *SRC=DDTA124TKA;DI_DDTA124TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14187 .MODEL DI_DDTA124TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14188 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14189 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14190 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14191 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14192 \r
14193 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14194 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14195 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14196 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14197 \r
14198 *SRC=DDTA124TUA;DI_DDTA124TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14199 .MODEL DI_DDTA124TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14200 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14201 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14202 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14203 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14204 \r
14205 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14206 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14207 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14208 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14209 \r
14210 *SRC=DDTA124XCA;DI_DDTA124XCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14211 .MODEL DI_DDTA124XCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14212 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14213 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14214 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14215 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14216 \r
14217 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14218 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14219 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14220 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14221 \r
14222 *SRC=DDTA124XE;DI_DDTA124XE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14223 .MODEL DI_DDTA124XE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14224 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14225 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14226 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14227 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14228 \r
14229 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14230 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14231 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14232 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14233 \r
14234 *SRC=DDTA124XKA;DI_DDTA124XKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14235 .MODEL DI_DDTA124XKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14236 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14237 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14238 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14239 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14240 \r
14241 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14242 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14243 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14244 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14245 \r
14246 *SRC=DDTA124XUA;DI_DDTA124XUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14247 .MODEL DI_DDTA124XUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14248 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14249 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14250 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14251 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14252 \r
14253 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14254 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14255 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14256 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14257 \r
14258 *SRC=DDTA125TCA;DI_DDTA125TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14259 .MODEL DI_DDTA125TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14260 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14261 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14262 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14263 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14264 \r
14265 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14266 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14267 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14268 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14269 \r
14270 *SRC=DDTA125TE;DI_DDTA125TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14271 .MODEL DI_DDTA125TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14272 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14273 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14274 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14275 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14276 \r
14277 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14278 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14279 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14280 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14281 \r
14282 *SRC=DDTA125TKA;DI_DDTA125TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14283 .MODEL DI_DDTA125TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14284 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14285 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14286 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14287 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14288 \r
14289 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14290 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14291 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14292 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14293 \r
14294 *SRC=DDTA125TUA;DI_DDTA125TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14295 .MODEL DI_DDTA125TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14296 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14297 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14298 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14299 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14300 \r
14301 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14302 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14303 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14304 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14305 \r
14306 *SRC=DDTA142JE;DI_DDTA142JE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14307 .MODEL DI_DDTA142JE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14308 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14309 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14310 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14311 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14312 \r
14313 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14314 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14315 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14316 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14317 \r
14318 *SRC=DDTA142JU;DI_DDTA142JU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14319 .MODEL DI_DDTA142JU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14320 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14321 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14322 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14323 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14324 \r
14325 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14326 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14327 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14328 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14329 \r
14330 *SRC=DDTA142TE;DI_DDTA142TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14331 .MODEL DI_DDTA142TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14332 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14333 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14334 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14335 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14336 \r
14337 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14338 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14339 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14340 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14341 \r
14342 *SRC=DDTA142TU;DI_DDTA142TU;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14343 .MODEL DI_DDTA142TU  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14344 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14345 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14346 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14347 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14348 \r
14349 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14350 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14351 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14352 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14353 \r
14354 *SRC=DDTA143ECA;DI_DDTA143ECA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14355 .MODEL DI_DDTA143ECA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14356 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14357 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14358 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14359 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14360 \r
14361 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14362 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14363 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14364 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14365 \r
14366 *SRC=DDTA143EE;DI_DDTA143EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14367 .MODEL DI_DDTA143EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14368 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14369 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14370 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14371 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14372 \r
14373 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14374 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14375 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14376 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14377 \r
14378 *SRC=DDTA143EKA;DI_DDTA143EKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14379 .MODEL DI_DDTA143EKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14380 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14381 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14382 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14383 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14384 \r
14385 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14386 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14387 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14388 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14389 \r
14390 *SRC=DDTA143EUA;DI_DDTA143EUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14391 .MODEL DI_DDTA143EUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14392 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14393 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14394 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14395 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14396 \r
14397 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14398 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14399 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14400 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14401 \r
14402 *SRC=DDTA143FCA;DI_DDTA143FCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14403 .MODEL DI_DDTA143FCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14404 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14405 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14406 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14407 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14408 \r
14409 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14410 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14411 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14412 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14413 \r
14414 *SRC=DDTA143FE;DI_DDTA143FE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14415 .MODEL DI_DDTA143FE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14416 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14417 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14418 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14419 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14420 \r
14421 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14422 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14423 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14424 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14425 \r
14426 *SRC=DDTA143FKA;DI_DDTA143FKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14427 .MODEL DI_DDTA143FKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14428 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14429 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14430 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14431 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14432 \r
14433 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14434 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14435 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14436 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14437 \r
14438 *SRC=DDTA143FUA;DI_DDTA143FUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14439 .MODEL DI_DDTA143FUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14440 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14441 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14442 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14443 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14444 \r
14445 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14446 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14447 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14448 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14449 \r
14450 *SRC=DDTA143TCA;DI_DDTA143TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14451 .MODEL DI_DDTA143TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14452 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14453 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14454 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14455 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14456 \r
14457 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14458 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14459 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14460 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14461 \r
14462 *SRC=DDTA143TE;DI_DDTA143TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14463 .MODEL DI_DDTA143TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14464 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14465 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14466 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14467 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14468 \r
14469 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14470 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14471 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14472 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14473 \r
14474 *SRC=DDTA143TKA;DI_DDTA143TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14475 .MODEL DI_DDTA143TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14476 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14477 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14478 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14479 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14480 \r
14481 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14482 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14483 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14484 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14485 \r
14486 *SRC=DDTA143TUA;DI_DDTA143TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14487 .MODEL DI_DDTA143TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14488 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14489 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14490 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14491 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14492 \r
14493 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14494 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14495 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14496 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14497 \r
14498 *SRC=DDTA143XCA;DI_DDTA143XCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14499 .MODEL DI_DDTA143XCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14500 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14501 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14502 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14503 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14504 \r
14505 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14506 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14507 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14508 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14509 \r
14510 *SRC=DDTA143XE;DI_DDTA143XE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14511 .MODEL DI_DDTA143XE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14512 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14513 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14514 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14515 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14516 \r
14517 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14518 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14519 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14520 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14521 \r
14522 *SRC=DDTA143XKA;DI_DDTA143XKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14523 .MODEL DI_DDTA143XKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14524 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14525 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14526 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14527 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14528 \r
14529 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14530 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14531 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14532 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14533 \r
14534 *SRC=DDTA143XUA;DI_DDTA143XUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14535 .MODEL DI_DDTA143XUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14536 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14537 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14538 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14539 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14540 \r
14541 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14542 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14543 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14544 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14545 \r
14546 *SRC=DDTA143ZCA;DI_DDTA143ZCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14547 .MODEL DI_DDTA143ZCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14548 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14549 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14550 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14551 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14552 \r
14553 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14554 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14555 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14556 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14557 \r
14558 *SRC=DDTA143ZE;DI_DDTA143ZE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14559 .MODEL DI_DDTA143ZE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14560 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14561 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14562 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14563 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14564 \r
14565 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14566 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14567 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14568 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14569 \r
14570 *SRC=DDTA143ZKA;DI_DDTA143ZKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14571 .MODEL DI_DDTA143ZKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14572 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14573 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14574 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14575 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14576 \r
14577 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14578 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14579 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14580 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14581 \r
14582 *SRC=DDTA143ZUA;DI_DDTA143ZUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14583 .MODEL DI_DDTA143ZUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14584 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14585 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14586 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14587 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14588 \r
14589 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14590 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14591 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14592 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14593 \r
14594 *SRC=DDTA144ECA;DI_DDTA144ECA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14595 .MODEL DI_DDTA144ECA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14596 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14597 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14598 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14599 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14600 \r
14601 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14602 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14603 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14604 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14605 \r
14606 *SRC=DDTA144EE;DI_DDTA144EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14607 .MODEL DI_DDTA144EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14608 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14609 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14610 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14611 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14612 \r
14613 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14614 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14615 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14616 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14617 \r
14618 *SRC=DDTA144EKA;DI_DDTA144EKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14619 .MODEL DI_DDTA144EKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14620 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14621 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14622 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14623 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14624 \r
14625 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14626 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14627 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14628 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14629 \r
14630 *SRC=DDTA144EUA;DI_DDTA144EUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14631 .MODEL DI_DDTA144EUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14632 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14633 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14634 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14635 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14636 \r
14637 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14638 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14639 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14640 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14641 \r
14642 *SRC=DDTA144GCA;DI_DDTA144GCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14643 .MODEL DI_DDTA144GCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14644 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14645 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14646 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14647 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14648 \r
14649 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14650 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14651 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14652 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14653 \r
14654 *SRC=DDTA144GE;DI_DDTA144GE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14655 .MODEL DI_DDTA144GE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14656 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14657 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14658 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14659 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14660 \r
14661 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14662 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14663 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14664 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14665 \r
14666 *SRC=DDTA144GUA;DI_DDTA144GUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14667 .MODEL DI_DDTA144GUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14668 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14669 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14670 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14671 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14672 \r
14673 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14674 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14675 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14676 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14677 \r
14678 *SRC=DDTA144KA;DI_DDTA144KA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14679 .MODEL DI_DDTA144KA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14680 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14681 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14682 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14683 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14684 \r
14685 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14686 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14687 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14688 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14689 \r
14690 *SRC=DDTA144TCA;DI_DDTA144TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14691 .MODEL DI_DDTA144TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14692 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14693 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14694 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14695 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14696 \r
14697 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14698 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14699 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14700 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14701 \r
14702 *SRC=DDTA144TE;DI_DDTA144TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14703 .MODEL DI_DDTA144TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14704 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14705 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14706 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14707 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14708 \r
14709 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14710 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14711 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14712 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14713 \r
14714 *SRC=DDTA144TKA;DI_DDTA144TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14715 .MODEL DI_DDTA144TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14716 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14717 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14718 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14719 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14720 \r
14721 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14722 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14723 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14724 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14725 \r
14726 *SRC=DDTA144TUA;DI_DDTA144TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14727 .MODEL DI_DDTA144TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14728 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14729 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14730 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14731 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14732 \r
14733 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14734 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14735 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14736 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14737 \r
14738 *SRC=DDTA144VCA;DI_DDTA144VCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14739 .MODEL DI_DDTA144VCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14740 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14741 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14742 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14743 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14744 \r
14745 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14746 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14747 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14748 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14749 \r
14750 *SRC=DDTA144VE;DI_DDTA144VE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14751 .MODEL DI_DDTA144VE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14752 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14753 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14754 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14755 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14756 \r
14757 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14758 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14759 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14760 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14761 \r
14762 *SRC=DDTA144VKA;DI_DDTA144VKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14763 .MODEL DI_DDTA144VKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14764 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14765 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14766 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14767 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14768 \r
14769 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14770 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14771 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14772 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14773 \r
14774 *SRC=DDTA144VUA;DI_DDTA144VUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14775 .MODEL DI_DDTA144VUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14776 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14777 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14778 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14779 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14780 \r
14781 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14782 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14783 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14784 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14785 \r
14786 *SRC=DDTA144WCA;DI_DDTA144WCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14787 .MODEL DI_DDTA144WCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14788 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14789 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14790 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14791 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14792 \r
14793 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14794 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14795 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14796 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14797 \r
14798 *SRC=DDTA144WE;DI_DDTA144WE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14799 .MODEL DI_DDTA144WE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14800 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14801 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14802 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14803 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14804 \r
14805 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14806 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14807 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14808 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14809 \r
14810 *SRC=DDTA144WKA;DI_DDTA144WKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14811 .MODEL DI_DDTA144WKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14812 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14813 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14814 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14815 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14816 \r
14817 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
14818 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
14819 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
14820 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14821 \r
14822 *SRC=DDTA144WUA;DI_DDTA144WUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14823 .MODEL DI_DDTA144WUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
14824 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14825 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
14826 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
14827 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
14828 \r
14829 **************************************************************************************************************************************\r
14830 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14831 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14832 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14833 \r
14834 *SRC=DDTB113EC;DI_DDTB113EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14835 .MODEL DI_DDTB113EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14836 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14837 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14838 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14839 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14840 ******************************************************************************************************************************\r
14841 \r
14842 **************************************************************************************************************************************\r
14843 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14844 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14845 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14846 \r
14847 *SRC=DDTB113EU;DI_DDTB113EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14848 .MODEL DI_DDTB113EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14849 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14850 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14851 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14852 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14853 ******************************************************************************************************************************\r
14854 \r
14855 **************************************************************************************************************************************\r
14856 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14857 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14858 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14859 \r
14860 *SRC=DDTB113ZC;DI_DDTB113ZC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14861 .MODEL DI_DDTB113ZC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14862 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14863 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14864 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14865 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14866 ******************************************************************************************************************************\r
14867 \r
14868 **************************************************************************************************************************************\r
14869 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14870 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14871 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14872 \r
14873 *SRC=DDTB113ZU;DI_DDTB113ZU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14874 .MODEL DI_DDTB113ZU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14875 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14876 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14877 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14878 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14879 ******************************************************************************************************************************\r
14880 \r
14881 **************************************************************************************************************************************\r
14882 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14883 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14884 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14885 \r
14886 *SRC=DDTB114EC;DI_DDTB114EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14887 .MODEL DI_DDTB114EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14888 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14889 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14890 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14891 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14892 ******************************************************************************************************************************\r
14893 \r
14894 **************************************************************************************************************************************\r
14895 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14896 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14897 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14898 \r
14899 *SRC=DDTB114EU;DI_DDTB114EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14900 .MODEL DI_DDTB114EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14901 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14902 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14903 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14904 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14905 ******************************************************************************************************************************\r
14906 \r
14907 **************************************************************************************************************************************\r
14908 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14909 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14910 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14911 \r
14912 *SRC=DDTB114GC;DI_DDTB114GC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14913 .MODEL DI_DDTB114GC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14914 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14915 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14916 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14917 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14918 ******************************************************************************************************************************\r
14919 \r
14920 **************************************************************************************************************************************\r
14921 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14922 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14923 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14924 \r
14925 *SRC=DDTB114GU;DI_DDTB114GU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14926 .MODEL DI_DDTB114GU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14927 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14928 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14929 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14930 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14931 ******************************************************************************************************************************\r
14932 \r
14933 **************************************************************************************************************************************\r
14934 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14935 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14936 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14937 \r
14938 *SRC=DDTB114TC;DI_DDTB114TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14939 .MODEL DI_DDTB114TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14940 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14941 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14942 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14943 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14944 ******************************************************************************************************************************\r
14945 \r
14946 **************************************************************************************************************************************\r
14947 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14948 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14949 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14950 \r
14951 *SRC=DDTB114TU;DI_DDTB114TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14952 .MODEL DI_DDTB114TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14953 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14954 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14955 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14956 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14957 ******************************************************************************************************************************\r
14958 \r
14959 **************************************************************************************************************************************\r
14960 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14961 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14962 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14963 \r
14964 *SRC=DDTB122JC;DI_DDTB122JC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14965 .MODEL DI_DDTB122JC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14966 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14967 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14968 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14969 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14970 ******************************************************************************************************************************\r
14971 \r
14972 **************************************************************************************************************************************\r
14973 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14974 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14975 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14976 \r
14977 *SRC=DDTB122JU;DI_DDTB122JU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14978 .MODEL DI_DDTB122JU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14979 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14980 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14981 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14982 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14983 ******************************************************************************************************************************\r
14984 \r
14985 **************************************************************************************************************************************\r
14986 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
14987 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
14988 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
14989 \r
14990 *SRC=DDTB122LC;DI_DDTB122LC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
14991 .MODEL DI_DDTB122LC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
14992 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
14993 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
14994 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
14995 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
14996 ******************************************************************************************************************************\r
14997 \r
14998 **************************************************************************************************************************************\r
14999 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15000 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15001 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15002 \r
15003 *SRC=DDTB122LU;DI_DDTB122LU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15004 .MODEL DI_DDTB122LU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15005 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15006 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15007 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15008 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15009 ******************************************************************************************************************************\r
15010 \r
15011 **************************************************************************************************************************************\r
15012 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15013 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15014 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15015 \r
15016 *SRC=DDTB122TC;DI_DDTB122TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15017 .MODEL DI_DDTB122TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15018 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15019 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15020 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15021 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15022 ******************************************************************************************************************************\r
15023 \r
15024 **************************************************************************************************************************************\r
15025 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15026 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15027 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15028 \r
15029 *SRC=DDTB122TU;DI_DDTB122TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15030 .MODEL DI_DDTB122TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15031 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15032 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15033 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15034 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15035 ******************************************************************************************************************************\r
15036 \r
15037 **************************************************************************************************************************************\r
15038 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15039 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15040 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15041 \r
15042 *SRC=DDTB123EC;DI_DDTB123EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15043 .MODEL DI_DDTB123EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15044 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15045 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15046 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15047 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15048 ******************************************************************************************************************************\r
15049 \r
15050 **************************************************************************************************************************************\r
15051 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15052 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15053 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15054 \r
15055 *SRC=DDTB123EU;DI_DDTB123EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15056 .MODEL DI_DDTB123EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15057 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15058 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15059 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15060 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15061 ******************************************************************************************************************************\r
15062 \r
15063 **************************************************************************************************************************************\r
15064 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15065 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15066 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15067 \r
15068 *SRC=DDTB123TC;DI_DDTB123TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15069 .MODEL DI_DDTB123TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15070 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15071 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15072 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15073 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15074 ******************************************************************************************************************************\r
15075 \r
15076 **************************************************************************************************************************************\r
15077 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15078 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15079 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15080 \r
15081 *SRC=DDTB123TU;DI_DDTB123TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15082 .MODEL DI_DDTB123TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15083 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15084 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15085 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15086 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15087 ******************************************************************************************************************************\r
15088 \r
15089 **************************************************************************************************************************************\r
15090 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15091 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15092 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15093 \r
15094 *SRC=DDTB123YC;DI_DDTB123YC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15095 .MODEL DI_DDTB123YC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15096 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15097 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15098 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15099 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15100 ******************************************************************************************************************************\r
15101 \r
15102 **************************************************************************************************************************************\r
15103 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15104 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15105 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15106 \r
15107 *SRC=DDTB123YU;DI_DDTB123YU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15108 .MODEL DI_DDTB123YU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15109 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15110 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15111 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15112 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15113 ******************************************************************************************************************************\r
15114 \r
15115 **************************************************************************************************************************************\r
15116 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15117 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15118 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15119 \r
15120 *SRC=DDTB133HC;DI_DDTB133HC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15121 .MODEL DI_DDTB133HC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15122 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15123 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15124 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15125 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15126 ******************************************************************************************************************************\r
15127 \r
15128 **************************************************************************************************************************************\r
15129 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15130 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15131 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15132 \r
15133 *SRC=DDTB133HU;DI_DDTB133HU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15134 .MODEL DI_DDTB133HU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15135 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15136 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15137 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15138 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15139 ******************************************************************************************************************************\r
15140 \r
15141 **************************************************************************************************************************************\r
15142 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15143 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15144 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15145 \r
15146 *SRC=DDTB142JC;DI_DDTB142JC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15147 .MODEL DI_DDTB142JC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15148 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15149 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15150 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15151 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15152 ******************************************************************************************************************************\r
15153 \r
15154 **************************************************************************************************************************************\r
15155 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15156 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15157 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15158 \r
15159 *SRC=DDTB142JU;DI_DDTB142JU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15160 .MODEL DI_DDTB142JU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15161 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15162 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15163 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15164 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15165 ******************************************************************************************************************************\r
15166 \r
15167 **************************************************************************************************************************************\r
15168 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15169 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15170 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15171 \r
15172 *SRC=DDTB142TC;DI_DDTB142TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15173 .MODEL DI_DDTB142TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15174 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15175 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15176 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15177 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15178 ******************************************************************************************************************************\r
15179 \r
15180 **************************************************************************************************************************************\r
15181 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15182 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15183 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15184 \r
15185 *SRC=DDTB142TU;DI_DDTB142TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15186 .MODEL DI_DDTB142TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15187 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15188 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15189 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15190 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15191 ******************************************************************************************************************************\r
15192 \r
15193 **************************************************************************************************************************************\r
15194 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15195 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15196 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15197 \r
15198 *SRC=DDTB143EC;DI_DDTB143EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15199 .MODEL DI_DDTB143EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15200 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15201 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15202 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15203 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15204 ******************************************************************************************************************************\r
15205 \r
15206 **************************************************************************************************************************************\r
15207 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15208 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15209 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15210 \r
15211 *SRC=DDTB143EU;DI_DDTB143EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15212 .MODEL DI_DDTB143EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15213 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15214 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15215 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15216 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15217 ******************************************************************************************************************************\r
15218 \r
15219 **************************************************************************************************************************************\r
15220 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15221 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15222 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15223 \r
15224 *SRC=DDTB143TC;DI_DDTB143TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15225 .MODEL DI_DDTB143TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15226 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15227 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15228 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15229 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15230 ******************************************************************************************************************************\r
15231 \r
15232 **************************************************************************************************************************************\r
15233 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
15234 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
15235 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15236 \r
15237 *SRC=DDTB143TU;DI_DDTB143TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15238 .MODEL DI_DDTB143TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
15239 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15240 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
15241 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
15242 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
15243 ******************************************************************************************************************************\r
15244 \r
15245 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15246 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15247 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15248 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15249 \r
15250 *SRC=DDTC113TCA;DI_DDTC113TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15251 .MODEL DI_DDTC113TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15252 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15253 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15254 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15255 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15256 \r
15257 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15258 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15259 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15260 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15261 \r
15262 *SRC=DDTC113TE;DI_DDTC113TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15263 .MODEL DI_DDTC113TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15264 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15265 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15266 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15267 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15268 \r
15269 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15270 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15271 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15272 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15273 \r
15274 *SRC=DDTC113TKA;DI_DDTC113TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15275 .MODEL DI_DDTC113TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15276 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15277 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15278 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15279 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15280 \r
15281 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15282 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15283 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15284 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15285 \r
15286 *SRC=DDTC113TUA;DI_DDTC113TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15287 .MODEL DI_DDTC113TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15288 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15289 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15290 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15291 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15292 \r
15293 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15294 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15295 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15296 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15297 \r
15298 *SRC=DDTC113ZCA;DI_DDTC113ZCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15299 .MODEL DI_DDTC113ZCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15300 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15301 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15302 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15303 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15304 \r
15305 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15306 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15307 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15308 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15309 \r
15310 *SRC=DDTC113ZE;DI_DDTC113ZE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15311 .MODEL DI_DDTC113ZE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15312 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15313 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15314 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15315 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15316 \r
15317 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15318 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15319 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15320 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15321 \r
15322 *SRC=DDTC113ZKA;DI_DDTC113ZKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15323 .MODEL DI_DDTC113ZKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15324 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15325 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15326 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15327 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15328 \r
15329 *SRC=DDTC113ZUA;DI_DDTC113ZUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15330 .MODEL DI_DDTC113ZUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15331 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15332 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15333 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15334 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15335 \r
15336 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15337 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15338 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15339 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15340 \r
15341 *SRC=DDTC114EE;DI_DDTC114EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15342 .MODEL DI_DDTC114EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15343 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15344 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15345 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15346 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15347 \r
15348 ******************************************************************************************************************************************\r
15349 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15350 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15351 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15352 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15353 tolerance.\r
15354 \r
15355 *SRC=DDTC114EKA;DI_DDTC114EKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15356 .MODEL DI_DDTC114EKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15357 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15358 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15359 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15360 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15361 *****************************************************************************************************************************************\r
15362 \r
15363 ******************************************************************************************************************************************\r
15364 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15365 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15366 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15367 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15368 tolerance.\r
15369 \r
15370 *SRC=DDTC114EUA;DI_DDTC114EUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15371 .MODEL DI_DDTC114EUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15372 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15373 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15374 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15375 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15376 *****************************************************************************************************************************************\r
15377 \r
15378 ******************************************************************************************************************************************\r
15379 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15380 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15381 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15382 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15383 tolerance.\r
15384 \r
15385 *SRC=DDTC114GE;DI_DDTC114GE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15386 .MODEL DI_DDTC114GE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15387 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15388 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15389 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15390 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15391 *****************************************************************************************************************************************\r
15392 \r
15393 ******************************************************************************************************************************************\r
15394 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15395 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15396 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15397 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15398 tolerance.\r
15399 \r
15400 *SRC=DDTC114GKA;DI_DDTC114GKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15401 .MODEL DI_DDTC114GKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15402 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15403 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15404 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15405 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15406 *****************************************************************************************************************************************\r
15407 \r
15408 ******************************************************************************************************************************************\r
15409 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15410 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15411 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15412 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15413 tolerance.\r
15414 \r
15415 *SRC=DDTC114GUA;DI_DDTC114GUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15416 .MODEL DI_DDTC114GUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15417 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15418 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15419 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15420 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15421 *****************************************************************************************************************************************\r
15422 \r
15423 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15424 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15425 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15426 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15427 \r
15428 *SRC=DDTC114TCA;DI_DDTC114TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15429 .MODEL DI_DDTC114TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15430 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15431 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15432 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15433 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15434 \r
15435 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15436 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15437 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15438 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15439 \r
15440 *SRC=DDTC114TE;DI_DDTC114TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15441 .MODEL DI_DDTC114TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15442 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15443 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15444 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15445 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15446 \r
15447 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15448 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15449 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15450 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15451 \r
15452 *SRC=DDTC114TKA;DI_DDTC114TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15453 .MODEL DI_DDTC114TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15454 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15455 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15456 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15457 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15458 \r
15459 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15460 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15461 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15462 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15463 \r
15464 *SRC=DDTC114TUA;DI_DDTC114TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15465 .MODEL DI_DDTC114TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15466 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15467 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15468 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15469 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15470 \r
15471 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15472 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15473 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15474 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15475 \r
15476 *SRC=DDTC114WCA;DI_DDTC114WCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15477 .MODEL DI_DDTC114WCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15478 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15479 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15480 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15481 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15482 \r
15483 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15484 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15485 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15486 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15487 \r
15488 *SRC=DDTC114WE;DI_DDTC114WE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15489 .MODEL DI_DDTC114WE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15490 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15491 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15492 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15493 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15494 \r
15495 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15496 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15497 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15498 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15499 \r
15500 *SRC=DDTC114WKA;DI_DDTC114WKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15501 .MODEL DI_DDTC114WKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15502 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15503 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15504 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15505 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15506 \r
15507 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15508 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15509 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15510 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15511 \r
15512 *SRC=DDTC114WUA;DI_DDTC114WUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15513 .MODEL DI_DDTC114WUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15514 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15515 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15516 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15517 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15518 \r
15519 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15520 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15521 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15522 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15523 \r
15524 *SRC=DDTC114YCA;DI_DDTC114YCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15525 .MODEL DI_DDTC114YCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15526 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15527 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15528 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15529 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15530 \r
15531 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15532 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15533 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15534 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15535 \r
15536 *SRC=DDTC114YE;DI_DDTC114YE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15537 .MODEL DI_DDTC114YE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15538 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15539 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15540 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15541 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15542 \r
15543 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15544 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15545 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15546 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15547 \r
15548 *SRC=DDTC114YKA;DI_DDTC114YKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15549 .MODEL DI_DDTC114YKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15550 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15551 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15552 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15553 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15554 \r
15555 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15556 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15557 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15558 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15559 \r
15560 *SRC=DDTC114YUA;DI_DDTC114YUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15561 .MODEL DI_DDTC114YUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15562 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15563 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15564 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15565 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15566 \r
15567 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15568 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15569 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15570 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15571 \r
15572 *SRC=DDTC115EE;DI_DDTC115EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15573 .MODEL DI_DDTC115EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15574 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15575 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15576 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15577 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15578 \r
15579 ******************************************************************************************************************************************\r
15580 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15581 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15582 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15583 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15584 tolerance.\r
15585 \r
15586 *SRC=DDTC115EKA;DI_DDTC115EKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15587 .MODEL DI_DDTC115EKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15588 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15589 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15590 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15591 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15592 *****************************************************************************************************************************************\r
15593 \r
15594 ******************************************************************************************************************************************\r
15595 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15596 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15597 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15598 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15599 tolerance.\r
15600 \r
15601 *SRC=DDTC115EUA;DI_DDTC115EUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15602 .MODEL DI_DDTC115EUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15603 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15604 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15605 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15606 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15607 *****************************************************************************************************************************************\r
15608 \r
15609 ******************************************************************************************************************************************\r
15610 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15611 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15612 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15613 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15614 tolerance.\r
15615 \r
15616 *SRC=DDTC115GE;DI_DDTC115GE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15617 .MODEL DI_DDTC115GE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15618 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15619 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15620 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15621 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15622 *****************************************************************************************************************************************\r
15623 \r
15624 ******************************************************************************************************************************************\r
15625 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15626 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15627 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15628 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15629 tolerance.\r
15630 \r
15631 *SRC=DDTC115GKA;DI_DDTC115GKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15632 .MODEL DI_DDTC115GKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15633 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15634 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15635 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15636 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15637 *****************************************************************************************************************************************\r
15638 \r
15639 ******************************************************************************************************************************************\r
15640 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15641 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15642 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15643 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15644 tolerance.\r
15645 \r
15646 *SRC=DDTC115GUA;DI_DDTC115GUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15647 .MODEL DI_DDTC115GUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15648 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15649 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15650 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15651 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15652 *****************************************************************************************************************************************\r
15653 \r
15654 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15655 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15656 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15657 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15658 \r
15659 *SRC=DDTC115TCA;DI_DDTC115TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15660 .MODEL DI_DDTC115TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15661 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15662 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15663 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15664 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15665 \r
15666 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15667 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15668 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15669 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15670 \r
15671 *SRC=DDTC115TE;DI_DDTC115TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15672 .MODEL DI_DDTC115TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15673 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15674 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15675 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15676 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15677 \r
15678 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15679 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15680 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15681 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15682 \r
15683 *SRC=DDTC115TKA;DI_DDTC115TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15684 .MODEL DI_DDTC115TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15685 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15686 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15687 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15688 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15689 \r
15690 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15691 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15692 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15693 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15694 \r
15695 *SRC=DDTC115TUA;DI_DDTC115TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15696 .MODEL DI_DDTC115TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15697 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15698 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15699 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15700 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15701 \r
15702 ******************************************************************************************************************************************\r
15703 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15704 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15705 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15706 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15707 tolerance.\r
15708 \r
15709 *SRC=DDTC124GE;DI_DDTC124GE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15710 .MODEL DI_DDTC124GE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15711 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15712 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15713 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15714 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15715 *****************************************************************************************************************************************\r
15716 \r
15717 ******************************************************************************************************************************************\r
15718 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15719 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15720 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15721 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15722 tolerance.\r
15723 \r
15724 *SRC=DDTC122LU;DI_DDTC122LU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15725 .MODEL DI_DDTC122LU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15726 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15727 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15728 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15729 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15730 *****************************************************************************************************************************************\r
15731 \r
15732 ******************************************************************************************************************************************\r
15733 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15734 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15735 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15736 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15737 tolerance.\r
15738 \r
15739 *SRC=DDTC142JE;DI_DDTC142JE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15740 .MODEL DI_DDTC142JE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15741 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15742 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15743 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15744 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15745 *****************************************************************************************************************************************\r
15746 \r
15747 ******************************************************************************************************************************************\r
15748 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15749 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15750 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15751 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15752 tolerance.\r
15753 \r
15754 *SRC=DDTC122TU;DI_DDTC122TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15755 .MODEL DI_DDTC122TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15756 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15757 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15758 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15759 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15760 *****************************************************************************************************************************************\r
15761 \r
15762 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15763 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15764 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15765 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15766 \r
15767 *SRC=DDTC123EE;DI_DDTC123EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15768 .MODEL DI_DDTC123EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15769 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15770 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15771 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15772 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15773 \r
15774 ******************************************************************************************************************************************\r
15775 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15776 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15777 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15778 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15779 tolerance.\r
15780 \r
15781 *SRC=DDTC123EKA;DI_DDTC123EKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15782 .MODEL DI_DDTC123EKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15783 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15784 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15785 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15786 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15787 *****************************************************************************************************************************************\r
15788 \r
15789 ******************************************************************************************************************************************\r
15790 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15791 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15792 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15793 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15794 tolerance.\r
15795 \r
15796 *SRC=DDTC123EUA;DI_DDTC123EUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15797 .MODEL DI_DDTC123EUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15798 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15799 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15800 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15801 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15802 *****************************************************************************************************************************************\r
15803 \r
15804 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15805 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15806 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15807 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15808 \r
15809 *SRC=DDTC123JCA;DI_DDTC123JCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15810 .MODEL DI_DDTC123JCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15811 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15812 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15813 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15814 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15815 \r
15816 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15817 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15818 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15819 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15820 \r
15821 *SRC=DDTC123JE;DI_DDTC123JE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15822 .MODEL DI_DDTC123JE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15823 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15824 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15825 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15826 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15827 \r
15828 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15829 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15830 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15831 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15832 \r
15833 *SRC=DDTC123JKA;DI_DDTC123JKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15834 .MODEL DI_DDTC123JKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15835 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15836 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15837 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15838 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15839 \r
15840 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15841 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15842 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15843 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15844 \r
15845 *SRC=DDTC123JUA;DI_DDTC123JUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15846 .MODEL DI_DDTC123JUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15847 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15848 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15849 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15850 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15851 \r
15852 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15853 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15854 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15855 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15856 \r
15857 *SRC=DDTC123TCA;DI_DDTC123TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15858 .MODEL DI_DDTC123TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15859 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15860 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15861 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15862 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15863 \r
15864 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15865 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15866 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15867 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15868 \r
15869 *SRC=DDTC123TE;DI_DDTC123TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15870 .MODEL DI_DDTC123TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15871 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15872 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15873 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15874 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15875 \r
15876 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15877 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15878 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15879 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15880 \r
15881 *SRC=DDTC123TKA;DI_DDTC123TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15882 .MODEL DI_DDTC123TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15883 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15884 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15885 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15886 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15887 \r
15888 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15889 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15890 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15891 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15892 \r
15893 *SRC=DDTC123TUA;DI_DDTC123TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15894 .MODEL DI_DDTC123TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15895 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15896 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15897 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15898 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15899 \r
15900 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15901 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15902 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15903 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15904 \r
15905 *SRC=DDTC123YCA;DI_DDTC123YCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15906 .MODEL DI_DDTC123YCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15907 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15908 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15909 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15910 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15911 \r
15912 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15913 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15914 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15915 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15916 \r
15917 *SRC=DDTC123YE;DI_DDTC123YE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15918 .MODEL DI_DDTC123YE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15919 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15920 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15921 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15922 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15923 \r
15924 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15925 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15926 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15927 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15928 \r
15929 *SRC=DDTC123YKA;DI_DDTC123YKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15930 .MODEL DI_DDTC123YKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15931 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15932 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15933 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15934 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15935 \r
15936 *SRC=DDTC123YUA;DI_DDTC123YUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15937 .MODEL DI_DDTC123YUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15938 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15939 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15940 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15941 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15942 \r
15943 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
15944 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
15945 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
15946 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
15947 \r
15948 *SRC=DDTC124EE;DI_DDTC124EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15949 .MODEL DI_DDTC124EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15950 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15951 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
15952 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
15953 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
15954 \r
15955 ******************************************************************************************************************************************\r
15956 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15957 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15958 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15959 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15960 tolerance.\r
15961 \r
15962 *SRC=DDTC144EKA;DI_DDTC144EKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15963 .MODEL DI_DDTC144EKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15964 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15965 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15966 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15967 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15968 *****************************************************************************************************************************************\r
15969 \r
15970 ******************************************************************************************************************************************\r
15971 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15972 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15973 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15974 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15975 tolerance.\r
15976 \r
15977 *SRC=DDTC124EUA;DI_DDTC124EUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15978 .MODEL DI_DDTC124EUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15979 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15980 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15981 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15982 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15983 *****************************************************************************************************************************************\r
15984 \r
15985 ******************************************************************************************************************************************\r
15986 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
15987 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
15988 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
15989 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
15990 tolerance.\r
15991 \r
15992 *SRC=DDTC124GE;DI_DDTC124GE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
15993 .MODEL DI_DDTC124GE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
15994 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
15995 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
15996 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
15997 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
15998 *****************************************************************************************************************************************\r
15999 \r
16000 ******************************************************************************************************************************************\r
16001 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16002 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16003 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16004 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16005 tolerance.\r
16006 \r
16007 *SRC=DDTC124GKA;DI_DDTC124GKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16008 .MODEL DI_DDTC124GKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16009 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16010 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16011 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16012 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16013 *****************************************************************************************************************************************\r
16014 \r
16015 ******************************************************************************************************************************************\r
16016 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16017 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16018 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16019 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16020 tolerance.\r
16021 \r
16022 *SRC=DDTC124GUA;DI_DDTC124GUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16023 .MODEL DI_DDTC124GUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16024 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16025 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16026 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16027 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16028 *****************************************************************************************************************************************\r
16029 \r
16030 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16031 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16032 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16033 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16034 \r
16035 *SRC=DDTC124TCA;DI_DDTC124TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16036 .MODEL DI_DDTC124TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16037 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16038 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16039 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16040 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16041 \r
16042 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16043 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16044 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16045 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16046 \r
16047 *SRC=DDTC124TE;DI_DDTC124TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16048 .MODEL DI_DDTC124TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16049 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16050 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16051 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16052 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16053 \r
16054 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16055 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16056 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16057 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16058 \r
16059 *SRC=DDTC124TKA;DI_DDTC124TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16060 .MODEL DI_DDTC124TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16061 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16062 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16063 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16064 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16065 \r
16066 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16067 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16068 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16069 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16070 \r
16071 *SRC=DDTC124TUA;DI_DDTC124TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16072 .MODEL DI_DDTC124TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16073 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16074 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16075 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16076 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16077 \r
16078 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16079 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16080 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16081 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16082 \r
16083 *SRC=DDTC124XCA;DI_DDTC124XCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16084 .MODEL DI_DDTC124XCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16085 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16086 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16087 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16088 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16089 \r
16090 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16091 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16092 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16093 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16094 \r
16095 *SRC=DDTC124XE;DI_DDTC124XE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16096 .MODEL DI_DDTC124XE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16097 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16098 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16099 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16100 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16101 \r
16102 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16103 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16104 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16105 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16106 \r
16107 *SRC=DDTC124XKA;DI_DDTC124XKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16108 .MODEL DI_DDTC124XKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16109 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16110 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16111 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16112 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16113 \r
16114 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16115 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16116 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16117 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16118 \r
16119 *SRC=DDTC124XUA;DI_DDTC124XUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16120 .MODEL DI_DDTC124XUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16121 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16122 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16123 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16124 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16125 \r
16126 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16127 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16128 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16129 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16130 \r
16131 *SRC=DDTC125TCA;DI_DDTC125TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16132 .MODEL DI_DDTC125TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16133 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16134 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16135 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16136 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16137 \r
16138 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16139 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16140 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16141 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16142 \r
16143 *SRC=DDTC125TE;DI_DDTC125TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16144 .MODEL DI_DDTC125TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16145 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16146 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16147 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16148 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16149 \r
16150 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16151 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16152 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16153 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16154 \r
16155 *SRC=DDTC125TKA;DI_DDTC125TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16156 .MODEL DI_DDTC125TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16157 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16158 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16159 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16160 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16161 \r
16162 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16163 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16164 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16165 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16166 \r
16167 *SRC=DDTC125TUA;DI_DDTC125TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16168 .MODEL DI_DDTC125TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16169 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16170 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16171 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16172 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16173 \r
16174 ******************************************************************************************************************************************\r
16175 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16176 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16177 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16178 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16179 tolerance.\r
16180 \r
16181 *SRC=DDTC122LE;DI_DDTC122LE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16182 .MODEL DI_DDTC122LE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16183 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16184 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16185 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16186 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16187 *****************************************************************************************************************************************\r
16188 \r
16189 ******************************************************************************************************************************************\r
16190 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16191 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16192 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16193 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16194 tolerance.\r
16195 \r
16196 *SRC=DDTC122LE;DI_DDTC122LE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16197 .MODEL DI_DDTC122LE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16198 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16199 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16200 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16201 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16202 *****************************************************************************************************************************************\r
16203 \r
16204 ******************************************************************************************************************************************\r
16205 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16206 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16207 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16208 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16209 tolerance.\r
16210 \r
16211 *SRC=DDTC142TE;DI_DDTC142TE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16212 .MODEL DI_DDTC142TE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16213 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16214 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16215 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16216 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16217 *****************************************************************************************************************************************\r
16218 \r
16219 ******************************************************************************************************************************************\r
16220 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16221 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16222 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16223 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16224 tolerance.\r
16225 \r
16226 *SRC=DDTC142TU;DI_DDTC142TU;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16227 .MODEL DI_DDTC142TU  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16228 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16229 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16230 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16231 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16232 *****************************************************************************************************************************************\r
16233 \r
16234 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16235 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16236 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16237 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16238 \r
16239 *SRC=DDTC143EE;DI_DDTC143EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16240 .MODEL DI_DDTC143EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16241 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16242 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16243 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16244 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16245 \r
16246 ******************************************************************************************************************************************\r
16247 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16248 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16249 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16250 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16251 tolerance.\r
16252 \r
16253 *SRC=DDTC143EKA;DI_DDTC143EKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16254 .MODEL DI_DDTC143EKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16255 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16256 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16257 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16258 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16259 *****************************************************************************************************************************************\r
16260 \r
16261 ******************************************************************************************************************************************\r
16262 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16263 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16264 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16265 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16266 tolerance.\r
16267 \r
16268 *SRC=DDTC143EUA;DI_DDTC143EUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16269 .MODEL DI_DDTC143EUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16270 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16271 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16272 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16273 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16274 *****************************************************************************************************************************************\r
16275 \r
16276 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16277 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16278 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16279 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16280 \r
16281 *SRC=DDTC143FCA;DI_DDTC143FCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16282 .MODEL DI_DDTC143FCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16283 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16284 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16285 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16286 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16287 \r
16288 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16289 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16290 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16291 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16292 \r
16293 *SRC=DDTC143FE;DI_DDTC143FE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16294 .MODEL DI_DDTC143FE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16295 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16296 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16297 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16298 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16299 \r
16300 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16301 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16302 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16303 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16304 \r
16305 *SRC=DDTC143FKA;DI_DDTC143FKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16306 .MODEL DI_DDTC143FKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16307 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16308 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16309 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16310 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16311 \r
16312 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16313 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16314 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16315 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16316 \r
16317 *SRC=DDTC143FUA;DI_DDTC143FUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16318 .MODEL DI_DDTC143FUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16319 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16320 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16321 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16322 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16323 \r
16324 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16325 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16326 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16327 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16328 \r
16329 *SRC=DDTC143TCA;DI_DDTC143TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16330 .MODEL DI_DDTC143TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16331 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16332 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16333 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16334 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16335 \r
16336 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16337 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16338 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16339 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16340 \r
16341 *SRC=DDTC143TE;DI_DDTC143TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16342 .MODEL DI_DDTC143TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16343 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16344 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16345 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16346 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16347 \r
16348 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16349 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16350 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16351 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16352 \r
16353 *SRC=DDTC143TKA;DI_DDTC143TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16354 .MODEL DI_DDTC143TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16355 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16356 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16357 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16358 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16359 \r
16360 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16361 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16362 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16363 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16364 \r
16365 *SRC=DDTC143TUA;DI_DDTC143TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16366 .MODEL DI_DDTC143TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16367 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16368 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16369 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16370 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16371 \r
16372 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16373 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16374 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16375 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16376 \r
16377 *SRC=DDTC143XCA;DI_DDTC143XCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16378 .MODEL DI_DDTC143XCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16379 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16380 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16381 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16382 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16383 \r
16384 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16385 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16386 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16387 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16388 \r
16389 *SRC=DDTC143XE;DI_DDTC143XE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16390 .MODEL DI_DDTC143XE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16391 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16392 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16393 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16394 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16395 \r
16396 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16397 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16398 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16399 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16400 \r
16401 *SRC=DDTC143XKA;DI_DDTC143XKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16402 .MODEL DI_DDTC143XKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16403 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16404 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16405 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16406 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16407 \r
16408 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16409 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16410 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16411 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16412 \r
16413 *SRC=DDTC143XUA;DI_DDTC143XUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16414 .MODEL DI_DDTC143XUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16415 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16416 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16417 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16418 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16419 \r
16420 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16421 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16422 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16423 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16424 \r
16425 *SRC=DDTC143ZCA;DI_DDTC143ZCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16426 .MODEL DI_DDTC143ZCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16427 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16428 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16429 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16430 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16431 \r
16432 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16433 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16434 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16435 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16436 \r
16437 *SRC=DDTC143ZE;DI_DDTC143ZE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16438 .MODEL DI_DDTC143ZE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16439 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16440 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16441 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16442 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16443 \r
16444 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16445 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16446 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16447 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16448 \r
16449 *SRC=DDTC143ZKA;DI_DDTC143ZKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16450 .MODEL DI_DDTC143ZKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16451 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16452 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16453 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16454 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16455 \r
16456 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16457 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16458 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16459 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16460 \r
16461 *SRC=DDTC143ZUA;DI_DDTC143ZUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16462 .MODEL DI_DDTC143ZUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16463 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16464 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16465 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16466 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16467 \r
16468 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16469 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16470 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16471 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16472 \r
16473 *SRC=DDTC144EE;DI_DDTC144EE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16474 .MODEL DI_DDTC144EE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16475 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16476 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16477 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16478 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16479 \r
16480 ******************************************************************************************************************************************\r
16481 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16482 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16483 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16484 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16485 tolerance.\r
16486 \r
16487 *SRC=DDTC144EKA;DI_DDTC144EKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16488 .MODEL DI_DDTC144EKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16489 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16490 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16491 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16492 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16493 *****************************************************************************************************************************************\r
16494 \r
16495 ******************************************************************************************************************************************\r
16496 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16497 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16498 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16499 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16500 tolerance.\r
16501 \r
16502 *SRC=DDTC144EUA;DI_DDTC144EUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16503 .MODEL DI_DDTC144EUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16504 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16505 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16506 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16507 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16508 *****************************************************************************************************************************************\r
16509 \r
16510 ******************************************************************************************************************************************\r
16511 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16512 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16513 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16514 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16515 tolerance.\r
16516 \r
16517 *SRC=DDTC144GE;DI_DDTC144GE;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16518 .MODEL DI_DDTC144GE  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16519 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16520 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16521 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16522 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16523 *****************************************************************************************************************************************\r
16524 \r
16525 ******************************************************************************************************************************************\r
16526 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16527 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16528 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16529 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16530 tolerance.\r
16531 \r
16532 *SRC=DDTC144GKA;DI_DDTC144GKA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16533 .MODEL DI_DDTC144GKA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16534 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16535 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16536 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16537 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16538 *****************************************************************************************************************************************\r
16539 \r
16540 ******************************************************************************************************************************************\r
16541 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.\r
16542 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain\r
16543 to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data\r
16544 sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio \r
16545 tolerance.\r
16546 \r
16547 *SRC=DDTC144GUA;DI_DDTC144GUA;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16548 .MODEL DI_DDTC144GUA  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16549 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16550 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
16551 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
16552 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
16553 *****************************************************************************************************************************************\r
16554 \r
16555 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16556 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16557 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16558 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16559 \r
16560 *SRC=DDTC144TCA;DI_DDTC144TCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16561 .MODEL DI_DDTC144TCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16562 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16563 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16564 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16565 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16566 \r
16567 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16568 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16569 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16570 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16571 \r
16572 *SRC=DDTC144TE;DI_DDTC144TE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16573 .MODEL DI_DDTC144TE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16574 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16575 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16576 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16577 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16578 \r
16579 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16580 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16581 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16582 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16583 \r
16584 *SRC=DDTC144TKA;DI_DDTC144TKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16585 .MODEL DI_DDTC144TKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16586 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16587 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16588 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16589 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16590 \r
16591 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16592 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16593 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16594 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16595 \r
16596 *SRC=DDTC144TUA;DI_DDTC144TUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16597 .MODEL DI_DDTC144TUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16598 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16599 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16600 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16601 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16602 \r
16603 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16604 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16605 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16606 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16607 \r
16608 *SRC=DDTC144VCA;DI_DDTC144VCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16609 .MODEL DI_DDTC144VCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16610 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16611 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16612 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16613 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16614 \r
16615 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16616 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16617 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16618 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16619 \r
16620 *SRC=DDTC144VE;DI_DDTC144VE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16621 .MODEL DI_DDTC144VE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16622 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16623 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16624 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16625 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16626 \r
16627 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16628 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16629 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16630 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16631 \r
16632 *SRC=DDTC144VKA;DI_DDTC144VKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16633 .MODEL DI_DDTC144VKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16634 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16635 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16636 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16637 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16638 \r
16639 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16640 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16641 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16642 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16643 \r
16644 *SRC=DDTC144VUA;DI_DDTC144VUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16645 .MODEL DI_DDTC144VUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16646 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16647 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16648 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16649 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16650 \r
16651 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16652 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16653 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16654 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16655 \r
16656 *SRC=DDTC144WCA;DI_DDTC144WCA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16657 .MODEL DI_DDTC144WCA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16658 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16659 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16660 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16661 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16662 \r
16663 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16664 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16665 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16666 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16667 \r
16668 *SRC=DDTC144WE;DI_DDTC144WE;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16669 .MODEL DI_DDTC144WE  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16670 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16671 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16672 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16673 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16674 \r
16675 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16676 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16677 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16678 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16679 \r
16680 *SRC=DDTC144WKA;DI_DDTC144WKA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16681 .MODEL DI_DDTC144WKA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16682 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16683 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16684 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16685 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16686 \r
16687 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  \r
16688 When applying this SPICE model to your circuit simulation be certain to \r
16689 add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet. \r
16690 Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16691 \r
16692 *SRC=DDTC144WUA;DI_DDTC144WUA;BJTs PNP; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16693 .MODEL DI_DDTC144WUA  NPN (IS=9.98f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
16694 + IKF=54.7m ISE=2.14p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16695 + VAR=24.0 IKR=0.135 RE=0.815 RB=3.26 RC=0.326\r
16696 + XTB=1.5 CJE=20.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=11.4p VJC=0.300\r
16697 + MJC=0.300 TF=567p TR=119n EG=1.12 )\r
16698 \r
16699 **************************************************************************************************************************************\r
16700 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16701 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16702 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16703 \r
16704 *SRC=DDTD113EC;DI_DDTD113EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16705 .MODEL DI_DDTD113EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16706 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16707 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16708 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16709 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16710 ******************************************************************************************************************************\r
16711 \r
16712 **************************************************************************************************************************************\r
16713 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16714 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16715 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16716 \r
16717 *SRC=DDTD113EU;DI_DDTD113EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16718 .MODEL DI_DDTD113EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16719 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16720 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16721 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16722 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16723 ******************************************************************************************************************************\r
16724 \r
16725 **************************************************************************************************************************************\r
16726 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16727 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16728 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16729 \r
16730 *SRC=DDTD113ZC;DI_DDTD113ZC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16731 .MODEL DI_DDTD113ZC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16732 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16733 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16734 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16735 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16736 ******************************************************************************************************************************\r
16737 \r
16738 **************************************************************************************************************************************\r
16739 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16740 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16741 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16742 \r
16743 *SRC=DDTD113ZU;DI_DDTD113ZU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16744 .MODEL DI_DDTD113ZU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16745 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16746 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16747 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16748 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16749 ******************************************************************************************************************************\r
16750 \r
16751 **************************************************************************************************************************************\r
16752 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16753 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16754 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16755 \r
16756 *SRC=DDTD114EC;DI_DDTD114EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16757 .MODEL DI_DDTD114EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16758 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16759 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16760 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16761 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16762 ******************************************************************************************************************************\r
16763 \r
16764 **************************************************************************************************************************************\r
16765 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16766 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16767 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16768 \r
16769 *SRC=DDTD114EU;DI_DDTD114EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16770 .MODEL DI_DDTD114EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16771 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16772 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16773 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16774 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16775 ******************************************************************************************************************************\r
16776 \r
16777 **************************************************************************************************************************************\r
16778 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16779 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16780 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16781 \r
16782 *SRC=DDTD114GC;DI_DDTD114GC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16783 .MODEL DI_DDTD114GC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16784 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16785 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16786 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16787 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16788 ******************************************************************************************************************************\r
16789 \r
16790 **************************************************************************************************************************************\r
16791 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16792 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16793 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16794 \r
16795 *SRC=DDTD114GU;DI_DDTD114GU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16796 .MODEL DI_DDTD114GU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16797 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16798 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16799 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16800 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16801 ******************************************************************************************************************************\r
16802 \r
16803 **************************************************************************************************************************************\r
16804 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16805 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16806 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16807 \r
16808 *SRC=DDTD114TC;DI_DDTD114TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16809 .MODEL DI_DDTD114TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16810 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16811 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16812 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16813 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16814 ******************************************************************************************************************************\r
16815 \r
16816 **************************************************************************************************************************************\r
16817 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16818 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16819 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16820 \r
16821 *SRC=DDTD114TU;DI_DDTD114TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16822 .MODEL DI_DDTD114TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16823 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16824 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16825 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16826 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16827 ******************************************************************************************************************************\r
16828 \r
16829 **************************************************************************************************************************************\r
16830 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16831 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16832 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16833 \r
16834 *SRC=DDTD122JC;DI_DDTD122JC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16835 .MODEL DI_DDTD122JC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16836 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16837 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16838 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16839 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16840 ******************************************************************************************************************************\r
16841 \r
16842 **************************************************************************************************************************************\r
16843 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16844 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16845 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16846 \r
16847 *SRC=DDTD122JU;DI_DDTD122JU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16848 .MODEL DI_DDTD122JU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16849 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16850 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16851 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16852 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16853 ******************************************************************************************************************************\r
16854 \r
16855 **************************************************************************************************************************************\r
16856 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16857 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16858 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16859 \r
16860 *SRC=DDTD122LC;DI_DDTD122LC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16861 .MODEL DI_DDTD122LC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16862 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16863 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16864 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16865 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16866 ******************************************************************************************************************************\r
16867 \r
16868 **************************************************************************************************************************************\r
16869 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16870 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16871 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16872 \r
16873 *SRC=DDTD122LU;DI_DDTD122LU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16874 .MODEL DI_DDTD122LU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16875 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16876 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16877 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16878 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16879 ******************************************************************************************************************************\r
16880 \r
16881 **************************************************************************************************************************************\r
16882 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16883 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16884 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16885 \r
16886 *SRC=DDTD122TC;DI_DDTD122TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16887 .MODEL DI_DDTD122TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16888 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16889 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16890 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16891 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16892 ******************************************************************************************************************************\r
16893 \r
16894 **************************************************************************************************************************************\r
16895 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16896 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16897 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16898 \r
16899 *SRC=DDTD122TU;DI_DDTD122TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16900 .MODEL DI_DDTD122TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16901 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16902 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16903 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16904 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16905 ******************************************************************************************************************************\r
16906 \r
16907 **************************************************************************************************************************************\r
16908 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16909 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16910 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16911 \r
16912 *SRC=DDTD123EC;DI_DDTD123EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16913 .MODEL DI_DDTD123EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16914 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16915 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16916 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16917 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16918 ******************************************************************************************************************************\r
16919 \r
16920 **************************************************************************************************************************************\r
16921 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16922 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16923 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16924 \r
16925 *SRC=DDTD123EU;DI_DDTD123EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16926 .MODEL DI_DDTD123EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16927 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16928 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16929 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16930 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16931 ******************************************************************************************************************************\r
16932 \r
16933 **************************************************************************************************************************************\r
16934 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16935 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16936 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16937 \r
16938 *SRC=DDTD123TC;DI_DDTD123TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16939 .MODEL DI_DDTD123TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16940 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16941 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16942 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16943 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16944 ******************************************************************************************************************************\r
16945 \r
16946 **************************************************************************************************************************************\r
16947 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16948 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16949 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16950 \r
16951 *SRC=DDTD123TU;DI_DDTD123TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16952 .MODEL DI_DDTD123TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16953 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16954 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16955 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16956 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16957 ******************************************************************************************************************************\r
16958 \r
16959 **************************************************************************************************************************************\r
16960 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16961 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16962 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16963 \r
16964 *SRC=DDTD123YC;DI_DDTD123YC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16965 .MODEL DI_DDTD123YC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16966 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16967 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16968 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16969 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16970 ******************************************************************************************************************************\r
16971 \r
16972 **************************************************************************************************************************************\r
16973 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16974 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16975 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16976 \r
16977 *SRC=DDTD123YU;DI_DDTD123YU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16978 .MODEL DI_DDTD123YU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16979 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16980 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16981 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16982 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16983 ******************************************************************************************************************************\r
16984 \r
16985 **************************************************************************************************************************************\r
16986 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
16987 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
16988 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
16989 \r
16990 *SRC=DDTD133HC;DI_DDTD133HC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
16991 .MODEL DI_DDTD133HC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
16992 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
16993 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
16994 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
16995 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
16996 ******************************************************************************************************************************\r
16997 \r
16998 **************************************************************************************************************************************\r
16999 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17000 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17001 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17002 \r
17003 *SRC=DDTD133HU;DI_DDTD133HU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17004 .MODEL DI_DDTD133HU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17005 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17006 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17007 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17008 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17009 ******************************************************************************************************************************\r
17010 \r
17011 **************************************************************************************************************************************\r
17012 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17013 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17014 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17015 \r
17016 *SRC=DDTD142JC;DI_DDTD142JC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17017 .MODEL DI_DDTD142JC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17018 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17019 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17020 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17021 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17022 ******************************************************************************************************************************\r
17023 \r
17024 **************************************************************************************************************************************\r
17025 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17026 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17027 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17028 \r
17029 *SRC=DDTD142JU;DI_DDTD142JU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17030 .MODEL DI_DDTD142JU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17031 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17032 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17033 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17034 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17035 ******************************************************************************************************************************\r
17036 \r
17037 **************************************************************************************************************************************\r
17038 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17039 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17040 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17041 \r
17042 *SRC=DDTD142TC;DI_DDTD142TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17043 .MODEL DI_DDTD142TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17044 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17045 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17046 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17047 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17048 ******************************************************************************************************************************\r
17049 \r
17050 **************************************************************************************************************************************\r
17051 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17052 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17053 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17054 \r
17055 *SRC=DDTD142TU;DI_DDTD142TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17056 .MODEL DI_DDTD142TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17057 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17058 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17059 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17060 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17061 ******************************************************************************************************************************\r
17062 \r
17063 **************************************************************************************************************************************\r
17064 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17065 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17066 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17067 \r
17068 *SRC=DDTD143EC;DI_DDTD143EC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17069 .MODEL DI_DDTD143EC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17070 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17071 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17072 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17073 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17074 ******************************************************************************************************************************\r
17075 \r
17076 **************************************************************************************************************************************\r
17077 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17078 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17079 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17080 \r
17081 *SRC=DDTD143EU;DI_DDTD143EU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17082 .MODEL DI_DDTD143EU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17083 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17084 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17085 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17086 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17087 ******************************************************************************************************************************\r
17088 \r
17089 **************************************************************************************************************************************\r
17090 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17091 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17092 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17093 \r
17094 *SRC=DDTD143TC;DI_DDTD143TC;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17095 .MODEL DI_DDTD143TC  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17096 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17097 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17098 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17099 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17100 ******************************************************************************************************************************\r
17101 \r
17102 **************************************************************************************************************************************\r
17103 Note:  The following SPICE model is for the transistor element. When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17104 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17105 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17106 \r
17107 *SRC=DDTD143TU;DI_DDTD143TU;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17108 .MODEL DI_DDTD143TU  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17109 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17110 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17111 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17112 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17113 ******************************************************************************************************************************\r
17114 \r
17115 ******************************************************************************************************************************\r
17116 500mA PNP\r
17117 ******************************************************************************************************************************\r
17118 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17119 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17120 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17121 \r
17122 *SRC=MIMD10A;DI_MIMD10A;BJTs PNP; Si;  32.0V  0.500A  220MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17123 .MODEL DI_MIMD10A  PNP (IS=50.6f NF=1.00 BF=534 VAF=102\r
17124 + IKF=0.340 ISE=17.3p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17125 + VAR=20.0 IKR=0.840 RE=0.283 RB=1.13 RC=0.113\r
17126 + XTB=1.5 CJE=55.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=21.3p VJC=0.300\r
17127 + MJC=0.300 TF=605p TR=120n EG=1.12 )\r
17128 ******************************************************************************************************************************\r
17129 100mA NPN\r
17130 ******************************************************************************************************************************\r
17131 Note:  The following SPICE model is for the transistor element.  When applying this SPICE model to your circuit simulation be \r
17132 certain to add R1 and/or R2 values per the table found on sheet 1 of the data sheet.  Allow +/- 30% resistance tolerance and +/- \r
17133 20% for R2/R1 ratio tolerance.\r
17134 \r
17135 *SRC=MIMD10A;DI_MIMD10A;BJTs NPN; Si;  50.0V  0.150A  200MHz   Diodes Inc. PBTs\r
17136 .MODEL DI_MIMD10A  NPN (IS=16.8f NF=1.00 BF=766 VAF=127\r
17137 + IKF=91.1m ISE=3.59p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17138 + VAR=28.0 IKR=0.225 RE=0.665 RB=2.66 RC=0.266\r
17139 + XTB=1.5 CJE=11.3p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=4.50p VJC=0.300\r
17140 + MJC=0.300 TF=549p TR=119n EG=1.12 )\r
17141 ******************************************************************************************************************************\r
17142 \r
17143 *SRC=2N7002;2N7002;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.115A 7.50ohms  Diodes Inc. -\r
17144 .MODEL 2N7002  NMOS( LEVEL=1 VTO=2.50 KP=32.0m  GAMMA=3.10\r
17145 + PHI=.75  LAMBDA=39.9u RD=1.05 RS=1.05\r
17146 + IS=57.5f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=98.8p \r
17147 + CBS=119p  CGSO=60.0n CGDO=50.0n CGBO=390n  )\r
17148 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17149 \r
17150 *SRC=2N7002DW;DI_2N7002DW;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.115A 3.20ohms  Diodes Inc. MOSFET - One element of dual\r.MODEL DI_2N7002DW  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.50 KP=32.0m  GAMMA=1.86\r+ PHI=.75  LAMBDA=34.2u RD=0.448 RS=0.448\r+ IS=57.5f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=44.5p \r+ CBS=53.4p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=176n  )  *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17151 \r
17152 *SRC=2N7002E;DI_2N7002E;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.240A 4.00ohms  Diodes Inc. MOSFET .MODEL DI_2N7002E  NMOS( LEVEL=1 VTO=2.50 KP=781u  GAMMA=3.10\r
17153 + PHI=.75  LAMBDA=83.2u RD=0.560 RS=0.560\r
17154 + IS=120f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=44.5p\r
17155 + CBS=53.4p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=176n  )\r
17156 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17157 \r
17158 *SRC=2N7002T;DI_2N7002T;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.115A 2.00ohms  Didoes Inc. MOSFET \r.MODEL DI_2N7002T  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.50 KP=32.0m  GAMMA=1.86\r+ PHI=.75  LAMBDA=40.0u RD=0.280 RS=0.280\r+ IS=57.5f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=44.5p \r+ CBS=53.4p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=176n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17159 \r
17160 *SRC=2N7002W;DI_2N7002W;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.115A 3.20ohms  Diodes Inc. MOSFET \r.MODEL DI_2N7002W  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.50 KP=32.0m  GAMMA=1.86\r+ PHI=.75  LAMBDA=40.0u RD=0.448 RS=0.448\r+ IS=57.5f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=44.5p \r+ CBS=53.4p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=176n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17161 \r
17162 *SRC=BS870;DI_BS870;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.250A 3.50ohms  Diodes Inc. MOSFET \r.MODEL DI_BS870  NMOS( LEVEL=1 VTO=2.00 KP=32.0m  GAMMA=2.48\r+ PHI=.75  LAMBDA=86.8u RD=0.490 RS=0.490\r+ IS=125f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=29.8p \r+ CBS=35.8p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=176n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17163 \r
17164 *SRC=BSS123;DI_BSS123;MOSFETs N;Enh;100V 0.170A 1.00ohms  Diodes Inc.\r
17165 MOSFET\r
17166 .MODEL DI_BSS123  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.00 KP=6.37m  GAMMA=1.24\r
17167 + PHI=.75  LAMBDA=625u RD=0.140 RS=0.140\r
17168 + IS=85.0f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=19.8p\r
17169 + CBS=23.7p  CGSO=36.0n CGDO=30.0n CGBO=124n  )\r
17170 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17171 \r
17172 *SRC=BSS123W;DI_BSS123W;MOSFETs N;Enh;100V 0.170A 1.00ohms  Diodes Inc. MOSFET \r.MODEL DI_BSS123W  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.40 KP=0.805  GAMMA=1.74\r+ PHI=.75  LAMBDA=41.8u RD=0.140 RS=0.140\r+ IS=85.0f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=39.5p \r+ CBS=47.4p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=246n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17173 \r
17174 *SRC=BSS138;DI_BSS138;MOSFETs N;Enh;50.0V 0.200A 1.40ohms  Diodes Inc.\r
17175 MOSFET\r
17176 .MODEL DI_BSS138  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.20 KP=7.50m  GAMMA=1.49\r
17177 + PHI=.75  LAMBDA=1.25m RD=0.196 RS=0.196\r
17178 + IS=100f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=18.4p\r
17179 + CBS=22.0p  CGSO=28.8n CGDO=24.0n CGBO=247n  )\r
17180 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17181 \r
17182 *SRC=BSS138DW;DI_BSS138DW;MOSFETs N;Enh;50.0V 0.200A 1.60ohms  Diodes Inc. MOSFET - One element of dual \r.MODEL DI_BSS138DW  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.20 KP=50.0m  GAMMA=1.49\r+ PHI=.75  LAMBDA=83.2u RD=0.224 RS=0.224\r+ IS=100f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=56.3p \r+ CBS=67.5p  CGSO=96.0n CGDO=80.0n CGBO=324n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17183 \r
17184 *SRC=BSS138W;DI_BSS138W;MOSFETs N;Enh;50.0V 0.200A 1.60ohms  Diodes Inc. MOSFET\r.MODEL DI_BSS138W  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.20 KP=50.0m  GAMMA=1.49\r+ PHI=.75  LAMBDA=83.2u RD=0.224 RS=0.224\r+ IS=100f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=56.3p \r+ CBS=67.5p  CGSO=96.0n CGDO=80.0n CGBO=324n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17185 \r
17186 *SRC=BSS84;DI_BSS84;MOSFETs P;Enh;50.0V 0.130A 6.00ohms  Diodes Inc. MOSFET\r
17187 .MODEL DI_BSS84  PMOS( LEVEL=1 VTO=-1.60 KP=4.87m  GAMMA=1.98\r
17188 + PHI=.75  LAMBDA=1.25m RD=0.840 RS=0.840\r
17189 + IS=65.0f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=46.6p\r
17190 + CBS=55.9p  CGSO=50.7n CGDO=42.2n CGBO=69.5n  )\r
17191 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17192 \r
17193 *SRC=BSS84;DI_BSS84;MOSFETs P;Enh;50.0V 0.130A 6.00ohms  Diodes Inc. MOSFET\r
17194 .MODEL DI_BSS84  PMOS( LEVEL=1 VTO=-1.60 KP=4.87m  GAMMA=1.98\r
17195 + PHI=.75  LAMBDA=1.25m RD=0.840 RS=0.840\r
17196 + IS=65.0f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=46.6p\r
17197 + CBS=55.9p  CGSO=50.7n CGDO=42.2n CGBO=69.5n  )\r
17198 *   -- Assumes default L=100U W=100U -- \r
17199 \r
17200 *SRC=2N7002;2N7002;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.115A 7.50ohms  Diodes Inc. -\r
17201 .MODEL 2N7002  NMOS( LEVEL=1 VTO=2.50 KP=32.0m  GAMMA=3.10\r
17202 + PHI=.75  LAMBDA=39.9u RD=1.05 RS=1.05\r
17203 + IS=57.5f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=98.8p \r
17204 + CBS=119p  CGSO=60.0n CGDO=50.0n CGBO=390n  )\r
17205 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17206 \r
17207 *SRC=BSS84DW;DI_BSS84DW;MOSFETs P;Enh;50.0V 0.130A 6.00ohms  Diodes Inc. MOSFET- One element of dual\r.MODEL DI_BSS84DW  PMOS( LEVEL=1 VTO=-1.60 KP=25.0m  GAMMA=1.98\r+ PHI=.75  LAMBDA=108u RD=0.840 RS=0.840\r+ IS=65.0f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=43.0p \r+ CBS=51.7p  CGSO=144n CGDO=120n CGBO=186n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17208 \r
17209 *SRC=BSS84W;DI_BSS84W;MOSFETs P;Enh;50.0V 0.130A 6.00ohms  Diodes Inc. MOSFET\r.MODEL DI_BSS84W  PMOS( LEVEL=1 VTO=-1.60 KP=25.0m  GAMMA=1.98\r+ PHI=.75  LAMBDA=108u RD=0.840 RS=0.840\r+ IS=65.0f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=64.2p \r+ CBS=77.1p  CGSO=144n CGDO=120n CGBO=341n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17210 \r
17211 *SRC=DMN100;DI_DMN100;MOSFETs N;Enh;30.0V 1.10A 0.150ohms  Diodes Inc. MOSFET\r.MODEL DI_DMN100  NMOS( LEVEL=1 VTO=2.00 KP=11.5  GAMMA=2.48\r+ PHI=.75  LAMBDA=306u RD=21.0m RS=21.0m\r+ IS=550f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=199p \r+ CBS=238p  CGSO=360n CGDO=300n CGBO=840n  )   *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17212 \r
17213 *SRC=MMBF170;DI_MMBF170;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.500A 2.10ohms  Diodes Inc. MOSFET \r
17214 .MODEL DI_MMBF170  NMOS( LEVEL=1 VTO=2.10 KP=18.8m  GAMMA=2.60 \r
17215 + PHI=.75  LAMBDA=1.04m RD=0.294 RS=0.294 \r
17216 + IS=250f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=29.8p \r
17217 + CBS=35.8p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=176n  ) \r
17218 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17219 \r
17220 *******************************************************************************************************************************\r
17221 *SRC=CTA2N1P;DI_CTA2N1P_BJT;BJTs NPN; Si;  40.0V  0.600A  275MHz   Diodes Inc. BJTs\r
17222 .MODEL DI_CTA2N1P_BJT  NPN (IS=1.27p NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
17223 + IKF=60.7m ISE=47.7p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17224 + VAR=24.0 IKR=0.150 RE=0.261 RB=1.04 RC=0.104\r
17225 + XTB=1.5 CJE=27.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=14.2p VJC=0.300\r
17226 + MJC=0.300 TF=533p TR=84.1n EG=1.12 )\r
17227 \r
17228 *SRC=CTA2N1P;DI_CTA2N1P_MOSFET;MOSFETs P;Enh;50.0V 0.130A 6.00ohms  Diodes Inc. MOSFET\r
17229 .MODEL DI_CTA2N1P_MOSFET  PMOS( LEVEL=1 VTO=-1.60 KP=25.0m  GAMMA=1.98\r
17230 + PHI=.75  LAMBDA=108u RD=0.840 RS=0.840\r
17231 + IS=65.0f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=64.2p \r
17232 + CBS=77.1p  CGSO=144n CGDO=120n CGBO=341n  )\r
17233 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17234 *******************************************************************************************************************************\r
17235 \r
17236 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------\r
17237 *SRC=CTA2P1N;DI_CTA2P1N_BJT;BJTs PNP; Si;  40.0V  0.600A  200MHz   Diodes Inc. BJTs\r
17238 .MODEL DI_CTA2P1N_BJT  PNP (IS=60.4f NF=1.00 BF=410 VAF=114\r
17239 + IKF=0.304 ISE=23.2p NE=2.00 BR=4.00 NR=1.00\r
17240 + VAR=20.0 IKR=0.750 RE=0.261 RB=1.04 RC=0.104\r
17241 + XTB=1.5 CJE=27.7p VJE=1.10 MJE=0.500 CJC=18.5p VJC=0.300\r
17242 + MJC=0.300 TF=667p TR=84.1n EG=1.12 )\r
17243 \r
17244 *SRC=CTA2P1N;DI_CTA2P1N_MOSFET;MOSFETs N;Enh;60.0V 0.115A 2.00ohms  Didoes Inc. MOSFET \r
17245 .MODEL DI_CTA2P1N_MOSFET  NMOS( LEVEL=1 VTO=1.50 KP=32.0m  GAMMA=1.86\r
17246 + PHI=.75  LAMBDA=40.0u RD=0.280 RS=0.280\r
17247 + IS=57.5f  PB=0.800 MJ=0.460 CBD=44.5p \r
17248 + CBS=53.4p  CGSO=24.0n CGDO=20.0n CGBO=176n  )\r
17249 *   -- Assumes default L=100U W=100U --\r
17250 -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------\r
17251 \r